抗蚀剂结构的状态转变温度的制作方法

本发明涉及抗蚀剂领域。更具体地，本发明涉及确定抗蚀剂结构的状态转变温度，例如玻璃化转变温度。

背景技术：

1、在过去的几十年里，光刻技术的分辨率得到了大幅提高，这是由三个主要因素实现的：(1)成像源波长λ的降低，(2)透镜数值孔径(na)的增加，以及(3)工艺相关k1因子的降低。利用这些因素，最小可能的半间距(hp)，即相邻抗蚀剂结构(例如抗蚀剂的抗蚀剂线结构)之间的最小中心到中心距离间隔(或间距)的一半，可以使用用于分辨率的第一瑞利方程来被计算：

2、hp＝k1·λ/na(方程1)

3、或者，该方程可以用抗蚀剂结构的最小宽度代替半间距来被公式化。抗蚀剂结构的宽度通常被称为临界尺寸(cd)。

4、波长降低的最新进展是作为生产先进纳米电子器件的前沿技术的极紫外(euv)光(13.5nm)的引入。euv光刻(euvl)的进一步发展是基于引入更大的na，从当前值0.33到所谓的高na euvl的0.55。na的增加对应于透镜尺寸的物理增加，从而使其能够捕获更多的衍射级(即，更多的信息)并且因此实现更小的特征尺寸，例如抗蚀剂结构的更小半间距和更小宽度。

5、在向更小特征尺寸的连续推进过程中，抗蚀剂结构的高度(通常称为抗蚀剂膜厚度(ft))也发生了降低。高度的这种降低是由于大的纵横比(高度对宽度)可能导致图案塌陷的事实，即抗蚀剂结构的塌陷，这源于显影和漂洗过程中的毛细管力。此外，随着向高naeuvl的进展，高度降低的可能的第二个原因由焦深(dof)的第二瑞利方程给出：

6、dof＝k2·λ/(na2)(方程2)

7、该方程表明，dof与二次逆na成比例。因此，向高na euvl的进展将带来dof的预期降低，这将限制曝光对比度足够高以实现良好抗蚀剂图案化性能的抗蚀剂结构的高度。

8、由于抗蚀剂结构的高度的持续下降，抗蚀剂结构和在抗蚀剂结构下方的材料之间的界面相互作用变得越来越占主导地位。这些相互作用可以影响抗蚀剂材料的行为，这进而使得用于实现良好的图案化性能的抗蚀剂结构设计和优化具有挑战性。之前报道的与材料行为相关的变化包括剂量与尺寸、抗蚀剂纳米图案线轮廓和纳米失效数的变化，以及抗蚀剂中包含的添加剂的化学均匀性的变化，这些变化可能导致图案退化。

9、然而，直接测量抗蚀剂结构和抗蚀剂下方的材料之间的相互作用(这可以允许量化抗蚀剂材料的行为变化)是具有挑战性的。因此，需要测量与界面相互作用间接相关的现成材料属性。

10、因此，在本领域中仍然需要解决上述问题中的至少一些问题的设备和方法。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种可被用于确定抗蚀剂结构的状态转变温度(例如玻璃化转变温度)的良好方法和设备。

2、以上目的由根据本发明的方法和设备来实现。

3、本发明的实施例的优点在于，可以准确地确定表示抗蚀剂结构的状态转变温度的值。本发明的实施例的另一优点是，所述确定可以不需要使抗蚀剂结构与传感器或传感器的元件(例如电极)接触。不提供接触的方法是优选的，因为接触本身可能影响状态转变温度，例如玻璃化转变温度。此外，所述接触可能损坏抗蚀剂结构。

4、本发明的实施例的优点在于，所获得的表示状态转变温度的值可以提供基本上1d或2d结构(诸如抗蚀剂膜或抗蚀剂线结构)的状态转变温度的良好的值，其可以基本上不同于块体抗蚀剂材料的状态转变温度。本发明的实施例的优点在于，抗蚀剂和底层材料之间的相互作用也可以相关于状态转变温度或其代表值的确定而被纳入考虑。

5、本发明的实施例的优点在于，所述状态转变温度可被用于导出与抗蚀剂结构和在抗蚀剂结构下方的材料(即，底层材料)之间的相互作用有关的信息。本发明的实施例的优点在于，所述状态转变温度可被用于筛选包含在抗蚀剂结构的组合物中的材料，诸如添加剂、聚合物类型，或用于筛选底层。本发明的实施例的优点在于，可以优化抗蚀剂结构和底层材料之间的相互作用。

