专利名称：阴极射线管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种阴极射线管，并且更具体地说，涉及一种通过使速度调制(VM)效果最大而改进图像质量的阴极射线管。更具体地说，本发明涉及一种其中电场，即尺寸，在前后方向上减小的射线管，并且包括安装结构，在该安装结构处，改进VM线圈部分、形状及图标，以便得到最佳VM效果。
背景技术：
阴极射线管是一种在TV或监视器中采用的成像装置。图像由当从电子枪发射的电子束碰撞阴极射线管的面板的荧光表面时产生的光形成。因为阴极射线管一般具有良好的颜色质量、很少至没有的关于运动图像的后图像、高亮度及宽视角，所以阴极射线管广泛地用在显示运动图像的装置中，如TV中。然而，一般的阴极射线管通常包括具有长电场和偏转线圈的电子枪，并且要求高真空度内部空间。因而，阴极射线管由于在前后方向上的很长长度而要求显著量的空间，该前后方向是从阴极射线管的前面到其后面的方向。
最近，通过改进偏转线圈使阴极射线管的长度在前后方向上缩短，已经提出一种细小型阴极射线管。已经进行显著改进，以通过缩短诸如电子枪之类的其它物品在前后方向上的长度而缩短阴极射线管的长度。
图1是传统细小型阴极射线管的局部剖视图。现在参照图1将描述传统细小型阴极射线管的构造和操作。
首先，一般地，阴极射线管1设有具有与玻锥3相连接的称作面板2的前玻璃的形状，并且其内部保持气密。荧光表面16提供在面板2的后表面处，从而当从电子枪11发射的和由偏转线圈10偏转的电子束9碰撞荧光表面16的特定部分时，发出特定的光以形成图像。
因为面板2和玻锥3的内部处于高真空状态下，所以由于外部冲击可能发生通过内爆的收缩。为了防止这个，面板2和玻锥3的外部接触部分通过加强带15制成耐冲击的。进行颜色分类功能的荫罩8放置在荧光表面16的后面。支撑荫罩8的框架6、弹簧5及柱螺栓销4也提供在阴极射线管1中。况且，用来在阴极射线管的操作期间屏蔽地磁的影响的内部屏蔽板7形成在框架6中。
用来垂直/横向地偏转电子束9的偏转线圈10放置在玻锥3的颈部的外面，并且用来改进颜色纯度的颜色纯度磁体12CPM放置在偏转线圈10的后面。这里，玻锥3的后部使用诸如玻璃之类的材料密封，并且电子枪11放置在密封的空间中。偏转线圈10和CPM 12放置在密封玻锥3的后部处。
偏转线圈10向在荧光表面16上的特定位置垂直/水平地偏转电子束9。CPM 12包括用来校正电子束的会聚的磁体14和用来改进图像质量的速度调制VM线圈13。
更具体地说，图像信号的第二差分信号通过在VM线圈13中的预定不同电路输入。输入到VM线圈13的信号在VM线圈13的周缘部分处产生电场，并且电场与改变图像行的水平扫描速度的偏转线圈10的水平磁场重叠。在屏幕上的亮度按照变化的速度而变化。如果增大偏转速度，则在该部分处的亮度减小，并且如果减小偏转速度，则在该部分处的亮度增大。因而，由于在屏幕上在暗和亮部分的界面处的亮度差别比当不包括VM线圈13时变得较大，所以界面部分变得更清楚，导致关于屏幕的轮廓部分的改进清晰度。这称作VM效应。
为了得到最大VM效应，优选的是，VM线圈定位在电子枪11的聚焦电极处，即在电子枪的G4电极的外面。然而，如果阴极射线管在前后方向上缩短，如对于细小型阴极射线管1那样，则其中可安装CMP12的位置受偏转线圈10的限制，并因而，其中可放置VM线圈13的位置也受到限制。因此，不能得到VM希望效应。换句话说，细小型阴极射线管具有这样一种形状，从而缩短电子枪11和玻锥3的颈部的长度，并且CMP 12不放置在电子枪11的聚焦电极位置处，而是代之以，把电场施加到电子枪11的其它电极上。例如，VM线圈13定位在外面靠近G1、G2及G3电极。在这种情况下，VM效应减弱或不存在。
为了缓解以上问题，可以增加施加到VM线圈上的电流。然而，这增大不希望的功率消耗。也有可能通过更向阴极射线管的前面安装VM线圈缩短偏转线圈的电场。但在这种情况下，图像的运动特性和灵敏度特性不希望地减小。
在韩国专利公开公报No.10-2003-0005605中提出形成主电极的开口以便增大VM效应的另一种方法。然而，在这种情况下，电极的电效应减弱，即使可改进VM效应，电子束的整体也减小。而且，这在制造过程中呈现问题。
