本技术涉及光刻显影,特别涉及一种超声喷涂装置和光刻显影设备。
背景技术:
1、光刻显影是半导体芯片制作过程中的一个关键精密的制作工艺,其目的是将光刻掩膜板上的设计图形准确地印制到半导体基底上。
2、现有光刻显影工艺过程中,半导体激光器喷嘴(laser diode nozzle,ld nozzle)通常应用在显影单元,显影液喷涂到半导体上主要由喷嘴(nozzle)来实现。但由于显影液的冲击作用,会造成半导体上图形的坍塌,且由于显影液在半导体表面的不均匀喷涂,会造成显影不足或过显影。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种超声喷涂装置和光刻显影设备,用以解决现有技术中存在的由于显影液的冲击作用,造成半导体上图形的坍塌,以及由于显影液在半导体表面的不均匀喷涂,造成的显影不足或过显影的问题。
2、第一方面,本实用新型提供一种超声喷涂装置,应用于光刻显影设备,包括:超声喷涂载体、多个喷嘴单元和多个超声单元;
3、所述多个超声单元和所述多个喷嘴单元间隔设置在所述超声喷涂载体上;
4、所述喷嘴单元用于喷涂显影液;所述超声单元用于在所述喷嘴单元喷涂显影液的过程中产生超声波,以对所述喷嘴单元喷涂的显影液进行超声雾化。
5、在一种可能的实现方式中,相邻的两个喷嘴单元之间设置一个超声单元。
6、在一种可能的实现方式中,所述超声单元和所述喷嘴单元的高度相同。
7、在一种可能的实现方式中,所述超声单元的高度大于所述喷嘴单元的高度。
8、在一种可能的实现方式中,所述超声单元相对于所述超声喷涂载体倾斜设置。
9、在一种可能的实现方式中,相邻两个所述超声单元间隔两个所述喷嘴单元设置。
10、在一种可能的实现方式中,所述超声单元的宽度大于所述喷嘴单元的宽度。
11、在一种可能的实现方式中,所述超声单元和所述喷嘴单元在所述超声喷涂载体上呈直线或弧形间隔排布。
12、在一种可能的实现方式中,所述装置还包括可移动的伸缩机构,所述超声喷涂载体与所述伸缩机构之间可拆卸连接。
13、第二方面,本实用新型还提供一种光刻显影设备,所述设备包括控制器以及如第一方面任一所述的超声喷涂装置;
14、所述控制器与每个喷嘴单元和每个超声单元信号连接;
15、所述控制器,用于在光刻显影工艺,控制开启喷嘴单元和超声单元,以使喷嘴单元将显影液喷涂至晶圆,以及在喷嘴单元喷涂显影液的过程中,使超声单元产生超声波,以对喷嘴单元喷涂的显影液进行超声雾化。
16、本实用新型有益效果如下:
17、本实用新型提供的一种超声喷涂装置和光刻显影设备,其中,超声喷涂装置包括超声喷涂载体、多个喷嘴单元和多个超声单元,多个超声单元和多个喷嘴单元间隔设置在超声喷涂载体上,喷嘴单元在将显影液喷涂至晶圆的同时,超声单元产生超声波,以对喷嘴单元喷涂的显影液进行超声雾化,使显影液雾化成小液滴。本实用新型在超声喷涂载体上设置多个独立的超声单元,使多个超声单元和多个喷嘴单元间隔设置,由于超声单元可以产生超声波,超声波可以对喷嘴单元喷涂出的显影液进行超声雾化,使显影液雾化成小液滴后喷涂到晶圆上,从而可以减小显影液对晶圆上图形的冲击作用,降低晶圆上图形坍塌的概率,还可以使显影液更均匀的铺在晶圆上,减少过显影或显影不足的现象,进而提高光刻显影工艺后的成品率。
1.一种超声喷涂装置,其特征在于,应用于光刻显影设备,包括:超声喷涂载体、多个喷嘴单元和多个超声单元,
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,相邻的两个所述喷嘴单元之间设置一个超声单元。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述超声单元和所述喷嘴单元的高度相同。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述超声单元的高度大于所述喷嘴单元的高度。
5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述超声单元相对于所述超声喷涂载体的表面倾斜设置。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,相邻两个所述超声单元间隔两个所述喷嘴单元设置。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述超声单元的宽度大于所述喷嘴单元的宽度。
8.如权利要求1-7任一项所述的装置,其特征在于,所述超声单元和所述喷嘴单元在所述超声喷涂载体上呈直线或弧形间隔排布。
9.如权利要求1-7任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括可移动的伸缩机构,所述超声喷涂载体与所述伸缩机构之间可拆卸连接。
10.一种光刻显影设备,其特征在于,所述设备包括控制器以及如权利要求1~9任一所述的超声喷涂装置;