气体放电板的制造方法

专利名称：气体放电板的制造方法
技术领域：
本发明涉及用于计算机的监视器及电视机等的图象显示的等离子体显示板等气体放电板的制造方法。
在图8中，110是正面玻璃基板，在该正面玻璃基板110上形成放电电极111。进一步，用由电介质玻璃层112及由氧化镁(MgO)构成的电介质保护层113覆盖放电电极111(例如，参照特开平5-342991号公报)。
另外，120是背面玻璃基板，在该背面玻璃基板120上形成地址电极121、覆盖该地址电极121的可见光反射层122及障壁123、荧光体层124,130为封入放电气体的放电空间。上述荧光体层124，为进行彩色显示而依次配置着红、绿、蓝三种颜色的荧光体层。上述各荧光体层124，由通过放电产生的短波长紫外线(例如，波长147nm)激励发光。
作为构成荧光体层124的荧光体，一般采用以下材料。
「蓝色荧光体」BaMgAl10O17∶Eu「绿色荧光体」Zn2SiO4∶Mn或BaAl12O19∶Mn「红色荧光体」Y2O3∶Eu或(YxGd1-x)BO3∶Eu各色荧光体可按如下方法制作。
蓝色荧光体(BaMgAl10O17∶Eu)，首先，将碳酸钡(BaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化铝(α-Al2O3)按Ba、Mg、Al的原子比配合成1∶1∶10。
然后，对该混合物添加规定量的氧化铕(Eu2O3)。接着，在球磨机中与适量的助熔剂(AlF2、BaCl3)混合在一起，并在1400℃～1650℃下在还原气氛中(H2或N2中)烧结规定时间(例如，半小时)，即可制成。
红色荧光体(Y2O3∶Eu)，作为原料将氢氧化钇Y2(OH)3和硼酸(H3BO3)配合成Y、B的原子比1∶1。然后，对该混合物添加规定量的氧化铕(Eu2O3)，并在球磨机中与适量的助熔剂混合在一起，在1200℃～1450℃下在空气中烧结规定时间(例如，1小时)，即可制成。
绿色荧光体(Zn2SiO4∶Mn)，作为原料将氧化亚铅(ZnO)、氧化硅(SiO2)配合成Zn、Si的原子比2∶1。然后，对该混合物添加规定量的氧化锰(Mn2O3)，并在球磨机中混合，接着，在1200℃～1350℃下在空气中烧结规定时间(例如，半小时)，即可制成。
将按上述制法制成的荧光体粒子粉碎后，通过筛分而获得具有规定粒径分布的荧光体材料。
以下，说明现有的PDP的制造方法。
首先，在正面玻璃基板上形成放电电极，并形成覆盖该放电电极的由电介质玻璃构成的电介质层，进一步，在该电介质层上形成由MgO构成的保护层。然后，在背面玻璃基板上形成地址电极，并在其上按规定的间距形成可见光反射层及玻璃制障壁。
在由这些障壁夹隔出的各个空间内，分别涂敷包含着按如上所述方法制成的红色荧光体、绿色荧光体、蓝色荧光体的各色荧光体膏剂从而形成荧光体层，并于形成后在500℃左右烧结荧光体层，将膏剂内的树脂成分等除去(荧光体烧结工序)。
在烧结荧光体后，在背面玻璃基板的周围涂布与正面玻璃基板封接用的半熔玻璃料，并在350℃左右进行焙烧，以便将半熔玻璃料内的树脂成分等除去(封接用玻璃焙烧工序)。
然后，将依次形成了放电电极、电介质玻璃层及保护层的正面玻璃基板与上述背面玻璃基板以使显示电极与地址电极正交的形式隔着障壁相对配置，在450℃左右进行烧结，并用封接玻璃将周围密封(封接工序)。
接着，一面加热到规定温度(350℃左右)，一面排出板内的气体(排气工序)，排气结束后，以规定的压力导入放电气体。
在如上所述的现有的等离子体显示板的制造方法中，存在着在板制作后的使发光特性及放电特性稳定的老化工序中及正常动作时发光特性逐渐恶化的问题。
其原因是，在上述排气工序中不能充分地清洗内部空间内的杂质(水蒸汽、氧气、氮气、二氧化碳等其组成与放电气体不同的气体成分)而使其残留于内部空间。
为达到上述目的，本发明的一种气体放电板制造方法，包括通过将第2基板对置地配置在主表面形成有将各发光单元隔开的障壁的第1基板的该障壁一侧的表面之上而形成外围器的外围器形成步骤；用封接材料将该外围器的两个基板的外周部封接在一起的封接步骤；将该外围器内部的气体排出的排气步骤；将放电气体封入到该外围器内部的封入步骤，该制造方法的特征在于上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；然后向外围器内部充填将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体的子步骤；接着对外围器内部进行真空排气的子步骤。
另外，本发明的另一种气体放电板制造方法，包括通过将第2基板对置地配置在主表面形成有将各发光单元隔开的障壁的第1基板的该障壁一侧的表面之上而形成外围器的外围器形成步骤；用封接材料将该外围器的两个基板的外周部封接在一起的封接步骤；将该外围器内部的气体排出的排气步骤；将放电气体封入到该外围器内部的封入步骤，该制造方法的特征在于上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；然后一面使将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体在外围器内部流通一面将外围器内部的气体排出的子步骤。
而所谓「实质的」，其含义是「作为清洗气体的主成分，对放电气体不构成杂质」。因此，并非是「将该主成分气体中从开始就作为杂质(通常浓度极低)含有的气体排除」。
按照上述的制造方法，不只是像以往那样简单地将外围器内部的气体排出，而是如上所述在充填清洗气体后将其排出或一面使清洗气体流通一面排出，所以，与现有的制造方法相比，能够将外围器内的杂质浓度迅速地(在短时间内)排除到低浓度。
另外，在上述制造方法中，如果将外围器整体或封接部加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度、同时使外围器的内部压力低于外部压力，则使外围器在由内外压力差将两基板从外侧均匀压紧的状态下固化并封接，所以，可以在障壁顶部和与其相对配置的基板之间几乎没有间隙的状态下进行封接。由于以往并不设置外围器的内外压力差而只是用夹子等将外周部夹紧，所以不能将外围器的中央部压紧，因而很容易在障壁顶部和与其相对配置的基板之间全部或局部分离的状态下进行封接。
因此，按照如上所述的制造方法，可以很容易地制成PDP驱动时极少发生振动且显示品位良好的PDP。
进一步，在上述制造方法中，如在对外围器内部充填干燥气体的状态下进行封接步骤，则可以抑制荧光体的热恶化。
图2是在上述PDP中安装了电路部件的显示装置的结构图。
图3是示意地表示本实施形态的封接工序中使用的封接·排气装置50的图，(a)是俯视剖视图，(b)是沿(a)中的A-A’线的垂直断面图。
图4是表示封接时的温度及压力分布的图(实施例)。
图5是表示真空排气工序·封入工序中的温度及压力分布的图(实施例)。
图6是表示封接时及真空排气·封入工序的温度及压力分布的图(实施例)。
图7是示意地表示本发明另一实施形态的封接工序中使用的封接·排气装置70的图。
图8是表示现有例的实施形态中通用的PDP结构的透视图。
用于实施发明的最佳形态以下，一面参照附图，一面具体地说明本发明的等离子体显示板制造方法。


图1是表示实施形态的交流沿面放电型PDP的透视图，图2是在该PDP中安装了电路部件的显示装置的结构图。
该PDP，在对各电极施加脉冲状电压的情况下在放电空间内发生放电，并使伴随着放电而在背面板侧产生的各色可见光从正面板的主表面透射。
而且，该PDP在结构上是将在正面玻璃基板11上配置多个放电电极12(扫描电极12a、维持电极12b)、电介质层13、保护层14后构成的正面板10与在背面玻璃基板21上配置有多个放电电极22、电介质层23的背面板20以使电极12a、12b与地址电极22相互对置的状态彼此平行地配置。
PDP的中央部是显示图象的区域，其中，正面板10与背面板20之间的间隙，通过由多个条带状的障壁24分隔而形成多个放电空间30，并在该放电空间30内封入放电气体。另外，在放电空间30内，还在背面板20侧配置着多个荧光体层25。该荧光体层25，按红、绿、蓝的顺序反复排列。
放电电极12及地址电极22，都是条状，放电电极12沿着与障壁24正交的方向配置，地址电极22沿着与障壁24平行的方向配置。
另外，板的构成方式是在放电电极12与地址电极22的交点处形成发出红、绿、蓝各色光的单元。
电介质层13，是由配置成覆盖正面玻璃基板11的设有放电电极12的整个表面的介电物质构成的层，作为其材料，一般使用铅系低熔点玻璃，但也可以用铋系低熔点玻璃、或铅系低熔点玻璃与铋系低熔点玻璃的层叠物形成。