6、在第一方面，本发明涉及一种用于确定表示在底层材料上由抗蚀剂材料形成并具有预定尺寸的抗蚀剂结构的状态转变温度(例如玻璃化转变温度)的值的方法。该方法包括：

7、获得表示在施加热处理之后多个实体中的每一者的至少一个抗蚀剂结构的空间特征的度量的第二值与施加所述热处理的温度之间的相关性的数据，

8、每一实体包括在底层材料上由所述抗蚀剂材料形成并且在所述热处理之前具有所述预定尺寸的至少一个抗蚀剂结构，并且其中所述度量在所述热处理之前具有第一值，以及

9、根据所述相关性来确定表示状态转变温度的所述值，当在这一温度下进行热处理时，所述第二值与所述第一值相差达预定量。

10、在一些实施例中，获得数据可以是例如经由数据输入端口接收此类数据，由此可以更早地获得此类数据或者可以通过在该时刻或更早地测量它来获得此类数据。

11、在一些实施例中，空间特征可以是抗蚀剂结构的尺寸或粗糙度。尺寸可选自：宽度，即临界尺寸；长度；或者高度，即膜厚度。在此，宽度、长度和高度彼此垂直。该高度垂直于底层材料的顶表面。通常，该长度是沿着抗蚀剂结构的纵向轴线的。在各实施例中，空间特征是抗蚀剂结构的宽度或粗糙度。宽度或临界尺寸可被相对直接地确定，这可以导致状态转变温度的相对直接的确定。在优选实施例中，空间特征是抗蚀剂结构的粗糙度。发明人出乎意料地观察到，使用粗糙度作为空间特征可以提供对表示状态转变温度的值的精确确定。

12、对于多个实体的每个抗蚀剂结构，空间特征的第一值通常基本相同。这可以是使用相同的工序来制作多个实体中的每个实体的结果。由于多个实体中的每一者的度量在热处理之前具有相同的值，即第一值，因此可以假设不同实体的不同抗蚀剂结构之间相关于第二值的任何差异是由所施加的热处理引起的。

13、在一些实施例中，预定尺寸包括抗蚀剂结构的宽度和高度。在一些实施例中，预定尺寸包括抗蚀剂结构的长度。在各实施例中，预定尺寸包括半间距。特别地，当进行二次电子显微以确定第二值时，半间距优选地在多个实体之间是恒定的，因为有迹象表明通过二次电子显微测得的尺寸可能受到紧密间隔的线的影响。

14、每个实体的至少一个抗蚀剂结构中的每一者在热处理之前具有基本上(相同)的预定尺寸。这可以是使用相同的工序来制作多个实体中的每个实体的结果。

15、在一些实施例中，表示空间特征的度量是宽度，即临界尺寸，或表示线宽粗糙度或线边缘粗糙度的参数，诸如线宽粗糙度或线边缘粗糙程度的相关长度。线边缘粗糙度可以被定义成线边缘(例如线边缘的各点)在平行于底层材料的顶表面的平面中沿着平行于线边缘的直线在垂直于纵轴的方向上的变异(例如方差)。在此，线边缘可以是抗蚀剂结构(例如抗蚀剂线结构)的顶表面和侧表面之间的边缘。然而，线边缘粗糙度也可以假定为侧表面在预定高度处的粗糙度。预定高度可以是指在sem或metroler算法中使用的阈值，其可被潜在地转换成抗蚀剂高度。线宽粗糙度可以被定义成抗蚀剂结构的宽度(例如，抗蚀剂结构的各点)沿着抗蚀剂的纵轴的变异(例如方差)，其中抗蚀剂结构通常是抗蚀剂线结构。宽度通常在预定高度处确定，或者可能是在抗蚀剂结构的高度上取平均的平均宽度。因此，粗糙度可以量化抗蚀剂结构与具有平坦表面的理想抗蚀剂结构的偏差。

16、线宽或边缘粗糙度的相关长度是粗糙度在其下相关的长度。沿着抗蚀剂结构的长度在大于相关长度的距离处的各点通常彼此不相关。在优选实施例中，表示空间特征的度量是线宽粗糙度或线边缘粗糙度的相关长度。这些实施例的优点在于，相关长度可以提供粗糙度的良好测量，并且可以被精确地确定。

