显示单元的制作方法
【专利说明】显示单元
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有2013年8月23日提交的日本优先权专利申请JP2013-173593的权益，该专利申请的全部内容并入本文以供参考。
技术领域
[0003]本技术涉及允许通过使用具有磁性笔尖的笔在其显示表面上绘制图画的显示单
J L.ο
【背景技术】
[0004]目前，一些已知的显示单元允许通过使用具有磁性笔尖的笔在其显示表面上绘制图画。一种示例性的显示单元具有布置在其显示表面下的多个微胶囊;每个微胶囊包含其中分散有白色颜料和磁性粒子的分散介质。由于从笔尖中的磁铁发出的磁场，这些磁性粒子被吸引到显示表面。以这种方式，在显示表面上绘制图画。例如通过沿后表面滑动磁铁，擦除以这种方式绘制的图画。
[0005]引用列表
[0006]专利文献
[0007]PTL1:JP2003-195365A
【发明内容】
[0008]技术问题
[0009]然而，如上所述的擦除方法难以一次性清除整个显示表面，而且不利的是，本应擦除的一些图画会残留未被擦除。专利文献1公开了一种通过将磁铁放置在远离显示表面预定距离处、并沿着平行于显示表面的方向设置磁铁的N和S极，来局部擦除创建的图画。令人遗憾的是，该方法具有如下缺点:因为穿过微胶囊的磁力线平行于显示表面，因此可能残留未擦除的图画。
[0010]所希望的是，提供一种能够一次性清除整个表面、并降低可能残留未擦除图画的风险的显示单元。
[0011]问题的解决方案
[0012]根据本技术一实施方式的显示单元包括:彼此相对且间隔开地布置的一对基板；设置在所述一对基板之间的间隙中的显示层;将电场施加至所述显示层的电极；以及在端部具有磁铁的笔。所述显示层依据磁场与电场的变化而改变它的显示。
[0013]在根据本技术的所述实施方式的显示单元中，所述显示层借助于分别从所述笔和所述电极输入的磁场和电场改变它的显示。因此，可以在擦除所述显示层上的显示时利用从所述电极输入的电场。
[0014]在另一实施方式中，一种显示器件包括电连接至第二电极层的第一电极层，以及形成在所述第一电极层和第二电极层之间的显示层，所述显示层包括多个磁性粒子和非磁性粒子。所述磁性粒子和非磁性粒子之中的至少一种粒子类型被电性改变，以使得所述粒子类型能够响应于在所述第一电极层和第二电极层之间施加的电场而在所述显示层内移动。
[0015]在另一实施方式，提供了一种用于制造显示器件的方法，该方法包括形成电连接至第二电极层的第一电极层，以及形成在所述第一电极层和第二电极层之间形成的显示层，所述显示层包括多个磁性粒子和非磁性粒子。所述磁性粒子和非磁性粒子之中的至少一种粒子类型被电性改变，以使得所述粒子类型能够响应于在所述第一电极层和第二电极层之间施加的电场而在所述显示层内移动。
[0016]在另一实施方式中，一种电子装置包括传感器器件和显示器件，所述显示器件邻近于所述传感器器件形成，并且可与所述传感器器件结合操作。所述显示器件包括电连接至第二电极层的第一电极层，以及形成在所述第一电极层和第二电极层之间的显示层，所述显示层包括多个磁性粒子和非磁性粒子。所述磁性粒子和非磁性粒子之中的至少一种粒子类型被电性改变，以使得所述粒子类型能够响应于在所述第一电极层和第二电极层之间施加的电场而在所述显示层内移动。
[0017]发明的有益效果
[0018]根据本技术的实施方式中的显示单元，可以在擦除显示层上的显示时使用从电极输入的电场。这使得与使用磁场清除表面相比，能够一次性清除整个表面，并且减少图画残留未擦除的风险。
[0019]应理解的是，上述概括说明及随后的详细说明都是示例性的和解释性的，旨在为所请求保护的本技术提供进一步的解释。
【附图说明】
[0020]图1是示出根据本技术第一实施方式的显示单元的示例性截面构造的视图。
[0021 ]图2是示出图1中的电极的示例性透视图的视图。
[0022]图3是示出图1中的电极的示例性透视图的视图。
[0023]图4是示出图1中的电极的示例性透视图的视图。
