显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置与流程

1.本公开实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置。


背景技术：

2.有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light emitting diode，简称amoled)显示屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点，在终端市场占比越来越高。在oled显示基板的制备过程中，残留的杂质容易造成阳极和阴极之间局部短路而出现暗点缺陷。目前在oled显示基板中出现异物杂质时，会将异物所在的发光单元进行隔离，以确保其它发光单元不受影响。然而，当异物较小时，则不容易确定异物的位置，修复的成功率不高。
3.经本技术发明人研究发现，现有的显示基板存在着由较小异物引起的暗点缺陷不易修复的问题。


技术实现要素：

4.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置，以解决由较小异物引起的显示基板的暗点缺陷不易修复的问题。
6.第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括在基底上叠设的驱动电路层和阳极层，所述驱动电路层包括驱动晶体管，所述阳极层包括n个阳极，所述n个阳极分别与所述驱动晶体管的第二极连接；所述显示基板还包括n-1个连接部，所述连接部设置在所述阳极和所述驱动晶体管之间，用于在修复暗点不良时，将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接；所述n为大于或等于2的整数。
7.一示例性实施例中，在平行于所述显示基板的平面上，所述显示基板包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子单元，每个子单元包括一个所述阳极，所述像素单元包括所述驱动晶体管；所述n-1个连接部与所述n个阳极中的n-1个阳极一一对应设置；所述连接部具有第一端和第二端，所述第一端和所述阳极电连接或设置为可与所述阳极焊接，所述第二端与所述驱动晶体管的第二极电连接或者设置为可与所述驱动晶体管的第二极焊接，且所述连接部在焊接前不将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极电连接。
8.一示例性实施例中，所述连接部在基底上的正投影与所述阳极在基底上的正投影存在第一交叠区域；所述连接部在基底上的正投影与所述驱动晶体管的第二极在基底上的正投影存在第二交叠区域。
9.一示例性实施例中，所述第一交叠区域在基底上的正投影包含所述第二交叠区域在基底上的正投影；或者，所述第二交叠区域在基底上的正投影包含所述第一交叠区域在基底上的正投影。
10.一示例性实施例中，所述连接部与所述阳极为一体结构，所述第二端设置为可与所述驱动晶体管的第二极焊接。
11.一示例性实施例中，所述连接部与所述驱动晶体管的第二极为一体结构，所述第一端设置为可与所述阳极焊接。
12.第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
13.第三方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述方法包括：在基底上形成驱动电路层，所述驱动结构层包括驱动晶体管；在所述驱动电路层上形成n-1个连接部；在所述连接部上形成阳极层，所述阳极层包括n个阳极，所述n个阳极分别与所述驱动晶体管的第二极连接；其中，所述连接部设置在所述阳极和所述驱动晶体管之间，用于在修复暗点不良时，将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接；所述n为大于或等于2的整数。
14.第四方面，本公开实施例提供了一种显示基板的修复方法，显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和阳极层，所述驱动电路层包括驱动晶体管，所述阳极层包括n个阳极，所述n个阳极分别与所述驱动晶体管的第二极连接；所述显示基板还包括n-1个连接部，所述连接部设置在所述阳极和所述驱动晶体管之间，所述n为大于或等于2的整数；在修复暗点不良时，所述修复方法包括：断开所述阳极和所述驱动晶体管的第二极之间的连接；在未成功修复暗点不良的情况下，利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管建立连接。
15.一示例性实施例中，在平行于显示基板的平面上，所述显示基板包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子单元，每个子单元包括一个所述阳极，所述像素单元包括所述驱动晶体管；所述n-1个连接部与所述n个阳极中的n-1个阳极一一对应设置；所述在未成功修复暗点不良的情况下，利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：在所述断开所述阳极和所述驱动晶体管的第二极之间的连接后，判断像素单元内其余子单元是否正常发光，在所述像素单元内其余子单元不能够正常发光的情况下，判断未成功修复暗点不良；利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接。
16.一示例性实施例中，所述连接部具有第一端和第二端；所述连接部在基底上的正投影与所述阳极在基底上的正投影存在第一交叠区域；所述连接部在基底上的正投影与所述驱动晶体管的第二极在基底上的正投影存在第二交叠区域；所述利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：从所述基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一交叠区域和所述第二交叠区域进行激光照射，将所述第一端和所述阳极焊接，所述第二端与所述驱动晶体管的第二极焊接。
