专利名称：电子枪及使用该电子枪的彩色阴极射线管的制作方法
技术领域：
本发明涉及彩色阴极射线管，尤其涉及具有能改善偏转(散焦或像差)或彗差的改进的屏蔽杯的电子枪，以及使用该电子枪的彩色阴极射线管。
图1示出了采用自会聚偏转轭的阴极射线管，该阴极射线管用于电视机和监视器。如图1所示，彩色阴极射线管10包括具有荧光屏11的面板12，在荧光屏内侧上设有点或带状图案的红、绿和蓝荧光材料；锥体13，其包括颈部13a和锥部13b并紧固到面板12上；电子枪20，其容纳在锥体13的颈部13a内；以及偏转轭15，其贯穿锥体13的锥部13b，用于偏转从电子枪20发射出来的电子束。
如图2所示，电子枪20包括三个排成直线的阴极21，与阴极21隔开预定距离且具有三个排成直线的电子束通道的多个电极22，末级加速电极23，以及安装到末级加速电极23上的屏蔽杯24。
在具有这种结构的彩色阴极射线管10中，电子枪20发射的三个电子束经偏转轭15被选择性地偏转并落在荧光屏11上，激发荧光材料，从而显示图象。
在这个过程中，使电子枪20发射的电子束偏转的偏转磁场由枕形水平偏转磁场HB和桶形垂直偏转磁场VB组成，如图3所示，使得它能将三束排成直线的光束会聚到荧光屏11上而没有动态会聚。但是，如图4所示，由偏转轭形成的磁场的磁通密度在水平方向上从中心向边缘增大，这样，三个电子束(R,G和B电子束)中两端的红(R)和蓝(B)电子束的横截面被扭曲。换言之，如图5所示，R和B电子束受到偏转轭枕形磁场HB带来的箭头方向的力的作用，在R和B电子束周围出现晕圈现象。在R和B电子束中出现的晕圈现象朝荧光屏的边缘变差，如图6所示。因此，落在荧光屏边缘上的电子束量级改变。电子束的晕圈现象和电子束横截面的不均匀性降低了通过激发荧光屏而形成的图象清晰度。
日本专利公报No.4-52586、日本专利特开昭No.51-61766、日本专利特开昭No.51-64368和日本专利公报No.10-116569公开了减少彗差问题的电子枪的例子。
根据所公开的工艺结构，使三个电子束的路径变窄的上下扁平电极布置在直线型电子枪的屏蔽杯的底面上，从而与电子束的直线方向平行且朝主透镜或荧光屏延伸。或者，将电子枪设计成使得静电四级透镜形成在一些电极之间，静电四级透镜的强度随对应于电子束之偏转的偏转信号而变化，从而实现整个屏幕上图象的均匀性。在另一个例子中，在形成预聚焦透镜的各电极之间的区域内设置像散透镜，从而在整个荧光屏上实现电子束横截面的均匀性。在另一个例子中，使电子枪的第一和第二电极的电子束通道具有不同的宽高比，从而防止落在荧光屏中心和边缘上的电子束扭曲。
日本专利公报No.10-116570公开了一种校正电子束偏转的结构，其中磁片部分地布置在形成电子枪的电极中，电子枪安装在阴极射线管的颈部中，磁场产生装置布置在颈部的外表面上，从而产生与偏转信号同步的磁场并激励磁片。
美国专利No.5,912,530公开了一种利用偏转磁场校正偏转的结构，其中左右磁片布置在发射三束成直线的电子束的电子枪的其中一个电极中，磁片布置在中央电子束和边缘电子束之间。
美国专利No.5,818,156公开了一种校正偏转的结构，其中将磁性材料附着到偏转磁场内屏蔽电极中每个侧面电子束通道的上、下部分上。
如上所述，当与提供给偏转轭的信号同步地变换电子束通道的形状或改变电子透镜的放大率以利用偏转磁场校正电子束的偏转时，制造电子枪和控制电子束是很难的。此外，当将磁片成直线附着到布置在屏蔽杯底面上的每个电子束通道两侧并附着在电子束通道之间时，磁片形状的复杂性由于部件形状造成过度分散并导致难以组装，从而阻碍生产率的提高。
为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种直线型电子枪和使用电子枪的彩色阴极射线管，用于减少由于偏转轭磁场不均匀造成的偏转(散焦或像差)或彗差并减小由于排成直线的侧面电子束偏转造成的压差，从而改善整个荧光屏上图象的清晰度。
