主动式计算机产生多重全息图象的制作方法

专利名称：主动式计算机产生多重全息图象的制作方法
技术领域：
本发明涉及可控地产生多个光学波前，为方便起见，称之为主动式全息图象。本发明应用于(例如)信息的三维显示、光互连、光束转向、光学图案识别、波前合成和成形，以及衍射光学元件等领域。
计算机产生全息图象(CGH)是一种产生几乎任意光学波前的有力方法。它们是传统全息图象的推广(它们本身是一种在许多光学系统中有着潜在用途的有力技术)。然而在传统全息图象中，储存在全息图象中的波前必须在刻写全息图象时靠某些装置形成。而在CGH中，没有这种限制。只要求一个所需波前的数学描述。后面的计算定义了CGH的结构，这种结构可以用多种技术制备。
典型地，CGH是一种二维的直线型列阵。列阵的每一个元素(或象素)均具有给定的光透过率tij,tij或者是实数(吸收调制CGH)，或者是虚数(相位调制CGH)，或者是二者的组合。吸收CGH可以由光刻薄膜或刻蚀在玻璃的氧化铬上的图案制备。相位调制CGH常通过腐蚀透明衬底而形成的表面立体图案来制备。
利用全息模拟，很明显，CGH能够完成一般的波前转换，因此，它们对许多光学系统，特别是光处理和光互连，是一种关键的能动技术。
可开关的衍射光栅已为大家所知，它们依赖于将某些电光材料的折射率(例如向列型液晶)与透明衬底相匹配的原理。当在整个器件上施加一电压时(通过输入、输出面上的两个透明电极)，电光材料的折射率相应地发生变化。结果出现折射率失配，穿过器件的光将在衬底与电光材料的边界处发生衍射。所施加的电压越大，折射率失配越大。
空间光调制器(SLM)也已为大家所知(例子参见光学快报，第n卷，第11期，11月，1986年，748-750页；电子学快报，第28卷，第1.2期，1月，1992年，26-28页)。典型地，这样一种器件包括一个象素列阵，其中的每一个象素可以根据施加于其上的电压，利用相位调制和吸收调制中的一种调制光学相位(通常，只有一种调制)。为了产生所需的波前，需要在每一个象素上施加适当的电压。通过适当的计算机控制，大量的CGH能够在SLM上实现。然而这些器件复杂、昂贵、不可靠而且要求复杂的驱动电路(例如每一个象素需要独立寻址)。如果需要迅速实现几个CGH，需要有大型计算机系统。另外，象素尺寸和数量也受到限制。
根据本发明，一种用来产生多个波前的主动式全息图包括至少两层能够进行光调制的材料，在层上施加多种电压的装置，以及用光照射所述层的装置。
这里的层包括一个电光层和一个衬底层。电光层的折射率随所加电压变化，以便使对穿过全息图任意点的照明光的调制随所加电压变化。衬底层的表面形貌由在整个全息图上变化的衬底厚度确定，以便在给定电压下使对照明光的调制沿整个全息图象变化。衬底层的形貌图是用来在给定波前的照射下，并施加多种电压中的一种时，确定所产生的波前。
电光材料层的一个优选实施方案是一种向列型液晶。
衬底层可以包括一个厚度变化的象素列阵，用来产生所需的表面形貌。这些象素可以集成在一个单衬底层中，具有一个随与每一个象素有关的衬底层厚度而变化的表面形貌图。
典型地，在象素上施加多种电压的装置包括至少两个电极，以便于至少在每个象素的向列型液晶层上施加电压。每个电极可以由，例如，铟锡氧化物或铝来制成。
这个设备可以包括，对已被象素列阵进行了相位调制的光进行光学变换的装置，这可以是一个产生Fourier或Fresnel变换的透镜。
参照下面的附图，只通过举例的方式描述本发明，其中

图1a和1b分别是吸收调制和相位调制的计算机产生全息图的例子；图2是单个CGH的示意图；图3是本发明的示意图；图4是在采用递推技术的设计过程中，评估本发明器件质量的数据；图5a和5b分别显示了误差和效率随参数变化而发生的变化，该参数描述了在本发明器件的每一个象素上单位深度产生的相位移动；