17.一示例性实施例中，所述连接部与所述阳极为一体结构，所述利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：从所述基底远离所述驱动电路层的一侧，对所述第二交叠区域进行激光照射，将所述第二端与所述驱动晶体管的第二极焊接。
18.一示例性实施例中，所述连接部与所述驱动晶体管的第二极为一体结构，所述利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：从所述基底远离所述驱动电路层的一侧，对所述第一交叠区域进行激光照射，将所述第一端和所述阳极焊接。
19.本公开实施例提出的显示基板，通过在阳极和驱动晶体管之间设置连接部，该连接部可以将阳极和驱动晶体管的第二极建立连接，从而在修复暗点不良时，可以使已经隔离的子单元重新发光，避免了错误的隔离导致的产品报废。解决了由较小异物引起的显示
基板的暗点缺陷不易修复的问题。
20.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
21.附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
22.图1为oled部分膜层的结构示意图；
23.图2为图1所示膜层中掺入异物的示意图；
24.图3为本公开实施例显示基板的等效结构示意图；
25.图4为示例性实施例中第一阳极和第二阳极的结构示意图；
26.图5为又一示例性实施例中第一阳极和第二阳极的结构示意图；
27.图6为又一示例性实施例中第一阳极和第二阳极的结构示意图；
28.图7为又一示例性实施例中第一阳极和第二阳极的结构示意图；
29.图8为示例性实施例中显示基板在沿图3中第一信号线的延伸方向的剖视结构图；
30.图9为示例性实施例中在断开状态下，显示基板在沿图3中连接部的延伸方向的剖视结构图；
31.图10为示例性实施例中像素驱动电路的等效电路示意图；
32.图11为示例性实施例中像素驱动电路的工作时序图；
33.图12为一种示例性实施例中提供的显示基板的修复方法的示意图。
34.附图标记说明：
35.10-栅线；
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20-数据线；
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40-驱动晶体管；
36.41-第一信号线；
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42-第二信号线；
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43-连接部；
37.60-第一阳极；
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70-第二阳极；
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100-基底；
38.101-第一绝缘层；
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102-第二绝缘层；
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103-第三绝缘层；
39.104-平坦层；
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401-有源层；
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402-栅电极；
40.403-第一极；
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404-第二极。
具体实施方式
41.下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
42.本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
43.本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
44.在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
45.在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
46.在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
47.在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换，“源端”和“漏端”可以互相调换。
48.在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括阳极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
49.在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，也包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，也包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