因此，为了实现本发明的以上目的，在第一方面，提供一种用于彩色阴极射线管的电子枪。电子枪包括排成直线的阴极；多个电极，从阴极开始顺序布置且具有使三个电子束通过的电子束通道；屏蔽杯，它与多个电极中的最后一个电极耦合，并设有排成直线的电子束通道；以及至少一个彗差校正部分(coma correction portion)，其布置在屏蔽杯上或多个电极中的一个或多个电极上，其布置的方式是使彗差校正部分定位在中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间的上方和下方。
在第二方面中，提供一种用于彩色阴极射线管的电子枪。电子枪包括排成直线的三个阴极，一个控制电极，一个屏幕电极，多个从屏幕电极开始顺序布置并形成辅助透镜和主透镜的多个聚焦电极，末级加速电极，与末级加速电极耦合且设有三个排成直线的电子束通道的屏蔽杯，以及至少一对布置在屏蔽杯上或多个聚焦电极中一个电极上的彗差校正部分，布置的方式是使磁片的中心定位于形成在控制电极和屏幕电极上的三个电子束通道中的中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方。
在第三方面中，提供一种用于彩色阴极射线管的电子枪，包括排成直线的三个阴极；从阴极开始顺序布置的一个控制电极和一个屏幕电极；从屏幕电极开始顺序布置的多个聚焦电极，与偏转信号同步向其施加动态聚焦电压，由此形成四级透镜；与聚焦电极相邻布置并形成主透镜的末级加速电极；与末级加速电极耦合并设有排成直线的三个电子束通道的屏蔽杯；以及至少一对布置在屏蔽杯或多个聚焦电极中的一个电极上的磁片，布置方式是使磁片定位于形成在控制电极、屏幕电极和屏蔽杯上的三个电子束通道中的中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方。
为了实现本发明的以上目的，提供一种彩色阴极射线管，彩色阴极射线管包括外壳，外壳包括内侧上具有荧光屏的面板和紧固到面板上的锥体，锥体包括颈部；电子枪，其容纳在颈部中并发射电子束以激发荧光屏和形成图象，而电子枪包括排成直线的阴极，多个电极、其从阴极开始顺序排列且具有使三个电子束通过的电子束通道，屏蔽杯、其与多个电极中的最后一个电极耦合并设有排成直线的三个电子束通道，以及布置在屏蔽杯上或多个电极中一个或多个电极上的磁片，布置方式是使磁片定位于中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方；以及偏转轭，它贯穿锥体的颈部和锥部布置，偏转轭使从电子枪发射的电子束偏转到荧光屏上的荧光位置。
最好，构成彗差校正部分的磁片具有圆盘形或多边形，磁片的直径为大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度为大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。最好，通过成对彗差校正部分形成的磁场分布是相对于在屏蔽杯或电极上排成直线的电子束通道方向对称的。