图6是可以用在本发明中的另一种电极安排；图7显示了一个理论器件的几何结构，用来模拟在本发明特定实施方案中使用的液晶材料的行为；图8是在图8所示的器件中，对液晶材料进行平面排列而计算得到的导向场；图9是在图8所示的器件中，对液晶材料进行垂直排列而计算得到的导向场；图10是在图9和10中所示的导向分布，在图8所示器件中的不同位置处的平均折射率；图11是对一个设计给出两个输出的128×128的象素列阵器件，光学输出误差作为象素深度误差的标准偏差函数而发生的变化；图12是对于本发明器件的一种设计在两种不同电压下获得的输出；图13是随着衬底形貌的退化和对设计图案的偏差，图12中器件的光输出是如何变坏的。
贯穿这个说明书，术语“光”应该具有广义的含义，而不应该限制在电磁谱的可见光波段。特别地，本发明的基础性原理可以等价地应用在光谱的其它区域，例如在红外区域，并且这种光学系统应该包括在这个区域使用的系统。
吸收调制CGH可以用一个象素列阵(图1a)产生，其中的每一个象素都具有固定的光透过率。相位调制CGH可以由一个象素列阵(图1b)产生，其中的每一个象素都对穿过的光施加固定的相移(根据固定的光程)。在这些器件中任一个的操作过程中，列阵受到一个波前的照射，穿过列阵的光以依赖于透过率图案或相位调制象素图案的波前的形式逸出。
这些器件的缺点在于，一旦制备好调制象素列阵，对给定入射波前所能产生的波前是固定的。
参考图2，一个典型的CGH可以包括夹在两个透明电极3之间的一个厚度可变的透明衬底材料层1和一个电光材料层2(例如，向列型液晶)。还提供了在电极3上施加电压的装置4。
电光材料2的选择应使得当电极3无外加电压时其折射率与衬底1匹配，并且入射光束5无衍射地输出6。在电场作用下，电光材料2的折射率变化使其与衬底1失配，这时入射光5衍射输出7。
典型地，这样的器件仅提供两种在其制备过程中已被确定的状态选择。
参考图3，本发明的一个典型器件8包括一个厚度可变的衬底材料层，一个电光材料层2和一对电极3。在该例中，衬底层厚度是量化的，该层包括一个象素列阵，每一个象素均具有相应的厚度。这一点反映在层1和层2之间界面的剖面图上。这些象素集成在单层1中。还提供了在电极3上施加可变电压的装置(未显示)。
衬底可以由那些本领域公知的技术制成，如反应离子刻蚀。替代所示量化厚度的另一种方法是连续变化的厚度。
在操作中，该器件受入射光5照射，并依赖于其上所加电压对入射光施加光学调制。对穿过全息图上特定点的光施加的光学调制依赖于该点衬底1的厚度。
对于给定的照射波前，限定在给定电压下逸出的波前7a,7b的信息包含在衬底的表面形貌图中。这样的衬底可由那些本领域公知的技术制成(如反应离子刻蚀〕。
波前7a、7b可以经过进一步的光学变换(如Fourier或Fresnel)。
本发明依赖于能够在特定外加电压下给出特定波前的衬底设计。下面给出了一个如何实现这一点的例子。
依靠不同的厚度，列阵中的不同象素产生不同的相位调制。为便于优化和实施，形貌图中所允许的深度被量化为0,1,2,3…nlevels-1。假设穿过衬底厚度为dij的第ij个象素的光波相位变化为φij。由于浸没在衬底中的电光材料，φij将随在整个器件上施加的电压变化。我们的任务是确定dij，以便使φij的变化在光学系统的输出端产生所要求的波前。这是一个非线性优化问题。
下面简明地描述一个产生该问题优化解的最简单算法，直接n搜索(其中n等于nlevels)。该问题中的参数包括列阵中的象素数量(m1×m2)，每一个象素所允许的最大相位变化φmax，以及将被储存和再调用的波前(或图案)数目(npstterns)。
从一个具有随机衬底厚度dij(0≤dij≤nlevel-1)的m1×m2列阵开始，随机选定的象素的厚度以单位厚度递增。如果得到的dij大于(nlevel-1)，则设置dij为0。当所加电压V为0,1,2,3…npatterns时，测量光输出，计算出一个误差测量值e并记录为e0。对于每一种电压值V，通过把包含列阵的光学系统的输出(典型地，列阵的Fourier或Fresnel变换的透射率强度)与对应的所要求的输出相比较，来导出e。