保护层14，是由氧化镁(MgO)构成的薄层，该层覆盖着电介质层13的整个表面。电介质层23，为了还兼有作为可见光反射层的作用，混合了TiO2粒子。障壁24，由玻璃材料构成，凸起地设置在背面板20的电介质层23的表面上。
另一方面，在PDP的外周部，用封接材料将正面板10与背面板20封接在一起。
障壁24的顶部与正面板10之间为基本上全部接触或用接合材料接合的状态。
以下说明制作这种PDP的方法一例。
正面板10的制作
按以下方法制作，即在正面玻璃基板11上，形成放电电极12，并形成覆盖在其上的电介质层13，进一步，在电介质层13的表面上，用真空蒸镀法、电子束蒸镀法、或CVD法形成由氧化镁(MgO)构成的保护层14放电电极12，可以通过用丝网印刷法涂布银电极用膏剂后进行烧结而形成。除此以外，也可以先用ITO(铟锡氧化物)或SnO2形成透明电极，然后在其上形成如上所述的银电极或用光刻法形成Cr-Cu-Cr电极。
电介质层13，可以通过用丝网印刷法涂布含有铅系玻璃材料(其组成，例如为氧化铅[PbO]70重量％、氧化硼[B2O3]15重量％、氧化硅[SiO2]15重量％)的膏剂并进行烧结而形成。
背面板20的制作在背面玻璃基板21上，与放电电极12一样用丝网印刷法形成地址电极22。
然后，通过用丝网印刷法涂布混合了TiO2粒子的玻璃材料并进行烧结而形成电介质层23。
接着形成障壁24。障壁24，可以通过用丝网印刷法反复涂布障壁用玻璃膏剂后进行烧结而形成。除此以外，也可以采用在背面玻璃基板21的整个表面上涂布障壁用玻璃膏剂后以喷砂法将不形成障壁的部分削去的方法形成障壁24。
然后，在各障壁24之间的沟槽内形成荧光体层25。该荧光体层25，一般是通过用丝网印刷法涂布含有各色荧光体粒子的荧光体膏剂并进行烧结而形成，但也可以通过用一面从喷嘴连续喷射一面沿着沟槽扫描的方法涂布荧光体油墨并在涂布后进行烧结以将荧光体油墨中所含有的溶剂或粘合剂除去而形成。这种荧光体油墨，是将各色荧光体粒子分散到粘合剂、溶剂、分散剂等的混合物内并调整到适当的粘度。
作为荧光体粒子的具体例，可以列举出「蓝色荧光体」BaMgAl10O17∶Eu2+「绿色荧光体」BaAl12O19∶Mn或Zn2SiO4∶Mn「红色荧光体」(YxGd1-x)BO3∶Eu3+或YBO3∶Eu3+。
在本实施形态中，按照40英寸级的VGA或高清晰度电视机，假定障壁的高度为0.06～0.15mm、障壁的间距为0.13～0.36mm。
封接工序·真空排气工序·放电气体封入工序接着，对按如上方式制作的正面板10与背面板20进行封接。
在该封接工序中，通过将正面板10和背面板20在其外周部填入封接材料后重叠在一起而形成外围器，并用该封接材料进行封接。这时，根据需要也可以在背面板20的障壁24的顶部涂布接合材料。
作为封接材料，可以通过从外部施加热能等能量使其软化，通常采用低熔点玻璃，在将封接材料加热而使其软化后，通过固化进行封接。
另外，在进行封接工序时，在外围器的内部和外部形成压力差，从而使两个板10和20从外侧均匀压紧。按照这种方式，可以在使障壁24的顶部与正面板10全部接触或接近的状态下进行封接。
如封接工序结束，则以高真空(例如，1.3×10-11MPa)对内部空间进行排气，以便将吸附于外围器内部的杂质气体等逐出(真空排气工序)。
然后，以规定的压力将放电气体(例如He-Xe系列、Ne-Xe系列、Ar-Xe系列的惰性气体)封入到外围器的内部(放电气体封入工序)，从而制成PDP。
另外，在本实施形态中，将放电气体中的Xe的含量设定为5体积％，并将封入压力设定在0.067-0.11MPa的范围内。
当驱动PDP进行显示时，通过安装如图所示的电路部件而进行驱动。
以下，分为实施形态1～4，详细说明封接工序、真空排气工序、及放电气体封入工序。
<实施形态1>
图3是示意地表示本实施形态的封接工序中使用的封接·排气装置50的图，(a)是俯视剖视图，(b)是沿(a)中的A-A’线的垂直断面图。
该封接·排气装置50，包括将由正面板10和背面板20重叠而成的外围器40装在内部并对其进行加热的加热炉51、设在加热炉51的外部的气体导入系统52、及抽引排气系统53。
该加热炉51，可以用加热器54进行加热，内部温度可以控制在所需的设定温度。
采用该封接·排气装置50。按如下方式进行封接工序。
如图3图示，在背面板20上，预先在靠近显示区域的外侧的外周部上设置通气孔21a、21b。通气孔21a，在背面板20的右上方形成，通气孔21b，在背面板20的左下方形成。
在正面板10与背面板20的相对面的任何一面或两个面的外周部上涂布含有封接材料的膏剂并进行烧结，从而形成封接材料层41。这里，作为封接材料，采用软化温度比障壁24或电介质层23的材料低的低熔点玻璃。不言而喻，作为封接材料不限于这种低熔点玻璃，也可以采用金属等。在这种情况下，封接温度为使金属熔融的温度即熔点以上的温度。
作为低熔点玻璃膏剂的具体例，可以举出将低熔点半熔玻璃料(软化点37℃)、乙基纤维素类粘合剂、乙酸异戊酯按80∶5∶15的比例混合后的膏剂，通过用分配器涂布该膏剂，可以形成封接材料层41。
在位于两端的障壁与封接材料层41之间，设置将在其间形成的空间划分为两部分的分隔材料42。两该分隔材料42，可以采用与封接材料层41、障壁相同的材料。由于该分隔材料42的存在，可以在各障壁之间形成的放电空间内更为有效地进行气体的导入和排出。此外，当然也可以不设置该分隔材料42。
接着，一面将正面板10与背面板20的位置对准一面将其重叠而形成外围器40。然后，用夹子将外围器40的外周部夹紧固定，以使定位后的正面板10与背面板20的位置不会发生错动。
将该外围器40放置在加热炉51内。然后，将气体导入系统52通过连接管55连接于外围器40的通气孔21a。另一方面，将抽引排气系统53通过连接管56连接于外围器40的通气孔21b。
连接管55及连接管56，是通过粘结材料55a、56a固定于背面板20的底面的玻璃管。对上述粘结材料55a、56a，例如可以采用与上述封接材料层41相同的材料，用分配器涂布含有低熔点玻璃的膏剂后进行干燥，并且也同时用夹子临时固定。由此，随着封接材料层41软化、固化而将外围器40封接，粘结材料55a、56a也软化、固化，从而也自动地完成了连接管55及连接管56与背面板20的通气孔21a及通气孔21b的连接及气密密封。
气体导入系统52，由用于充填放电气体的储气瓶52a及将连接管55与其连接的管线52b构成。在管线52b的中间部位设置着一个用于调整气体导入量的通断阀52c。连接管55与管线52b，通过夹紧等方式相互连接成可确保气密性的状态。
抽引排气系统53，由集流腔53a、涡轮高真空泵53b、回转泵53c、连接上述连接管56和集流腔53a的管线53d、连接上述集流腔53a和涡轮高真空泵53b的管线53e构成。在管线53e的中间部位设置着一个用于调整涡轮高真空泵的气体抽引量的通断阀53f。连接管56与管线53d，通过夹紧等方式相互连接成可确保气密性的状态。
另外，在本实施形态中，假定将正面板10设置在上侧，将背面板20设置在下侧，但也可以上下颠倒设置。此外，如果已固定成使两个板10和20的位置不会发生错动，则也可以将外围器40竖立地放置在加热炉内。
接着，将加热炉51内加热，并升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度(例如450℃)，在封接温度下保持规定时间后，再次降温到软化点温度以下，从而将两个板10和20之间封接，但要一面用涡轮高真空泵53b从外围器40内部排气一面进行封接。此外，当使涡轮高真空泵53b动作时，应使回转泵53c同时动作，以降低涡轮高真空泵53b内的背压。封接条件，由玻璃基板材料与封接材料的亲合性决定，当采用低熔点玻璃时，为大约450℃下10～20分钟左右。
排气最好在加热炉51内已达到封接材料的软化温度后开始。其原因是，在达到封接材料的软化温度之前，由于两个板10和20之间的外周部尚不具备足够的气密性，所以还不能通过从外围器40内部排气而使其内部达到高的真空度，但封接材料软化后可以将两个板10和20之间的外周部气密密封，同时粘结材料层26a也被软化从而使配管构件26与通气孔21a的连接部分也被气密密封，因此，当从外围器40内部排气时，可以减压到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(几乇左右))。
这样，通过从外围器40内部空间排气而使两个板10和20处于从外侧均匀加压的状态。由于抽引排气系统53的抽引排气只需达到由外围器40内的压力与加热炉内的压力之差压缩封接材料从而使两个正面板和背面板接近并使正面板与障壁接触的程度即可，所以只稍微进行抽引排气(例如，0.08 MPa左右)就足够了。
