五片式光学成像镜头的制作方法

文档序号:8281492阅读:215来源:国知局
五片式光学成像镜头的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种光学镜头,特别是指一种有效缩减光学镜头之系统长度,同 时仍能够维持足够之光学性能的光学成像镜头。
【背景技术】
[0002] 随着影像模块相关技术蓬勃发展,影像模块运用于智能型手机、平板计算机、移 动电话、笔记本电脑以及摄像头(webcam)等电子产品中的概率大大提高。随着此类电子 产品不断地发展为更轻、薄、短、小且同时又必须具有广角镜头的需求,而影像模块中随 着感光稱合组件(Charge Coupled Device,简称为CO))或互补性氧化金属半导体组件 (Complementary Metal-Oxide Semiconductor,简称为CMOS)之技术进步和尺寸缩小化,装 载在影像模块中的光学成像镜头也需要相应地缩短长度,但是为了避免摄影效果与质量下 降,在缩短光学成像镜头的长度时仍然要兼顾良好的光学性能。

【发明内容】

[0003] 为了解决上述技术问题,本发明提供了一种在缩短镜头系统长度的条件下,仍能 够保有良好的光学性能的五片式光学成像镜头。
[0004] 为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是,五片式光学成像镜头,从物侧至 像侧沿一光轴依序包含一第一透镜、一第二透镜、一第三透镜、一第四透镜,及一第五透镜, 且该第一透镜至该第五透镜都具有屈光率,并包括一朝向物侧且使成像光线通过的物侧面 及一朝向像侧且使成像光线通过的像侧面。
[0005] 该第一透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第一透镜的该物侧 面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第二透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的 凹面部,该第二透镜的该物侧面具有一位于圆周附近区域的凹面部,且该第二透镜折射率 彡1. 58 ;该第三透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第四透镜的该物侧 面具有一位于光轴附近区域的凹面部;该第五透镜的该像侧面具有一位于光轴附近区域的 凹面部,并满足条件式: ALT/G23 = 9. 7,ALT为该第一、二、三、四、五透镜在光轴上的厚度总和,G23为该第二透 镜与该第三透镜在光轴上的空气间隙, 75° < FOV <78°,其中FOV为该五片式光学成像镜头的最大视角。
[0006] 进一步的,所述第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜和第五透镜的物侧面和 像侧面均是非球面,而该非球面的面型满足以下公式:
【主权项】
1. 五片式光学成像镜头,其特征在于:从物侧至像侧沿一光轴依序包含一第一透镜、 一第二透镜、一第H透镜、一第四透镜,及一第五透镜,且该第一透镜至该第五透镜都具有 屈光率,并包括一朝向物侧且使成像光线通过的物侧面及一朝向像侧且使成像光线通过的 像侧面,该第一透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第一透镜的该物侧 面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第二透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的 凹面部,该第二透镜的该物侧面具有一位于圆周附近区域的凹面部,且该第二透镜折射率 《1. 58 ;该第H透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第四透镜的该物侧 面具有一位于光轴附近区域的凹面部;该第五透镜的该像侧面具有一位于光轴附近区域的 凹面部,并满足条件式;ALT/G23兰9. 7,ALT为该第一、二、H、四、五透镜在光轴上的厚度总 和,G23为该第二透镜与该第H透镜在光轴上的空气间隙,75° <F0V<78。,其中FOV 为该五片式光学成像镜头的最大视角。
2. 根据权利要求1所述的五片式光学成像镜头,其特征在于;所述第一透镜、第二透 镜、第H透镜、第四透镜和第五透镜的物侧面和像侧面均是非球面,而该非球面的面型满足 W下公式:
其中:y和/,.为非球面之深度,是沿光轴方向相切于高度为.r.的点之切面,i;为锥长度 值,C:为透镜表面的曲率半径的倒数,为第化阶非球面系数。
【专利摘要】本发明是有关于一种光学镜头,五片式光学成像镜头,该第一透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第一透镜的该物侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第二透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凹面部,该第二透镜的该物侧面具有一位于圆周附近区域的凹面部,且该第二透镜折射率≤1.58;该第三透镜的该像侧面具有一位于圆周附近区域的凸面部;该第四透镜的该物侧面具有一位于光轴附近区域的凹面部;该第五透镜的该像侧面具有一位于光轴附近区域的凹面部,并满足条件式:ALT/G23≦9.7,本发明使光学成像镜头具有较大广角,并有效减小畸变相差,提高解像力。
【IPC分类】G02B13-00, G02B13-18, G02B13-06
【公开号】CN104597583
【申请号】CN201510055385
【发明人】巫立斌
【申请人】巫立斌
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月4日
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