一种掩模板、显示基板的制造方法及显示基板与流程

本发明涉及显示，尤其涉及一种掩模板、显示基板的制造方法及显示基板。

背景技术：

1、在显示技术领域，显示基板上的源漏金属层等膜层上的图案既存在图案密集区，又存在图案稀疏区，由于图案密集区和图案稀疏区在图案化工艺过程中存在差异，容易产生图案断线(open)等不良，而影响显示产品的性能。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种掩模板、显示基板的制造方法及显示基板，能够改善图案断线等不良，提高显示产品的性能。

2、本公开实施例所提供的技术方案如下：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种掩模板，用于通过曝光形成显示基板上的目标图案，所述目标图案包括图案稀疏区及图案密集区；所述掩模板包括用于形成所述图案稀疏区的第一曝光单元及用于形成所述图案密集区的第二曝光单元；其中，

4、所述第一曝光单元包括第一目标曝光图案及虚拟曝光图案，所述第一目标曝光图案与所述图案稀疏区的图案相同，所述虚拟曝光图案沿着所述第一目标曝光图案的至少部分图案边缘设置、且与所述第一目标曝光图案之间保持间隔，且所述虚拟曝光图案的最大尺寸、及所述虚拟曝光图案与所述第一目标曝光图案之间的间隔最大距离均小于曝光极限分辨率。

5、示例性的，所述图案稀疏区包括走线图案，所述第一目标曝光图案包括与所述走线图案对应的走线曝光图案，所述虚拟曝光图案沿着至少部分所述走线曝光图案的走线方向设置，且与所述走线曝光图案之间保持间隔。

6、示例性的，所述走线曝光图案在沿着线宽方向上的相对两侧中至少一侧设有所述虚拟曝光图案。

7、示例性的，所述图案稀疏区还包括电极图案，所述电极图案位于所述走线图案沿线宽方向的一侧、且与所述走线图案之间间隔设置；其中，所述第一目标曝光图案还包括与所述电极图案对应的电极曝光图案，所述走线曝光图案包括与所述电极曝光图案相邻的第一区及除所述第一区之外的第二区，所述虚拟曝光图案设置在所述第二区沿线宽方向上的至少一侧。

8、示例性的，所述虚拟曝光图案包括沿着所述第一目标曝光图案的至少部分图案边缘间隔排列的多个块状虚拟图案，且每个所述块状虚拟图案的最大尺寸、及相邻两个所述块状虚拟图案之间的最大间距小于所述曝光极限分辨率；和/或

9、所述虚拟曝光图案包括沿着所述第一目标曝光图案的至少部分图案边缘延伸的线形虚拟图案，且所述线形虚拟图案的最大尺寸小于所述曝光极限分辨率。

10、第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括如下步骤：

11、提供一衬底基板；

12、在所述衬底基板上形成第一膜层；

13、对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，其中，采用如上所述的掩模板通过曝光在所述衬底基板上形成所述目标图案。

14、示例性的，所述对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，具体包括：

15、在所述第一膜层的远离所述衬底基板的一侧涂覆光刻胶；

16、通过所述掩模板对所述光刻胶进行曝光，其中，所述第二曝光单元通过曝光在所述光刻胶上形成与所述图案密集区的图案对应的第二目标曝光图案，所述第一曝光单元通过曝光仅在所述光刻胶上形成与所述图案稀疏区的图案对应的第一目标曝光图案；

17、进行显影、刻蚀和去除光刻胶处理，以得到所述目标图案。

18、示例性的，所述在所述第一膜层的远离所述衬底基板的一侧涂覆光刻胶时，所述光刻胶的厚度为1.2±0.1微米。

19、示例性的，在所述通过所述掩模板对所述光刻胶进行曝光之前，所述对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，具体还包括：对所述光刻胶进行真空减压干燥处理。

20、示例性的，在所述通过所述掩模板对所述光刻胶进行曝光之前，所述对所述光刻胶进行低压干燥之后，所述对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，具体还包括：

21、对所述光刻胶进行预烘烤处理。

22、示例性的，所述第一膜层包括源漏金属膜层、栅金属层或者有源层中至少一种。

23、第三方面，本公开实施例提供了一种显示基板，其采用如上所述的方法制成，其中所述显示基板包括衬底基板及第一膜层，所述第一膜层包括目标图案，且所述目标图案包括图案稀疏区及图案密集区。

24、示例性的，所述显示基板还包括显示区及围绕所述显示区设置的周边区，所述周边区包括拐角区域，其中所述目标图案在所述显示区的图案最小关键尺寸为1.2微米，且在所述拐角区域的图案最小尺寸为0.9微米。

