一种水系光刻胶剥离液的制作方法

本发明属于半导体生产，具体涉及一种水系光刻胶剥离液。

背景技术：

1、光刻工艺是半导体以及显示领域制造中最为重要的步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片或者其它衬底上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。在光刻过程中，需在衬底上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的正型光刻胶(负型光刻胶为未曝光区被显影去除)将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到衬底上。完成上述图案化转移之后，需要将光刻胶及其残余物清洗干净以便进行下一步的操作。同时，由于为了减小高世代面板中配线线宽以节省空间，采用电阻率更优的铜配线取代铝配线，但铜配线与玻璃基板的附着力差，通下层需要用选自钼、钼合金、钛、钛合金中的一种材料作为辅助，其中钛及钛合金价格昂贵，钼、钼合金的性价比较高。

2、在包含铜配线层和钼/钼合金层的基板剥离工序中，现有技术中的光刻胶剥离液存在对钼层腐蚀现象，形成底切，此外由于铜自身性质易氧化导致电阻变化，要求剥离液对钼层和基板不腐蚀减少底切现象并对铜金属膜层仅产生微腐蚀。同时，由于有机体系剥离液使用大量的有机极性溶剂，对废液的处理和环境有较大负荷，亟需一种绿色环保的水系剥离液，减少环境污染问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种水系光刻胶剥离液，以解决现有技术中剥离液对金属基底的腐蚀性较高的问题；同时该剥离液的废液极易处理，减少环境污染问题。

2、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种水系光刻胶剥离液，按质量百分比计，其组成成分为极性有机溶剂35-60％、有机碱1-10％、缓蚀剂0.01-0.25％、余量为高纯水。

4、进一步的，所述极性有机溶剂为n-甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮、n、n-二甲基甲酰胺、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚中任意一种或者多种按照任意比例混合。

5、进一步的，所述有机碱为二甘醇胺、乙二醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基二乙醇胺、羟乙基乙二胺中的任意一种或者多种按照任意比例混合。

6、进一步的，所述缓蚀剂为唑类化合物，优选甲基苯骈三氮唑、苯骈三氮唑、五氨基四氮唑中的任意一种或者多种按照任意比例混合。

7、本发明的有益效果：

8、1.本发明提供的一种水系光刻胶剥离液，对金属基板腐蚀性较低，同时由于含有较高组分的高纯水，降低了环保设备处置有机废液的压力，在环境保护方面有积极影响。

9、2.本发明提供的一种水系光刻胶剥离液，在不影响剥离效果和残留的前提下后续水洗冲洗时间显著减少，大大减少高纯水的用量。

10、3.本发明提供的一种水系光刻胶剥离液，相较于其他相同类型水系产品，本发明中水占比更高，在剥离效果不变的情况下使用成本更低。

技术特征：

1.一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，包括如下重量百分比组成成分，极性有机溶剂35-60％、有机碱1-10％、缓蚀剂0.01-0.25％、余量为高纯水。

2.根据权利要求1所述的一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，所述极性有机溶剂为n-甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮、n、n-二甲基甲酰胺、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚中任意一种或者多种按照任意比例混合。

3.根据权利要求1所述的一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，所述有机碱为二甘醇胺、乙二醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基二乙醇胺、羟乙基乙二胺中的任意一种或者多种按照任意比例混合。

4.根据权利要求1所述的一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，所述缓蚀剂为唑类化合物。

5.根据权利要求4所述的一种水系光刻胶剥离液，其特征在于，所述唑类化合物包括甲基苯骈三氮唑、苯骈三氮唑、五氨基四氮唑中的任意一种或者多种按照任意比例混合。

技术总结
本发明公开了一种水系光刻胶剥离液，属于半导体生产技术领域。其主要成分按重量百分比计为极性有机溶剂35‑60％、有机碱1‑10％、缓蚀剂0.01‑0.25％、余量为高纯水。本发明采用特定的配比，使得最终所制备的光刻胶剥离液可快速去除光刻胶，其对金属基底腐蚀性较小，且清洗方便，有效降低清洗成本。同时由于组分中含有较高组分的高纯水，降低环保设备处置有机废物的压力，在环境保护方面具有积极影响。

技术研发人员：赵建国,王维康,黄德新,谢伟
受保护的技术使用者：合肥中聚和成电子材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16