50.在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
51.本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
52.本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
53.在oled显示基板的制备过程中可能存在暗点缺陷，造成暗点的原因是导电异物导通了oled像素单元的阳极和阴极，使得oled像素单元不能正常发光。图1为oled部分膜层的结构示意图，图2为图1所示膜层中掺入异物的示意图。如图1和图2所示，部分膜层包括阴极、阳极和设置在阴极和阳极之间的发光层。当发光层中掺入异物时，异物会同时接触到阴极和阳极，使阴极和阳极导通，发光层不能正常发光，从而产生暗点不良。
54.一些技术中，为了减小异物对像素单元的影响，会采用将一个像素单元设置为多个子单元的设计，当出现异物时，将存在异物的子单元进行隔离，使得该像素单元内其余子单元可以不受影响。隔离子单元的做法是采用激光(laser)切断该子单元与对应的驱动晶
体管的连接。然而，经本技术发明人研究发现，这种方法针对较大的、容易分辨的异物会有效果，在异物太小或者不容易判定异物位置的情况下，只能任选某个子单元进行隔离，这样的修复方式是盲目的，不能保证修复的成功率，如果隔离的子单元是不存在异物的子单元，会导致更多的子单元不能正常发光，出现更多的暗点，导致修复失败，产品报废。
55.本公开实施例提供了一种显示基板，包括在基底上叠设的驱动电路层和阳极层，所述驱动电路层包括驱动晶体管，所述阳极层包括n个阳极，所述n个阳极分别与所述驱动晶体管的第二极连接；所述显示基板还包括n-1个连接部，所述连接部设置在所述阳极和所述驱动晶体管之间，用于在修复暗点不良时，将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接；所述n为大于或等于2的整数。
56.本公开实施例提出的显示基板，通过在阳极和驱动晶体管之间设置连接部，该连接部可以将阳极和驱动晶体管的第二极建立连接，从而在修复暗点不良时，可以使已经隔离的子单元重新发光，避免了错误的隔离导致的产品报废。解决了由较小异物引起的显示基板的暗点缺陷不易修复的问题。
57.一示例性实施例中，在平行于所述显示基板的平面上，所述显示基板包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子单元，每个子单元包括一个所述阳极，所述像素单元包括所述驱动晶体管；所述n-1个连接部与所述n个阳极中的n-1个阳极一一对应设置；所述连接部具有第一端和第二端，所述第一端和所述阳极电连接或设置为可与所述阳极焊接，所述第二端与所述驱动晶体管的第二极电连接或者设置为可与所述驱动晶体管的第二极焊接，且所述连接部在焊接前不将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极电连接。
58.一示例性实施例中，所述连接部在基底上的正投影与所述阳极在基底上的正投影存在第一交叠区域；所述连接部在基底上的正投影与所述驱动晶体管的第二极在基底上的正投影存在第二交叠区域。
59.一示例性实施例中，所述第一交叠区域在基底上的正投影包含所述第二交叠区域在基底上的正投影；或者，所述第二交叠区域在基底上的正投影包含所述第一交叠区域在基底上的正投影。
60.一示例性实施例中，所述连接部与所述阳极为一体结构，所述第二端设置为可与所述驱动晶体管的第二极焊接。
61.一示例性实施例中，所述连接部与所述驱动晶体管的第二极为一体结构，所述第一端设置为可与所述阳极焊接。
62.图3为本公开实施例显示基板的等效结构示意图。如图3所示，显示基板的主体结构包括栅线10和数据线20，栅线10和数据线20垂直交叉限定若干个矩阵排布的像素单元。每个像素单元为最基本的发光单元，发出单一颜色的光线，也称之为亚像素。通常，三个像素单元，如红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元组成一个像素，本公开对单个像素包含的像素单元的数量和每个像素单元的颜色不做限制。本实施例中，每个像素单元被划分为两个子单元，每个子单元设置一个阳极，分别是第一阳极60和第二阳极70，两个子单元中的阳极相互独立。每个像素单元包括驱动晶体管40、第一阳极60和第二阳极70，其中，驱动晶体管40分别与栅线10和数据线20连接，用于在栅信号控制下根据数据信号生成驱动电流；第一阳极60、第二阳极70分别与驱动晶体管40连接，用于在驱动晶体管40输出的驱动电流的驱动下发光。本实施例所说的栅线和数据线垂直交叉是指栅线和数据线在基底上的投
影垂直交叉，而栅线和数据线之间由于存在栅绝缘层而不直接接触。
63.在示例性实施方式中，第一阳极60和第二阳极70均是oled显示基板的阳极。
64.在示例性实施方式中，每个像素单元内设置有单个驱动晶体管40，该驱动晶体管40可以为像素单元内的全部子单元提供驱动电流。如图3所示，驱动晶体管40的第一端可以连接栅线10，第二端可以连接数据线20，第三端可以分别连接第一阳极60和第二阳极70，在栅线10提供的栅扫描信号控制下，驱动晶体管40根据数据线20提供的数据信号生成驱动电流，并通过第一信号线41输出给第一阳极60，通过第二信号线42输出给第二阳极70，第一阳极60和第二阳极70对应的子单元在驱动晶体管40输出的驱动电流的驱动下发光。
65.在示例性实施方式中，驱动晶体管40和第一阳极60之间还设置有连接部43，连接部43具有第一端和第二端，第一端和第一阳极60电连接或设置为可与第一阳极60焊接，第二端和驱动晶体管40电连接或设置为可与驱动晶体管40焊接，且连接部43在焊接前不将第一阳极60和驱动晶体管40电连接。
