图形修正方法与流程

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种图形修正方法。

背景技术：

1、随着半导体器件关键尺寸的不断缩小，图案密度正变得远高于单次曝光可以处理的极限。为此，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上，开发了多重光刻技术，如双重曝光工艺(double exposure，缩写为de)、多重(或双重)光刻技术等。多重光刻技术的核心就是把原来一层光刻的图形拆分到两个或多个掩膜上，用多次光刻和刻蚀来实现原来一层设计的图形，多重光刻技术利于获取更高的图形密度、实现更小的工艺节点。其中在逻辑电路的制造中，光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-etch-litho-etch，lele)是最常用的双重曝光技术。

2、在双重曝光层中，当相邻两个图形的实际距离过小，就会有发生桥连缺陷的可能性/概率。因此，需要将具有较大概率的桥连缺陷的位置找出来，以进一步修正版图，获得精确的版图。

3、然而，传统的商业软件中在计算桥连缺陷概率时通常需要引入蒙特卡洛方法，该方法非常耗时，而且计算量还很大，导致无法应用在大规模集成电路制造中。

技术实现思路

1、本发明解决的技术问题是提供一种图形修正方法，以改善计算桥连缺陷概率的方法。

2、为解决上述问题，本发明的技术方案提供一种图形修正方法，包括：提供初始版图；对所述初始版图进行拆分曝光处理，获取第一曝光版图和第二曝光版图，所述第一曝光版图包括若干第一曝光图形，所述第二曝光版图包括若干第二曝光图形；将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并，获得探测版图，所述探测版图包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形；根据所述探测版图，在所述探测版图内获取粗探测区；在所述探测版图内以预设步长移动所述粗探测区，并在各所述粗探测区内进行数据检测处理，直到对整个所述探测版图完成数据检测处理，其中，对各粗探测区进行数据检测处理的方法包括：当所述粗探测区内具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，以所述第一曝光图形的轮廓边中与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形的轮廓边中与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取相邻的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值、以及该最小距离值分别对应的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边的检测点，并移至下一个粗探测区；当所述粗探测区内未同时具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，移至下一粗探测区；其中，获取相邻的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值的方法包括：在所述粗探测区内建立若干精细探测区，各精细探测区内具有一段或多段位于同行的所述第一轮廓边，以及一段或多段位于同行的所述第二轮廓边；分别获取各精细探测区内的各段所述第一轮廓边和与其相邻的所述第二轮廓边之间的最小距离值。

3、可选的，以所述最小距离值分别对应的第一轮廓边和第二轮廓边的检测点为热点位置；所述方法还包括：根据所述最小距离值，获取对应的热点位置的桥连缺陷概率。

4、可选的，当单个所述粗探测区内第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，获取一个所述最小距离值、以及对应的一个所述热点位置；当单个所述粗探测区内所述第一曝光图形和所述第二曝光图形双边相邻时，获取两个所述最小距离值、以及对应的两个所述热点位置。

5、可选的，获取所述桥连缺陷概率的方法包括：提供单边套刻模型和双边套刻模型；当第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，根据所述单边套刻模型和对应的一个所述最小距离值，获取对应的所述热点位置的桥连缺陷概率；当第一曝光图形和第二曝光图形双边相邻时，根据所述双边套刻模型和对应的两个所述最小距离值，获取对应的两个所述热点位置的桥连缺陷概率。

6、可选的，所述初始版图包括若干初始图形，所述初始图形平行于第一方向，且沿第二方向排布；所述拆分曝光处理的方法包括：将所述初始版图拆分为第一拆分版图和第二拆分版图，所述第一拆分版图具有若干第一拆分图形，所述第二拆分版图包括若干第二拆分图形，若干第一拆分图形和若干第二拆分图形用以合并为若干所述初始图形；对所述第一拆分版图进行第一修正处理之后，进行模拟曝光处理，获得与所述第一拆分版图相对应的所述第一曝光版图，各所述第一曝光图形与所述第一拆分图形相对应；对所述第二拆分版图进行第二修正处理之后，进行模拟曝光处理，获得与所述第二拆分版图相对应的所述第二曝光版图，各所述第二曝光图形与所述第二拆分图形相对应。

7、可选的，所述第一修正处理的方法包括：第一蚀刻修正和第一光学临近效应修正；所述第二修正处理的方法包括：第二蚀刻修正和第二光学临近效应修正。

8、可选的，所述获得探测版图的方法还包括：根据若干所述第一拆分图形和若干所述第二拆分图形在所述初始版图中的相对位置信息，将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并。

