清洁在光刻装置内的支撑件的装置和方法与流程

本公开涉及用于清洁支撑件的方法和系统，支撑件诸如是卡盘(例如，静电卡盘)的夹具，其被用来保持在光刻装置内的诸如掩模版、掩模或晶片的设备。

背景技术：

1、光刻装置是将所期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片的衬底上的机器，该图案通常被施加到衬底的目标部分上。图案形成设备，其备选地被称为掩模或掩模版，可以被用于生成待形成在晶片的单独层上的电路图案。图案的转移通常通过在被提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上进行成像来完成。通常，单个衬底将包含被相邻目标部分，该相邻的目标部分将被连续地图案化。

2、光刻被广泛地认为是ic和其他设备和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻做出的特征的尺寸变得更小，光刻成为用于支持待制造微型ic或其他设备和/或结构的较关键的因素。

3、为了缩短曝光波长并且因此减小最小可打印尺寸，已经提出使用极紫外(euv)辐射源。euv辐射是电磁辐射，其具有在约5nm至约20nm的范围内(例如，在约13nm至约14nm的范围内)的波长。还提出了小于10nm的波长的euv辐射可以被使用，该波长例如在5nm-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。例如，可能的源包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或基于由电子储存环所提供的同步加速器辐射的源。

4、euv辐射可以使用等离子体来产生。用于产生euv辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，以及源收集器模块，用于包含等离子体。等离子体可以例如通过将激光束定向在少量的燃料(诸如，合适的燃料材料(例如，锡)的液滴)或合适的气体或蒸气的流(诸如，氙气或锂蒸汽))处来创建。所产生的等离子体发射输出辐射，例如euv辐射，该辐射使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜正入射(mirrored normalincidence)辐射收集器，其接收辐射并且将该辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括被布置成提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔室。这种辐射系统通常被称为激光产生等离子体(lpp)源。在备选系统中，该备选系统也可以采用对激光的使用，辐射可以通过使用放电形成的等离子体——放电产生等离子体(dpp)源——来产生。

5、在光刻装置中使用的、用以将图案化掩模版保持在扫描台上的静电卡盘(esc)可能变得污染。这种污染可以从掩模版转移到esc，反之亦然。污染还可能源自光刻腔室本身。污染引起覆盖误差，并且因而导致无功能的计算机芯片。

6、通常，esc被手动清洁。然而，常规的手动清洁方法会留下非常细小颗粒的残留。手动清洁仅能够移除直径大于大约3μm的颗粒。而且，手动清洁需要装置通气至大气压并且被部分拆卸，这继而引起生产率的损失。

7、用于原位清洁光刻工具的esc的技术现状是利用特殊的减少微粒擦拭器的手动溶液擦拭。由于esc在电气和机械方面都在一体的机器组件中，因此无法将esc移除以进行非原位(ex situ)的传统湿法清洁。

8、在半导体微光刻中，存在这样的系统，其中掩模版是反射性的并且被夹持到表面。该夹具表面必须清洁，以便在芯片生产中获得合理的产量。因此，如果夹具变得污染，则用户需要能够清洁该夹具。

技术实现思路

1、期望消除或减轻问题中的至少一个问题，无论其是在本文中还是在其他地方被标识，或者期望提供对现有装置或方法的备选。

2、根据一个方面，公开了一种装置，该装置包括被配置成由第一支撑结构支撑的衬底；该衬底包括至少一个电极，该至少一个电极被配置成：当第一支撑结构使衬底的表面与第二支撑结构的面对表面间隔开并列、且至少一个电极电连接到电压供应源时，生成在至少一个电极与第二支撑结构的面对表面之间的静电场。第一支撑结构可以是晶片支撑件或掩模版支撑件。第二支撑结构可以包括卡盘和由卡盘支撑的夹具。电压供应源可以是衬底的一部分，并且可以是电池和电压转换器。该衬底可以包括用于将电极选择性地连接到电压供应源的开关。至少一个电极可以具有与面对表面的总面积基本相同的总面积。该衬底的与面对表面接近的表面可以是基本上平面的。该面对表面可以具有非平面表面，并且该衬底的与面对表面接近的表面具有基本上互补的非平面表面。该衬底可以包括基本上不导电的材料的层。该衬底可以包括基本上半导电的材料的层。该衬底可以具有在该衬底的的面对面对表面的表面上具有粘附材料的层。该粘附材料可以是聚合物材料，例如聚酰亚胺或含氟聚合物。