17、在一些实施例中，确定表示状态转变温度的所述值包括将函数拟合到第二值与施加热处理的温度之间的相关性。该函数可以是提供对数据的拟合并且允许从所述相关性进行外推或内插的任何函数。例如，函数可以是指数增长函数、幂函数或多项式函数，本发明不限于此。在优选实施例中，确定表示状态转变温度的所述值包括将指数增长函数拟合到第二值与施加热处理的温度之间的相关性。这些实施例的优点在于，表示状态转变温度的回流温度可以从有限数量的数据点，即执行热处理的有限数量的温度(其中针对这些温度确定了第二值)，进行外推或内插来精确地导出。在各实施例中，指数增长函数具有一般形式：

18、

19、在此，x可以是热处理的温度。在此，y0可以是表示空间特征的度量的第一值，也就是说，在应用所述热处理之前，其中y0可以在拟合时是固定的，或者可以是拟合参数，即可以变化以优化对数据的拟合。a1和t1可以被用作拟合参数。

20、第一值可以从第二值与施加所述热处理的温度之间的相关性导出，其中y0在将上述方程(方程3)拟合到数据的同时变化。在这种情况下，可以假设从拟合获得的y0是第一值。或者，第一值可以通过在对多个实体中的至少一个实体应用热处理之前测量表示空间特征的度量来获得。还可替换地，第一值可以通过测量表示参考实体上的空间特征的度量来获得，该参考实体包括在底层材料上的由抗蚀剂材料形成并具有所述预定尺寸的至少一个抗蚀剂结构，其中没有对所述参考实体施加热处理。在又一示例中，例如当y0是一个维度时，y0可以从各预定维度导出。例如，当形成多个实体时，形成过程可能已被适配成获得具有特定预定宽度的抗蚀剂结构，并且y0可以是所述特定预定宽度。当从测量值或从所述预定尺寸确定第一值时，当将上述方程(方程3)拟合到数据时，第一值，即y0，可以固定在所述第一值上。

21、在一些实施例中，每一实体包括在其上形成抗蚀剂结构的晶片。所述晶片可以是任何类型的晶片，诸如锗晶片或硅晶片。抗蚀剂结构通常形成在待蚀刻的层上。待蚀刻的层可以是晶片、底层材料或在晶片上形成的层。在各实施例中，底层材料可以是晶片，或者可以是晶片的一部分。或者，底层材料可以是覆盖晶片的分开材料。在各实施例中，底层材料包括以下之一：有机旋涂，包括有机材料(通常由以下元素形成：c、h、o、s和/或n)；含硅旋涂(由至少si和通常以下元素形成：c、h、o、s和/或n)；无机底层材料；或者沉积的sioc、sion或sic。

22、在一些实施例中，抗蚀剂材料可以是具有状态转变温度的任何类型的材料，诸如在不同温度下具有不同状态的材料，例如具有玻璃化转变温度的材料，诸如玻璃或聚合物，例如聚合物。如本领域技术人员所熟知的，当在热处理期间将诸如抗蚀剂材料之类的材料加热到玻璃化转变温度或高于玻璃化转变温度时，抗蚀剂材料从硬且脆的玻璃态转变成粘性或橡胶态。当处于所述粘性或橡胶态时，抗蚀剂材料可以改变形状。例如，处于粘性或橡胶态的抗蚀剂材料的粘度可以足够低，使得来自抗蚀剂结构的抗蚀剂材料可以流动。作为另一示例，例如当抗蚀剂材料是化学放大的抗蚀剂时，存在于抗蚀剂结构中的质子可能够在抗蚀剂结构处于粘性或橡胶态时移动穿过该抗蚀剂结构。这可导致抗蚀剂结构的空间特征的改变，例如抗蚀剂结构的加宽或抗蚀剂结构的粗糙度的改变。此外，热处理越高于玻璃化转变温度，在热处理期间在抗蚀剂结构中引起的变化就越大。通过确定在所述热处理之前的第一值和在所述加热处理之后的第二值之间的差，可以量化空间特征的变化。通常，变化越大，热处理的温度越高于玻璃化转变温度或其代表值。这种解释可以应用于任何类型的材料状态，其中，通常，不同的状态具有不同的结构，例如具有不同晶体结构的不同状态、抗蚀剂结构具有不同体积尺寸的不同状态或具有不同缺陷浓度的不同状态，或具有不同密度的不同状态。事实上，通过提高温度，材料可以在不同状态之间转变，例如经历体积变化或尺寸变化，或者可以在材料中形成缺陷。缺陷可以指导致不同排列或形状的内部材料缺陷。