当对两个板10和20从外侧均匀加压时，如图3所示，使背面板20上的障壁顶部与正面板10为全部严密贴紧的状态。然后，当在该状态下降温时，封接材料降到软化以下的温度并开始固化，从而进行外围器40的封接。因此，在封接后的外围器40中，就可以使障壁顶部与正面板10保持着全部严密贴紧的状态。
另外，在上述封接工序中，如果不是一下子就升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度而是在比封接温度低的温度下加热一定时间、例如在350℃左右加热约30分钟以将粘合剂材料除去，则在抑制荧光体的恶化上是有效的。
按照上述方式完成外围器40的封接后，转移到随后的真空排气工序。
真空排气工序，一面将加热炉15内的温度加热(烘烤)到比封接材料的软化点低的温度(排气烘烤温度)，一面在适当打开通断阀53f的状态下开动涡轮高真空泵53b及回转泵53c以将外围器40内抽引到真空状态，然后，将放电气体以规定压力(例如，0.05 MPa)从气体导入系统52导入到外围器40内。充填放电气体后，如将原有的压力保持规定时间(5～10分钟)，则尤为理想。其原因是，由于外围器40内的障壁之间的传导率小，所以在达到平衡压力之前需要一定时间。
在如上所述一面加热到排气烘烤温度一面进行真空排气工序的情况下，在使吸附于外围器40的内壁面上的杂质变为气体状态并充满在放电空间内因而可以更为迅速地将杂质逐出到外围器之外这一点上是令人满意的，所以，一般可以按这种方式一面加热到排气烘烤温度一面进行真空排气，但当然也可以不按这种方式进行而只是简单地进行真空排气。
另外，上述排气烘烤温度，当然是比封接材料的软化点低的温度(在将金属用作封接材料时，是比金属熔点低的温度)。另外，这里，假定为能达到使吸附于外围器40的内壁面上的吸附水有效脱离的程度的温度(例如，350℃左右)。
也可以将外围器40的温度冷却到室温左右后再转移到真空排气工序，但如果在从封接工序中的封接温度冷却到排气烘烤温度的时刻转移，则能够省去冷却后再度加热到排气烘烤温度的加热时间，因而在使制造工序更为缩短上是很理想的。
接着，停止从气体导入系统管理导入气体，并由抽引排气系统53将外围器内的放电气体抽引排出，从而使外围器40内再次成为真空状态。
这种真空排气·放电气体导入·真空排气的处理，通常只进行一次就足够了，但如反复进行则可以将外围器40内的杂质气体减低到更低的浓度。
按如上方式导入外围器40内的气体，即使不是放电气体，但只要是对放电气体不构成杂质的气体，则任何气体都可以。尽管杂质的定义并不明确，但指的是造成亮度降低的主要原因的气体。另外，这种气体，如果是干燥气体，则最好是能够抑制荧光体的特性恶化的气体。这里，所谓干燥气体，是水蒸汽分压比通常的气体低的气体，例如，是水蒸汽分压(露点)为0.0027Mpa(22℃)以下的气体。
一旦抽成真空后，导入外围器40内的压力为从1.33×10-4MPa左右(几乇)起到外围器40不会破坏的压力内即可，最好是低于大气压力。
接着，在封入工序中，由气体导入系统52将放电气体供给到外围器40的内部空间，使其达到规定的封入压力(例如，0.067 MPa)。然后，用烧嘴或加热器将连接管55及连接管56的根部熔融封断(封离)，从而将通气孔21a及通气孔21b封死。
在像以往那样不设置外围器40的内外压力差而只是用夹子等将外周部夹紧的情况下，由于不能将外围器40的中央部压紧，因而很容易在背面板20上的障壁顶部与正面板10之间全部或局部分离的状态下进行封接，与此不同，如上所述，由于外围器40在由内外的压力差将两个板10和20从外侧均匀压紧的状态下使封接材料层41固化而封接，所以，可以在障壁顶部与正面板10之间几乎没有间隙的状态下进行封接。
因此，按照本实施形态的制造方法，可以很容易地制成PDP驱动时极少发生振动且显示品位良好的PDP。
为取得上述效果，至少必须在使软化后的封接材料层41固化的时刻开动抽引排气系统以使外围器40处于产生内外压力差的状态，但没有必要从封接工序开始到结束连续地开动抽引排气系统53。例如，即使在封接材料层41软化后才开始抽引排气系统53的动作，也可以充分地取得两个板10和20的内外压力差所产生的效果。
另外，通过上述真空排气工序，还能够将外围器40内的杂质浓度迅速地(在短时间内)排除到低浓度。
这可以认为是基于以下的效果，即1)由大量放电气体的充填产生的对杂质气体的稀释效果、2)由气体充填、再次排气时的粘性流将残留的杂质气体带出到外围器40之外的效果、3)排气烘烤时因受热而达到高温的放电气体分子冲击荧光体或保护层等外围器40的内壁面而使吸附气体脱离的效果等。从第3个效果可知，在排气工序中导入外围器内的放电气体(清洗气体)最好采用预先加热过的气体。
在保持排气烘烤温度的状态下对外围器40内进行了真空排气后，并不能充分地抽尽外围器40内的由障壁围出的放电空间内的残留气体。例如，当假定外围器40内的障壁高度为120μm、其间距为200μm、排气用加工孔的直径约2mm、连接管57的内径约2mm、连接管57的长度约90mm时，如在350℃的排气烘烤温度下进行排气，则即使集流腔53a内的压力为1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，外围器40内的压力也比其大约高出1位～2位。
当然，如将烘烤时间延长，则可以减少吸附于外围器40的内壁上的水、二氧化碳、氮气、氧气的杂质气体量，但制造成本将会增加。
在上述的真空排气工序中，在封入放电气体后，再次进行真空排气，但如按照如下方式则可以迅速除去杂质气体。
即，也可以在由气体导入系统52将放电气体导入外围器40内的同时，由抽引排气系统53将外围器40内的气体排出(在图3(a)中用粗箭头表示)。按照这种方式，由于在外围器40内发生放电气体的流动，因而能以更高的效率排出杂质气体，特别是，在外围器40的中央部分，位于离排气口(通气孔21b)较远的放电空间内的杂质气体的排出效率显著提高。
另外，在这种情况下，在封入放电气体的封入工序之前，也不需要特意进行一次真空排气，可以在原有的状态下进行封入。
<实施例1>
以下，具体地说明根据上述实施形态进行各制造工序并制成实施例中的PDP的实施例。
图4是表示封接时的温度及压力分布的图，图5是表示真空排气工序·封入工序中的温度及压力分布的图，在本实施例中根据该各分布图制成PDP。此外，各图中，虚线表示外围器40的温度，实线表示连接于外围器40的抽气排气系统的集流腔53a内的压力变化。
首先，在封接工序中，用2小时到3小时升温到封接温度450℃，并将该温度保持20分钟左右。同时，当达到450℃时，将集流腔53a内的压力减压到0.05Mpa左右，并停止抽引排气系统的动作并保持该状态。
然后，在保持减压状态的情况下，用2小时到3小时降温到室温。
在这一阶段，正面板与背面板全部完成封接。
接着，在图5中，进一步，继续抽引排气，以使集流腔53a内的压力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，然后，开始加热并用2小时到3小时加热到排气烘烤温度(350℃)。接着，当达到排气烘烤温度时再次开始抽引排气，并在加热升温时将流入集流腔内的气体排出。当再次开始抽引排气时，从连接管56的内壁及外围器40的内壁脱离的气体将会使集流腔53a内的压力如图5中符号60所示的部分那样上升，但通过再次进行抽引排气将转为减小。
下一步，在集流腔53a内的压力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右的阶段，停止抽引排气系统53的动作，并开动气体导入系统52，以0.05Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，并将该压力保持5分钟到10分钟左右。
然后，一面冷却，一面再次开始抽引排出外围器40内的气体，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由气体导入系统52以0.067Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，在现有的真空排气工序中，为将外围器40内的压力减压1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，需花费2小时左右，但在上述实施例的真空排气工序中，则为1小时左右，因而与现有技术相比，能够迅速地减压到该压力。