下面通过参考附图详细描述本发明的最佳实施例使本发明的以上目的和优点变得更为明显，附图中图1是典型彩色阴极射线管的剖视图；图2是传统电子枪的平面图；图3是使偏转电子束的偏转磁场直观化的图；图4是偏转轭的磁通密度图；图5是通过枕形磁场使电子束偏转的状态图；图6是当三个电子束朝荧光屏边缘偏转时的电子束量级图；图7是本发明彩色阴极射线管的局部剖面透视图；图8是本发明电子枪的透视图，示出了电压施加的关系；图9A是图8的屏蔽杯的底视图；图9B是图8的屏蔽杯的透视图；图10是本发明电子枪的电极视图，磁片处于附着到电极上的状态；图11是偏转磁场和由于屏蔽杯上的磁片引起的磁场的直观图；图12A和12B是电子束偏转和偏转磁场以及磁片之间的关系图；图13和14是磁片位置和HCR之间的关系曲线以及磁片位置和VCR之间的关系曲线；图15是磁片位置和左右偏转电压之差的曲线；图16和17是磁片直径和HCR以及VCR之间的关系曲线以及磁片直径和偏转电压差之间的关系曲线；图18和19是磁片厚度和HCR以及VCR之间的关系曲线以及磁片厚度和左右偏转电压差之间的关系曲线；图20是由于磁片引起的三个电子束偏转形状变化的图；图21和22是示出磁片应用前后三个电子束的动态聚焦电压、使电子束偏转到荧光屏左右边缘所需的电压的曲线；图23是曲线图，示出了三个电子束的动态聚焦电压、在安装了偏转轭之后使电子束偏转到荧光屏左右边缘所需的电压，其中偏转形状相对于偏转轭进行校正。
参考图7，彩色阴极射线管50包括具有荧光屏51a的面板51，在荧光屏的内侧上有点形或带形图案的红、绿和蓝荧光材料；锥体52，包括颈部52a和锥部52b且紧固到面板51上；电子枪60，安装在颈部52a中以激发荧光屏51a；以及偏转轭53，它贯穿锥体52的颈部、锥部52a和52b设置。
如图8所示，电子枪60包括三极管，三极管包含排成直线作为产生电子束的源的三个阴极61，从阴极61开始顺序布置的控制电极62和屏幕电极63；从屏幕电极63开始顺序布置并形成辅助透镜和主透镜的第一至第五聚焦电极64、65、66、67和68；与第五聚焦电极68相邻布置的末级加速电极69；以及与末级加速电极69耦合的屏蔽杯70。每个电极具有使电子束聚焦和加速的独立电子束通道或公用大直径电子束通道。用于通过R、G和B电子束的R、G和B电子束通道71、72和73形成在屏蔽杯70的底面上。彗差校正部分80布置在屏蔽杯70的底面上或第一至第四聚焦电极64至67中的至少一个电极上，用于减小由于偏转轭的偏转磁场引起的电子束的偏转彗差和无彗差磁铁的彗差。这里，偏转轭的枕形磁场和无彗差磁铁的磁场通过彗差校正部分80变为桶形(barreled)和被削弱，从而令人满意地校正彗差。
彗差校正部分80布置在屏蔽杯70的底面上或第一至第四聚焦电极其中之一上，使得它位于与从直线排列的阴极61所发射的三束R、G和B电子束中心之间的空间相对应的区域上方和下方。
图9A和9B示出了设在屏蔽杯70底面上的彗差校正部分80的实施例。如图9A和9B所示，彗差校正部分80作成使圆盘形的磁片81、82、83和84的中心位于直线排列在屏蔽杯70底面上的R、G和B电子束通道71、72和73中心之间空间的上方和下方的部分处(排列方向与R、G和B电子束通道的排列方向垂直)，所述空间即为G电子束通道72中心和R、B电子束通道71、73中心之间的空间。圆盘形磁片81-84的厚度“t”最好大于0.1mm且小于2.0mm。更可取的，厚度“t”为0.4mm。磁片81-84的直径D大于2mm且小于4mm。更可取的，直径D为2.5mm。磁片81和82中每个磁片的中心在朝着G电子束通道72的方向上最好与R电子束通道71的中心隔开0.5-3.0mm，磁片83和84中每个磁片的中心在朝着G电子束通道72的方向上最好与B电子束通道73的中心隔开0.5-3.0mm。更可取的，磁片81和82的中心与R电子束通道71隔开1.5mm，磁片83和84的中心与B电子束通道73隔开1.5mm。在垂直方向上，即与通道71、72和73的排列方向垂直的方向上，磁片81和82中每个磁片的中心与R电子束通道71的中心隔开2.5-4.5mm，磁片83和84中每个磁片的中心与B电子束通道73的中心隔开2.5-4.5mm。更可取的，通道71中央的磁片81和82的中心之间的垂直距离以及通道73中央的磁片83和84的中心之间的垂直距离为3.5mm。磁片81、82、83、和84的位置不限于以上实施例，而是可以修改成使其中心位于R、B电子束通道中心和G电子束通道中心之间。
