用于形成具有横向能局域化的能量中继器的系统和方法与流程

文档序号:35138140发布日期:2023-08-16 23:55阅读:36来源:国知局
用于形成具有横向能局域化的能量中继器的系统和方法与流程

本公开大体上涉及形成能量中继器,且更确切地说,涉及用于形成具有横向能局域化的能量中继器的方法和装置。


背景技术:

1、通过gene roddenberry的《星际迷航(star trek)》推广的“全息甲板”室内的交互式虚拟世界的梦想最初是在20世纪初由作家alexander moszkowski设想出来的,近一个世纪以来它一直是科幻和技术创新的灵感来源。然而,除了文学、媒体以及儿童和成年人的集体想象之外,这种体验并不具有令人信服的实施方案。


技术实现思路

1、公开了用于制造诱发有序能量局域化效应的能量引导系统的能量中继器的系统和方法。公开了有序能量中继器材料分配标准。论述了横向平面以及多维的有序材料配置。公开了用于形成具有能量局域化特性的有序能量中继器材料的方法和系统

2、在实施例中,一种用于形成能量中继器的方法包括:提供第一和第二能量中继器材料;在所述能量中继器的横向平面中形成所述第一和第二能量中继器材料的布置,所述布置允许能量沿着所述能量中继器材料的纵向平面传输,使得所述能量中继器在所述纵向平面中的能量传输效率远远高于所述横向平面中的能量传输效率;在受约束空间中容纳第一和第二能量中继器材料的所述布置;当所述布置容纳在所述受约束空间中时处理所述布置以形成熔合结构;所述熔合结构具有由所述受约束空间限定的横向尺寸;以及在所述处理步骤之后从所述受约束空间中去除能量中继器材料的所述熔合结构。

3、在实施例中,一种方法包括:加热所述熔合结构的至少第一部分,所述第一部分在受热之前具有第一横向尺寸;以及沿着受热熔合结构的至少所述第一部分纵向施加拉力,由此使所述第一部分变成具有比所述第一横向尺寸窄的第二横向尺寸,同时大体上维持第一和第二能量中继器材料的所述布置。

4、在实施例中,一种用于改变能量中继器材料的尺寸的方法包括:提供能量中继器材料,所述能量中继器材料配置成沿着所述能量中继器材料的纵向平面传输能量,其中所述纵向平面中的能量传输效率远远高于垂直于所述纵向平面的横向平面中的能量传输效率;在受约束空间中容纳所述能量中继器材料;使所述能量中继器材料顺应所述受约束空间的至少一部分;以及从所述受约束空间中去除顺应的能量中继器材料;并且其中所述受约束空间包括允许所述顺应的能量中继器材料的至少一部分沿着所述能量中继器材料的所述纵向平面具有减小的横向尺寸的形状。

5、在实施例中,一种方法包括提供限定受约束空间的固定件,所述固定件具有第一端部和第二端部,以及沿着纵向方向在所述第一端部和第二端部之间延伸的中间部分,其中所述固定件的所述中间部分包括穿过其限定的至少一个孔口;并且其中顺应包括至少部分地通过所述至少一个孔口施加楔形件,其中所述楔形件与所述固定件配合,使所述能量中继器材料的一部分顺应减小的横向尺寸。

6、在实施例中,一种方法包括提供多个可调整壁,所述多个可调整壁沿着纵向方向延伸并限定可用于容纳能量中继器材料的受约束空间的周边,且配置成通过调整所述可调整壁在垂直于所述纵向方向的横向方向上相对于彼此的位置来改变所述受约束空间的至少一部分沿着所述纵向方向的横向尺寸。

7、在实施例中,一种方法包括提供包括模制部分的模具,其中所述模具限定受约束空间,并且至少部分地通过所述模具的所述模制部分的形状提供允许顺应的能量中继器材料的至少所述部分具有所述减小的横向尺寸的形状,所述模制部分的所述形状包括具有减小的横向尺寸的端部;在所述模制部分的所述具有减小的横向尺寸的端部中容纳所述能量中继器材料的端部部分,其中所述能量中继器材料的所述端部部分的尺寸大体上等于所述模制部分的所述具有减小的横向尺寸的端部的尺寸;将所述能量中继器材料加热到某一温度,使得所述能量中继器材料在所述纵向和横向平面中均具有可成形性,以允许所述能量中继器材料的至少所述横向尺寸重新形成;使所述能量中继器材料大体上顺应所述模制部分的所述形状;冷却顺应的能量中继器材料和所述模具;以及将所述顺应的能量中继器材料与所述模具隔开。

8、在实施例中,一种方法包括:提供限定受约束空间的形状的模具,其中所述受约束空间的所述形状包括具有已形成锥形能量中继器阵列的倒置形状的至少一部分;提供能量中继器材料;其中顺应包括:将所述能量中继器材料和所述模具加热到某一温度,使得所述能量中继器材料在纵向和横向平面中均具有可成形性,以允许所述能量中继器材料的至少所述横向平面重新形成;以及向所述能量中继器材料和所述模具中的至少一个施加力,使所述能量中继器材料的至少一部分大体上顺应所述已形成锥形能量中继器阵列的所述形状;其中所述方法进一步包括冷却顺应的能量中继器材料和所述模具。