9、可选的，根据所述探测版图，在所述探测版图内获取粗探测区的方法包括：获取所述粗探测区的设置参数，所述设置参数包括宽度、高度和在所述探测版图内的初始位置；将所述粗探测区放置于所述初始位置。

10、可选的，所述宽度的获取方法包括：提供预设宽度，所述预设宽度小于所述探测版图的宽度，以所预设宽度为所述探测版图的宽度。

11、可选的，若干所述第一拆分图形包括若干第一主拆分图形和若干电源轨道，各所述电源轨道平行于所述第一方向，若干所述第一主拆分图形位于相邻的两根电源轨道之间；所述高度的获取方法包括：获取若干所述第一主拆分图形的第一线宽cd1和第一线间距s1；获取若干所述第二拆分图形的第二线宽cd2和第二线间距s2；根据所述第一线宽cd1、第一线间距s1、第二线宽cd2和第二线间距s2，获取所述粗探测区的高度h＝cd1+s1+cd2+s2。

12、可选的，若干所述第一曝光图形包括若干电源轨道曝光图形和若干第一主曝光图形，各所述电源轨道曝光图形与各所述电源轨道相对应，各所述第一主曝光图形与各所述第一主拆分图形相对应；所述初始位置的获取方法包括：使所述初始位置避开所述电源轨道曝光图形。

13、可选的，在对待处理的粗探测区进行数据处理之前，还包括：根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的图形总数量，对所述粗探测区的高度进行第一更新；根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的相对的位置关系，对所述粗探测区的高度进行第二更新。

14、可选的，所述第一更新方法还包括：获取待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的图形总数量；提供预设数量；当所述图形总数量大于所述预设数量时，则缩小该粗探测区的高度，使该粗探测区内的图形总数量小于或等于所述预设数量。

15、可选的，所述第二更新方法还包括：获取待处理的所述粗探测区内的精细探测区的数量；当所述精细探测区的数量大于两个时，则缩小该粗探测区的高度，使该粗探测区内的所述精细探测区的数量变为两个。

16、可选的，在所述探测版图内以预设步长移动所述粗探测区的方法包括：沿着所述第一方向，自所述初始位置进行移动，直到完成一行的数据检测处理；当测完当前行之后，将所述粗探测区移至下一行，继续沿着所述第一方向进行移动，重复上述移动方式，直到对整个所述探测版图完成数据检测处理。

17、可选的，将所述粗探测区移至下一行的方法包括：获取前一行内各粗探测区内的距离当前行最近的精细探测区的第一边缘位置；根据所述第一边缘位置，获取当前行起始位置处的粗探测区的第二边缘位置。

18、可选的，所述粗探测区呈矩形，且所述粗探测区具有在所述第一方向排布的左粗探测边和右粗探测边，以及在所述第二方向排布的上粗探测边和下粗探测边；各所述精细探测区呈矩形，且各精细探测区的宽度与所述粗探测区宽度相同。

19、可选的，所述预设步长的尺寸等于所述粗探测区的宽度。

20、与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

21、本发明技术方案的图形修正方法中，通过在探测版图内建立粗探测区的方法，且以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的桥连缺陷的概率，所述最小距离值越小，产生桥连缺陷的概率越大，仅将可能产生桥连缺陷的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。

22、进一步，在对待处理的粗探测区进行数据处理之前，还包括：根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的总数量，对所述粗探测区的高度进行第一更新；根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的相对的位置关系，对所述粗探测区的高度进行第二更新。根据窗口内的版图情形，自动调整待处理的粗探测区高度，提升了粗探测区内计算的灵活性，利于提高计算的准确性，且提高检测速度。

23、进一步，获取所述桥连缺陷概率的方法包括：提供单边套刻模型和双边套刻模型；当第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，根据所述单边套刻模型和对应的一个所述最小距离值，获取对应的所述热点位置的桥连缺陷概率；当第一曝光图形和第二曝光图形双边相邻时，根据所述双边套刻模型和对应的两个所述最小距离值，获取对应的两个所述热点位置的桥连缺陷概率。将第一曝光图形和第二曝光图形单边相邻的情况和双边相邻的情况计算桥连缺陷概率的模型相区分，可以充分考虑套刻误差对桥连缺陷概率的影响，利于提高计算的准确性。

24、进一步，在设置粗探测区的初始位置时，使所述初始位置避开电源轨道曝光图形。通常情况下，所述电源轨道曝光图形与周边图形之间的间距较大，即发生桥连的概率较小，使所述初始位置避开所述电源轨道曝光图形，利于减少计算量，提高数据处理速度。