显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting display，oled)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180
°
视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
3.在顶发射大尺寸oled显示面板中，为了提高透过率，使得阴极层的厚度较薄，导致阻抗较大，使得电流压降(ir-drop)现象严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了oled显示面板的显示效果。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，能够改善电压降现象，提高显示均一性。
5.本发明提供一种显示面板，其包括：
6.基板；
7.驱动电路层，设置于所述基板上；
8.像素定义层，设置于所述驱动电路层远离所述基板的一侧；
9.辅助阴极层，包括设置于所述像素定义层远离所述驱动电路层一侧的至少一辅助阴极单元，所述辅助阴极单元包括远离所述像素定义层一侧的顶面、连接于所述顶面周侧的侧壁、以及设置于所述侧壁处的底切开口；
10.发光层，设置于所述像素定义层远离所述驱动电路层的一侧，所述发光层至少覆盖所述辅助阴极单元的所述顶面，并在所述底切开口处隔断；
11.阴极层，覆盖于所述发光层远离所述像素定义层的一侧，并与所述辅助阴极单元的所述侧壁相接触。
12.在本发明的一种实施例中，所述辅助阴极单元包括层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层位于所述像素定义层和所述第二子层之间，所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧，所述第二子层中设置有位于所述第一子层和所述第三子层之间的所述底切开口。
13.在本发明的一种实施例中，所述阴极层还延伸至所述底切开口内，并至少与位于所述底切开口内的所述第一子层相接触。
14.在本发明的一种实施例中，所述第二子层的电阻小于所述第一子层的电阻以及所述第三子层的电阻，且所述阴极层还延伸至所述底切开口内与所述第二子层相接触。
15.在本发明的一种实施例中，所述第二子层的材料包括铝以及铜中的至少一者，所
述第一子层的材料包括钼、钛以及镍中的至少一者，所述第三子层的材料包括钼、钛以及镍中的至少一者。
16.在本发明的一种实施例中，所述像素定义层包括多个像素开口，所述辅助阴极层包括多个所述辅助阴极单元，且一所述辅助阴极单元位于一所述像素开口的边缘，并围绕对应的一所述像素开口设置。
17.在本发明的一种实施例中，所述发光层包括多个发光单元以及隔断单元，每一所述发光单元皆设置于对应的一所述像素开口内，所述隔断单元设置于所述辅助阴极单元远离所述像素定义层的一侧，其中，每一所述发光单元皆在所述底切开口处与所述隔断单元相间隔设置。
18.在本发明的一种实施例中，所述辅助阴极单元在所述基板上的正投影与所述像素开口在所述基板上的正投影不重叠。
19.在本发明的一种实施例中，任意相邻两个所述辅助阴极单元之间相连接以构成网格状。
20.根据本发明的上述目的，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。
21.本发明的有益效果：本发明通过在像素定义层上设置辅助阴极单元，并在辅助阴极单元的侧壁处设置底切开口，使得发光层在底切开口处被隔断，以露出辅助阴极单元的侧壁，进而阴极层可以与辅助阴极单元的侧壁相接触，以起到减小阴极层电阻的作用，改善显示面板的电压降现象，提高显示面板的显示均一性，提高显示效果。
附图说明
22.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
23.图1为本发明实施例提供的显示面板的一种结构示意图；
24.图2为本发明实施例提供的辅助阴极单元的一种排列结构示意图；
25.图3为本发明实施例提供的辅助阴极单元的另一种排列结构示意图；
26.图4为本发明实施例提供的辅助阴极单元的另一种排列结构示意图；
27.图5为本发明实施例提供的辅助阴极单元的另一种排列结构示意图；
28.图6为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图；
29.图7至图10为本发明实施例提供的显示面板的制作过程结构示意图。
具体实施方式
30.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