9、在实施例中,一种用于限定配置成在其中容纳能量中继器材料的受约束空间的固定件包括:第一端部和第二端部,以及沿着纵向方向在所述第一端部和第二端部之间延伸的中间部分,其中所述固定件的所述中间部分包括穿过其限定的至少一个孔口;以及楔形件,其配置成可至少部分地通过所述至少一个孔口施加,其中所述楔形件配合以限定所述受约束空间的横向尺寸。

10、在实施例中,一种用于限定配置成在其中容纳能量中继器材料的受约束空间的固定件,所述固定件包括:模具,其包括已形成能量中继器阵列形状的倒置形状;其中所述已形成中继器阵列形状的所述倒置形状包括至少一个倒置中继器元件隔室,所述至少一个隔室包括:具有第一横截面区域的窄端、具有大于所述第一横截面区域的第二横截面区域的宽端,以及连接所述宽部和窄端的边缘的倾斜壁。

11、在实施例中,一种用于限定受约束空间的固定件包括:第一和第二组件,其配置成接合在一起以在其间形成所述受约束空间;其中所述受约束空间配置成容纳一个或多个能量中继器材料,所述一个或多个能量中继器材料在所述一个或多个能量中继器材料的横向平面中呈允许能量沿着所述一个或多个能量中继器材料的纵向平面传输的布置,使得所述一个或多个能量中继器材料在所述纵向平面中的能量传输效率远远高于所述横向平面中的能量传输效率。

12、在实施例中,一种用于限定配置成在其中容纳能量中继器材料的受约束空间的模具包括:模制部分,其包括锥形能量中继器形状的倒置形状,所述模制部分配置成允许所述能量中继器材料的至少一部分顺应所述锥形能量中继器形状;所述模具进一步配置成使所述能量中继器材料的第一端部部分适应所述模制部分的具有减小的横向尺寸的端部,其中所述第一端部在所述能量中继器材料的横向平面中的尺寸大体上等于所述模制部分的所述具有减小的横向尺寸的端部的尺寸。

13、在实施例中,一种用于限定配置成在其中容纳一个或多个能量中继器材料的受约束空间的固定件包括:多个可调整壁,其沿着纵向方向延伸并在其间限定所述受约束空间,且配置成通过调整所述可调整壁在垂直于所述纵向方向的横向方向上相对于彼此的位置来改变所述受约束空间的至少一部分沿着所述纵向方向的横向尺寸。



技术特征:

1.一种用于限定配置成在其中容纳一个或多个能量中继器材料的受约束空间的固定件,所述固定件包括:

2.根据权利要求1所述的固定件,其中所述可调整壁配置成相对于彼此移动,同时不会在所述受约束空间的所述壁中形成任何空隙。

3.根据权利要求1所述的固定件,其中所述受约束空间由四个壁限定。

4.根据权利要求3所述的固定件,其中所述四个壁中的第一和第二壁彼此相对。

5.根据权利要求4所述的固定件,其中所述四个壁中的第三和第四壁彼此相对,且垂直于所述第一和第二壁。

6.根据权利要求1所述的固定件,其中至少一个可调整壁包括调整邻接壁位置所沿着的导引件。

7.根据权利要求1所述的固定件,其中至少一个可调整壁可用于沿着邻近壁的导引件滑动,同时垂直于所述邻近壁定向。

8.根据权利要求1所述的固定件,其中所述多个可调整壁配置成同步滑动,以维持所述受约束空间的封闭周边同时限定其所述横向尺寸。

9.根据权利要求1所述的固定件,其中所述多个壁中的每个壁包括端部部分和侧面部分,第一壁的所述端部部分配置成沿第一方向抵靠第二壁的侧面部分邻接并滑动,且所述第一壁的所述侧面部分配置成沿第二方向抵靠第三壁的所述端部部分邻接并滑动。

10.根据权利要求9所述的固定件,其中每个侧面部分包括用于限定所述受约束空间的一部分的突出部,且每个端部部分包括配置成容纳邻接侧面部分的所述突出部的凹口,使得邻接的侧面和端部部分之间没有空隙。

11.根据权利要求9所述的固定件,其中所述第一和第二方向是垂直的。

12.根据权利要求1所述的固定件,其中所述多个壁中的每一个包括倒置能量中继器元件形状的一部分。

13.根据权利要求1所述的固定件,其中所述多个可调整壁的配置限定锥形能量中继器的倒置形状。

14.一种用于形成能量中继器的方法,其包括:

15.一种用于更改能量中继器材料的尺寸的方法,其包括:

16.一种用于限定配置成在其中容纳一个或多个能量中继器材料的受约束空间的固定件,所述固定件包括:

17.一种用于限定配置成在其中容纳能量中继器材料的受约束空间的模具,所述模具包括:

18.一种用于限定受约束空间的固定件,所述固定件包括:

19.一种用于限定配置成在其中容纳能量中继器材料的受约束空间的固定件,所述固定件包括:

20.一种用于限定配置成在其中容纳能量中继器材料的受约束空间的固定件,所述固定件包括:


技术总结
公开了用于制造能量引导系统的能量中继器的系统和方法。公开了用于形成具有能量局域化特性的能量中继器材料的随机和非随机图案的方法和装置。公开了用于形成不同形状的能量中继器的方法和装置。

技术研发人员:J·S·卡拉夫,B·E·比弗森,E·伊贝,J·佩雷斯,陈旭东,J·W·里克瓦尔德
受保护的技术使用者:光场实验室公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
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