[0024]图5是示出图1中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0025]图6是示出当将磁场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0026]图7A是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0027]图7B是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0028]图7C是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0029]图7D是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0030]图7E是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0031]图8A是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0032]图8B是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0033]图8C是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0034]图8D是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0035]图8E是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0036]图9A是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0037]图9B是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0038]图9C是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0039]图9D是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0040]图9E是示出当将电场输入到显示层中时图1中的显示层的示例性性能的视图。
[0041]图10是示出根据本技术第二实施方式的显示单元的示例性截面构造的视图。
[0042]图11是示出沿平行于XZ平面的平面的图10中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0043]图12是示出沿平行于XY平面的平面的图10中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0044]图13是示出沿平行于XY平面的平面的图10中的显示像素的变型截面构造的视图。
[0045]图14是示出根据本技术第三实施方式的显示单元的示例性截面构造的视图。
[0046]图15是示出沿平行于XZ平面的平面的图14中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0047]图16是示出从箭头A-A的方向来看时，图15中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0048]图17是示出从箭头B-B的方向来看时，图15中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0049]图18是示出从箭头B-B的方向来看时，图15中的显示像素的示例性截面构造的视图。
[0050]图19是示出当将磁场输入到显示层中时图14中的显示层的示例性性能的视图。
[0051]图20A是示出当将电场输入到显示层中时图14中的显示层的示例性性能的视图。
[0052]图20B是示出当将电场输入到显示层中时图14中的显示层的示例性性能的视图。
[0053]图20C是示出当将电场输入到显示层中时图14中的显示层的示例性性能的视图。
[0054]图21是示出从箭头A-A的方向来看时，图15中的显示像素的变型截面构造的视图。
[0055]图22是示出从箭头B-B的方向来看时，图15中的显示像素的变型截面构造的视图。
[0056]图23是示出从箭头B-B的方向来看时，图15中的显示像素的变型截面构造的视图。
[0057]图24是示出根据本技术第四实施方式的显示单元的示例性截面构造的视图。
[0058]图25是示出图24中的传感器器件和驱动部件的示例性构造的视图。
[0059]图26是示出当笔接触图24中的显示单元的显示表面时显示面板和传感器器件的示例性截面构造的示意图。
[0060]图27是示出当笔按压图24中的显示单元的显示表面时显示面板和传感器器件的示例性截面构造的示意图。
[0061]图28是示出图24中的传感器器件和驱动部件的变型构造的视图。
【具体实施方式】
[0062]下文中将参考附图详细说明本技术的实施方式等等。将按照以下顺序作出说明。
[0063]1.第一实施方式