在本发明的另一个实施例中，磁片可以布置成其中心位于构成三极管的控制电极62及屏幕电极63的中央电子束通道以及控制电极62和屏幕电极63的侧面电子束通道之间的空间的上方和下方。
图10示出了彗差校正部分设在聚焦电极入射侧上的结构。如图10所示，上述磁片81′、82′、83′、和84′附着于直线排列在聚焦电极67入射侧上的三个电子束通道67R、67G和67B的中心之间的空间的上方和下方。磁片81′、82′、83′、和84′相对于R和B电子束通道的定位方式与上述相同。
根据上述实施例，彗差校正部分设在屏蔽杯的底面或第四聚焦电极的入射侧上，但本发明不限于这些实施例。彗差校正部分可以设在受偏转磁场影响的任何区域，这样可以使由于使电子束偏转的偏转磁场引起的偏转得到校正。磁片81-84和81′-84′的形状不限于圆盘，而是可以修改成各种形状。磁片最好由含30-70％镍的材料制成。更可取的，使用具有42％或72％镍成分的磁片。
在具有上述结构的电子枪中，向形成电子枪的各个电极施加预定电压。这将在下面进行描述。
向控制电极62施加第一恒定电压VS1。向屏幕电极63和第二聚焦电极65施加第一聚焦电压VF1。向第一和第四聚焦电极64和67施加第二聚焦电压VF2。向第三和第五聚焦电极66和68施加与偏转轭的偏转信号同步的动态聚焦电压VFD。给电极施加电压不限于上述实施例，而是可以使用任何可实现能形成四级透镜的施压结构的方法。
下面描述本发明电子枪的操作和使用该电子枪的阴极射线管的操作。
在本发明的彩色阴极射线管中，一旦为构成彩色阴极射线管的那些部件和电子枪提供预定电势，则从阴极发射的三个电子束就通过在构成电子枪的各电极中形成的电子透镜被聚焦和加速，并根据荧光屏上电子束的扫描位置经偏转轭被偏转，使得电子束落在荧光屏上。
在这个过程中，作为由偏转轭所形成的偏转磁场，其中偏转轭用于使电子枪发射的电子束偏转，形成了在垂直方向上偏转R、G和B电子束的桶形磁场VB以及在水平方向上偏转R、G和B电子束的枕形磁场HB，如图11所示。由于磁片81-84附着在屏蔽杯70的底面上，从而使偏转侧面R和B电子束的枕形磁场HB变为桶形的，且使桶形偏转磁场VB变为枕形的，从而校正电子束的扭曲。
如图12A所示，穿过作为水平偏转磁场的枕形磁场的B和R电子束分别受聚焦能量和发散能量作用，由此扭曲。由于磁片81、82、83、和84布置在R和B电子束通道的上方和下方，在R和B电子束通道的上方形成桶形水平偏转磁场，这样如图12B所示，在与枕形磁场相反的方向上分别为B和R电子束提供发散能量和聚焦能量，从而校正电子束的扭曲。
由于电子束因偏转磁场而扭曲，因此需要用不同的聚焦电压使电子束偏转到屏幕上的左右边缘，图21所示的不同的动态聚焦电压应分别提供给各个电子束，以实现三个电子束在屏幕边缘上的最佳聚焦。但是，在单个电极上形成R、G和B电子束通道的直线型电子枪中，与偏转信号同步的动态聚焦电压VFD被同时施加到三束R、G和B电子束上，这样如图3所示通过偏转轭在自会聚的偏转磁场作用下使R和B电子束的聚焦降级，如图6所示。彗差校正部分校正侧面电子束的偏转散焦，这样能减小使电子束偏转到左右边缘所需的动态聚焦电压之差，如图22所示。因此，能减弱在施加单个动态聚焦电压VFD时出现的屏幕边缘上侧面电子束的聚焦降级。
在由自会聚偏转轭形成的磁场不均匀分布的情况下，彗差校正部分造成屏幕边缘上三个电子束之间的光栅形状变化，如图20所示，这导致偏转轭的磁场分布变化。因此，如图23所示，可以进一步减小左右动态聚焦电压差。
通过以下测试可以更清楚地理解上述电子枪中磁片的作用。