25、本公开实施例所带来的有益效果如下：

26、本公开实施例提供的掩模板、显示基板的制造方法及显示基板，该掩模板用于通过曝光形成显示基板上的目标图案，在掩模板上的图案包括第一曝光单元和第二曝光单元，第一曝光单元用于通过曝光形成目标图案中的图案稀疏区，第二曝光单元用于通过曝光形成目标图案中的图案密集区，且第一曝光单元包括与图案稀疏区的图案一致的第一目标曝光图案，第一曝光单元还包括虚拟曝光图案，虚拟曝光图案被配置为沿着第一目标曝光图案的至少部分图案边缘设置、并与第一目标曝光图案之间保持间隔，且虚拟曝光图案的最大尺寸、及虚拟曝光图案与第一目标曝光图案之间的间隔最大距离均小于曝光极限分辨率。这样，通过在图案稀疏区的边缘外侧间隔设置虚拟曝光图案，在通过该掩模板在显示基板上形成目标图案时，由于所述虚拟曝光图案的最大尺寸、及所述虚拟曝光图案与所述第一目标曝光图案之间的间隔最大距离均小于曝光极限分辨率，如此，可使得该虚拟曝光图案不会在光刻胶上曝光显影，保证虚拟曝光图案在显示基板上不会产生残留图案，且该虚拟曝光图案的存在可影响第一曝光单元的曝光光量，以使第一曝光单元的曝光光量更接近第二曝光单元的曝光光量，也就是说，使得图案稀疏区的曝光光量更接近图案密集区的曝光光量，从而对图案稀疏区的图案起到有效保护作用，减少图案稀疏区的断线风险。

技术特征：

1.一种掩模板，用于通过曝光形成显示基板上的目标图案，所述目标图案包括图案稀疏区及图案密集区；其特征在于，所述掩模板包括用于形成所述图案稀疏区的第一曝光单元及用于形成所述图案密集区的第二曝光单元；其中，所述第一曝光单元包括第一目标曝光图案及虚拟曝光图案，所述第一目标曝光图案与所述图案稀疏区的图案相同，所述虚拟曝光图案沿着所述第一目标曝光图案的至少部分图案边缘设置、且与所述第一目标曝光图案之间保持间隔，且所述虚拟曝光图案的最大尺寸、及所述虚拟曝光图案与所述第一目标曝光图案之间的间隔最大距离均小于曝光极限分辨率。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述图案稀疏区包括走线图案，所述第一目标曝光图案包括与所述走线图案对应的走线曝光图案，所述虚拟曝光图案沿着至少部分所述走线曝光图案的走线方向设置，且与所述走线曝光图案之间保持间隔。

3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述走线曝光图案在沿着线宽方向上的相对两侧中至少一侧设有所述虚拟曝光图案。

4.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述图案稀疏区还包括电极图案，所述电极图案位于所述走线图案沿线宽方向的一侧、且与所述走线图案之间间隔设置；其中，所述第一目标曝光图案还包括与所述电极图案对应的电极曝光图案，所述走线曝光图案包括与所述电极曝光图案相邻的第一区及除所述第一区之外的第二区，所述虚拟曝光图案设置在所述第二区沿线宽方向上的至少一侧。

5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述虚拟曝光图案包括沿着所述第一目标曝光图案的至少部分图案边缘间隔排列的多个块状虚拟图案，且每个所述块状虚拟图案的最大尺寸、及相邻两个所述块状虚拟图案之间的最大间距小于所述曝光极限分辨率；和/或

6.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，具体包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一膜层的远离所述衬底基板的一侧涂覆光刻胶时，所述光刻胶的厚度为1.2±0.1微米。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述通过所述掩模板对所述光刻胶进行曝光之前，所述对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，具体还包括：对所述光刻胶进行真空减压干燥处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述通过所述掩模板对所述光刻胶进行曝光之前，所述对所述光刻胶进行低压干燥之后，所述对所述第一膜层进行图案化处理形成目标图案，具体还包括：

11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一膜层包括源漏金属膜层、栅金属层或者有源层中至少一种。

12.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求6至11任一项所述的方法制成，其中所述显示基板包括衬底基板及第一膜层，所述第一膜层包括目标图案，且所述目标图案包括图案稀疏区及图案密集区。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括显示区及围绕所述显示区设置的周边区，所述周边区包括拐角区域，其中所述目标图案在所述显示区的图案最小关键尺寸为1.2微米，且在所述拐角区域的图案最小尺寸为0.9微米。

技术总结
本公开提供一种掩模板，用于通过曝光形成显示基板上的目标图案，目标图案包括图案稀疏区及图案密集区；掩模板包括用于形成图案稀疏区的第一曝光单元及用于形成图案密集区的第二曝光单元；第一曝光单元包括第一目标曝光图案及虚拟曝光图案，第一目标曝光图案与图案稀疏区的图案相同，虚拟曝光图案沿着第一目标曝光图案的至少部分图案边缘设置、且与第一目标曝光图案之间保持间隔，且虚拟曝光图案的最大尺寸、及虚拟曝光图案与第一目标曝光图案之间的间隔最大距离均小于曝光极限分辨率。本公开实施例还提供了一种显示基板的制造方法及显示基板。本公开能够改善图案断线等不良，提高显示产品的性能。

技术研发人员：刘彬,武新国,吕文强,郭春升
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/8