23、在一些实施例中，执行热处理的时间段对于每个实体而言是相似的或基本相同的。这样做的优点是，对数据的解释可相对简单直接。然而，这并不是必不可少的，而相反，该时间段在不同实体之间可有所不同。

24、表示状态转变温度的值可以是玻璃化温度或回流温度，例如由于抗蚀剂材料当处于或高于所述回流温度时处于粘性或橡胶态，抗蚀剂材料中包括的材料开始回流的温度。回流温度可以是第二值比所述第一值大预定量的温度。或者，表示状态转变温度的值可以是状态温度的倒数或者回流温度的倒数。在这种情况下，表示状态转变温度的值可以是第二值比所述第一值小预定量的温度。

25、抗蚀剂材料的状态转变温度取决于固有特性，诸如分子内和分子间参数。状态转变温度还取决于抗蚀剂材料与环境(例如与底层材料)的界面相互作用。例如，聚合物的玻璃化转变温度与膜厚度和界面相互作用相关，这可归因于聚合物链在界面(例如，在抗蚀剂材料和底层材料之间)的迁移率变化。如此，确定表示状态转变温度的值可以提供与界面相互作用的潜在变化有关的信息，因为这些相互作用将影响表示状态转变温度的所述值。因此，可以在块体抗蚀剂材料的状态转变温度和由抗蚀剂形成的抗蚀剂结构的状态转变温度之间进行区分，其可以——特别是对于诸如抗蚀剂结构之类的小结构，界面相互作用可能对状态转变温度有很大影响——与块体抗蚀剂材料的状态转变温度显著不同。本发明的一些实施例用于提供抗蚀剂结构的状态转变温度。

26、在一些实施例中，对于多个实体中的至少一者，施加热处理的温度低于抗蚀剂材料的块体的状态转变温度。在优选实施例中，对于多个实体中的至少另一者，施加热处理的温度高于抗蚀剂材料的块体的状态转变温度。这些实施例的优点在于，可以准确地确定表示状态转变温度的回流温度。在优选实施例中，多个实体包括至少2个实体，诸如至少3个实体，诸如至少4个实体。使用更多实体的优点在于，可以准确地确定表示状态转变温度的值。然而，为了保持成本效益和劳动力效益，实体的数量优选地不要太大。通常，多个实体包含5到20个实体。

27、优选地，抗蚀剂材料是化学放大抗蚀剂。事实上，该方法特别适合于确定化学放大抗蚀剂的状态转变温度的值，例如玻璃化转变温度，对于化学放大抗蚀剂，由于抗蚀剂结构中存在的质子(即酸)的回流，可以特别容易地观察到表示状态转变温度的值。化学放大抗蚀剂可以包括聚合物和质子，所述聚合物和质子通常在由在形成化学放大抗蚀剂期间使用的光酸产生之后保留在化学放大抗蚀剂中。

28、在预定尺寸中，抗蚀剂结构通常可以具有垂直于基板的顶表面的高度，该高度是至多500nm，诸如至多200nm，诸如最多100nm。该方法特别适用于薄抗蚀剂结构，界面效应对其属性有相对大的影响。在实施例中，抗蚀剂结构可以是抗蚀剂膜或抗蚀剂线结构，优选地是抗蚀剂线结构。抗蚀剂线结构通常具有矩形长方体形状。在实施例中，在预定尺寸中，抗蚀剂线结构可以具有大于宽度且大于高度的长度。所述宽度可以是从5到500nm，诸如从10到200nm。所述长度可以是至少10nm，诸如至少100nm，诸如至少500nm。较长的长度可以具有可以更准确地确定线边缘粗糙度或线宽粗糙度的相关长度的优点。

29、第一方面的方法的步骤a)可以针对先前获得的数据来执行。因此，本发明的第一方面的方法可以在计算机上或由人执行，而例如不需要获得、包括应用热处理的处理以及分析用于获得所述数据的多个实体。

30、在一些实施例中，本发明还涉及根据第一方面的实施例的方法，其中在步骤a)中，该方法包括用于获得所述数据的以下步骤：

31、a')获得多个实体，其中每一实体包括在底层材料上的由抗蚀剂材料形成并且具有预定尺寸的至少一个抗蚀剂结构，其中表示至少一个抗蚀剂结构的空间特征的度量在热处理之前具有第一值，