测试中观察到，电子束的着屏状态取决于磁片的位置，排成直线的侧面电子束的偏转电压取决于磁片的位置，排成直线的侧面电子束的偏转电压取决于磁片的直径，电子束的着屏状态取决于磁片的厚度，侧面电子束的偏转电压取决于磁片的厚度。
测试例1在该测试中，假设在朝着G电子束通道72的方向上，从R和B电子束通道71和73中任一个通道中心到每个圆盘磁片81-84中心的距离用X表示，在垂直方向上，从R和B电子束通道71和73中任一个通道中心到每个磁片81-84中心的距离用Y表示，所述垂直方向即与电子束的直线排列方向垂直的方向。这里，得到表1和2以及图13和14。
表1 表1和图13示出了沿水平方向在荧光屏侧面(在3点钟方向和9点钟方向上)上，R、B电子束中心和G电子束中心之间的距离HCR。
表2 表2和图14示出了沿垂直方向在荧光屏的侧面(在12点钟方向和6点钟方向上)上，R、B电子束中心和G电子束中心之间的距离VCR。
从表1和2以及图13和14可见，当Y为3.5和X为1.5时，HCR值具有拐点。在拐点处，可以很容易地校正电子束所形成的光栅图案。
测试例2在该测试中，假设在朝着G电子束通道72的方向上，从R和B电子束通道71和73中任一个通道的中心到每个圆盘磁片81-84中心的距离用X表示，在垂直方向上，从R和B电子束通道71和73中任一个通道的中心到每个磁片81-84中心的距离用Y表示，所述垂直方向即与电子束的直线排列方向垂直的方向。这里，表3示出了所得到的当电子束偏转到左右边缘时用于实现最佳聚焦的左右动态聚焦电压VFD的电压差。
表3
从表3和图15可见，当Y为3.5且X为1.5时，当电子束偏转到左右时用于实现最佳聚焦的左右动态聚焦电压VFD的电压差最小。
测试例3在该测试中，观察圆盘磁片直径和HCR及VCR之间的关系以及磁片直径和实现最佳聚焦的左右动态聚焦电压VFD之差之间的关系，得到表4和图16、17。
表4
表4和图16示出了在同一位置上HCR和VCR的变化取决于磁片直径的变化。
表5
从表5和图17可见，当磁片直径为2.5mm或更大时，电压差快速减小。
测试例4在该测试中，观察圆盘磁片厚度和HCR及VCR之间的关系以及磁片直径和左右动态聚焦电压VFD之差之间的关系，得到表6和图18。
表6
如表6和图18、19所示，随着磁片厚度增大，HCR和VCR的变化增大，左右动态聚焦电压VFD差值减小。
测试例5对于常规特性来说，当三个电子束的光栅由于彗差校正部分而被改变时，由于彗差校正部分的作用和通过改变偏转轭的磁场分布来校正会聚时所获得的效果，比较左右动态聚焦电压VFD差值，得到表7、8和9以及图21、22和23。
表7
表8
表9
表7和8以及图21和22示出了应用彗差校正部分之前和之后偏转到屏幕上左右边缘所需的动态聚焦电压VFD之差的变化。从表7和8以及图21和22可见，在电子束偏转到左右边缘时施加给电子束的动态聚焦电压VFD之差被减小，使得可以用单个动态聚焦电压减弱在屏幕边缘上侧面电子束的散焦。此外，从表9和图23可见，当电子束被偏转时，由于偏转轭所形成的磁场的变化，进一步减小了偏转到屏幕左右边缘所需的动态聚焦电压VFD之差。
测试例6在该测试中，观察HCR、VCR和偏转到屏幕上左右边缘所需的动态聚焦电压VFD之差，它们的变化取决于彗差校正部分的材料，得到表10。
表10
从表10可见，彗差校正部分的磁性较强时，HCR和VCR的变化增大，偏转到屏幕上左右边缘所需的动态聚焦电压VFD之差减小。
从上述测试可见，在本发明的电子枪和使用该电子枪的彩色阴极射线管中，通过将磁片附着到屏蔽杯的底面上能减小由于电子束偏转到屏幕左右边缘引起的偏转彗差。所以，与现有技术相比，在垂直方向上，电子束的直径能减小23％或更多，由于电子束偏转到屏幕左右边缘所引起的电压差能减小60％或更多。