66.通过设置连接部43，当该像素单元中存在异物，但不能确定异物存在于第一阳极60所在的子单元还是第二阳极70所在的子单元时，可以先用激光断开第一信号线41，如果异物存在于第一阳极60所在的子单元，则在断开第一信号线41后，第一阳极60所在的子单元被隔离，第二阳极70所在的子单元可以正常发光；而如果异物存在于第二阳极70所在的子单元，则在断开第一信号线41后，第一阳极60所在的子单元和第二阳极70所在的子单元均不能正常发光，这种情况下，可以利用激光对连接部43与驱动晶体管40或者第一阳极60进行焊接，使驱动晶体管40和第一阳极60通过连接部43重新实现连接，进而第一阳极60所在的子单元能够重新正常发光。通过预先设置连接部43，可以实现准确地对存在异物的子单元进行隔离，使得子单元的修复不再盲目，提升了子单元修复的准确性，降低了显示基板的报废率，节省了生产成本。
67.图3所示的实施例中的第一阳极和第二阳极为两个矩形，采用上下的纵向排列方式，在其它实施方式中，两个矩形的第一阳极和第二阳极可以采用左右的横向排列方式，如图4所示。实际实施时，可以根据像素单元的结构设计综合考虑第一阳极和第二阳极的形状和排列方式。例如，可以将第一阳极和第二阳极设计成两个三角形状，如图5所示。又如，可以将第一阳极和第二阳极设计成两个梯形状，如图6所示。再如，可以将第一阳极和第二阳极设计成两个u形状，以插指方式排列，如图7所示。在其它实施方式中，还可以采用其它任何适当的方式设置第一阳极和第二阳极的形状和排列方式，本公开实施例在此不进行特殊限定。
68.图3所示的实施例以像素单元设置两个子单元为例进行了说明，但实际实施时，像素单元可以设置多个子单元，如3个、4个或多个子单元，每个子单元中设置一个阳极。例如，像素单元可以设置有n个子单元，该n个子单元可以连接到同一个驱动晶体管，可以设置n-1个连接部，每个连接部与一个子单元对应设置，可以有一个子单元不设置连接部。或者，可以设置n个连接部，每个连接部与一个子单元对应设置。可以根据需要设置连接部的数量以及与子单元的对应关系，本公开对此不作限制。
69.图8为示例性实施例中显示基板在沿图3中第一信号线的延伸方向的剖视结构图。如图8所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括：基底100以及依次设置在基底100上的驱动电路层、平坦层104和阳极层。驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管
和存储电容(图未示)。如图8所示，驱动电路层可以包括叠设的多个绝缘层和设置在多个绝缘层之间的驱动晶体管40，多个绝缘层可以包括：第一绝缘层101、第二绝缘层102、第三绝缘层103，驱动晶体管40可以包括：有源层401、栅电极402、第一极403和第二极404。阳极层可以包括第一阳极60和第二阳极70(图未示)。驱动晶体管40的第二极404可以与第一阳极60连接，第二极404与第一阳极60接触的位置为第一信号线41，在第二极404与第一阳极60之间设置有平坦层104，平坦层104上设置有第一通孔，第一通孔可以暴露出第二极404的表面，第一阳极60可以通过第一通孔与第二极404连接。在需要隔离第一阳极60所在的子单元时，可以利用激光使第二极404与第一阳极60之间断开连接。显示基板在沿图3中第二信号线42的延伸方向的剖视结构与图8类似，在此不再赘述。
70.图9为示例性实施例中在断开状态下，显示基板在沿图3中连接部的延伸方向的剖视结构图。图9与图8中所示结构类似，不同之处在于，图9中第一阳极60不与第二极404连接，在第一阳极60与第二极404之间设置有连接部43，连接部43具有靠近第一阳极60一侧的第一端和靠近第二极404一侧的第二端，连接部43的第一端和第一阳极60电连接，连接部43的第二端和第二极404之间相隔部分平坦层104。连接部43在基底100上的正投影与第一阳极60在基底100上的正投影可以存在第一交叠区域，连接部43在基底100上的正投影与驱动晶体管的第二极404在基底100上的正投影可以存在第二交叠区域。第一交叠区域在基底100上的正投影可以和第二交叠区域在基底100上的正投影存在交叠，在示例性实施方式中，第一交叠区域在基底100上的正投影可以包含第二交叠区域在基底100上的正投影；或者，第二交叠区域在基底100上的正投影可以包含第一交叠区域在基底100上的正投影。图9中与图8相同的结构可以参见对图8的描述，在此不再赘述。如图9所示，在示例性实施方式中，连接部43的第一端和第一阳极60可以焊接在一起，或者，连接部43可以和第一阳极60设置为一体结构，本公开对此不做限制。当需要恢复驱动晶体管40和第一阳极60之间的连接时，可以利用激光在连接部43的第二端与第二极404之间形成通孔，并使连接部43熔融后与第二极404连接。连接部43的第二端和第二极404之间形成通孔的位置可以位于第二交叠区域。在驱动晶体管40和第一阳极60恢复连接后，显示基板在沿图3中连接部的延伸方向的剖视结构图可以参照图8所示，在此不再赘述。
71.在其它实施方式中，连接部43的第二端可以和第二极404电连接，连接部43的第一端和第一阳极60之间可以相隔部分平坦层104，连接部43的第二端可以和第二极404焊接在一起，或者，连接部43可以和第二极404设置为一体结构。当需要恢复驱动晶体管40和第一阳极60之间的连接时，可以利用激光在连接部43的第一端与第一阳极60之间形成通孔，并使连接部43熔融后与第一阳极60连接。连接部43的第一端与第一阳极60之间形成的通孔的位置可以位于第一交叠区域。
72.在其它实施方式中，连接部43的第一端和第一阳极60之间可以相隔部分平坦层104，连接部43的第二端和第二极404之间可以相隔部分平坦层104。当需要恢复驱动晶体管40和第一阳极60之间的连接时，可以利用激光在连接部43的第一端与第一阳极60之间、以及连接部43的第二端和第二极404之间形成通孔，并使连接部43熔融后与第一阳极60连接。连接部43的第一端与第一阳极60之间形成的通孔的位置可以位于第一交叠区域，连接部43的第二端和第二极404之间形成通孔的位置可以位于第二交叠区域。可以根据需要设置连接部43与第一阳极60、第二极404之间的连接关系，本公开对此不作限制。