发明内容
为了缓解以上提到的问题，本发明的目的在于，提供一种通过由VM线圈把电场施加到电子枪的准确位置上能够使VM效应最大的阴极射线管。
另外，本发明的另一个目的在于，提供一种通过使VM效应最大而能够改进图像质量的阴极射线管。
此外，本发明的目的在于，提供一种即使缩短电子枪的电场也能够得到最大VM效应的阴极射线管。
为了得到这些和其它优点，一种阴极射线管的实施例包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；荫罩，提供在荧光表面后面；玻锥，提供到面板的后部，以设有内部部分作为气密空间；电子枪，形成在玻锥的后部处，用来发射电子束；偏转线圈，装在玻锥的至少一个颈部的外面，以偏转电子束；及VM线圈部分，其至少一部分插入在偏转线圈与玻锥之间的间隔中，以把电场施加到电子束上。
按照本发明的另一个目的，一种阴极射线管的实施例包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；荫罩，提供在荧光表面后面；玻锥，与面板的后部相连接，以设有内部部分作为气密空间；电子枪，密封在玻锥中，用来发射电子束；偏转线圈，装在至少玻锥的颈部的外面，以偏转电子束；磁体，放置在偏转线圈后面；及VM线圈部分，放置在电子枪的G4电极的外面，作为与磁体分离的其它物品。
按照另一个方面，一种阴极射线管的实施例包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；玻锥，与面板的后部相连接，以设有内部部分作为气密空间；电子枪，放置到玻锥的后部，用来发射电子束；偏转线圈，放置在玻锥的外面，以偏转电子束；磁体，放置在偏转线圈后面；及VM线圈部分，其至少一部分插入在偏转线圈与电子枪之间的间隔中，作为产生VM效应的板。
即使缩短在前后方向上阴极射线管的电场，阴极射线管也稳定地放置并且可得到最大VM效应。此外，即使在前后方向进一步缩短电场的长度，也可改变VM线圈的位置。本发明的实施例的便利方面在于，可得到高分辨率图像质量而不牺牲VM效应。
包括以提供本发明的进一步理解和包括且构成本申请的一部分的附图，表明本发明的实施例并且与描述一起用来解释本发明的原理。在附图中图1是一种传统细小型阴极射线管的局部剖视图；图2是按照本发明实施例的一种阴极射线管的局部剖视图；图3是按照本发明实施例的一种阴极射线管的VM线圈部分的平面图；图4是在图2中的线I-I′的剖视图；图5是按照本发明第二实施例的VM线圈部分的立体图；图6是按照本发明第三实施例的VM线圈部分的立体图；及图7是按照本发明第四实施例的电子枪的立体图。
具体实施例方式
现在将对于本发明的优选实施详细地进行参考，其例子表明在附图中。
<第一实施例>
图2是按照本发明实施例的一种阴极射线管的局部剖视图。
参照图2，阴极射线管51包括面板52，该面板52与玻锥53相连接，形成相对于外面密封的真空内部空间。荧光表面66提供在面板52的后表面上，并且从电子枪28发射的电子束59由偏转线圈60偏转，以碰撞在荧光表面66上的特定位置而形成具有发射特定颜色的图像。
面板52和玻锥53的内部空间处于高真空状态下。这样，由于外部冲击可能发射内爆。为了使内爆最小或防止它，面板52和玻锥53的接触部分由加强带65加强，以使冲击耐受能力最大。
阴极射线管51包括荫罩58，构造成完成颜色分辨功能，定位在荧光表面66后面；框架56，支撑荫罩58；弹簧55；及螺栓销54。框架56与内部屏蔽板57相连接，该内部屏蔽板57构造成在阴极射线管的操作期间屏蔽阴极射线管51免受地磁的影响。
另外，构造成垂直/水平地偏转电子束59的偏转线圈60放置在颈部的外面并且向着玻锥53的后部。电子束59由偏转线圈60垂直/水平地偏转，以碰撞在荧光表面66上的适当位置。
况且，磁体29安装在偏转线圈60的后面，以完成校正会聚的功能。磁体29可以与偏转线圈60的后面相接触，或者可以以预定间隔分开。磁体29的位置可以按照玻锥53的形状和长度、偏转线圈60的安装位置、电子枪28的放置等等必要地变化。