这里，一般认为，如将抽引排气系统的泵系统的驱动力进一步增大从而更强有力地对外围器内进行抽引，则也可以在短时间内减到低压。但是，如按这种方式，则将会发生使外围器内的荧光体从荧光体层脱离等情况，因而将关系到板的特性的恶化，所以，如上所述，一般是使集流腔介于中间并以较弱的抽引力对外围器内进行抽引。因此，在现有的真空排气工序中，为将外围器内减压到所需要的压力通常需要较长的时间。
按如上方式制作的PDP，外周部的脱开现象很少，与以往只用夹子等夹紧的方法相比，放电特性也能获得均匀的特性。此外，来自外周部的噪声电平也能压低几dB到10 dB左右。而放电起始电压也减低大约5到10V左右，放电电流提高了百分之几到10％左右，效率提高了百分之几到大约10％左右。
<实施例2>
以下，具体地说明根据上述实施形态进行各制造工序并制成另一实施例中的PDP的实施例。
图6是表示封接时的温度及压力分布及真空排气工序·封入工序的温度及压力分布的图，在本实施例中根据该各分布图制成PDP。此外，各图中，虚线表示外围器40的温度，实线表示连接于外围器40的抽气排气系统的集流腔内的压力变化。
首先，在封接工序中，用2小时到3小时升温到封接温度450℃，并将该温度保持20分钟左右。同时，当达到450℃时，将集流腔53a内的压力减压到0.05Mpa左右，并停止抽引排气系统的动作并保持该状态。
然后，在保持减压状态的情况下，用30分钟左右降温到排气烘烤温度(350℃)。
在这一阶段，正面板与背面板全部完成封接，但如在温度降低的同时监视集流腔53a内的压力，则可以发现封接的缺陷并在制造过程的早期阶段对封接不良的发生进行处理，因而有助于降低成本。
接着，在降温到排气烘烤温度后，继续抽引排气，直到将集流腔53a内的压力抽排到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右。然后，停止抽引排气系统53的动作，并开动气体导入系统52，以0.05Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，并将该压力保持5分钟到10分钟左右。
下一步，一面冷却，一面再次开始抽引排出外围器40内的气体，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由气体导入系统52以0.067Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，在现有的真空排气工序中，为将外围器40内的压力减压1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，一般需花费2小时左右，但在上述实施例的真空排气工序中，在1小时左右就可以减压到该压力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脱开现象很少，与以往只用夹子等夹紧的方法相比，放电特性也能获得均匀的特性。此外，来自外周部的噪声电平也能压低几dB到10 dB左右。而放电起始电压也减低大约5到10V左右，放电电流提高了百分之几到10％左右，效率提高了百分之几到大约10％左右。
与实施例1相比，在实施例2的制造方法中，具有可以缩短从外围器40封接时起到冷却的时间及从用于排气烘烤的从室温到排气烘烤温度的加热时间的效果。此外，荧光体的恶化程度与实施例1相比也减小了百分之几左右，因而比实施例1更好一些。
<实施形态2>
在本实施形态中，除上述真空排气工序中的一些方法与上述实施形态不同以外，其他相同。
图7是示意地表示本实施形态的封接工序中使用的封接·排气装置70的图，是与图3(b)相当的图。
该封接·排气装置70，包括将由正面板10和背面板20重叠而成的外围器40装在内部并对其进行加热的加热炉71、及设在加热炉71外部的气体导入·抽引排气系统72。
在背面板20上，按照与上述同样的方法通过粘结材料73a及粘结材料74a分别临时固定着连通通气孔21a和内部空间的连接管73、连通通气孔21b和内部空间的吸气管74。
连接管73，是将与背面板20的接触端打开的玻璃管，吸气管74，是将与背面板20不接触的一端封死的玻璃管。而且，吸气管74，在背面板20的通气孔21b的出口部分形成存放吸气剂的吸气剂存放空间74b。
气体导入·抽引排气系统72，由集流腔72a、涡轮高真空泵72b、回转泵72c、用于充填放电气体的储气瓶72d、连接上述连接管73和集流腔72a的管线72e、连接上述集流腔72a、涡轮高真空泵72b及储气瓶72d的分支管系72f构成。分支管系72f，将从集流腔72a伸出的一根管线72f1通过路径选择阀72g分别与2根管线72f2、管线72f3连接，并将2根管线72f2、72f3分别连接于涡轮高真空泵72b及储气瓶72d。在管线72f2及管线72f3的中间部位分别设置着用于调整涡轮高真空泵的抽引量的通断阀72h、调整放电气体流量的通断阀72i。而且，连接管73与管线72e，通过夹紧等方式相互连接成可确保气密性的状态。路径选择阀72g，当涡轮高真空泵72b开动时，选择管线72f2，当从储气瓶72d将放电气体导入外围器40内时，选择管线72f3。
接着，用加热器75对加热炉71内进行加热，并升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度(例如450℃)，在封接温度下保持规定时间后，再次降温到软化点温度以下，从而将两个板10和20之间封接，但要一面用涡轮高真空泵72b从外围器40内部排气一面进行封接。封接条件，由玻璃基板材料与封接材料的亲合性决定，当采用低熔点玻璃时，为大约450℃下10～20分钟左右。
排气最好在加热炉71内已达到封接材料的软化温度后开始。其原因是，在达到封接材料的软化温度之前，由于两个板10和20之间的外周部尚不具备足够的气密性，所以还不能通过从外围器40内部排气而使其内部达到高的真空度，但封接材料软化后可以将两个板10和20之间的外周部气密密封，同时粘结材料层41也被软化从而使连接管73与通气孔21a的连接部分也被气密密封，因此，当从外围器40内部排气时，可以减压到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(几乇左右))。
这样，通过从外围器40内部空间排气而使两个板10和20处于从外侧均匀加压的状态。由于抽引排气只需达到由外围器40内的压力与加热炉内的压力之差压缩封接材料从而使两个正面板和背面板接近并使正面板与障壁接触的程度即可，所以只稍微进行抽引排气(例如，0.08 MPa左右)就足够了。
当对两个板10和20从外侧均匀加压时，如上所述，使背面板20上的障壁顶部与正面板10为全部严密贴紧的状态。然后，当在该状态下降温时，封接材料降到软化以下的温度并开始固化，从而进行外围器40的封接。因此，在封接后的外围器40中，就可以使障壁顶部与正面板10保持着全部严密贴紧的状态。
下一步，在冷却到室温左右之后，将安装在外围器40上的吸气管74的端部74c破开，并根据外围器40的内部空间大小投入相应量的粒子状的吸气剂76，在将端部74c封断后使吸气剂76存留在吸气剂存放空间74b内。对于投入的吸气剂76，可采用通过加热使表面活性化并能以不可逆的方式对杂质气体进行化学吸附的吸气剂。而且，在这种情况下，最好是在后续工序的真空排气工序的排气烘烤温度下使其活性化。
接着，在将外围器40内再次排气到真空后，开始将加热炉71炉内的温度加热(烘烤)到比封接材料层的软化点低的温度。
排气烘烤温度，当然是比封接材料的软化点低的温度(在将金属用作封接材料时，是比金属熔点低的温度)。
这里，假定为能达到使吸气剂76活性化及使吸附于外围器40的内壁面上的吸附水有效脱离的程度的温度(例如，350℃左右)。
在向排气烘烤温度升温的过程中当达到吸气剂76的活性温度时，使水、二氧化碳、氮气、氧气等杂质气体吸附于吸气剂76粒子表面上，并连续不断地被吸收到吸气剂76的粒子孔内。其原因是，随着杂质气体被吸收到吸气剂76，将在外围器40的内部空间与存放吸气剂76的吸气剂存放空间74b之间形成压力梯度(气体浓度梯度)。
接着，在保持排气烘烤温度的状态下，适当地打开通断阀72f，并开动涡轮高真空泵72b及回转泵72c，进一步对外围器40的内部进行抽引，然后，用路径选择阀72g选择管线72f3，并打开通断阀72i而以规定的压力(例如，0.05MPa)将放电气体导入到外围器40内。充填放电气体后，最好将原有的压力保持规定时间(5分钟～10分钟)。其原因是，由于外围器40内的障壁之间的传导率小，所以在达到平衡压力之前需要一定时间。
然后，停止放电气体的导入，并将外围器40内的放电气体抽引排出，从而使外围器40内再次成为真空状态。