73.图10为示例性实施例中像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c结构。如图10所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管t1到第七晶体管t7)、1个存储电容c，像素驱动电路包括数据信号端d、第一扫描信号端s1、第二扫描信号端s2、发光信号端e、初始信号端init、第一电源端vdd和第二电源端vss，各个端分别与对应的信号线或电源线连接。
74.在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3。其中，第一节点n1分别与第三晶体管t3的第一极、第四晶体管t4的第二极和第五晶体管t5的第二极连接，第二节点n2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管t2的第一极、第三晶体管t3的控制极和存储电容c的第二端连接，第三节点n3分别与第二晶体管t2的第二极、第三晶体管t3的第二极和第六晶体管t6的第一极连接。
75.在示例性实施方式中，存储电容c的第一端与第一电源端vdd连接，存储电容c的第二端与第二节点n2连接，即存储电容c的第二端与第三晶体管t3的控制极连接。
76.第一晶体管t1的控制极与第二扫描信号端s2连接，第一晶体管t1的第一极与初始信号端init连接，第一晶体管的第二极与第二节点n2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号端s2时，第一晶体管t1将初始化电压传输到第三晶体管t3的控制极，以使第三晶体管t3的控制极的电荷量初始化。
77.第二晶体管t2的控制极与第一扫描信号端s1连接，第二晶体管t2的第一极与第二节点n2连接，第二晶体管t2的第二极与第三节点n3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号端s1时，第二晶体管t2使第三晶体管t3的控制极与第二极连接。
78.第三晶体管t3的控制极与第二节点n2连接，即第三晶体管t3的控制极与存储电容c的第二端连接，第三晶体管t3的第一极与第一节点n1连接，第三晶体管t3的第二极与第三节点n3连接。第三晶体管t3可以称为驱动晶体管，第三晶体管t3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线与第二电源线之间流动的驱动电流。
79.第四晶体管t4的控制极与第一扫描信号端s1连接，第四晶体管t4的第一极与数据信号端d连接，第四晶体管t4的第二极与第一节点n1连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号端s1时，第四晶体管t4使数据信号端d的数据电压输入到像素驱动电路。
80.第五晶体管t5的控制极与发光信号端e连接，第五晶体管t5的第一极与第一电源端vdd连接，第五晶体管t5的第二极与第一节点n1连接。第六晶体管t6的控制极与发光信号端e连接，第六晶体管t6的第一极与第三节点n3连接，第六晶体管t6的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平发光信号施加到发光信号端e时，第五晶体管t5和第六晶体管t6通过在第一电源端vdd与第二电源端vss之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
81.第七晶体管t7的控制极与第二扫描信号端s2连接，第七晶体管t7的第一极与初始信号端init连接，第七晶体管t7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号端s2时，第七晶体管t7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
82.在示例性实施方式中，发光器件可以是oled，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)，或者可以是qled，包括叠设的第一极(阳极)、量子点发光层和第二极(阴极)，或者可以是led。
83.在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线连接，第二电源线的信号
为低电平信号，第一电源线的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号端s1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号端s2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号端s1为s(n)，第二扫描信号端s2为s(n-1)，本显示行的第二扫描信号端s2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号端s1为同一信号线，可以减少显示基板的信号线，实现显示基板的窄边框。
84.在示例性实施方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以是p型晶体管，或者可以是n型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示基板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以包括p型晶体管和n型晶体管。