VM线圈部分21可以插入在偏转线圈60与玻锥53的颈部之间的间隔中，换句话说，在玻锥53的外面并且在偏转线圈60的内部空间中。VM线圈部分21的位置可便利地改变。例如，依据偏转线圈60相对于玻锥53的位置，可改变和调节VM线圈部分21插入在间隔内的深度。
VM线圈部分21优选地靠近电子枪28的G4电极114定位，该电子枪28除G4电极114之外也包括G1电极111、G2电极112、G3电极113、及G5电极115。换句话说，VM线圈部分21可定位在外面，并且靠近聚焦电极以使VM效应最大。
由于可容易地改变VM线圈部分21的位置，所以VM线圈部分21可放置在适当地方，例如在G4电极114外面，以便即使缩短电子枪28的电场也得到希望的VM效应。相对于图像轮廓部分的亮度也由VM线圈部分21校正，以改进图像质量。
在图2中，VM线圈部分21表明成完全插入在偏转线圈60与玻锥53之间的间隔中。然而，本发明不受如此限制。换句话说，VM线圈部分21的仅一部分可以插入成与偏转线圈60重叠。VM线圈部分21可以包括不与偏转线圈60重叠的、例如在偏转线圈60后面的部分，从而VM线圈部分21定位在电子枪28的G4电极114处，即在聚焦电极的外面。依据详细规格可容易地改变阴极射线管的长度和/或形状，并且VM线圈部分21可容易地适于变化。
图3是按照本发明实施例的一种阴极射线管的VM线圈部分的平面图。
参照图3，根据本发明实施例的VM线圈部分21包括印刷在柔性印刷电路板FPCB 25上的多根传导线。传导线包括在不同位置处彼此串联连接的一对缠绕线圈。线圈包括上部VM速度调制线圈23和下部VM速度调制线圈24。传导线与在端部处的连续终端22相连接，用来接收从外部到VM线圈23和24的图像信号的第二差分信号。VM线圈23可以放置在电子枪28的上方(便明确地说，在电子枪28的聚焦电极G4上方)，并且下部VM线圈24可以放置在电子枪28的下面(便明确地说，在电子枪28的聚焦电极G4下面)。一般地，当VM线圈部分21端对端地被包裹以形成例如圆筒时，优选的是，VM线圈23和24相对于由包裹的VM线圈部分21限定的内部的中心在相对侧上。
VM线圈23和24如此缠绕，从而形成的电场在相同方向上定向。况且，优选的是，VM线圈23和24如此缠绕，从而大体均匀的电场施加到聚焦电极上。这可以通过例如以表明的正方形方式缠绕线圈而实现。如果VM线圈23和24以缠绕形状插入在偏转线圈60与玻锥53之间的间隔中，则VM线圈23和24以鞍形布置，以把大体相等的电场施加到聚焦电极G4的整个区域。如在图3中表明的那样，插入在偏转线圈60与玻锥53之间的间隔中的VM线圈部分21的上部部分面对玻锥的前面，并且连接终端22面对玻锥的后面。
柔性基片25具有在图3中表示的平面形状，但当插入在偏转线圈60与玻锥53之间时，基片25绕玻锥53包裹(见图4)。上部VM线圈23放置在玻锥53的上部部分上或在其上方，并且下部VM线圈24放置在玻锥53的下部部分上或在其下面。如果具有三种颜色RGB的电子束59水平地布置，则VM线圈23和24分别放置在电子枪的上部部分和下部部分上，以把基本相等的电场施加到电子束59上。另一方面，如果电子束59的颜色垂直地布置，那么VM线圈23和24可布置到电子枪的左和右侧上。一般地，优选的是，把VM线圈23和24布置成大体与电子束的颜色的排列相垂直。
在另一个实施例中，VM线圈部分21的柔性基片25可以是平面类型的或圆形绕组类型的基片。而且，如果基片是圆形的，则可以使用硬基片而不是柔性基片25。
图4是沿在图2中的线I-I′的剖视图。
参照图4，G4电极114，即聚焦电极，放置得最靠近中心和玻锥53，更明确地说，玻锥53的颈部放置在聚焦电极114的外面。玻锥53的内部空间如以上描述的那样保持在真空状态下。垂直/水平地偏转电子束59的偏转线圈60放置在玻锥53的外面，并且也与玻锥53分离，以在它们之间限定间隔。VM线圈部分21放置在偏转线圈60的内表面与玻锥53的外表面之间的间隔中以把电场施加到G4电极114上，并因而，电子束59的偏转速度被改变以改进图像质量。
VM线圈部分21可以在间隔内转动或否则运动。因而，可以提供抖动防止部分以防止这样的运动。抖动防止部分可以实施为接触部分100，从而VM线圈部分21与偏转线圈60和/或玻锥53的侧面相接触。例如，抖动防止部分可以包括形成在VM线圈部分21处的第一波导管(未表示)或形成在偏转线圈60和/或玻锥53处的第二波导管(未表示)、和在预定位置处把连接终端22与偏转线圈60和/或玻锥53相连接的连接部分。抖动防止部分能以各种方式实施，并且省略详细描述。