虽然已经结合优选实施例对本发明进行了描述，但是，应当知道，本领域的技术人员可以在不背离本发明的精神的条件下进行修改和变型，本发明的范围由权利要求书限定。本文和附图所述内容是解释性的而非限制性的。
权利要求
1．一种彩色阴极射线管的电子枪，所述电子枪包括排成直线的阴极；多个电极，其从阴极开始顺序布置且具有使三个电子束通过的电子束通道；屏蔽杯，其与多个电极中的最后一个电极耦合，并设有排成直线的电子束通道；以及彗差校正部分，其布置在屏蔽杯上或多个电极中的一个或多个电极上，布置的方式是使彗差校正部分定位在中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间的上方和下方。
2．根据权利要求1的电子枪，其特征在于，彗差校正部分包含多个附着到屏蔽杯底面上的磁片。
3．根据权利要求2的电子枪，其特征在于，磁片为圆盘形状或多边形形状，磁片的直径大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。
4．根据权利要求2的电子枪，其特征在于，在朝着中央电子束通道的方向上，每个磁片的中心与排成直线的三个电子束通道中任一个侧面电子束通道的中心隔开大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在与三个电子束通道排列方向垂直的方向上，每个磁片的中心与任一个侧面电子束通道的中心隔开大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。
5．根据权利要求1的电子枪，其特征在于，构成彗差校正部分的磁片由具有30-75％镍成分的材料制成。
6．根据权利要求1的电子枪，其特征在于，构成彗差校正部分的磁片由具有42或72％镍成分的材料制成。
7．根据权利要求1的电子枪，其特征在于，通过彗差校正部分形成的磁场分布是相对于于屏蔽杯或电极上电子束通道的直线排列方向对称的。
8．一种彩色阴极射线管的电子枪，所述电子枪包括排成直线的三个阴极，一个控制电极，一个屏幕电极，多个从屏幕电极开始顺序布置并形成辅助透镜和主透镜的聚焦电极，末级加速电极，与末级加速电极耦合且设有三个排成直线的电子束通道的屏蔽杯，以及包含至少一对布置在屏蔽杯上或多个聚焦电极中一个电极上的磁片的彗差校正部分，布置的方式是使磁片的中心定位于形成在控制电极和屏幕电极上的三个电子束通道中的中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方。
9．根据权利要求8的电子枪，其特征在于，彗差校正部分包含多个附着到屏蔽杯底面上的磁片。
10．根据权利要求9的电子枪，其特征在于，磁片为圆盘形状或多边形形状，磁片的直径大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。
11．根据权利要求9的电子枪，其特征在于，在朝着中央电子束通道的方向上，每个磁片的中心与排成直线的三个电子束通道中任一个侧面电子束通道的中心隔开大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在与三个电子束通道排列方向垂直的方向上，每个磁片的中心与任一个侧面电子束通道的中心隔开大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。
12．根据权利要求8的电子枪，其特征在于，构成彗差校正部分的磁片由具有30-75％镍成分的材料制成。
13．根据权利要求8的电子枪，其特征在于，通过彗差校正部分形成的磁场分布是相对于屏蔽杯或电极上电子束通道的直线排列方向对称的。