85.在示例性实施方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称ltps)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide，简称ltpo)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。
86.图11为示例性实施例中像素驱动电路的工作时序图。下面以图10所示像素驱动电路中的7个晶体管均为p型晶体管为例，在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
87.第一阶段a1，称为复位阶段，第二扫描信号端s2的信号为低电平信号，第一扫描信号端s1和发光信号端e的信号为高电平信号。第二扫描信号端s2的信号为低电平信号，使第一晶体管t1导通，初始信号端init的信号提供至第二节点n2，对存储电容c进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号端s1和发光信号端e的信号为高电平信号，使第二晶体管t2、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7断开，此阶段oled不发光。
88.第二阶段a2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号端s1的信号为低电平信号，第二扫描信号端s2和发光信号端e的信号为高电平信号，数据信号端d输出数据电压。此阶段由于存储电容c的第二端为低电平，因此第三晶体管t3导通。第一扫描信号端s1的信号为低电平信号使第二晶体管t2、第四晶体管t4和第七晶体管t7导通。第二晶体管t2和第四晶体管t4导通使得数据信号端d输出的数据电压经过第一节点n1、导通的第三晶体管t3、第三节点n3、导通的第二晶体管t2提供至第二节点n2，并将数据信号端d输出的数据电压与第三晶体管t3的阈值电压之差充入存储电容c，存储电容c的第二端(第二节点n2)的电压为vd-|vth|，vd为数据信号端d输出的数据电压，vth为第三晶体管t3的阈值电压。第七晶体管t7导通使得初始信号端init的初始电压提供至oled的第一极，对oled的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保oled不发光。第二扫描信号端s2的信号为高电平信号，使第一晶体管t1断开。发光信号端e的信号为高电平信号，使第五晶体管t5和第六晶体管t6断开。
89.第三阶段a3、称为发光阶段，发光信号端e的信号为低电平信号，第一扫描信号端
s1和第二扫描信号端s2的信号为高电平信号。发光信号端e的信号为低电平信号，使第五晶体管t5和第六晶体管t6导通，第一电源端vdd输出的电源电压通过导通的第五晶体管t5、第三晶体管t3和第六晶体管t6向oled的第一极提供驱动电压，驱动oled发光。
90.在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管t3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅阳极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点n2的电压为vd-|vth|，因而第三晶体管t3的驱动电流为：
91.i＝k*(vgs-vth)2＝k*[(vdd-vd+|vth|)-vth]2＝k*(vdd-vd)2[0092]
其中，i为流过第三晶体管t3的驱动电流，也就是驱动oled的驱动电流，k为常数，vgs为第三晶体管t3的栅阳极和第一极之间的电压差，vth为第三晶体管t3的阈值电压，vd为数据信号端d输出的数据电压，vdd为第一电源端vdd从第一电源线81接收到的电源电压。
[0093]
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“b的正投影位于a的正投影的范围之内”或者“a的正投影包含b的正投影”是指，b的正投影的边界落入a的正投影的边界范围内，或者a的正投影的边界与b的正投影的边界重叠。
[0094]
在示例性实施方式中，图8和图9所示的显示基板的制备过程可以包括如下步骤。
[0095]
(1)形成驱动电路层图案。在示例性实施方式中，形成驱动电路层图案可以包括：
[0096]
在基底100上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底100的第一绝缘层101，以及设置在第一绝缘层101上的半导体层图案，每个子单元的半导体层图案可以至少包括有源层401。
[0097]
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层102，以及设置在第二绝缘层102上的第一导电层图案，每个子单元的第一导电层图案可以至少包括栅电极402。
[0098]
随后，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层图案的第三绝缘层图案，每个子单元的第三绝缘层图案可以包括第三绝缘层103，第三绝缘层103上形成两个有源过孔，两个有源过孔分别暴露出有源层401的两端。
[0099]
随后，沉积第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，在第三绝缘层103上形成第二导电层图案，第二导电层图案至少包括：位于每个子单元的第一极403和第二极404，第一极403和第二极404分别通过有源过孔与有源层401连接。
[0100]
至此，制备完成驱动电路层图案。在示例性实施方式中，每个子像素的驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图8及图9中仅以像素驱动电路包括