接着对另一随机象素重复这一过程，并且导出新的误差e与e0相比较。如果小于e0，新值被储存为e0并且继续这一过程。然而，如果新误差大于e0，象素被恢复到以前的深度，并在继续这一过程之前选择下一个随机象素。图4显示了误差的大小对于一个两级Fourier列阵是如何变化的。
按这种方式，列阵衬底形貌逐步‘进化’，直至到给出一组接近要求的输出。开始，误差e迅速减小，但不久就缓慢下来。继续这个过程直到不再有改善为止。利用这组深度值作为实施象素列阵的基础。注意，上面过程寻找的是一个好的解，并不必是最好的解-也就是说确定了一个局部的优化解。通常它不如一个全局优化解好。更为复杂的技术可以以更大的计算量为代价得到更好的解(例如，引入拟合退火法或遗传算法)。
上面描述的算法只是几种可用算法中的一个例子，它依赖于与被量化的每一象素相应的允许厚度。连续衬底也是可能的，并且可以采用基于POCS(投影约束法，Projections onto constrained sets)的技术进行设计。
列阵设计中的一个重要考虑是器件的复杂性，也就是器件的性能如何随象素的数量、量化等级nlevel的数目、以及要被储存的波前数量和形式而变化。相关的问题是在确定衬底形貌的过程中优化问题的计算复杂性和器件制备的简易性。表1概述了有关的折衷方案。
表1列阵复杂性影响的概述
一种量化这种复杂性或信息容量的方法是空间带宽积(SBWP)，这可以被定义为SBWP=m2log2(nlevels)方程1可以想象，SBWP越高，列阵的性能越好，也越难设计和制备(由表1可见)。采用相同的讨论，很明显，对于不相关的输出波前，e≈SBWPnpatterns]]>方程2也就是说，器件需要储存和产生的波前越多，误差越大。
迄今未讨论的一个设计参数是φmax-定义为当施加最大电压Vmax时每一象素的单位衬底深度产生的相位移动。直觉地，期望φmax强烈影响衍射进入所需波前的光量(也就是，效率η)，和误差e的大小。在大多数应用中，对于第i个波前的再现，ηi和ei最好应该是与储存在器件中的其它波前的这些值相似。φmax也强烈影响器件制备，大的φmax值要求材料具有更强的电光效应，更深的表面形貌，和/或更高的施加电压，同时可能更慢的开关时间-对液晶而言，开关速度正比于(单元厚度)-2。
在选择φmax中的一个合理目标可以是采用最小的值，对所有储存的图案给出一个可接受的误差和相似的效率。例如，考虑用来产生两个波前的列阵。
对于每个作为φmax的函数的波前，图5a显示了误差ei的变化，图5b显示了效率ηi的变化，波前1(在V=v0时的输出)和2(V=2v0〕的结果分别对应虚线和实线。
在这些图中，很清楚为设计而选择的一个较好的值是φmax≈4.1弧度。模拟计算证实了这个图。
前面的描述涉及本发明的理想情况。同时显示了一些特征，在实际中实现这个设计则需要作进一步的考虑。
电光材料的选择优化的φmax的大小意味着需要采用具有高电光系数的材料，来减小所需的列阵衬底厚度。随着SBWP的增加和象素尺寸的减小，制备变得更加困难。宽高比越高(定义为象素深度/宽度)，精确地产生这样的形貌图案就越困难。
对电光媒介来说，液晶是一种非常好的选择。它们的操作模式和高的双折射率(～0.2)使得制备低电压(～10V)器件成为现实。此外，它们很容易获得，并具有很好的透射特性。
电极的安排在图3所示的安排中，电极3夹着衬底层1和电光材料2。图6显示了另一种安排，其中电极3的一个沿层1和2之间的界面放置。
在图3和6所示的两种方案中，前者被证明更难于设计。
采用后一方案，我们研究了三种电极材料配置，即配置1，两个电极都是透明的、导电的材料(例如，铟锡氧化物)；配置2，上电极是透明的、导电的，下面的是反射的、导电的材料(例如铝)；配置3，上电极是反射的、导电的，下面的是透明的、导电的材料。
配置的选择在很大程度上取决于应用。在上述的配置中，选择配置1作为本发明工作例子的产品。
