基片处理方法、存储介质和基片处理装置与流程

本发明涉及基片处理方法、存储介质和基片处理装置。

背景技术：

1、专利文献1公开的抗蚀剂涂敷显影装置，在曝光后，利用潜像线宽测量装置测量在基片表面形成的潜像图案的线宽，在其线宽测量值在预先设定的适当值的范围以外的情况下，为了使显影后的抗蚀剂图案的线宽适当化，对后烘烤温度进行修正。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平10-275755号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明的技术能够提供能够对使用含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的线宽进行控制的新的基片处理方法和基片处理装置。

3、用于解决技术问题的手段

4、本发明的一个方式是一种基片处理方法，其为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：在到所述含金属抗蚀剂的膜的显影处理之前的期间，使基片处理装置内的存在所述基片的基片存在空间的酸浓度变化。

5、发明效果

6、采用本发明，能够提供能够对使用含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的线宽进行控制的新的基片处理方法和基片处理装置。

技术特征：

1.一种基片处理方法，其为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

6.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

9.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：

10.一种基片处理装置，其为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理装置，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：

12.如权利要求10或11所述的基片处理装置，其特征在于：

技术总结
本发明提供能够对使用含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的线宽进行控制的新的基片处理方法、存储介质和基片处理装置。本发明的基片处理方法为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：在到所述含金属抗蚀剂的膜的显影处理之前的期间，使基片处理装置内的存在所述基片的基片存在空间的酸浓度变化。

技术研发人员：山内刚
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15