这种真空排气·放电气体导入·真空排气的处理，通常只进行一次就足够了，但如反复进行则可以将外围器40内的杂质气体减低到更低的浓度。
按如上方式导入外围器40内的气体，即使不是放电气体，但只要是对放电气体不构成杂质的气体，则任何气体都可以。此外，这种气体，如果是干燥气体，则最好是能够抑制荧光体的特性恶化的气体。
一旦抽成真空后，导入外围器40内的压力为从1.33×10-4MPa左右(几乇)起到外围器40不会破坏的压力内即可，最好是低于大气压力。
接着，在封入工序中，将放电气体供给到外围器40的内部空间，使其达到规定的封入压力(例如，0.067 MPa)。然后，用烧嘴或加热器将连接管73及连接管74的根部熔融封断(封离)，从而将通气孔21a及通气孔21b封死。
在像以往那样不设置外围器40的内外压力差而只是用夹子等将外周部夹紧的情况下，由于不能将外围器40的中央部压紧，因而很容易在背面板20上的障壁顶部与正面板10之间全部或局部分离的状态下进行封接，与此不同，如上所述，由于外围器40在由内外压力差将两个板10和20从外侧均匀压紧的状态下使封接材料层41固化而封接，所以，可以在障壁顶部与正面板10之间几乎没有间隙的状态下进行封接。
因此，按照本实施形态的制造方法，可以很容易地制成PDP驱动时极少发生振动且显示品位良好的PDP。
为取得上述效果，至少必须在使软化后的封接材料层41固化的时刻开动抽引排气系统以使外围器40处于产生内外压力差的状态，但没有必要从封接工序开始到结束连续地进行抽引。例如，即使在封接材料层41软化后才开始抽引动作，也可以充分地取得两个板10和20的内外压力差所产生的效果。
另外，通过上述真空排气工序，还能够将外围器40内的杂质浓度迅速地(在短时间内)排除到低浓度。
这可以认为是基于以下的效果，即1)由大量放电气体的充填产生的对杂质气体的稀释效果、2)由气体充填、再次排气时的粘性流将残留的杂质气体带出到外围器40之外的效果、3)排气烘烤时因受热而达到高温的放电气体分子冲击荧光体或保护层等外围器40的内壁面而使吸附气体脱离的效果等。从第3个效果可知，在排气工序中导入外围器内的放电气体(清洗气体)最好采用预先加热过的气体。
进一步，在本实施形态中，由于在升温到排气烘烤温度的阶段包含着用吸气剂除去外围器40内的杂质气体的工序，所以，与只有真空排气·放电气体充填·真空排气工序的实施形态1相比，能够更为迅速地以更低的浓度将杂质气体从外围器40内除去。
<实施例3>
以下，具体地说明根据上述实施形态2进行各制造工序并制成实施例中的PDP的实施例。
在本实施例中，根据图4和图5所示的各分布图制成PDP。吸气剂76，在进行封接并一旦降温到室温的阶段装在吸气管74内，对于吸气剂，采用了活性化温度为280℃的钒、钛、铁系合金粒子。
在现有的真空排气工序中，为将外围器40内的压力减压1.3×10-11～1.3×10-10Mpa左右，需花费2小时左右，但在上述实施例的真空排气工序中，在1小时左右就可以减压到该压力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脱开现象很少，与以往只用夹子等夹紧的方法相比，放电特性也能获得均匀的特性。此外，来自外周部的噪声电平也能压低几dB到10 dB左右。而放电起始电压也减低大约5到10V左右，放电电流提高了百分之几到10％左右，效率提高了百分之几到大约10％左右。
与实施例1相比，在实施例3的制造方法中，老炼工序(所谓老炼工序，是指在放电气体封入工序后用于使板的特性稳定的工序)后的特性恶化将减少一些，效率也改善了百分之几左右。
<实施形态3>
在本实施形态中，除封接工序中的一些方法与上述实施形态1不同以外，其他相同。
首先，将加热炉51内加热，并升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度(例如450℃)，在封接温度下保持规定时间后，再次降温到软化点温度以下，从而将两个板10和20之间封接，但在向封接温度升温时，应一面开动气体导入系统而将干燥气体导入到外围器40内一面进行升温。此外，这里，将充填在上述储气瓶52a内的放电气体干燥后用作干燥气体。此外，也可以使用干燥空气、干燥氮气、干燥氩气、干燥氖气(总的说来，为干燥稀有气体)等。而且，由于加热到封接温度时因封接材料的软化而使外围器40的外周部具有气密性，所以使外围器40的内压升高。在监测到内压升高后，停止放电气体的导入。
另外，在封接材料软化而达到气密密封的时刻，理所当然的要将干燥气体的流量限制在即使干燥气体仍流入外围器40内也不会因压力的急剧升高而使构成外围器40的玻璃基板破损的程度。
这样，由于在达到封接温度之前的期间使干燥气体在外围器40内流通，所以，在因封接材料的软化而使外围器40的外周部具有气密性的阶段，在外围器40内充填着干燥气体。然后，在充填着干燥气体的状态下将封接温度保持规定时间。该封接条件，由玻璃基板材料与封接材料的亲合性决定，当采用低熔点玻璃时，为大约450℃下10～20分钟左右。
由于在这种使干燥气体充填了内部空间的状态下进行封接，所以能够抑制荧光体的热恶化。
进一步，在充填着干燥气体的状态下将封接温度保持规定时间的同时，一面用涡轮高真空泵53b从外围器40内部排气一面进行封接。此外，当使涡轮高真空泵53b动作时，应使回转泵53c同时动作，以降低涡轮高真空泵53b内的背压。
排气最好在加热炉51内已达到封接材料的软化温度后开始。其原因是，在达到封接材料的软化温度之前，由于两个板10和20之间的外周部尚不具备足够的气密性，所以还不能通过从外围器40内部排气而使其内部达到高的真空度，但封接材料软化后可以将两个板10和20之间的外周部气密密封，同时粘结材料层56a也被软化从而使连接管56与通气孔21b的连接部分也被气密密封，因此，当从外围器40内部排气时，可以减压到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(几乇左右))。
这样，通过从外围器40内部空间排气而使两个板10和20处于从外侧均匀加压的状态。由于抽引排气只需达到由外围器40内的压力与加热炉内的压力之差压缩封接材料从而使两个正面板和背面板接近并使正面板与障壁接触的程度即可，所以只稍微进行抽引排气(例如，0.08 MPa左右)就足够了。
当对两个板10和20从外侧均匀加压时，如图3所示，使背面板20上的障壁顶部与正面板10为全部严密贴紧的状态。然后，当在该状态下降温时，封接材料降到软化以下的温度并开始固化，从而进行外围器40的封接。因此，在封接后的外围器40中，就可以使障壁顶部与正面板10保持着全部严密贴紧的状态。
另外，在上述封接工序中，如果不是一下子就升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度而是在比封接温度低的温度下加热一定时间、例如在350℃左右加热约30分钟以将粘合剂材料除去，则在抑制荧光体的恶化上是有效的。
在这之后，通过与实施形态1相同的真空排气工序·封接工序·封入工序制成PDP。
<实施例4>
以下，具体地说明根据上述实施形态进行各制造工序并制成实施例中的PDP的实施例。
在本实施例中，根据图4和图5所示的各分布图制成PDP。
首先，在封接工序中，用2小时到3小时升温到封接温度450℃，并将该温度保持20分钟左右。同时，在达到封接温度之前的期间开动气体导入系统使干燥气体在外围器40内流通。
然后，当达到封接温度450℃时，停止气体导入系统的动作而将集流腔内的压力减压到0.05Mpa左右并保持该状态。
然后，在保持减压状态的情况下，用2小时到3小时降温到室温。
在这一阶段，正面板与背面板全部完成封接，但如在温度降低的同时监视集流腔内的压力，则可以发现封接的缺陷并在制造过程的早期阶段对封接不良的发生进行处理，因而有助于降低成本。集流腔内的压力，在正常进行封接时应逐渐地减小，否则在加热炉内气体将因泄漏而以较快的速度减少。
接着，在图5中，进一步，继续抽引排气，以使集流腔53a内的压力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，然后，开始加热并用2小时到3小时加热到排气烘烤温度(350℃)。接着，当达到排气烘烤温度时再次开始抽引排气，并在加热升温时将流入集流腔内的气体排出。当再次开始抽引排气时，从连接管内壁及外围器40的内壁脱离的气体将会使集流腔53a内的压力如图5中符号60所示的部分那样上升，但通过再次进行抽引排气将转为减小。