液晶影响现在考虑表面立体结构的特征尺寸对器件中的液晶排列和非均匀电压分布的影响。有三种主要与液晶有关的设计参数，它们可能对器件的成功运作具有意义。它们是，在表面立体结构上对液晶进行排列所选择的方法，器件中液晶材料的折射率特性，来自立体结构角落的边缘场对液晶开关特性的影响。
为深入地了解第一种影响，发展了一种有限元模型，它允许对一给定的器件结构计算液晶的导向场。下面描述该模型。模拟电场中液晶材料的开关特性是一个更为复杂的问题。后面将给出这个问题的讨论。
排列问题和有限元模型这个模型用来研究列阵中衬底表面立体图案对液晶整块排列的影响。初始研究时采用图7所示的简单几何结构。器件是一个高度为d、由向列型液晶材料(NLC)填充的单元。表面立体结构的影响被简单地模拟为，从下表面突起一块高度为h、宽度为W的矩型突起。现在的模型是二维的，并且给出关于NLC对表面形貌部分整体排列的预言。
给定点上的NLC分子的平均对准方向由称为导向的矢量n描述。NLC的对称性指出方向n和其反平行方向是完全等价的，因此nΞ-n。在表面上给NLC一个对准方向的通用方法是利用机械滚轴上的沙布磨擦聚合物。这在表面上定义了导向的优选方向，并且通常是相对于表面大小为几度的预倾角。
典型地，对一个NLC器件，单元厚度是d=10-5m的量级，以便得到足够的相位深度。本发明制备的例子具有w=25±m和h=1.5±m的特征尺寸。在这个情况下，表面形貌具有较小的宽高比。这意味着能够使用普通的磨擦技术，并且在结构边缘处由磨擦引起的任何对准问题都将只影响器件的很小部分。然而，在未来的器件中，增加全息图信息容量的需求意味着将大大地减小象素尺寸。因此在该模型中要考虑这种情况，即立体结构的矩形突起具有较大的宽高比，在器件中占据一个合理的深度，且具有小于单元间距d或与其相当的宽度w。
采用连续介质理论数学描述NLC中的导向场形变(例子参见剑桥大学出版社出版的，Chandrasekhar所著的“液晶”一书，ISBN 0-521-41747-3)。有三种可能的特征形变倾斜、扭曲和弯曲。这些形变由下面的自由能密度描述2Wd=K11(·n)2+K22(n·＾n)2+K33(n＾＾n)2方程5其中K11,K22和K33分别是与倾斜、扭曲和弯曲对应的弹性力常数。在本分析中，采用二维模型，因此Del算符由=(/x,/y,0)定义。导向可以写为n=(cosΞ,sinΞ,0)，其中Ξ定义为导向与x-方向的夹角。弹性能采用下面的形式2Wd=K11(θxsinθ-θycosθ)2+K33(θysinθ+θxcosθ)2方程6注意由于仅考虑了二维情况，没有扭曲弹性常数K22项。
在各向同性弹性常数情况下，K11=K33=K，方程6简化为更为简单的形式2Wd=K[θx2+θy2]方程7采用Euler-Lagrange方程将能量最小化，它为施加在液晶导向上的扭矩T给出表达式T=2sinθcosθ(K11-K33)(θx2-θy2)-2cos2θ(K11-K33)(θxθy)-2cos2θ(K11-K33)(θxy+θxy)方程8
-2θxx(K11sin2θ+K33cos2θ)-2θxx(K11cos2θ+K33sin2θ)再考虑各向同性弹性常数情况，方程8简化为具有Laplace方程形式的方程9。
T=K[θxx+θyy]方程9采用有限差分方法在矩形网格上求解该扭矩方程。在该方法中，将扭矩设置为等于一个粘性耗散项h(θ/t)，这里h对应于NLC的转动粘度。在该分析中，这个步骤可以是经验性的。然而，这样一个时间依赖项确实可由全动态NLC连续介质理论导出。为了在一个点阵网格上求解该扭矩方程，必须采用微分项的离散形式。
就关于x的微分而论，可由下面给出θx=12h(θi=1,j-θi-1,j)]]>
θxy=θyx=14h2(θi=1,j+1+θi-1,j-1-θi-1,j+1-θi=1,j-1)]]>其中Ξi,j代表Ξ在网格上位置为(i,j)的点的值，并且h是网格点在x和y方向的间距。这个过程接下来为网格上的每一点的扭矩计算一个值。然后用下面的ΔΞi,j的展开式在整个网格上计算Ξi,j的新值