32、a”)对多个实体施加热处理，其中施加热处理的温度对于多个实体中的每一实体而言是不同的，

33、a”')确定表示在热处理之后多个实体中的每一者的至少一个抗蚀剂结构的空间特征的度量的第二值，以便获得第二值与施加热处理的温度之间的相关性。

34、然后，在步骤a”')中获得的所述相关性与在该方法的步骤a)中接收的数据所表示的数据相对应。对于多个实体中的每个实体，该数据可以包括第二值和应用热处理的相应温度。如此，数据集可以表示第二值对热处理的温度的依赖性。

35、在抗蚀剂结构是化学放大抗蚀剂的一些实施例中，在步骤a')中获得多个实体包括以下步骤：

36、a')用由抗蚀剂材料的前体形成的涂层涂覆由底层材料形成的多个基板，其中抗蚀剂材料的所述前体包括：

37、溶剂，

38、溶解在所述溶剂中的前体聚合物，其能够在与酸反应时形成不溶于所述溶剂的聚合物，以及

39、能够在照射时产生酸的光酸，

40、a'2)照射涂层的一个区域，以诱导光酸产生所述酸，

41、a'3)施加热处理以诱发前体聚合物与酸的反应，从而在所述区域中将前体聚合物转化成不溶于所述溶剂的聚合物，并在所述区域中形成所述至少一个抗蚀剂结构，以及

42、a'4)从基板去除抗蚀剂材料的任何未反应的前体。

43、在一些实施例中，在步骤a”')中，使用适合于确定表示空间特征的度量的第二值的检测技术。所述检测技术可以是光学显微技术，但更典型地，由于抗蚀剂结构的小尺寸，电子显微技术是优选的。在实施例中，在步骤a”')中，对包括所述至少一个抗蚀剂结构的多个实体中的每个实体的一部分进行临界尺寸扫描电子显微。临界尺寸扫描电子显微特别适合于获得与抗蚀剂结构的空间特征(例如尺寸和/或粗糙度)有关的精确信息。在一些实施例中，确定第二值包括确定功率谱密度，例如，平均功率谱密度(即，在每个实体的多个抗蚀剂结构上取平均的和/或在每个抗蚀剂结构的不同部分上取平均的功率谱密度)。功率谱密度可以从图像中获得，例如从光学显微或从扫描电子显微获得的图像，优选从所述临界尺寸扫描电子显微获得的图像。这里，功率谱密度量化每单位频率的线边缘粗糙度或线宽粗糙度的方差，其中频率是沿着线边缘的长度的倒数。图2a(来自c.cutler等人，roughnesspower spectral density as afunction of aerial image and basic process/resistparameters(作为航空图像和基本工艺/抗蚀剂参数的函数的粗糙度功率谱密度)，journalof photopolymer science and technology(光聚合物科学与技术杂志)32(2019)第779-790页)示意性地描绘了从上方观察的抗蚀剂结构的两个边缘的测量。功率谱密度(psd)可以是作为沿着抗蚀剂结构的纵轴的长度(1/频率)的函数的、线边缘粗糙度或线宽粗糙度(例如，线边缘或宽度的方差)，即在具有所述长度的抗蚀剂结构的一部分内的所述粗糙度或方差。参考图2b，其是作为长度的函数的示意性功率谱密度。对于高频，即较小的长度，方差通常较小，并且随着长度的缩短而减小，因为沿着抗蚀剂结构的纵轴的线边缘的不同的、邻近的点之间存在相关性。对于低频，即大长度，沿着抗蚀剂结构的纵轴的线边缘的不同点通常彼此不相关，因此方差很大，并且对于非常长的线长度尺度而言通常是恒定的。功率谱密度提供了确定线边缘或宽度粗糙度的相关长度的可靠方式。