下一步，在集流腔53a内的压力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右的阶段，停止抽引排气系统53的动作，并开动气体导入系统52，以0.05Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，并将该压力保持5分钟到10分钟左右。
然后，一面冷却，一面再次开始抽引排出外围器40内的气体，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由气体导入系统52以0.067Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，在现有的真空排气工序中，将外围器40内的压力减压1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，需花费2小时左右，但在上述实施例的真空排气工序中，在1小时左右就可以减压到该压力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脱开现象很少，与以往只用夹子等夹紧的方法相比，放电特性也能获得均匀的特性。此外，来自外周部的噪声电平也能压低几dB到10 dB左右。而放电起始电压也减低大约5到10V左右，放电电流提高了百分之几到10％左右，效率提高了百分之几到大约10％左右。
另外，如以Xe受激准分子灯(波长173nm)照射的方式对板进行破坏性试验从而对按如上所述方式使干燥气体流通后进行封接的PDP及按现有技术不使干燥气体流通而是在大气压力下进行封接的PID的荧光体的发光强度(亮度/色度坐标的y值)进行比较评价，则特别是蓝色荧光体的发光强度改善了大约10％左右。如果干燥空气是非反应性气体，则同样可以获得改善的效果，特别是，干燥空气效果更好。
<实施例5>
以下，具体地说明根据上述实施形态进行各制造工序并制成另一实施例中的PDP的实施例。
在本实施例中，根据图6所示的各分布图制成PDP。
首先，在封接工序中，用2小时到3小时升温到封接温度450℃，并将该温度保持20分钟左右。同时，在达到封接温度之前的期间开动气体导入系统使干燥气体在外围器40内流通。
然后，当达到封接温度450℃时，停止气体导入系统的动作而将集流腔内的压力减压到0.05Mpa左右并保持该状态。
然后，在保持减压状态的情况下，用2小时到3小时并用30分钟左右降温到排气烘烤温度(350℃)。
在这一阶段，正面板与背面板全部完成封接，但如在温度降低的同时监视集流腔内的压力，则可以发现封接的缺陷并在制造过程的早期阶段对封接不良的发生进行处理，因而有助于降低成本。集流腔内的压力，在正常进行封接时应逐渐地减小，否则在加热炉内气体将因泄漏而以较快的速度减少。
接着，在降温到排气烘烤温度后，继续抽引排气，以使集流腔内的压力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，然后，停止抽引排气系统53的动作，并开动气体导入系统52，以0.05Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，并将该压力保持5分钟到10分钟左右。
下一步，一面冷却，一面再次开始抽引排出外围器40内的气体，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由气体导入系统以0.067Mpa左右的压力将放电气体充填到外围器40内，在现有的真空排气工序中，将外围器40内的压力减压1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，一般需花费2小时左右，但在上述实施例的真空排气工序中，在1小时左右就可以减压到该压力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脱开现象很少，与以往只用夹子等夹紧的方法相比，放电特性也能获得均匀的特性。此外，来自外周部的噪声电平也能压低几dB到10 dB左右。而放电起始电压也减低大约5到10V左右，放电电流提高了百分之几到10％左右，效率提高了百分之几到大约10％左右。
与实施例4相比，在实施例5的制造方法中，具有可以缩短从外围器40封接时起到冷却的时间及从用于排气烘烤的从室温到排气烘烤温度的加热时间的效果。此外，荧光体的恶化程度与实施例4相比也减小了百分之几左右，因而比实施例4更好一些。
<实施形态4>
在本实施形态中，除封接工序中的一些方法与上述实施形态2不同以外，其他相同。
首先，将加热炉71内加热，并升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度(例如450℃)，在封接温度下保持规定时间后，再次降温到软化点温度以下，从而将两个板10和20之间封接，但在向封接温度升温时，应一面开动气体导入系统而将干燥气体导入到外围器40内一面进行升温。此外，这里，将充填在上述储气瓶72d内的放电气体干燥后用作干燥气体。此外，也可以使用干燥空气、干燥氮气、干燥氩气、干燥氖气(总的说来，为干燥稀有气体)等。而且，由于加热到封接温度时因封接材料的软化而使外围器40的外周部具有气密性，所以使外围器40的内压升高。在监测到内压升高后，停止放电气体的导入。
另外，在封接材料软化而达到气密密封的时刻，理所当然的要将干燥气体的流量限制在即使干燥气体仍流入外围器40内也不会因压力的急剧升高而使构成外围器40的玻璃基板破损的程度。
这样，由于在达到封接温度之前的期间使干燥气体在外围器40内流通，所以，在因封接材料的软化而使外围器40的外周部具有气密性的阶段，在外围器40内充填着干燥气体。然后，在充填着干燥气体的状态下将封接温度保持规定时间。该封接条件，由玻璃基板材料与封接材料的亲合性决定，当采用低熔点玻璃时，为大约450℃下10～20分钟左右。
由于在这种使干燥气体充填了内部空间的状态下进行封接，所以能够抑制荧光体的热恶化。
进一步，在充填着干燥气体的状态下将封接温度保持规定时间的同时，一面用涡轮高真空泵72b从外围器40内部排气一面进行封接。此外，当使涡轮高真空泵72b动作时，应使回转泵72c同时动作，以降低涡轮高真空泵72b内的背压。
排气最好在加热炉71内已达到封接材料的软化温度后开始。其原因是，在达到封接材料的软化温度之前，由于两个板10和20之间的外周部尚不具备足够的气密性，所以还不能通过从外围器40内部排气而使其内部达到高的真空度，但封接材料软化后可以将两个板10和20之间的外周部气密密封，同时粘结材料层73a也被软化从而使连接管73与通气孔21a的连接部分也被气密密封，因此，当从外围器40内部排气时，可以减压到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(几乇左右))。
这样，通过从外围器40内部空间排气而使两个板10和20处于从外侧均匀加压的状态。由于抽引排气只需达到由外围器40内的压力与加热炉内的压力之差压缩封接材料从而使两个正面板和背面板接近并使正面板与障壁接触的程度即可，所以只稍微进行抽引排气(例如，0.08 MPa左右)就足够了。
当对两个板10和20从外侧均匀加压时，如图3所示，使背面板20上的障壁顶部与正面板10为全部严密贴紧的状态。然后，当在该状态下降温时，封接材料降到软化以下的温度并开始固化，从而进行外围器40的封接。因此，在封接后的外围器40中，就可以使障壁顶部与正面板10保持着全部严密贴紧的状态。
另外，在上述封接工序中，如果不是一下子就升温到比封接材料的软化温度高一些的封接温度而是在比封接温度低的温度下加热一定时间、例如在350℃左右加热约30分钟以将粘合剂材料除去，则在抑制荧光体的恶化上是有效的。
在这之后，通过与实施形态1相同的真空排气工序·封接工序·封入工序制成PDP。
<实施例6>
以下，具体地说明根据上述实施形态进行各制造工序并制成实施例中的PDP的实施例。
在本实施例中，根据与实施例4相同的温度·压力分布制成PDP。吸气剂76，在进行封接并一旦降温到室温的阶段装在吸气管74内，对于吸气剂，采用了活性化温度为280℃的钒、钛、铁系合金粒子。
在现有的真空排气工序中，将外围器40内的压力减压1.3×10-11～1.3×10-10Mpa左右，需花费2小时左右，但在上述实施例的真空排气工序中，在1小时左右就可以减压到该压力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脱开现象很少，与以往只用夹子等夹紧的方法相比，放电特性也能获得均匀的特性。此外，来自外周部的噪声电平也能压低几dB到10 dB左右。而放电起始电压也减低大约5到10V左右，放电电流提高了百分之几到10％左右，效率提高了百分之几到大约10％左右。