3、根据另一方面，公开了一种从光刻装置内的支撑件的表面移除颗粒的方法，该方法包括以下步骤：将衬底定位在支撑结构上，该衬底包括至少一个电极；将支撑结构移动到第一位置，其中衬底的表面被移动成与支撑件的表面间隔开并列；通过向至少一个电极施加电压以生成在电极与表面之间的静电场使得面对表面上的颗粒被吸引到衬底的表面，来清洁支撑件的表面；以及将支撑结构移动到第二位置，其中衬底的表面移动远离支撑件的表面。该衬底的表面可以被提供有粘附材料的层，并且通过向电极施加电压以在至少一个电极与表面之间生成静电场来清洁表面的步骤可以包括：使得在面对表面上的颗粒被吸引到粘附材料的层上。粘附材料可以是聚合物材料，其可以是聚酰亚胺或含氟聚合物。移动步骤中的每个步骤可以是自动化的。该支撑结构可以包括晶片支撑件，或者该支撑结构可以包括掩模版支撑件。支撑结构可以包括静电卡盘，并且该方法可以不包括向静电卡盘施加电压以将衬底固定到静电卡盘的步骤。该衬底可以具有与面向支撑件表面的表面基本上相同的总表面面积。

4、根据另一方面，公开了一种光刻装置，该光刻装置包括：腔室；定位设备，被配置和布置成将放置在定位设备上的物体移动到腔室中和从腔室移动出；支撑结构，被定位在腔室内；衬底，被放置在定位设备上，并且被布置成使得定位设备可以沿着一路径移动衬底，该路径包括第一位置和第二位置，在第一位置中，衬底在腔室之外，在第二位置中，衬底的表面被定位成邻近支撑结构的表面，衬底包括至少一个电极；以及电压供应源，被布置成当衬底处于第二位置时向至少一个电极供应电压。衬底可以包括电压供应源。电压供应源可以包括电池和电压转换器。电压供应源可以在衬底的外部，并且衬底可以进一步包括至少一个电接触，该至少一个电接触被布置成当衬底处于第二位置时电连接到电压供应源。该衬底还可以包括开关，该开关被布置成将至少一个电极选择性地电连接到电压供应源。该衬底可以具有在衬底的一表面上的粘附材料的层，该衬底的该一表面在衬底处于第二位置时面对支撑件。粘附材料可以是聚合物材料，其可以是聚酰亚胺或含氟聚合物。衬底可以具有基本上平面的表面。衬底可以具有包括多个凸起部分的表面，该多个凸起部分被布置成当衬底处于第二位置时与支撑件接触。

5、下面将参考附图来详细描述本发明的另外的特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意的是，本发明不限于本文描述的特定实施例。本文呈现这种实施例仅出于说明性目的。基于本文所包含的教导，附加的实施例对(多个)相关领域的技术人员将是显而易见的。

技术特征：

1.一种从光刻装置内的支撑件的表面移除颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述表面被提供有粘附材料的层，并且通过向所述电极施加电压以生成所述至少一个电极与表面之间的静电场来清洁所述表面的步骤包括：使得在所述面对表面上的颗粒被吸引到所述粘附材料的层上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述粘附材料是聚合物材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述聚合物材料是聚酰亚胺或含氟聚合物。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述移动步骤中的每个步骤是自动化的。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述支撑结构包括晶片支撑件。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述支撑结构包括掩模版支撑件。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述支撑结构包括静电卡盘，并且其中所述方法不包括向所述静电卡盘施加电压以将所述衬底固定到所述静电卡盘的步骤。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底具有与面向所述支撑件的所述表面的表面基本上相同的总表面面积。

技术总结
描述了用于清洁诸如卡盘的夹具的支撑件的方法和系统，卡盘的夹具保持光刻装置中的图案形成设备或晶片。该方法包括将静电清洁衬底装载到光刻装置中。静电清洁衬底包括至少一个电极。该方法还包括使静电清洁衬底靠近要被清洁的夹具表面，并且将电极连接到电压源。支撑件上存在的颗粒然后被转移到静电清洁衬底上。

技术研发人员：V·A·佩雷兹-法尔肯,M·A·奇达
受保护的技术使用者：ASML控股股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8