31.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，
这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
32.本发明提供一种显示面板，请参照图1，该显示面板包括基板10、驱动电路层20、像素定义层30、辅助阴极层、发光层50以及阴极层60。
33.其中，驱动电路层20设置于基板10上；像素定义层30设置于驱动电路层20远离基板10的一侧；辅助阴极层包括设置于像素定义层30远离驱动电路层20一侧的至少一辅助阴极单元40，辅助阴极单元40包括远离像素定义层30一侧的顶面401、连接于顶面401周侧的侧壁402、以及设置于侧壁402处的底切开口403；发光层50设置于像素定义层30远离驱动电路层20的一侧，发光层50至少覆盖辅助阴极单元40的顶面401，并在底切开口403处隔断；阴极层60覆盖于发光层50远离像素定义层30的一侧，并与辅助阴极单元40的侧壁402相接触。
34.在实施应用过程中，本发明实施例通过在像素定义层30上设置辅助阴极单元40，并在辅助阴极单元40的侧壁402处设置底切开口403，使得发光层50在底切开口403处被隔断，以露出辅助阴极单元40的侧壁402，进而阴极层60可以与辅助阴极单元40的侧壁402相接触，以起到减小阴极层60电阻的作用，改善显示面板的电压降现象，提高显示面板的显示均一性，提高显示效果。
35.具体地，请继续参照图1，在本发明实施例中，显示面板包括显示区101以及邻接于显示区101的非显示区102，且显示面板还包括基板10、设置于基板10上的驱动电路层20、设置于驱动电路层20上的平坦层70、设置于平坦层70上的阳极71、设置于平坦层70上的像素定义层30、设置于像素定义层30上的辅助阴极层、设置于像素定义层30上的发光层50、以及覆盖于发光层50远离像素定义层30一侧的阴极层60。
36.进一步地，驱动电路层20包括设置于基板10上的遮光层21、设置于遮光层21上方的薄膜晶体管23、以及包覆遮光层21以及薄膜晶体管23的绝缘层；其中，绝缘层包括设置于基板10上并覆盖遮光层21的缓冲层221、设置于缓冲层221上的层间介质层222、以及设置于层间介质层222上内的钝化层223，薄膜晶体管23包括设置于缓冲层221上并被层间介质层222覆盖的有源层、设置于有源层上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘那层上的栅极、设置于层间介质层222上并被钝化层223覆盖的源极和漏极；有源层位于遮光层21的上方，源极和漏极分别穿过层间介质层222与有源层的两侧搭接。
37.此外，驱动电路层20还包括导通部24，且导通部24的一端连接于薄膜晶体管23的漏极、另一端穿过层间介质层222和缓冲层221与遮光层21搭接，以为遮光层21提供稳定电压，减少寄生电容的产生，提高薄膜晶体管23的稳定性。
38.需要说明的是，驱动电路层20还包括与遮光层21同层设置的第一极板25、与薄膜晶体管23的有源层同层设置的第二极板26、以及与源极、漏极同层设置的第三极板27，其中，第二极板26可用于与下方的第一极板25、以及与上方的第三极板27构成两个电容结构。进一步地，驱动电路层20还包括与源极、漏极同层设置且位于非显示区102内的绑定端子28，且钝化层223设置有开口，以露出绑定端子28，可用于进行后续与驱动模组进行绑定，以实现电信号的传输。
39.平坦层70设置于钝化层223上，而阳极71设置于平坦层70上，且阳极71穿过平坦层70和钝化层223与薄膜晶体管23的漏极相连接，以实现电信号的传输。
40.像素定义层30设置于平坦层70上，且像素定义层30包括多个像素开口301，每一个像素开口301皆对应露出一个阳极71的上表面。
41.辅助阴极层设置于像素定义层30上，具体地，辅助阴极层包括设置于像素定义层30远离平坦层70一侧表面上的至少一个辅助阴极单元40。可以理解的是，在本发明实施例中，辅助阴极单元40的数量为多个，且可与多个像素开口301一一对应设置。
42.请结合图1和图2，每一个辅助阴极单元40设置于像素开口301的边缘处，并可以围绕对应的辅助阴极单元40设置，其中，辅助阴极单元40在基板10上的正投影与像素开口301在基板10上的正投影不重叠，进而辅助阴极单元40并不会影响各像素开口301的出光效果。
43.进一步地，本发明实施例中将辅助阴极单元40邻近对应的像素开口301设置，进而可以缩减辅助阴极单元40和对应的像素开口301之间的距离，可以有效节省空间，以增加像素开口301的数量，提高显示面板的分辨率。
