涉及曝光装置。
背景技术:
1、以往,在制造基于液晶或有机el的显示面板、半导体元件(集成电路等)等的电子器件(微型器件)的光刻工序中,使用步进重复方式的投影曝光装置(所谓的步进光刻机)、或者步进扫描方式的投影曝光装置(所谓的扫描/步进光刻机(也被称为扫描仪))等。这种曝光装置在对玻璃基板、半导体晶片、印刷布线基板、树脂薄膜等的被曝光基板(以下也简称为基板)的表面涂敷的感光层投影曝光了电子器件用的掩膜图案。
2、已知由于制作固定形成该掩膜图案的掩膜基板需要花费时间和费用,所以取代掩膜基板,而使用了规则性地排列了微小位移的微镜的多个数字反射镜器件(dmd)等的空间光调制元件(可变掩膜图案生成器)的曝光装置(例如,参照专利文献1)。在专利文献1中公开的曝光装置中,例如,将利用多模式的纤维束混合了来自波长375nm的激光二极管(ld)的光和来自波长405nm的ld的光而得到的照明光照射至数字反射镜器件(dmd),将来自被进行了倾斜控制的多个微镜的每一个的反射光经由成像光学系统、微型透镜阵列而投影曝光至基板。
3、在曝光装置中,期望以高生产量实现精度高的曝光。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1:jp特开2019-23748号公报
技术实现思路
1、根据公开的方式,曝光装置具备:保持并移动基板的基板保持架;模块,其包括具有二维排列的光调制元件的空间光调制器、向所述空间光调制器照射照明光的照明单元、以及投影单元,该投影单元向在所述基板上沿第1方向以及垂直于所述第1方向的第2方向二维排列的光照射区域组分别引导来自所述光调制元件的所述照明光;以及沿扫描方向驱动所述基板保持架的控制部,所述光调制元件相对于所述扫描方向以及与该扫描方向正交的非扫描方向倾斜规定角度θ(0°<θ<90°)来二维排列,所述控制部在对所述基板的规定范围进行曝光时,以使表示向所述规定范围内照射的从所述光调制元件分别射出的所述照明光的中心的光点位置交错配置这样的速度,对所述基板保持架进行扫描。
2、此外,也可以适当改善后述的实施方式的构成,另外,还可以是至少一部分由其他构成物代替。而且,针对配置没有特别限定的构成要件不限于在实施方式中公开的配置,能够配置在能够实现其功能的位置。
1.一种曝光装置,其具备:
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其中,
3.根据权利要求2所述的曝光装置,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的曝光装置,其中,
5.根据权利要求1~4中任一项所述的曝光装置,其中,
6.根据权利要求1~4中任一项所述的曝光装置,其中,
7.根据权利要求1~4中任一项所述的曝光装置,其中,
8.根据权利要求7所述的曝光装置,其中,
9.根据权利要求1~4中任一项所述的曝光装置,其中,
10.根据权利要求1~9中任一项所述的曝光装置,其中,