如以上指示的那样，根据本发明的实施例，VM线圈部分可以与磁体分离，从而调节位置，并且VM线圈部分的位置可容易地调节以使VM效应最大。因此，当诸如电子枪之类的阴极射线管的详细规格被改变以便便利地把VM线圈运动到适当位置中时，可改变VM线圈的位置。特别是，即使当用来把VM线圈安装到如细小型阴极射线管中的空间比较小时，VM线圈也可定位在偏转线圈与玻锥之间的窄间隔中。因而，可改进图像的清晰度。
另外，安装VM线圈的位置不受其它物品限制，并且VM线圈可放置在偏转线圈与玻锥之间窄和长的间隔的希望位置处。因此，如果G4电极114的电场较长，则可影响由VM线圈造成的电场。因而，便利的是，可在要求较小功率消耗的低电流状态下实现VM效应。
<第二实施例>
本发明的第二实施例大体类似于第一实施例，不同之处在于，改变VM线圈部分的构造和形状。因此，在第一实施例的描述中还没有描述的部分和变化部分在本实施例中详细地描述。
图5是按照本发明第二实施例的VM线圈部分的立体图。
参照图5，按照本实施例的VM线圈部分31包括与下部VM线圈34串联连接的上部VM线圈33、和与VM线圈33和34的端部相连接的连接终端32。上部和下部VM线圈33和34每一个通过缠绕多次的传导线产生电场。
如以上描述那样，VM线圈33和34通过缠绕本身具有规则密度的传导线保持预定形状，以得到降低制造成本的优点。另外，随着传导线的粗度增加，传导量也增加。每根传导线可绕特定位置的中心缠绕多次，并且传导图案形成在与第一实施例不同的弯曲平面上。第二实施例便利的是，增加电场的均匀性并且加强导电的强度。
VM线圈33和34的功能和操作一般与在第一实施例中描述的那些类似。
<第三实施例>
本发明的第三实施例类似于第二实施例，不同之处在于，VM线圈保护在薄膜中。
图6是在本发明的第三实施例中的VM线圈部分的立体图。
参照图6，VM线圈部分41包括上部线圈43、下部VM线圈44及连接终端42，并且上部VM线圈43和下部VM线圈44的内和/或外表面由薄膜46保护。薄膜46也在VM线圈43和44彼此连接的状态下保持它们的形状。
由薄膜46保持在它们的原始状态下的VM线圈43和44也通过防止线圈43和44与其它物品接触而防止电泄漏。
<第四实施例>
本发明的第四实施例类似于第一、第二及第三实施例，不同之处在于，改变电子枪的形状，以通过VM线圈精确地控制电子束的位置。
图7是按照本发明第四实施例的电子枪的立体图。
参照图7，电子枪28的其它部分与第一实施例类似，不同之处在于，G4电极114包括第一G4电极117和第二G4电极118，并且VM间隙119形成第一和第二G4电极117和118之间。VM间隙119改进VM线圈部分的灵敏度。
当VM间隙119存在，即G4电极被划分时，使由VM线圈生成的降级速度调制的涡流最小，并且增大由归因于VM线圈的电场影响的电子束的间隔。因而，即使在VM线圈中流动的电流比较小，也可改进VM效应。本实施例在细小型阴极射线管中是可能的，因为可安装本发明的VM线圈而与偏转线圈60的形状和位置无关。因此，本发明的VM线圈的实施例可形成为具有尽可能长的长度。例如，如果偏转线圈60不提供在与VM线圈重叠的位置处，则VM线圈可放置在偏转线圈60后面。
本实施例具有优化VM效应的优点。
对于本发明的实施例，VM线圈部分的至少一部分可与偏转线圈一起布置，以便便利地改变安装VM线圈的位置，由此使VM效应最大。VM线圈可放置在面板的内部部分中，或者当需要产生时和当其它技术问题解决时，可放置在具有颈部的单个本体中和颈部的外面。
根据本发明的实施例，磁场由VM线圈施加到电子枪的精确电极位置上，以使VM效应最大。
另外，VM效应在低电流状态下最大化以改进图像质量，这具有降低功率消耗的优点。
此外，即使阴极射线管的磁场由于阴极射线管的变细小而缩短，VM线圈也可放置在电子枪的准确G4电极位置处，导致得到最大VM效应。另外，由于提供使阴极射线管细小的架子，所以具有可进一步使阴极射线管细小的优点。
权利要求
