一种tft阵列的结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种TFT阵列的结构，包括上基层、栅极、显示电极、TFT管、下偏光板、阴极板、共通电极层和保护膜层，所述上基层下侧安装有上偏光板，且上偏光板下侧安装有栅极，所述栅极内部安装有像素电极，所述栅极下侧安装有保护膜层，且保护膜层下侧安装有共通电极，所述显示电极内部安装有存储电容，且存储电容右侧安装有TFT管，所述TFT管右侧安装有液晶，所述显示电极下侧安装有下基层，且下基层下侧安装有下偏光板，所述下偏光板下侧安装有反射板，且反射板下侧安装有阴极板，所述阴极板下侧安装有印刷电路板。本实用新型通过共通电极下侧安装的滤光板，能够实现对杂质光的过滤，提高了显示的质量。
【专利说明】
一种TFT阵列的结构
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及TFT阵列技术领域，具体为一种TFT阵列的结构。
【背景技术】
[0002]目前，市场上的液晶显示屏主要运用的都是TFT结构，清晰度较高，且结构相对简单，但市场上的液晶显示屏的TFT结构存在着一定的缺陷，首先显示电极内部的设备之间没有设施阻隔，导致互相产生影响，降低了显示效果，栅极也存在没有绝缘设施的现状，导致显示效果不好，还有就是没有滤光设备，导致杂乱光线影响显示效果，给用户带来了不好的体验，同时也造成了一定的经济损失。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种TFT阵列的结构，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种TFT阵列的结构，包括上基层、栅极、显示电极、TFT管、下偏光板、阴极板、共通电极层和保护膜层，所述上基层下侧安装有上偏光板，且上偏光板下侧安装有栅极，所述栅极内部安装有像素电极，所述栅极下侧安装有保护膜层，且保护膜层下侧安装有共通电极，所述显示电极内部安装有存储电容，且存储电容右侧安装有TFT管，所述TFT管右侧安装有液晶，所述显示电极下侧安装有下基层，且下基层下侧安装有下偏光板，所述下偏光板下侧安装有反射板，且反射板下侧安装有阴极板，所述阴极板下侧安装有印刷电路板。
[0005]优选的，所述显示电极内部安装有间隙球。
[0006]优选的，所述栅极上下两侧安装有栅绝缘膜。
[0007]优选的，所述共通电极下侧安装有滤光板。
[0008]优选的，所述保护膜层采用的是硅化物层。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型通过显示电极的间隙球，能够很好的避免显示电极内部设备的互相接触，提高了显示效果，实用性较强，通过栅极上下两侧安装的栅绝缘膜，能够避免其它设备对内部像素电极的影响，提高了像素的品质，提高了观赏效果，实用性强，通过共通电极下侧安装的滤光板，能够实现对杂质光线的过滤，提高了显示的效果，同时也增加了生产厂家的效益，保护膜层采用的是硅化物层，一方面能够很好的实现绝缘，另一方面能够降低成本。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型一种TFT阵列结构的示意图；
[0011]图2为本实用新型一种TFT阵列的结构的显示电极内部结构示意图；
[0012]图3为本实用新型一种TFT阵列的结构的栅极内部结构示意图。
[0013]图中:1-保护膜层;2-滤光板;3-下基层;4-反射板;5-印刷电路板;6_上基层;7_上偏光板;8-栅极;9-共通电极;10-显示电极;11-阴极板；12-下偏光板;13-存储电容；14-TFT管；15-间隙球;16-液晶；17-像素电极;18-栅绝缘膜。
【具体实施方式】
[0014]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0015]请参阅图1-3，本实用新型提供的一种实施例:一种TFT阵列的结构，包括上基层6、栅极8、显示电极10、TFT管14、下偏光板12、阴极板11、共通电极9和保护膜层1，上基层6下侧安装有上偏光板7，且上偏光板7下侧安装有栅极8，栅极8内部安装有像素电极17，栅极8下侧安装有保护膜层1，且保护膜层I下侧安装有共通电极9，显示电极10内部安装有存储电容13，且存储电容13右侧安装有TFT管14，TFT管14右侧安装有液晶16，显示电极10下侧安装有下基层3，且下基层3下侧安装有下偏光板12，下偏光板12下侧安装有反射板4，且反射板4下侧安装有阴极板11，阴极板11下侧安装有印刷电路板5，显示电极10内部安装有间隙球15，栅极8上下两侧安装有栅绝缘膜18，共通电极9下侧安装有滤光板2，共通电极9下侧安装有滤光板2。
[0016]具体使用方式:本实用新型工作中，将印刷电路板5接入电源，并给阴极板11供电，上偏光板7能够将内部设备发出的非特定偏振方向的光源转化成极光，栅极8起控制阴极表面电场强度从而改变阴极放射电流或捕获二次放射电子的作用，间隙球15能够避免存储电容13、TFT管14的接触，提高了显示质量，提高了实用性，保护膜层I能够实现能够避免共通电极9对上面的设备产生影响，提高了显示质量，且结构简单，设计合理。
[0017]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
【主权项】
1.一种TFT阵列的结构，包括上基层(6)、栅极(8)、显示电极(10)、TFT管(I4)、下偏光板(12)、阴极板(11)、共通电极(9)和保护膜层(I)，其特征在于:所述上基层(6)下侧安装有上偏光板(7)，且上偏光板(7)下侧安装有栅极(8)，所述栅极(8)内部安装有像素电极(17)，所述栅极(8)下侧安装有保护膜层(I)，且保护膜层(I)下侧安装有共通电极(9)，所述显示电极(10)内部安装有存储电容(13)，且存储电容(13)右侧安装有TFT管(14)，所述TFT管(14)右侧安装有液晶(16)，所述显示电极(10)下侧安装有下基层(3)，且下基层(3)下侧安装有下偏光板(12)，所述下偏光板(12)下侧安装有反射板(4)，且反射板(4)下侧安装有阴极板(11)，所述阴极板(11)下侧安装有印刷电路板(5)。2.根据权利要求1所述的一种TFT阵列的结构，其特征在于:所述显示电极(10)内部安装有间隙球(15)。3.根据权利要求1所述的一种TFT阵列的结构，其特征在于:所述栅极(8)上下两侧安装有栅绝缘膜(18)。4.根据权利要求1所述的一种TFT阵列的结构，其特征在于:所述共通电极(9)下侧安装有滤光板(2)。5.根据权利要求1所述的一种TFT阵列的结构，其特征在于:所述保护膜层(I)采用的是硅化物层。
【文档编号】H01L29/423GK205507318SQ201620269523
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】李兰, 谢国浩, 潘海
【申请人】河源中光电通讯技术有限公司