[0064]在显示层中提供微胶囊的示例
[0065]2.第二实施方式
[0066]在显示层中提供间隔物的示例
[0067]3.第二实施方式的变型例
[0068]间隔物具有柱形状的示例
[0069]4.第三实施方式
[0070]在显示层中提供纤维状构造体的示例
[0071]5.第三实施方式的变型例
[0072]间隔物具有柱形状的示例
[0073]6.第四实施方式
[0074]在显示面板的后表面上提供传感器器件的示例
[0075]d ?第一实施方式)
[0076](构造)
[0077]图1示出根据本技术第一实施方式的显示单元的示例性截面构造。显示单元1例如包括显示面板10、驱动部件20、和笔30。显示面板10依据磁场或者电场的变化，来改变其显示。驱动部件20将电压施加至显示面板10，以改变显示面板10的显示。笔30将磁场施加至显示面板10，以改变显示面板10的显示。
[0078](笔30)
[0079]笔30用于例如通过接触或者按压显示面板10的显示表面10A，在显示表面10A上绘制图画。笔30例如具有棒状手柄31、和固定到手柄31的端部的磁铁32。手柄31是当用户使用笔30的时候由他或她的手抓握的部分。磁铁32具有棒状，并沿着与手柄31的延伸方向相同的方向延伸。磁铁32在其纵向上的各端部分别具有N和S极。因此，当笔30在显示面板10的显示表面10A上处于竖直位置的时候，磁铁32沿着其厚度方向(图1中的Z轴方向)发射穿过显示层13的磁场H(磁力线)，这将在下文中说明。例如，笔尖处的磁通密度可以优选为约50G至2000G，更优选为约200G至1000G。可以在笔30的笔尖处提供防止磁力线漫流(spreadingout)的部件。例如，该部件可以设置为覆盖笔尖的周边(笔尖处的一部分磁铁32的整个侧面)。防止磁力线漫流的上述部件例如可以由具有高相对磁导率的材料(例如，坡莫合金，软铁等等)制成。替代地，该部件也可以设置为覆盖磁铁32的整个侧面。在这种情形下，该部件起到磁轭的作用，由此能够增加笔尖处的磁通密度。
[0080](显示面板10)
[0081 ] 显示面板10的示例性组件可以是下基板11、下电极12、显示层13、上电极14、和上基板15。下基板11和上基板15两者支撑下电极12、显示层13和上电极14，并且布置为彼此相对并间隔开。显示层13依据磁场和电场的变化改变其显示，并且被设置在下基板11和上基板15之间的间隙中。上电极14和下电极12两者用于将电场施加至显示层13，并且布置为以显示层13位于两者之间的方式彼此面对。下电极12设置为更接近下基板11;上电极14设置为更接近上基板15。
[0082]下基板11例如可以由无机或者塑料材料制成。无机材料的范例可以包括玻璃、石英、硅和砷化镓。塑料材料的范例可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET )、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)和聚醚砜(PES)。下基板11例如可以由诸如晶片之类的具有高刚性的材料、或者诸如薄层玻璃或者膜之类的柔性材料制成。上基板15例如可以由上述用于下基板11的示例性材料之一制成。
[0083]下电极12例如可以由单一金属元素制成，比如铝(Al)，铬(Cr)，金(Au)，铂(Pt)，镍(Ni)，铜(Cu)，钨(W)，或者银(Ag)。替代地，下电极12例如可以由包含一种或多种上述示例性金属元素的合金(例如不锈钢(SUS))制成。下电极12例如可以由透射光的导电材料(透明电极材料)制成。透明电极材料的范例可以包括氧化铟锡(ΙΤ0)，氧化铟锌(ΙΖ0)，氧化锑锡(ΑΤ0)，掺氟氧化锡(FT0)，掺铝氧化锌(ΑΖ0)。下电极12例如透射光，并且例如可以由纳米金属线、碳纳米管(CNT)、或者窄金属线制成。上电极14例如可以由上述用于下电极12的示例性材料之一制成。
[0084]在下基板11和上基板15之中，至少上基板15透射光;在下电极12和上电极14之中，至少上电极14透射光。如果下基板11、下电极12、上电极14和上基板15全部透射光，则除了显示单元1的接近上基板15的表面(上表面)之外，还可以将显示单元1的接近下基板11的表面(下表面)用作显示表面10Α。在下电极12和下基板11之中，至少下电极12可以吸收光，在这种情况下可获得高对比度。此外，在下电极12和下基板11之中，至少下电极12可以由反射光的材料制成，在这种情况下可获得高亮度。
[0085]图2、3和4示出下电极12和上电极14的示例性构造的透视图。如图2所示，例如下电极12和上电极14均是跨越面对显