44、在数学上，功率谱密度可以被描述成自相关函数的傅立叶变换。功率谱密度有时由下式给出：

45、

46、其中f(kj)是边缘的傅立叶变换：

47、

48、其中ym≡y(xm)可以表示在沿着抗蚀剂结构的n个位置处确定的抗蚀剂结构的宽度或边缘相对于沿着抗蚀剂结构的直线在位置xm处的偏差。(例如，参见v.constantoudis等人，line edge roughness and critical dimension variation:fractalcharacterization and comparison using model functions(线边缘粗糙度和临界尺寸变化：使用模型函数的分形表征和比较)，journal of vacuum science&technology b:microelectronics and nanometer structures(真空科学与技术杂志b：微电子和纳米结构)22(2004)1974-1981页，以及c.cutler等人，roughness power spectral density as afunction of aerial image and basic process/resist parameters(作为航空图像和基本工艺/抗蚀剂参数的函数的粗糙度功率谱密度)，journal of photopolymer scienceand technology(光聚合物科学与技术杂志)32(2019)第779-790页。)

49、在一些实施例中，步骤a')还包括在参考基板上形成参考实体，所述参考实体包括由抗蚀剂材料形成并具有预定尺寸的至少一个参考抗蚀剂结构，并且其中步骤a”')包括选择参考实体的包括具有预定尺寸的至少一个参考抗蚀剂结构的部分，并且其中在所述多个实体中的每一者的对应部分上确定所述多个实体中的每一者的至少一个抗蚀剂结构的第二值，所述对应部分与所述参考实体的所选部分相对应。参考实体通常未经过热处理，使得在步骤a”')中，当确定第二值时，空间特征的度量仍然具有第一值，而对于多个实体而言，该度量可不同于第一值。如此，在可为多个实体确定第二值的同一运行期间，可以从参考实体准确地确定第一值。此外，可以使用例如同一掩模的技术来形成参考实体和该多个实体，使得对于对应部分而言，不同实体的度量在热处理之前通常具有第一值。因此，通过这种方式，可以准确地确定热处理对该度量的影响。

50、任何实施例的任何特征可以独立地如针对本发明的任何其他方面的任何实施例所相应地描述的那样。

51、在第二方面，本发明涉及用于确定表示抗蚀剂结构的状态转变温度的值对底层材料、抗蚀剂结构的属性或底层材料的属性的依赖性的另一方法。该另一方法包括通过对至少两组实体中的每一组实体执行根据本发明的第一方面或第二方面的实施例的方法来获得表示该至少两组实体中的每一组实体的状态转变温度的值。在此，每一组包括多个实体，其中在每一组实体内，每一实体包括在底层材料上由抗蚀剂材料形成并具有预定尺寸的至少一个抗蚀剂结构，其中在不同各组的实体中，所述属性是不同的。本发明的实施例的优点在于，状态转变温度的值可以被用于导出实体的属性，这进而可被用于设立和监控光刻工艺。

52、在一些实施例中，所述属性是以下中的一者：抗蚀剂结构的尺寸特性、抗蚀剂结构的组成或底层材料。所述尺寸特性优选地是抗蚀剂结构的宽度或高度。抗蚀剂结构的所述组成可以是包括在抗蚀剂结构中的材料(例如聚合物的类型)或者浓度(例如质子的浓度)。在各组实体之间变化的属性通常影响抗蚀剂结构和底层材料之间的相互作用。因此，所述属性在各组实体之间的差异可能导致各组实体之间状态转变温度或其代表值的变化。通常，只有所述属性在各组之间变化，而其他特征(例如，抗蚀剂结构的尺寸特性、抗蚀剂结构的组成和/或底层材料)在不同组之间是相同的。这可以使得能够简单直接地确定表示状态转变温度的值对该属性的依赖性。

53、在一些实施例中，尺寸特性代表抗蚀剂结构的体积和抗蚀剂结构的暴露面积与抗蚀剂结构与底层材料的界面面积之比的乘积。发明人已经观察到，界面对抗蚀剂结构的属性的相对大的影响可能导致难以解释对所述属性的依赖性。在对所述体积和所述比率的所述乘积进行归一化之后，可以更准确地确定所述依赖性。

54、在一些实施例中，通过对至少两组实体中的每一组实体执行根据本发明的第一方面或第二方面的实施例的方法来获得表示该至少两组实体中的每一组实体的状态转变温度的值，包括：i)获得至少两组实体，每一组包括多个实体，其中在每一组实体内，每一实体包括在基板(即底层材料)上由抗蚀剂材料形成并具有预定尺寸的至少一个抗蚀剂结构，其中在不同组的实体中，所述属性是不同的，以及ii)通过对至少两组实体中的每一组实体执行根据本发明的第一方面或第二方面的实施例的方法来确定表示该至少两组实体中的每一组实体的状态转变温度的值。

