光刻机载物台及OVL异常检测方法与流程

本申请实施例涉及电子设备领域，特别涉及一种光刻机载物台及ovl异常检测方法。

背景技术：

1、套刻精度(ovl，overlay)是衡量fab(fabrication制作)安全稳定生产的关键参数，随着芯片关键尺寸(cd)越来越小，对套刻精度的要求越来越高。thermal效应andstress效应是fab内常见非线性ovl异常，二者ovl矢量map表现也相似，均无法进行线性补偿提高套刻精度。

2、因此，急需一种方法快速判断是thermal or stress导致的非线性ovl异常。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种光刻机载物台及ovl异常检测方法。可以解决相关技术中无法对晶圆进行监控的问题。所述技术方案如下：

2、根据本申请的一个方面，提供了一种光刻机载物台，所述光刻机载物台包括：吸附台、升降pin、真空吸附边框和底座；

3、所述吸附台位于所述真空吸附边框内，所述吸附台与所述真空吸附边框之间形成有真空吸附腔，所述吸附台中贯穿有所述升降pin；

4、所述升降pin设置有晶圆夹，所述升降pin用于表面承载晶圆并通过所述晶圆夹对所述晶圆进行固定；

5、所述吸附台设置有夹具，所述夹具用于固定所述升降pin。

6、可选的，所述光刻机载物台还包括底座，所述升降pin的底部与所述底座固定连接。

7、可选的，所述吸附台的上表面与所述真空吸附边框的上表面位于同一高度。

8、根据本申请的另一个方面，提供了一种ovl异常检测方法，所述方法适用于如上述所述的光刻机载物平台，所述方法包括：

9、启动所述升降pin至目标高度，所述晶圆夹处于待夹持状态；

10、所述晶圆置入后，所述升降pin承载所述晶圆下降，所述晶圆夹夹持住所述晶圆，且所述夹具处于待夹持状态；

11、响应于所述晶圆下降至目标位置，所述夹具释放；

12、响应于所述夹具的释放时间满足预设时间，所述夹具再次夹持所述晶圆；

13、启动所述升降pin至所述吸附台表面。

14、可选的，所述预设时间根据所述晶圆的应力大小进行设置。

15、可选的，所述预设时间为150毫秒。

16、可选的，所述晶圆夹和所述夹具为手动操作或感应操作中的一种。

17、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

18、本申请实施例中，通过ovl异常检测方法改变光刻机晶圆移至吸附台上的真空吸附过程，从而改变应力带来的高阶ovl异常，提高了ovl套刻精度，减少晶圆盈利带来的套刻偏差。

19、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种光刻机载物台，其特征在于，所述光刻机载物台包括：吸附台、升降pin、真空吸附边框和底座；

2.根据权利要求1所述的光刻机载物台，其特征在于，所述光刻机载物台还包括底座，所述升降pin的底部与所述底座固定连接。

3.根据权利要求1所述的光刻机载物台，其特征在于，所述吸附台的上表面与所述真空吸附边框的上表面位于同一高度。

4.一种ovl异常检测方法，其特征在于，所述方法适用于如上述权利要求1至3任一所述的光刻机载物平台，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的ovl异常检测方法，其特征在于，所述预设时间根据所述晶圆的应力大小进行设置。

6.根据权利要求4所述的ovl异常检测方法，其特征在于，所述预设时间为150毫秒。

7.根据权利要求4所述的ovl异常检测方法，其特征在于，所述晶圆夹和所述夹具为手动操作或感应操作中的一种。

技术总结
本申请实施例公开了一种光刻机载物台及OVL异常检测方法，属于电子设备领域。通过OVL异常检测方法的侦测组件可以在腔室进入晶圆以及传送过程中对晶圆进行位置侦测，从而在晶圆位置异常时发出警报；从而在气闸室对制造过程中的晶圆进行监控，避免位置异常的晶圆在后续传送模组继续动作时造成对其他晶圆损伤或机台损害。

技术研发人员：李亚洲,姚振海,金乐群,居碧玉,高中原
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25