另外，如以Xe受激准分子灯(波长173nm)照射的方式对板进行破坏性试验从而对按如上所述方式使干燥气体流通后进行封接的PDP及按现有技术不使干燥气体流通而是在大气压力下进行封接的PID的荧光体的发光强度(亮度/色度坐标的y值)进行比较评价，则特别是蓝色荧光体的发光强度改善了大约10％左右。如果干燥空气是非反应性气体，则同样可以获得改善的效果，特别是，干燥空气效果更好。
在上述各实施形态中，用同一装置进行了封接工序及排气工序，但不限于此，也可以用不同的装置进行封接工序和排气工序。
另外，在封接工序中，也可以不是对外围器整体进行加热而用激光光线等热源有选择地照射封接部分从而有选择地加热该部分并进行封接。在这种情况下，由于不是直接加热荧光体，可以预计到，即使不将干燥气体导入放电空间内，随着封接工序的进行也并不会发生荧光体的热恶化。
如上所述，按照本发明，提供一种气体放电板的制造方法，包括通过将第2基板对置地配置在主表面形成有将各发光单元隔开的障壁的第1基板的该障壁一侧的表面之上而形成外围器的外围器形成步骤；用封接材料将该外围器的两个基板的外周部封接在一起的封接步骤；将该外围器内部的气体排出的排气步骤；将放电气体封入到该外围器内部的封入步骤，该制造方法的特征在于上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；然后向外围器内部充填将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体的子步骤；接着对外围器内部进行真空排气的子步骤。
另一种气体放电板的制造方法，包括通过将第2基板对置地配置在主表面形成有将各发光单元隔开的障壁的第1基板的该障壁一侧的表面之上而形成外围器的外围器形成步骤；用封接材料将该外围器的两个基板的外周部封接在一起的封接步骤；将该外围器内部的气体排出的排气步骤；将放电气体封入到该外围器内部的封入步骤，该制造方法的特征在于上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；然后一面使将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体在外围器内部流通一面将外围器内部的气体排出的子步骤。
按照上述制造方法，不只是像以往那样简单地将外围器内部的气体排出，而是如上所述在充填清洗气体后将其排出或一面使清洗气体流通一面将其排出，所以，与现有的制造方法相比，能够将外围器内的杂质浓度迅速地(在短时间内)排除到低浓度。这种效果，越是高清晰度的气体放电板越有效，其原因是，越是高清晰度的气体放电板，为减低杂质气体的浓度所花费的时间越多。
另外，当充填清洗气体后进行排气时，与其在充填后紧接着就排气，莫如最好是设法隔开一段时间再进行排气。
这里，上述封接步骤，可以将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度，同时使外围器的内部压力低于外部压力，然后进行冷却，从而进行封接。而作为封接材料，也可以采用铅合金。
按照这种方式，由于在由内外压力差将两基板从外侧均匀压紧的状态下固化并封接，所以，可以在障壁顶部和与其相对配置的基板之间几乎没有间隙的状态下进行封接。
这里，在上述封接步骤和排气步骤之间，可以包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
按照这种方式，可以更为迅速地将杂质气体从外围器内除去。
这里，上述排气步骤，可以在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。此外，如上所述，当使用吸气剂时，最好使其活性化温度在该排气步骤中的加热温度的范围内。
按照这种方式，可以更为迅速地将杂质从外围器内排除到外部。
这里，上述封接步骤中的冷却，可以是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
按照这种方式，一旦冷却到室温附近之后，可以迅速地转移到后续的排气步骤，而无须经过再次加热到排气烘烤温度的工序。
这里，上述封接步骤，包括将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并一面使干燥气体在外围器内部流通一面将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度的子步骤；在加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度的同时使外围器的内部压力低于外部压力然后冷却从而进行封接的子步骤。
按照这种方式，由于在对外围器内部充填干燥气体的状态下进行封接步骤，因而可以抑制荧光体的热恶化。
这里，上述封接步骤，可以将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并将外围器的封接部加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度，同时使外围器的内部压力低于外部压力，然后进行冷却，从而进行封接。
这里，将放电气体用作上述清洗气体，是最为理想的。
其原因是，清洗气体，对在排气步骤后进行的封入步骤中封入的放电气体完全不存在构成杂质气体的可能性。
这里，可以将稀有气体用作上述放电气体。
这里，上述稀有气体，可以至少包含氦、氖、氩及氙中的任何一种气体。
这里，上述发光单元，可以通过使并列设置在第一基板上的电极群与并列设置在第二基板上的电极群相隔一定距离彼此间隔交叉而形成。
产业上的可应用性。
本发明的放电板的制造方法，可以应用于作为计算机的监视器等的图象显示器使用的PDP等的制造。
权利要求
1．一种气体放电板的制造方法，包括通过将第2基板对置地配置在主表面形成有将各发光单元隔开的障壁的第1基板的该障壁一侧的表面之上而形成外围器的外围器形成步骤；用封接材料将该外围器的两个基板的外周部封接在一起的封接步骤；将该外围器内部的气体排出的排气步骤；将放电气体封入到该外围器内部的封入步骤，该制造方法的特征在于上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；然后向外围器内部充填将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体的子步骤；接着对外围器内部进行真空排气的子步骤。
2．一种气体放电板的制造方法，包括通过将第2基板对置地配置在主表面形成有将各发光单元隔开的障壁的第1基板的该障壁一侧的表面之上而形成外围器的外围器形成步骤；用封接材料将该外围器的两个基板的外周部封接在一起的封接步骤；将该外围器内部的气体排出的排气步骤；将放电气体封入到该外围器内部的封入步骤，该制造方法的特征在于上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；然后一面使将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体在外围器内部流通一面将外围器内部的气体排出的子步骤。
3．根据权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤，将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度，同时使外围器的内部压力低于外部压力，然后进行冷却，从而进行封接。
4．根据权利要求2所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤，将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度，同时使外围器的内部压力低于外部压力，然后进行冷却，从而进行封接。
5．根据权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
6．根据权利要求2所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
7．根据权利要求3所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
8．根据权利要求4所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
9．根据权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