55、第二方面的任何实施例的任何特征可以独立地如针对本发明的任何其他方面的任何实施例所相应地描述的那样。

56、在第三方面中，本发明涉及一种数据处理设备，该数据处理设备包括被配置用于执行根据本发明第一方面的实施例的方法的实施例和/或根据本发明第二方面的实施方式的另一方法的实施例的装置，就获得表示至少两组实体中的每一者的状态转变温度的值而言，包括执行根据本发明第一方面的实施例的方法。

57、所述数据处理设备还可以包括被配置用于促使设备执行与获得、处理、施加热处理和分析多个实体有关的步骤(例如本发明第二方面的实施例的方法的步骤a')、a”)和a”'))的实施例的装置。例如，数据处理设备可以包括可以提供给所述设备以便促使所述设备执行步骤a')、a”)和a”')的实施例的指令。

58、第三方面的任何实施例的任何特征可以独立地如针对本发明的任何其他方面的任何实施例所相应地描述的那样。

59、在本发明的第四方面中，本发明涉及一种包括指令的计算机程序，当该程序由计算机执行时，该指令使计算机执行本发明的第一方面的实施例，或者根据本发明第三方面的另一方法的实施例，就获得表示至少两组实体中的每一者的状态转变温度的值而言，包括执行本发明的第一方面的实施例。

60、所述计算机程序还可以包括被配置用于促使设备执行与获得、处理、施加热处理和分析多个实体有关的步骤(例如本发明第二方面的实施例的方法的步骤a')、a”)和a”'))的实施例的指令。例如，数据处理设备可以包括可以提供给所述设备以便促使所述设备执行步骤a')、a”)和a”')的实施例的指令。

61、第五方面的任何实施例的任何特征可以独立地如针对本发明的任何其他方面的任何实施例所相应地描述的那样。

62、在第五方面中，本发明涉及一种计算机可读介质，其上存储有本发明第四方面的实施例的计算机程序。

63、第六方面的任何实施例的任何特征可以独立地如针对本发明的任何其他方面的任何实施例所相应地描述的那样。

64、在第六方面，本发明涉及一种设备，该设备包括用于对多个实体施加热处理的装置，其中每一实体包括在基板(即底层材料)上的由抗蚀剂材料形成并具有预定尺寸的至少一个抗蚀剂结构，其中表示所述至少一个抗蚀剂结构的空间特征的度量在热处理之前具有第一值，其中施加所述热处理的温度对于所述多个实体中的每一实体而言是不同的。该设备还包括用于确定表示在所述热处理之后所述多个实体中的每一者的所述至少一个抗蚀剂结构的所述空间特征的所述度量的第二值，以便获得所述第二值与施加所述热处理的温度之间的相关性。该设备还包括用于根据所述相关性来确定表示所述状态转变温度的值的装置，当在这一温度下进行所述热处理时，所述第二值与所述第一值相差达预定量。

65、在一些实施例中，用于施加所述热处理的装置包括烘箱。

66、用于确定第二值的装置可以包括用于获得所述第二值的任何合适装置并且可以取决于空间特征和/或度量。例如，用于确定第二值的装置可以包括扫描电子显微镜或光学检测器，例如光学显微镜。优选地，所述装置包括临界尺寸扫描电子显微镜。

67、在一些实施例中，用于根据所述相关性来确定表示状态转变温度的值的装置可以包括根据本发明第四方面的实施例的数据处理设备、根据本发明的第四方面的实施例的计算机程序，或者根据本发明第六方面的实施例的计算机可读介质。

68、第六方面的任何实施例的任何特征可以独立地如针对本发明的任何其他方面的任何实施例所相应地描述的那样。

69、在所附独立权利要求和从属权利要求中阐述了本发明的特定和优选方面。来自从属权利要求的特征可以与独立权利要求的特征以及其他从属权利要求的特征适当地结合，而不仅仅是如在权利要求中明确阐述的那样。

70、尽管本领域中的设备在不断地改进、改变和发展，但是相信本发明概念代表了包括偏离先前实践的充分新颖且独创的进步，从而提供了更高效、稳定和可靠的具有此性质的设备。

71、从下面结合附图的详细描述中，本发明的上述和其他特性、特征和优点将变得显而易见，附图通过示例的方式解说了本发明的原理。给出本描述仅仅是出于解说的目的，而并不限制本发明的范围。下文引用的参考图对附图进行参考。