阵列基板及其制作方法、显示面板与流程

本发明涉及显示器，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，轻薄化的显示面板倍受消费者的喜爱，尤其是轻薄化的显示面板(liquid crystal display，lcd)。现有的一种显示装置包括薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate，tft array substrate)、彩膜基板(colorfilter substrate，cf substrate)以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子，上述显示装置工作时，在薄膜晶体管阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极分别施加驱动电压或者在薄膜晶体管阵列基板的公共电极和像素电极分别施加驱动电压，控制两个基板之间的液晶分子的旋转方向，以将显示装置的背光模组提供的背光折射出来，从而显示画面。

2、薄膜晶体管阵列基板在制作完成后通常需要对其进行性能测试，从而判断是否为合格产品。其中，绑定区的焊盘是由低电阻的金属制成(例如铜)，且需要裸露在外面，从而便于绑定。但是，在对膜晶体管阵列基板盐雾测试时，由于绑定区的焊盘是裸露在外的，容易对焊盘造成腐蚀，导致绑定后接触不良。

3、另外，随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面板和液晶显示面板结合为一体，并将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内，使得液晶显示面板同时具备显示和感知触控输入的功能。

4、内嵌式(in-cell)触摸屏将触控功能整合于显示屏内，因而能够有效的减少整个显示器的厚度并简化生产工艺，使得产品更加轻薄，生产成本更低，从而广受欢迎。目前，对于内嵌式触摸屏，通常是将触摸屏结构直接设置在薄膜晶体管阵列基板上，主要是在薄膜晶体管阵列基板中将用于传输显示信号的一些结构部件复用为触控电极，比较常见的就是将公共电极块复用为触控电极。薄膜晶体管阵列基板上不仅需要设置扫描线和数据线，还需要设置触控走线，然后通过触控走线给公共电极块传递公共信号和触控信号。由于每个公共电极块电连接的触控走线的实际输送信号的长度不等长，即触控走线的参与输送信号部分的电阻存在差异，导致远离和靠近触控芯片的公共电极块上的延迟不相同，触控效果较差。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以解决现有技术中膜晶体管阵列基板在盐雾测试时焊盘容易腐蚀的问题。

2、本发明的目的通过下述技术方案实现：

3、本发明提供一种阵列基板，包括：

4、衬底；

5、设于所述衬底上方的第一金属层，所述第一金属层包括扫描线以及栅极，所述栅极与所述扫描线导电连接；

6、覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；

7、依次设于所述栅极绝缘层上方的第一金属氧化物半导体层和第二金属层，所述第一金属氧化物半导体层包括第一有源层，所述第二金属层包括数据线、源极和漏极，所述源极与所述数据线导电连接，所述源极和所述漏极之间通过所述第一有源层连接；

8、设于所述栅极绝缘层上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖住所述数据线、所述源极、所述漏极以及所述第一有源层；

9、设于所述第一绝缘层上方的公共电极、第二绝缘层以及像素电极，所述第二绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间并将所述公共电极和所述像素电极相互绝缘间隔开，所述像素电极与所述漏极导电连接；

10、在所述衬底边缘的绑定区内设有焊盘，所述焊盘包括依次层叠设置的第一焊盘层和第二焊盘层，所述第一焊盘层由所述第一金属层形成，所述第二焊盘层由设于所述衬底上方的金属氧化物半导体层经导体化处理后形成。

11、进一步地，所述阵列基板包括设于所述第一绝缘层上方的第一透明电极层和第二透明电极层，所述第二绝缘层位于所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间，所述第一透明电极层包括所述公共电极，所述第二透明电极层包括所述像素电极，所述第一透明电极层位于所述第二透明电极层的下方或上方；

12、和/或，所述焊盘包括覆盖于所述第二焊盘层上表面的第三焊盘层，所述第一透明电极层或所述第二透明电极层包括所述第三焊盘层；

13、和/或，所述焊盘包括位于所述第一焊盘层和所述第二焊盘层之间的第四焊盘层，所述第二金属层包括所述第四焊盘层；

14、和/或，所述第一金属氧化物半导体层包括所述第二焊盘层。

15、进一步地，所述阵列基板包括设于所述第二金属层上方的第二金属氧化物半导体层；

16、所述第二金属氧化物半导体层包括所述第二焊盘层；

17、和/或，所述第二金属氧化物半导体层包括导体化的保护层，所述保护层位于所述数据线、所述源极以及所述漏极的上表面；

18、和/或，所述第二金属氧化物半导体层包括所述像素电极或所述公共电极；

19、和/或，所述第二金属氧化物半导体层包括位于所述第一有源层上表面的第二有源层，所述源极和所述漏极之间通过所述第一有源层和所述第二有源层连接。

20、进一步地，所述第二金属层包括与所述数据线平行的触控走线，所述触控走线包括第一触控走线和第二触控走线，所述第一触控走线的上表面覆盖有所述保护层；

21、所述公共电极包括远离触控芯片一端的第一公共电极块以及靠近所述触控芯片一端的第二公共电极块，所述第一公共电极块与对应的所述第一触控走线导电连接，所述第二公共电极块与对应的所述第二触控走线导电连接；或，所述公共电极包括远离触控芯片一端的第一公共电极块、靠近所述触控芯片一端的第二公共电极块以及位于所述第一公共电极块和所述第二公共电极块之间的第三公共电极块，所述第一公共电极块和所述第二公共电极块均与对应的所述第二触控走线导电连接，每个第一公共电极块连接所述第二触控走线的数量大于每个所述第二公共电极块连接所述第二触控走线的数量，所述第三公共电极块与对应的所述第一触控走线导电连接。