14．一种彩色阴极射线管的电子枪，所述电子枪包括排成直线的三个阴极；从阴极开始顺序布置的控制电极和屏幕电极；从屏幕电极开始顺序布置的多个聚焦电极，与偏转信号同步向其施加动态聚焦电压，由此形成四级透镜；与聚焦电极相邻布置并形成主透镜的末级加速电极；与末级加速电极耦合并设有排成直线的三个电子束通道的屏蔽杯；以及至少一对布置在屏蔽杯或多个聚焦电极中的一个电极上的磁片，布置方式是使磁片定位于形成在控制电极、屏幕电极和屏蔽杯上的三个电子束通道中的中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方。
15．根据权利要求14的电子枪，其特征在于，彗差校正部分包含多个附着到屏蔽杯底面上的磁片。
16．根据权利要求15的电子枪，其特征在于，磁片为圆盘形状或多边形形状，磁片的直径大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。
17．根据权利要求14的电子枪，其特征在于，在朝着中央电子束通道的方向上，每个磁片的中心与排成直线的三个电子束通道中任一个侧面电子束通道的中心隔开大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在与三个电子束通道排列方向垂直的方向上，每个磁片的中心与任一个侧面电子束通道的中心隔开大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。
18．根据权利要求14的电子枪，其特征在于，通过彗差校正部分形成的磁场分布是相对于屏蔽杯或电极上电子束通道的直线排列方向对称的。
19．一种彩色阴极射线管，包括外壳，包括其内侧上具有荧光屏的面板和紧固到面板上的锥体，锥体包括颈部；电子枪，其容纳在颈部中并发射电子束以激发荧光屏并形成图象，电子枪包括排成直线的阴极；多个电极，其从阴极开始顺序排列且具有使三个电子束通过的电子束通道；屏蔽杯，其与多个电极中的最后一个电极耦合并设有排成直线的三个电子束通道；以及布置在屏蔽杯或多个电极中的一个或多个电极上的磁片，布置方式是使磁片定位于中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方；以及偏转轭，其贯穿锥体的颈部和锥部布置，偏转轭使从电子枪发射的电子束偏转到荧光屏上的荧光位置。
20．一种彩色阴极射线管，包括外壳，包括其内侧上具有荧光屏的面板和紧固到面板上的锥体，锥体包括颈部；电子枪，其容纳在颈部中并发射电子束以激发荧光屏并形成图象，电子枪包括排成直线的阴极；多个电极，其从阴极开始顺序排列且具有使三个电子束通过的电子束通道；屏蔽杯，其与多个电极中的最后一个电极耦合并设有排成直线的三个电子束通道；以及布置在屏蔽杯或多个电极中的一个或多个电极上的磁片，布置方式是使磁片定位于中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方；以及偏转轭，其贯穿锥体的颈部和锥部布置，偏转轭使从电子枪发射的电子束偏转到荧光屏上的荧光位置并使枕形磁场变成桶形以允许通过磁片校正彗差；以及无彗差的磁铁，其磁场与偏转轭同步被减弱。
全文摘要
一种彩色阴极射线管,包括具有面板和锥体的外壳,容纳在锥体颈部中的电子枪及贯穿锥体颈部和锥部布置的偏转轭,电子枪包括:排成直线的阴极,从阴极开始顺序排列且具有使三个电子束通道的多个电极,与多个电极中最后一个电极耦合并设有排成直线的三个电子束通道的屏蔽杯,及布置在屏蔽杯或多个电极中一个或多个电极上的磁片,使磁片位于中央电子束通道中心和侧面电子束通道中心之间的空间上方和下方;偏转轭使电子束偏转到荧光屏上荧光位置。
文档编号H01J29/70GK1313627SQ01104729
公开日2001年9月19日 申请日期2001年2月19日 优先权日2000年3月14日
发明者权容杰, 尹荣晙, 金德镐, 李良济, 尹光珍 申请人:三星Sdi株式会社