驱动晶体管作为示例。
[0101]
在示例性实施方式中，基底可以是刚性基底，或者可以是柔性基底。刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，柔性基底可以采用聚酰亚胺(pi)等材料，柔性基底可以是单层结构，或者可以是无机材料层和柔性材料层构成的叠层结构，本公开在此不做限定。
[0102]
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层可以采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一导电层和第二导电层可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如ti/al/ti等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-igzo)、氮氧化锌(znon)、氧化铟锌锡(izto)，本公开在此不做限定。
[0103]
(2)形成平坦层图案。在示例性实施方式中，形成平坦层图案可以包括：
[0104]
在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案平坦层图案，每个子单元的平坦层上形成有至少一个第一通孔、第二通孔和第一盲孔，第一通孔和第二通孔暴露出第二极404的表面，第一盲孔暴露平坦层，第一盲孔在基底100上的正投影与第二极404在基底100上的正投影存在第二交叠区域。
[0105]
(3)形成连接部和阳极层图案。在示例性实施方式中，形成连接部和阳极层图案可以包括：
[0106]
在形成前述图案的基底上沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，形成阳极层图案。每个子单元的阳极层图案至少包括第一阳极60和第二阳极70，第一阳极60可以通过第一通孔和第二极404连接，第二阳极70可以通过第二通孔和第二极404连接，连接部43与第一阳极60可以为一体结构，连接部43位于第一盲孔内。
[0107]
在其它实施方式中，可以不形成第一盲孔，通过控制平坦层、连接部以及阳极层的厚度，也可以实现在激光照射下第一阳极60和第二极404的连接，本公开对此不作限制。
[0108]
在示例性实施方式中，第三导电薄膜可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如ti/al/ti等。
[0109]
至此，制备完成显示基板。制备后得到的结构可以如图8或图9所示。后续可以依次形成发光层、阴极和封装层等，结构和制备工艺与现有工艺相同，在这里不一一赘述。
[0110]
在示例性实施方式中，显示基板还可以包括其它膜层结构，例如保护层等结构，可以根据实际需要进行制备，这里不再赘述。
[0111]
本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺，本公开在此不做限定。
[0112]
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：led显示器、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开实施例并不以此为限。
[0113]
本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述方法包括：在基底上形成驱动电路层，所述驱动结构层包括驱动晶体管；在所述驱动电路层上形成n-1个连接部；在所述连接部上形成阳极层，所述阳极层包括n个阳极，所述n个阳极分别与所述驱动晶体管
的第二极连接；其中，所述连接部设置在所述阳极和所述驱动晶体管之间，用于在修复暗点不良时，将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接；所述n为大于或等于2的整数。
[0114]
本公开实施例还提供了一种显示基板的修复方法，显示基板包括在基底上叠设的驱动电路层和阳极层，所述驱动电路层包括驱动晶体管，所述阳极层包括n个阳极，所述n个阳极分别与所述驱动晶体管的第二极连接；所述显示基板还包括n-1个连接部，所述连接部设置在所述阳极和所述驱动晶体管之间，所述n为大于或等于2的整数；在修复暗点不良时，所述修复方法包括：断开所述阳极和所述驱动晶体管的第二极之间的连接；在未成功修复暗点不良的情况下，利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管建立连接。
[0115]
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，所述显示基板包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子单元，每个子单元包括一个所述阳极，所述像素单元包括所述驱动晶体管；所述n-1个连接部与所述n个阳极中的n-1个阳极一一对应设置；所述在未成功修复暗点不良的情况下，利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：在所述断开所述阳极和所述驱动晶体管的第二极之间的连接后，判断像素单元内其余子单元是否正常发光，在所述像素单元内其余子单元不能够正常发光的情况下，判断未成功修复暗点不良；利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接。
[0116]
在示例性实施方式中，所述连接部具有第一端和第二端；所述连接部在基底上的正投影与所述阳极在基底上的正投影存在第一交叠区域；所述连接部在基底上的正投影与所述驱动晶体管的第二极在基底上的正投影存在第二交叠区域；所述利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：从所述基底远离驱动电路层的一侧，对所述第一交叠区域和所述第二交叠区域进行激光照射，将所述第一端和所述阳极焊接，所述第二端与所述驱动晶体管的第二极焊接。