22、进一步地，所述第二金属氧化物半导体层位于所述第一绝缘层上表面或下表面，并与所述第一绝缘层的表面相接触。

23、本技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

24、提供衬底；

25、在所述衬底的上方形成第一金属层，对所述第一金属层进行蚀刻并形成图案化的扫描线和栅极，所述栅极与所述扫描线导电连接；

26、在所述衬底上形成覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；

27、在所述栅极绝缘层的上方形成第一金属氧化物半导体层，对所述第一金属氧化物半导体层进行蚀刻并形成图案化的第一有源层；

28、在所述栅极绝缘层的上方形成覆盖所述第一金属氧化物半导体层的第二金属层，对所述第二金属层进行蚀刻并形成图案化的数据线、源极和漏极，所述源极与所述数据线导电连接，所述源极和所述漏极之间通过所述第一有源层连接；

29、在所述栅极绝缘层的上方形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖住所述数据线、所述源极、所述漏极以及所述第一有源层；

30、在所述第一绝缘层的上方形成公共电极、第二绝缘层以及像素电极，所述第二绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间并将所述公共电极和所述像素电极相互绝缘间隔开，所述像素电极与所述漏极导电连接；

31、在所述衬底边缘的绑定区内形成焊盘，所述焊盘包括依次层叠设置的第一焊盘层和第二焊盘层，所述第一焊盘层由所述第一金属层进行蚀刻形成，所述第二焊盘层由设于所述衬底上方的金属氧化物半导体层进行蚀刻和导体化处理后形成。

32、进一步地，在所述第一绝缘层的上方形成第一透明电极层和第二透明电极层，所述第二绝缘层位于所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间，所述第一透明电极层位于所述第二透明电极层的下方或上方，对所述第一透明电极层进行蚀刻并形成图案化的所述公共电极，对所述第二透明电极层进行蚀刻并形成图案化的所述像素电极；

33、和/或，所述焊盘包括覆盖于所述第二焊盘层上表面的第三焊盘层，对所述第一透明电极层或所述第二透明电极层进行蚀刻时，并形成图案化的所述第三焊盘层；

34、和/或，所述焊盘包括位于所述第一焊盘层和所述第二焊盘层之间的第四焊盘层，对所述第二金属层进行蚀刻时，并形成图案化的所述第四焊盘层；

35、和/或，对所述第一金属氧化物半导体层进行蚀刻时，并形成图案化的所述第二焊盘层。

36、进一步地，包括：在所述第二金属层的上方形成第二金属氧化物半导体层；

37、对所述第二金属氧化物半导体层进行蚀刻和导体化处理后形成所述第二焊盘层；

38、和/或，对所述第二金属氧化物半导体层进行蚀刻和导体化处理后形成保护层，所述保护层位于所述数据线、所述源极以及所述漏极的上表面；

39、和/或，对所述第二金属氧化物半导体层进行蚀刻和导体化处理后形成所述像素电极或所述公共电极；

40、和/或，对所述第二金属氧化物半导体层进行蚀刻和导体化处理后形成位于所述第一有源层上表面的第二有源层，所述源极和所述漏极之间通过所述第一有源层和所述第二有源层连接。

41、进一步地，对所述第二金属层进行蚀刻时，并形成图案化的触控走线，所述触控走线与所述数据线的延伸方向相互平行，所述触控走线包括第一触控走线和第二触控走线，所述第一触控走线的上表面覆盖有所述保护层；

42、所述公共电极包括远离触控芯片一端的第一公共电极块以及靠近所述触控芯片一端的第二公共电极块，所述第一公共电极块与对应的所述第一触控走线导电连接，所述第二公共电极块与对应的所述第二触控走线导电连接；或，所述公共电极包括远离触控芯片一端的第一公共电极块、靠近所述触控芯片一端的第二公共电极块以及位于所述第一公共电极块和所述第二公共电极块之间的第三公共电极块，所述第一公共电极块和所述第二公共电极块均与对应的所述第二触控走线导电连接，每个第一公共电极块连接所述第二触控走线的数量大于每个所述第二公共电极块连接所述第二触控走线的数量，所述第三公共电极块与对应的所述第一触控走线导电连接。

43、本技术还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。

44、本发明有益效果在于：通过在金属的第一焊盘层上方覆盖由金属氧化物半导体层经导体化处理后形成的第二焊盘层，从而可以对金属的第一焊盘层起到保护作用，提高焊盘的抗腐蚀性能，避免阵列基板在盐雾测试时焊盘出现腐蚀的问题。其中，第二焊盘层可以与第一有源层采用同一金属氧化物半导体层蚀刻形成，减少制成工艺；同时，数据线、源极和漏极采用金属层蚀刻形成，保证了数据线、源极和漏极的导电性能。