1.一种阴极射线管，包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；荫罩，提供在荧光表面后面；玻锥，连接到面板的后部上，以提供内部部分作为气密空间；电子枪，形成在玻锥的后部处，用来发射电子束；偏转线圈，装在玻锥的颈部的外面，以偏转电子束；及VM线圈部分，其至少一部分插入在偏转线圈与玻锥之间的间隔中，以把电场施加到电子束上。
2.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括上部VM线圈，放置在电子枪的上部上方；和下部VM线圈，放置在电子枪的下部下面。
3.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括设有传导图案的基片。
4.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括具有传导图案的柔性基片。
5.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括缠绕的传导线。
6.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括传导线VM线圈，缠绕多次；和薄膜，提供在传导线VM线圈的至少一侧上。
7.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括缠绕多次的正方形VM线圈。
8.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分定位成，电子枪的聚焦电极在与VM线圈的内部相对应的位置处。
9.根据权利要求8所述的阴极射线管，其中，聚焦电极划分成多个电极。
10.根据权利要求1所述的阴极射线管，还包括磁体，装在偏转线圈后面。
11.根据权利要求1所述的阴极射线管，还包括抖动防止部分，构造成防止VM线圈的抖动。
12.一种阴极射线管，包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；荫罩，提供在荧光表面后面；玻锥，与面板的后部相连接，以提供内部部分作为气密空间；电子枪，密封在玻锥中，用来发射电子束；偏转线圈，装在玻锥的颈部的外面，以偏转电子束；磁体，放置在偏转线圈后面；及VM线圈部分，放置在电子枪的G4电极的外面，并且与磁体分离。
13.一种阴极射线管，包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；玻锥，与面板的后部相连接，以提供内部部分作为气密空间；电子枪，放置到玻锥的后部处，用来发射电子束；偏转线圈，放置在玻锥的外面，以偏转电子束；磁体，放置在偏转线圈后面；及VM线圈部分，其至少一部分插入在偏转线圈与电子枪之间的间隔中。
14.根据权利要求13所述的阴极射线管，其中，VM线圈放置在玻锥外面。
15.根据权利要求13所述的阴极射线管，其中，VM线圈布置成围绕电子枪的G4电极。
16.根据权利要求13所述的阴极射线管，其中，整个VM线圈插入在偏转线圈与电子枪之间的间隔中。
17.一种阴极射线管，包括面板，放置在前侧处；玻锥，与面板的后部相连接，以提供内部部分作为气密空间；电子枪，其至少一部分插入在玻锥中，用来发射电子束；偏转线圈，放置在玻锥的外面，以偏转电子束；磁体，放置在偏转线圈后面；及VM线圈，其至少一部分在阴极射线管的前后方向上与偏转线圈重叠。
18.根据权利要求17所述的阴极射线管，其中，VM线圈根据在前后方向上电子枪的G4电极的位置而布置。
19.根据权利要求17所述的阴极射线管，其中，VM线圈包括在基片上的传导图案。
20.根据权利要求17所述的阴极射线管，其中，电子枪的至少一部分在前后方向上与偏转线圈重叠。
21.一种阴极射线管，包括玻锥，与面板相连接，从而内部空间由玻锥和面板限定；电子枪，布置在玻锥的后部中，电子枪构造成向面板发射电子束；偏转线圈，放置在面板与电子枪之间并且绕玻锥的颈部，偏转线圈构造成偏转从电子枪发射的电子束；及速度调制(VM)线圈部分，放置在偏转线圈的内部部分与玻锥的颈部的外部部分之间间隔中，VM线圈部分构造成调制从电子枪发射的电子束，其中，VM线圈部分的至少一部分重叠偏转线圈的至少一部分。