其中Δt是递推过程中的时间步长。项(dθ/dt)t等于t时刻每一网点的扭矩除以粘度η的值。
用方程11产生的Ξi,j的新值接下来用在下一个递推步骤中。时间步长取值应使Δt·K/hh位于0.05与0.2之间。对于向列型液晶的典型参数，这将给出微秒量级的时间步长。
有限元模型的结果现在发表一些对图7所示的几何结构所作的计算机拟合结果。采用在x和y方向上都有25点的网格，其矩形突起的h=w和w/d=0.33。在这个拟合中假定弹性常数是各向同性的，因此K11=K33=K。然而，如果需要，计算机模型允许它们不同。考虑对立体结构的两种不同对准。
第一种情况，假定是平面对准，其中NLC的导向平行于表面，并且因此遵循着立体结构的形状。图8显示了为此计算的导向分布图。
第二种情况，假定在表面上作等纬线对准，其中NLC的导向在所有点都垂直于表面。采用化学卵磷脂处理的衬底表面是实现这一对准的一种方法。图9显示出了所计算的导向分布图。
两种情况下，NLC导向在上平板处都被设置为平行于表面。
所计算的导向分布图的主要差异在于，用平面表面处理得到的是一个对称分布，而用等纬线处理得到的分布图关于矩形突起是非对称的。对于混合单元，其中的一个表面采用平面对准而另一个平面采用等纬线对准，非对称是完全可以预料的。在图9中，在矩形突起的顶部和上平板之间的区域，由于对准方向对二者是相同的，几乎没有扭曲。这个情况下的扭曲被非常局限在矩形突出的边缘区域。
为了证实液晶层中的扭曲对光学特性的影响，计算了沿器件宽度方向的等效折射率。沿着导向的折射率设置为npara=1.65，垂直于导向的值设置为nperp=1.5。假定入射光的偏振面平行于上表面。这表明对与该方向的倾角为Ξ的导向，等效折射率为
采用几何光学近似法，对一薄层中网格上所有位置的折射率进行平均来计算该层的折射率。计算结果显示在图10中，其中实心圆圈来自于图9的导向分布图，空心园圈来自于图10所计算的导向分布图。
图11可以看出在对立体结构平面对准的情况下，在结构的边缘给出了一个折射率突变。正如所料，由对称的导向分布图得到的折射率分布图是对称的。
在等纬线对准情况下，折射率在边缘的变化更为平缓。然而，沿器件宽度方向的折射率连续变化不利于全息图的再现。
电场的影响当在器件两边施加一个电压时，表面结构上的电场由零变化到开启状态而产生的折射率变化必须给出正确的相位差来允许器件的成功运行。很明显对具有各向异性的负介电NLC进行平面表面处理，可得到的最大折射率变化(由于沿n方向比垂直于n方向具有更大的介电常数)。
假定用电导层覆盖立体结构(图7b，配置1)，电压施加在立体结构表面和顶部平板之间。结构边缘处的等电位线比表面平坦区域附近的靠得更紧密。因此，在矩形突起边缘的较大的干涉场能够在其它区域之前引起NLC的开关。这个问题由于NLC的介电各向异性而变得更加严重，即被开关的NLC区域导致一个更不均匀的电场分布图。
模型的任务将继续允许对电场的NLC扭曲图进行自洽计算。这要求联立求解电势分布的泊松方程和向列连续介质方程。
这样建立了一个考虑器件参数最差极限的简单模型，它给出了一个向列型液晶的扭曲分布图。已经考虑了在表面立体结构上进行平面和等纬线处理的情况，以及它们对器件折射率分布的影响。当表面立体结构的维度尺寸(垂直和水平)变得与器件宽度相当时，对于这些对准，会在NLC中产生一个大的扭曲场。
在经过这些对准处理的器件中，在对需要输出的波的数据编码时必须考虑这些效应。
理想情况是在立体结构表面采用平面对准，而在边缘采用等纬线对准。在二维分布中，在零电场下NLC没有扭曲，并且NLC表现得如同没有表面立体结构。然而，这无法利用目前的表面处理技术实现。必须记住衬底具有三维表面结构，因此即使在矩形突起两个相对边实现理想的对准，也有可能是以另外两边很差或不理想的对准为代价的。