10．根据权利要求2所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
11．根据权利要求3所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
12．根据权利要求4所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
13．根据权利要求5所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
14．根据权利要求6所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
15．根据权利要求7所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
16．根据权利要求8所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
17．根据权利要求3所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
18．根据权利要求4所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
19．根据权利要求11所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
20．根据权利要求12所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
21．根据权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤，包括将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并一面使干燥气体在外围器内部流通一面将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度的子步骤；在加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度的同时使外围器的内部压力低于外部压力然后冷却从而进行封接的子步骤。
22．根据权利要求2所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤，包括将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并一面使干燥气体在外围器内部流通一面将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度的子步骤；在加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度的同时使外围器的内部压力低于外部压力然后冷却从而进行封接的子步骤。
23．根据权利要求21所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
24．根据权利要求22所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
25．根据权利要求21所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
26．根据权利要求22所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
27．根据权利要求23所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
28．根据权利要求24所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
29．根据权利要求21所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
30．根据权利要求22所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
31．根据权利要求25所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
32．根据权利要求26所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤中的冷却，是在软化点或熔点以下的温度范围内的加热冷却。
33．根据权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤，将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并将外围器的封接部加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度，同时使外围器的内部压力低于外部压力，然后进行冷却，从而进行封接。
34．根据权利要求2所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述封接步骤，将封接材料夹在第一基板与第二基板之间并将外围器的封接部加热到封接材料的软化点或熔点以上的温度，同时使外围器的内部压力低于外部压力，然后进行冷却，从而进行封接。
35．根据权利要求33所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
36．根据权利要求34所述的气体放电板的制造方法，其特征在于在上述封接步骤和排气步骤之间，包括一个将吸气剂装在与外围器内部连通的容器内的步骤。
37．根据权利要求33所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
38．根据权利要求34所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
39．根据权利要求35所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
40．根据权利要求36所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述排气步骤，在将外围器整体加热到封接材料的软化点或熔点以下的温度的同时进行。
41．根据权利要求1～40中的任何一项所述的气体放电板的制造方法，其特征在于将放电气体用作上述清洗气体。
42．根据权利要求41所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述放电气体由稀有气体构成。
43．根据权利要求42所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述稀有气体，至少包含氦、氖、氩及氙中的任何一种气体。
44．根据权利要求1～40中的任何一项所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述发光单元，通过使并列设置在第一基板上的电极群与并列设置在第二基板上的电极群相隔一定距离彼此间隔交叉而形成。
45．根据权利要求41中的任何一项所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述发光单元，通过使并列设置在第一基板上的电极群与并列设置在第二基板上的电极群相隔一定距离彼此间隔交叉而形成。
46．根据权利要求42中的任何一项所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述发光单元，通过使并列设置在第一基板上的电极群与并列设置在第二基板上的电极群相隔一定距离彼此间隔交叉而形成。
47．根据权利要求43中的任何一项所述的气体放电板的制造方法，其特征在于上述发光单元，通过使并列设置在第一基板上的电极群与并列设置在第二基板上的电极群相隔一定距离彼此间隔交叉而形成。
全文摘要
提供一种气体放电板的制造方法，包括外围器形成步骤、封接步骤、排气步骤及放电气体封入步骤，上述排气步骤，包括对外围器内部进行真空排气的子步骤；向外围器内部充填将对放电气体不构成杂质的气体作为实质的成分的清洗气体的子步骤；对外围器内部进行真空排气的子步骤。
文档编号H01J9/38GK1318204SQ00801454
公开日2001年10月17日 申请日期2000年5月17日 优先权日1999年5月20日
发明者东野秀隆, 长尾宣明 申请人:松下电器产业株式会社