44.在本发明的其他实施例中，辅助阴极单元40也可以设置于像素开口301以外的其他位置，在此不作限定，且本发明实施例中以辅助阴极单元40邻接于像素开口301为例，进行说明。
45.其中，辅助阴极单元40包括远离像素定义层30一侧的顶面401、以及连接于顶面401周侧的侧壁402，而辅助阴极单元40在侧壁402处设置有底切开口403。
46.需要说明的是，辅助阴极单元40包括层叠设置的第一子层41、第二子层42以及第三子层43，且第二子层42位于第一子层41远离像素定义层30的一侧，第三子层43位于第二子层42远离第一子层41的一侧，而第二子层42中设置有位于第一子层41和第三子层43之间的底切开口403。
47.可选的，底切开口403的深度可以大于或等于0.5微米，且小于或等于1微米。
48.发光层50覆盖于像素定义层30和辅助阴极单元40皆远离平坦层70的一侧，且发光层50在辅助阴极单元40的底切开口403处被隔断，以露出辅助阴极单元40的侧壁402。
49.其中，发光层50可以包括位于像素开口301内的发光单元51以及位于辅助阴极单元40远离像素定义层30一侧的隔断单元52，且发光单元51与隔断单元52在底切开口403处隔断。此外，发光层50还可以包括设置于像素定义层30远离平坦层70一侧表面上的间隔单元53，且间隔单元53与隔断单元52同样在底切开口403处隔断。
50.阴极层60覆盖于发光层50远离像素定义层30的一侧，且阴极层60延伸至与辅助阴极单元40的侧壁402处，并与辅助阴极单元40的侧壁402相接触。进而可以实现辅助阴极单元40与阴极层60的电性连接，以起到降低阴极层60的面电阻的作用，改善显示面板的电压降现象，提高了显示面板的显示均一性。
51.在本发明实施例中，阴极层60还有延伸至底切开口403内，并至少与位于底切开口403内的第一子层41相接触，进而可以增加阴极层60与辅助阴极单元40的接触面积，以减小接触电阻，提高信号传输效率。
52.进一步地，第二子层42的电阻小于第一子层41的电阻，第二子层42的电阻还小于第三子层43的电阻。优选的，阴极层60还可与底切开口403内的第二子层42相接触，进而可以进一步减小接触电阻，提高信号传输效率，进一步提高显示面板的显示均一性。
53.可选的，第二子层42的材料包括铝以及铜中的至少一者，第一子层41的材料包括钼、钛以及镍中的至少一者，第三子层43的材料包括钼、钛以及镍中的至少一者。
54.需要说明的是，相较于相关技术中在阴极和辅助电极之间设置隔离柱，来隔断有机发光层并使得阴极于辅助电极的制程中，隔离柱较难成型，且原材料的选择性较少，制作工艺变得复杂，使得生产效率降低。本发明采用三层金属膜层的层叠结构来形成辅助阴极单元40，金属材料容易成形，且材料选择种类较多，同时，本发明实施例中可以采用铝或铜制备第二子层42，相较于第一子层41和第三子层43中的钼、钛以及镍，铝和铜更容易刻蚀，进而在图案化过程中，第二子层42的刻蚀速率更快，以产生侧刻蚀，以形成底切开口403，进而本发明实施例还可以简化工艺制程，提高工艺效率。
55.在本发明的一种实施例中，请结合图1和图2，在本实施例中，辅助阴极单元40围绕对应像素开口301设置，而任意相邻的辅助阴极单元40之间相连接，以使得多个辅助阴极单元40构成网状结构，网状结构与阴极层60电性连接，以降低阴极层60的面电阻；而像素开口301位于部分网孔中，进而不会影响到各像素开口301内发光单元51的出光。
56.可以理解的是，本实施例中各像素开口301的形状为圆形，但是本发明实施例中并不限定像素开口301以及辅助阴极单元40的形状，且像素开口301的形状还可以为三角形、四边形以及其他多边形。
57.在本发明的另一种实施例中，请结合图1和图3，在本实施例中，辅助阴极单元40的排列方式与多个像素开口301的排列方式相同，例如沿横向和纵向呈阵列排布，而沿横向的多个辅助阴极单元40之间相连接以形成多个条辅助走线，多条辅助走线与阴极层60电性连接，以及降低阴极层60的面电阻。
58.在本发明的另一种实施例中，请结合图1和图4，本实施例与上一个实施来的区别之处在于：辅助阴极单元40呈半包围结构设置于像素开口301的边缘，同样形成沿横向的多个辅助走线，并与阴极层60电性连接，以降低阴极层60的面电阻。
59.在本发明的另一种实施例中，请结合图1和图5，在本实施例中，辅助阴极单元40围绕对应的像素开口301设置，且相邻的辅助阴极单元40之间共边，以使得相邻的辅助阴极单元40为一体成型设置，而相邻的两个像素开口301之间仅间隔有辅助阴极单元40，可以进一步减小相邻像素开口301之间的距离，实现具有更高分辨率的显示面板。
60.其中，本实施例中像素开口301的形状为菱形。