必须强调，只有当表面立体结构的尺寸如下，即表面结构的深度占器件厚度的一大部分，以及表面的平面特征尺寸与单元厚度处于同一量级时，表面对准和非均匀电场分布的影响才会变得非常严重。如果是这种情况，就需要采用新型的对准技术，并且需要将模拟的NLC扭曲分布图包括在衬底优化过程中。
制备误差制备过程可能引入一系列缺陷。这样的’误差’随着器件中的精度、宽高比和象素数量而增加。SBWP越高，被编码的信息越多，器件变得越难实现。下面讨论几种相对理想状态的偏差及其影响。
正如液晶影响部分所述，在某些情况下，对制备过程中引入的误差的全面了解使得它们的影响有可能在衬底形貌图优化阶段得到预先补偿。这种方法仍在研究中，但可能受限于与随机效应相反的确定误差。
随机(空间变量)腐蚀深度误差在这些研究中，假定呈现在衬底中的实际深度采用设计深度加上一个随象素变化的随机统计变量表示。例如，这种空间变量误差可以近似那些在制备衬底的反应离子刻蚀中发现的误差。
图11显示了对一个两波前(npatterns=2)列阵，在Fourier光学结构中输出误差的总变化(从设计波前测量得到的偏差之和)。误差绘制为一个正常分布深度误差的标准偏差函数。观察到其性能在逐步下降。
如果检验对应的波前，两者中具有更高控制电压的波前的输出似乎退化得最快。
空间常量腐蚀深度误差这种腐蚀深度误差对整个列阵衬底均匀地偏离。它的影响可能由’调谐’列阵部分地补偿-通过调节加在器件上的电压来补偿该误差。
腐蚀分布形状误差腐蚀误差和非理想电场分布都能在器件象素形状中产生一个等效形状误差。它们的形貌可以从矩形变化到十分圆滑。模拟这种影响的简单方式是用一些扩展函数展开这个矩形剖面图。如果扩展函数被正确导出(可能通过对测量所得形貌图消卷积)，可以采用Fourier技术来确定可能的列阵性能退化。
图12显示了根据图3设计示意图制备的、本发明一个实际器件对于两个电压的输出图案。图13显示了这样一个定义器件性能退化的计算的结果。9a-9d项显示了退化的形貌图的众多例子，10a-10d项分别显示了针对这些衬底形貌对两个电压的输出图案。
对于列举的形貌形式，这种由Fourier器件产生的图案相对于中心(在光学轴上)而言在边缘发生退化。即使具有很大的形貌误差，器件的输出仍然是可识别的(10d项)。
权利要求
1．一种用于产生多个波前的主动式全息图，包括至少两层能够进行光调制的材料，在所述层上施加多种电压的装置和用光照射该层的装置，其中，所述层包括一个电光层和一个衬底层，电光层的折射率随所加电压变化，以便使对穿过全息图任意点的照明光施加的调制随所加电压变化，衬底层的表面形貌由在整个全息图上变化的衬底厚度确定，以便在给定电压下使对照明光施加的调制沿整个全息图象变化，衬底层的形貌图是用来在给定波前的照射下，并施加所述多种电压中的一种时，确定所产生的波前。
2．根据权力要求1的设备，其中电光层是一种向列型液晶。
3．根据权力要求2的设备，其中衬底层包括一个厚度变化的象素列阵，用来产生根据每一个象素的厚度而变化的衬底形貌图。
4．根据权力要求3的设备，其中这些象素集成在一个单个衬底层中，该衬底层具有随着与每一个象素有关的衬底层厚度而变化的表面形貌图。
5．根据权力要求4的设备，其中在所述层上施加多种电压的装置包括至少两个电极，以便于至少在全息图的向列型液晶层上施加电压。
6．根据权力要求5的设备，其中每个电极独立地由铟-锡氧化物或铝制成。
全文摘要
选择和产生各种全息光学波前的设备,一种用来调制透射光进而产生一个全息波前的器件,它包括一个厚度可变的衬底层和一个电光层,两层之间的折射率失配依赖于电压。调制可以随施加电压的变化而变化,从而改变所产生的波前。能够产生的波前范围由衬底层的厚度分布确定。
文档编号G02F1/1333GK1220743SQ9719508
公开日1999年6月23日 申请日期1997年5月16日 优先权日1996年5月30日
发明者C·W·斯林格 申请人:大不列颠及北爱尔兰联合王国国防大臣