[0117]
在示例性实施方式中，所述连接部与所述阳极为一体结构，所述利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：从基底远离所述驱动电路层的一侧，对所述第二交叠区域进行激光照射，将所述第二端与所述驱动晶体管的第二极焊接。
[0118]
在示例性实施方式中，所述连接部与所述驱动晶体管的第二极为一体结构，所述利用所述连接部将所述阳极和所述驱动晶体管的第二极建立连接，包括：从所述基底远离所述驱动电路层的一侧，对所述第一交叠区域进行激光照射，将所述第一端和所述阳极焊接。
[0119]
图12为一种示例性实施例中提供的显示基板的修复方法的示意图。如图12所示，假设像素单元内包括n个子单元，n为大于或等于2的整数，每个子单元设置一个阳极，该n个阳极分别与驱动晶体管的第二极连接；在阳极和驱动晶体管之间设置有n-1个连接部，每个连接部与一个阳极对应设置，能够实现该阳极与驱动晶体管的第二极之间的连接，n个阳极中有一个阳极未设置连接部。当该像素单元发生暗点不良，且不能确定异物位于哪个子单元中时，可以采用以下修复方法：
[0120]
s1、断开单个阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接；
[0121]
本步骤中，可以从对应设置有连接部的阳极中选择一个阳极，断开该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接。在示例性实施方式中，可以利用激光从基底远离驱动电路层的一侧进行照射，使该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接断开。
[0122]
p1、判断像素单元内其余子单元是否能正常发光；
[0123]
如果异物存在于步骤s1中选定的阳极所在的子单元，则在断开该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接后，该阳极所在的子单元被隔离，像素单元内其余的子单元均能够正常发光，暗点不良被成功修复，可以结束修复步骤。
[0124]
如果异物并未存在于步骤s1中选定的阳极所在的子单元，则在断开该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接后，该阳极所在的子单元被隔离，但像素单元内其余的子单元仍不能够正常发光，判断未成功修复暗点不良，继续执行步骤s2。
[0125]
s2、利用连接部将该阳极和驱动晶体管的第二极重新建立连接；
[0126]
利用激光从基底远离驱动电路层的一侧进行照射，使步骤s1中选定的阳极通过对应的连接部与驱动晶体管的第二极重新建立连接。执行步骤s2之后，该阳极所在的子单元能够重新正常发光，且排除了异物位于该阳极所在的子单元的情况，可以继续执行步骤s3。
[0127]
s3、断开该像素单元内下一个阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接；
[0128]
本步骤中，可以从对应设置有连接部的阳极中再选择一个阳极，断开该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接。随后执行步骤p1进行判断。在示例性实施方式中，可以利用激光从基底远离驱动电路层的一侧进行照射，使该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接断开。
[0129]
如果异物存在于步骤s3中选定的阳极所在的子单元，则在断开该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接后，该阳极所在的子单元被隔离，像素单元内其余的子单元均能够正常发光，暗点不良被成功修复，可以结束修复步骤。
[0130]
如果异物并未存在于步骤s3中选定的阳极所在的子单元，则在断开该阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接后，该阳极所在的子单元被隔离，但像素单元内其余的子单元仍不能够正常发光，判断未成功修复暗点不良，且排除了异物位于步骤s1和步骤s3中选定的阳极所在的子单元的情况。随后，可以重复执行步骤s2，将步骤s3中选定的阳极和驱动晶体管的第二极重新建立连接。
[0131]
通过重复执行步骤s2和s3，可以逐个子单元地判断该子单元中是否存在异物，直到断开某个阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接后，像素单元内其余子单元均能够正常发光，表明异物存在于该已经断开的子单元，成功修复暗点不良。可以将未对应设置连接部的子单元放在最后一个进行判断，当在确定了前n-1个子单元中均不存在异物时，可以判定异物存在于未对应设置连接部的子单元中，可以直接断开该子单元中阳极和驱动晶体管的第二极之间的连接以隔离该子单元，完成暗点修复。
[0132]
在示例性实施方式中，可以不限定步骤s2和步骤s3之间的执行顺序，例如，每次步骤p1中的判断结果为不能时，可以先执行步骤s3，再执行步骤s2，不会影响修复结果。或者，每次步骤p1中的判断结果为不能时，可以跳过步骤s2，直接执行步骤s3，在下次步骤p1的判断中，只对当前未断开连接的子单元的发光情况进行判断，可以在找到异物所在的子单元后，再对之前断开连接的阳极进行恢复连接。可以根据需要选择合适的执行顺序，本公开对此不作限制。
[0133]
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。