61.需要说明的是，本发明实施例中仅提供图2、图3、图4以及图5所示的辅助阴极单元40的排布和形状为例进行说明，但并不限于此，根据实际需求对辅助阴极单元40的形状作出改变，且可根据不同显示面板中不同的像素开口301的排布方式对辅助阴极单元40的排布进行调整。
62.承上，本发明实施例通过在像素定义层30上设置辅助阴极单元40，并在辅助阴极单元40的侧壁402处设置底切开口403，使得发光层50在底切开口403处被隔断，以露出辅助阴极单元40的侧壁402，进而阴极层60可以与辅助阴极单元40的侧壁402相接触，以起到减小阴极层60电阻的作用，改善显示面板的电压降现象，提高显示面板的显示均一性，提高显示效果；此外，本发明实施例还可将辅助阴极单元40设置于像素开口301的边缘，以减小辅助阴极单元40和像素开口301之间的距离，节省空间，以提高显示面板的分辨率。
63.另外，请结合图1、图6、图7至图10，本发明实施例还提供一种上述实施例中所述的显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括以下步骤：
64.s10、提供基板10，并基板10上形成驱动电路层20。
65.提供基板10，基板10可以是玻璃基板。
66.对基板10进行清洗，并在基板10上沉积第一金属材料层，并对第一金属材料层进行图案化处理，以得到遮光层21以及第一极板25；其中，第一金属材料层的材料可以为钼、钛、铜、锰中的至少一者。
67.在基板10上沉积缓冲层221以覆盖遮光层21，且缓冲层221可为一层氧化硅或是氮化硅的薄膜，或者氧化硅与氮化硅层叠的多层薄膜。
68.在缓冲层221上沉积半导体材料层，并对半导体材料层进行图案化处理，以得到位于遮光层21上方的有源层、以及位于第一极板25上方的第二极板26；其中，半导体材料层的材料可以是铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物或者铟镓锌钖氧化物。
69.在缓冲层221上沉积绝缘材料层，并在绝缘材料层上沉积第二金属材料层；其中，绝缘材料层可为一层氧化硅或是氮化硅的薄膜，或者氧化硅与氮化硅层叠的多层薄膜，第二金属材料层钼、钛、铜中的至少一者。
70.然后，对第二金属材料层进行刻蚀，以得到位于有源层上方的栅极。
71.接着，采用栅极作为自对准，对绝缘材料层进行刻蚀处理，以得到位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层。
72.对基板10形成有膜层的一面进行等离子体处理，以对没有被栅极和栅极绝缘层覆盖的部分有源层和第二极板26进行掺杂处理，使得有源层两侧的部分、以及第二极板26导体化，降低电阻，而有源层中间的部分未被导体化，保持半导体特性，可作为有源层的沟道部分。
73.在缓冲层221上衬底层间介质层222，且层间介质层222覆盖栅极、有源层、以及第二极板26，并对层间介质层222进行图案化处理，以在有源层两侧导体化部分的上方形成第一接触孔、以及在遮光层21上方形成第二接触孔；其中，层间介质层222可为一层氧化硅或是氮化硅的薄膜，或者氧化硅与氮化硅层叠的多层薄膜。
74.然后，在层间介质层222上沉积第三金属材料层，并对第三金属材料层进行图案化处理，以得到位于显示区101内的源极、漏极、导通部24、第三极板27以及位于非显示区102内的绑定端子28，源极和漏极穿过第一接触孔分别与有源层两侧导体化部分搭接，导通部24穿过第二接触孔与遮光层21搭接，第三极板27位于第二极板26上方，且第二极板26与下方的第一极板25以及上方的第三极板27构成两个电容结构；其中，第二金属材料层可以为钼、钛、铜、锰中的至少一者。
75.在层间介质层222上沉积钝化层223以覆盖源极、漏极、导通部24、第三极板27以及绑定端子28，并可对钝化层223进行图案化处理，以形成位于非显示区102内的开口，以露出绑定端子28；其中，钝化层223可为一层氧化硅或是氮化硅的薄膜，或者氧化硅与氮化硅层叠的多层薄膜。
76.在钝化层223上沉积平坦层70，并对平坦层70以及层间介质层222进行图案化处理，以形成位于漏极上方的第三接触孔。
77.在平坦层70上形成第四金属材料层，并对第四金属材料层进行图案化处理，以得到阳极71，且阳极71穿过第三接触孔与漏极搭接，且第四金属材料层为透明导电氧化物(transparent conductive oxide，tco)/银/透明导电氧化物的层叠结构。
78.s20、在驱动电路层20远离基板10的一侧形成像素定义层30。
79.采用光阻材料在平坦层70上形成像素定义层30，并对像素定义层30进行图案化处理，以形成多个像素开口301，且每一像素开口301对应露出一个阳极71的上表面。可选的，像素定义层30的厚度可为10000埃至20000埃。