22.根据权利要求21所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分围绕电子枪的聚焦电极的至少一部分。
23.根据权利要求22所述的阴极射线管，其中，电子枪的聚焦电极包括由间隙分离的第一电极和第二电极。
24.根据权利要求21所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分包括第一传导线，缠绕多次；第二传导线，缠绕多次；及连接终端，构造成把差分信号输送到第一和第二传导线。
25.根据权利要求24所述的阴极射线管，其中，第一和第二传导线串联连接。
26.根据权利要求24所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分还包括其上形成第一和第二传导线的基片。
27.根据权利要求26所述的阴极射线管，其中，基片是柔性印刷电路板。
28.根据权利要求26所述的阴极射线管，其中，基片是圆形的。
29.根据权利要求24所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分还包括第一和第二传导线插入其中的保护膜。
30.根据权利要求24所述的阴极射线管，其中第一传导线矩形地缠绕，或者第二传导线矩形地缠绕，或者两者。
31.根据权利要求24所述的阴极射线管，其中，第一和第二传导线缠绕成，由第一和第二传导线产生的电场在由VM线圈部分限定的内部内大体是均匀的。
32.根据权利要求24所述的阴极射线管，其中，VM线圈部分围绕电子枪的聚焦电极的至少一部分，从而第一传导线相对于聚焦电极放置在第二传导线的相对侧处。
33.根据权利要求32所述的阴极射线管，其中，第一和第二传导线缠绕成，由第一传导线产生的电场的定向大体与由第二传导线产生的电场的定向相同。
34.根据权利要求32所述的阴极射线管，其中，第一和第二传导线的布置大体与电子束的RGB颜色的布置相垂直。
35.一种在阴极射线管中用来调制从阴极射线管的电子枪发射的电子束的速度调制(VM)线圈部分，VM线圈部分设计成放置在偏转线圈的内部部分与阴极射线管的玻锥的颈部的外部部分之间的间隔中，VM线圈部分包括第一传导线，缠绕多次；第二传导线，也缠绕多次；及连接终端，构造成把差分信号输送到第一和第二传导线。
36.根据权利要求35所述的VM线圈部分，其中，第一和第二传导线串联连接。
37.根据权利要求35所述的VM线圈部分，还包括其上形成第一和第二传导线的基片。
38.根据权利要求37所述的VM线圈部分，其中，基片是柔性印刷电路板。
39.根据权利要求37所述的VM线圈部分，其中，基片是圆形的。
40.根据权利要求35所述的VM线圈部分，还包括第一和第二传导线插入其中的保护膜。
41.根据权利要求35所述的VM线圈部分，其中第一传导线矩形地缠绕，或者第二传导线矩形地缠绕，或者两者。
42.根据权利要求35所述的VM线圈部分，其中，第一和第二传导线缠绕成，由第一和第二传导线产生的电场在由VM线圈部分限定的内部内大体是均匀的。
43.根据权利要求35所述的阴极射线管，其中，当端对端地包裹VM线圈部分时，第一传导线关于VM线圈部分的内部的中心与第二传导线相对。
44.根据权利要求43所述的阴极射线管，其中，第一和第二传导线缠绕成，由第一传导线产生的电场的定向大体与由第二传导线产生的电场的定向相同。
全文摘要
一种阴极射线管，其中，在具有前后方向上缩短的电场的细小型阴极射线管中使VM效应最大。该阴极射线管包括面板，具有提供到内部以产生颜色的荧光表面；荫罩，提供在荧光表面后面；玻锥，连接到面板的后部上，以设有内部部分作为气密空间；电子枪，形成在玻锥的后部处，用来发射电子束；偏转线圈，装在玻锥的颈部的外面，以偏转电子束；及VM线圈部分，其至少一部分插入在偏转线圈与玻锥之间的间隔中，以把电场施加到电子束上。
文档编号H01J29/70GK1917134SQ20061007546
公开日2007年2月21日 申请日期2006年4月21日 优先权日2005年8月18日
发明者车俊杰 申请人:Lg电子株式会社