80.s30、在像素定义层30远离驱动电路层20的一侧形成电极材料层，并对电极材料层进行图案化处理，以得到具有至少一辅助阴极单元40的辅助阴极层，辅助阴极单元40包括远离像素定义层30一侧的顶面401、连接于顶面401周侧的侧壁402、以及形成于侧壁402处的底切开口403。
81.在像素定义层30沉积电极材料层，并对电极材料层进行图案化处理，以得到具有至少一个辅助阴极单元40的辅助阴极层，其中，电极材料层可以包括层叠第一电极子层411、第二电极子层421以及第三电极子层431，且第二电极子层421位于第一电极子层411远离像素定义层30的一侧，第三电极子层431位于第二电极子层421远离第一电极子层411的一侧。
82.在本发明实施例中，经过图案化处理之后，第一电极子层411形成第一子层41，第二电极子层421形成第二子层42，第三电极子层431形成第三子层43，且第一子层41、第二子层42以及第三子层43层叠以形成辅助阴极单元40，其中，第二子层42位于第一子层41远离像素定义层30的一侧，第三子层43位于第二子层42远离第一子层41的一侧，可选的，第二子层42的材料可以包括铝和铜中的至少一者，第一子层41的材料可以包括钼、钛、镍中的至少一者，第三子层43的材料可以包括钼、钛、镍中的至少一者。
83.本发明实施例中以第一子层41和第三子层43的材料为钼、钛、镍的合金材料，第二子层42的材料为铝，并可以采用铝酸在对电极材料层进行刻蚀，由于第二子层42的材料的刻蚀速率大于第一子层41和第三子层43，进而将在第二子层42中形成位于第一子层41和第三子层43之间的底切开口403。
84.具体地，辅助阴极单元40包括远离像素定义层30一侧顶面401、以及连接于顶面401周侧的侧壁402，而底切开口403形成于辅助阴极单元40的侧壁402处。
85.s40、在像素定义层30远离驱动电路层20的一侧形成发光层50，发光层50至少覆盖辅助阴极单元40的顶面401，并在底切开口403处隔断。
86.可采用蒸镀工艺在像素定义层30上形成发光层50，而发光层50覆盖于像素定义层30远离平坦层70一侧的表面、辅助阴极单元40远离像素定义层30一侧的表面、以及多个像素开口301内。其中，发光层50在辅助阴极单元40的底切开口403处隔断，以露出辅助阴极单元40的侧壁402，即发光层50包括位于像素开口301内且覆盖阳极71的发光单元51、位于辅助阴极单元40远离像素定义层30一侧的隔断单元52、以及位于像素定义层30远离平坦层70一侧的间隔单元53，且发光单元51与隔断单元52在底切开口403处隔断，间隔单元53与隔断单元52在底切开口403处隔断。
87.s50、在发光层50远离像素定义层30的一侧形成阴极层60，阴极层60与辅助阴极单元40的侧壁402相接触。
88.可采用蒸镀工艺或者溅射工艺在发光层50远离像素定义层30的一侧形成阴极层60，阴极层60覆盖发光层50远离像素定义层30的一侧，并与辅助阴极单元40的侧壁402相接触，以实现阴极层60与辅助阴极单元40电性连接，降低阴极层60面电阻的作用，进而可以改善显示面板的电压降现象，提高了显示面板的显示均一性。
89.此外，阴极层60还延伸至底切开口403内，并至少与位于底切开口403内的第一子层41相接触，以提高阴极层60与辅助阴极单元40的搭接面积，降低搭接电阻。
90.进一步地，阴极层60还可以延伸至底切开口403内并与位于底切开口403内的第二子层42相接触，且第二子层42的电阻小于第一子层41和第三子层43的电阻，进而可以进一步降低阴极层60与辅助阴极单元40的搭接面积，降低搭接电阻，提高信号传输效率，提高显示均一性。
91.需要说明的是，本发明实施例中，在对各膜层进行图案化处理时，可采用黄光制程或其他可行工艺，在此不作限定；当阴极层60采用蒸镀工艺时，可通过控制发光层50的蒸镀角、以及阴极层60的蒸镀角不同，使得发光层50与阴极层60具有不同的覆盖范围，即使得发光层50在底切开口403处隔断，而阴极层60可以覆盖辅助阴极单元40的侧壁402，甚至延伸至底切开口403内，以增加阴极层60与辅助阴极单元40的搭接面积。
92.另外，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中所述的显示面板、以及装置主体，且显示装置与装置主体组合为一体。
93.其中，装置主体可以包括框体等部件，该显示装置可以为手机、平板、电视等显示终端，在此不做限定。
94.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
95.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。