荧光体的制造方法、发光装置及图像显示装置的制作方法

专利名称：：荧光体的制造方法、发光装置及图像显示装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种荧光体的制造方法，该荧光体具有P型Si3N4晶体结构，由近紫外线或可见光激发而发出可见光。另外，涉及一种适用于液晶显示器等的背光光源的发光装置及使用该发光装置的图像显示装置，该发光装置使用由所述制造方法制造的荧光体。
背景技术：
：荧光体用于荧光显示管(VFD(Vacuum-FluorescentDisplay:真空荧光显示屏))、场发射显示器(FED(FieldEmissionDisplay)或SED(Surface-ConductionElectron-EmitterDisplay:表面4专导电子发射显示器))、等离子显示屏(PDP(PlasmaDisplayPanel))、阴极射线管(CRT(Cathode-RayTube))、白色发光二极管(LED(Light-EmittingDiode))等。在上述所有用途中，为了使荧光体发光，需要向荧光体提供用于激发荧光体的能量，荧光体被真空紫外线、紫外线、电子射线、蓝光等具有高能量的激发光激发，发出可见光。但是，荧光体被激发光照射的结果为，荧光体的亮度容易降低并劣化，故需要亮度降低少的荧光体。因此，代替以往的硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体、硫化物荧光体等荧光体，作为亮度降低少的荧光体，提出有硅铝陶瓷荧光体。该硅铝陶资焚光体的一例根据以下概述的制造工艺制造。首先，将氮化硅(Si3N4)、氮化铝(A1N)及氧化铕(Eu203)混合成规定的摩尔比，制作混合物。接着，在一个大气压(0.1MPa)的氮气中，将该混合物在nO(TC的温度下保持一小时并利用热压法进行烧结处理而制造(例如参照日本特开2002-363554号公报(专利文献l))。利用该制造工艺得到的、活化Eu离子的a硅铝陶瓷成为如下的荧光体，该荧光体被450~500nm的蓝光激发而发出550~600nm的黄色光。并且，已知有以JEM相(LaAl(Si6—ZA1Z)N10—zOz)为母体结晶并使Ce活化的蓝色荧光体(参照国际公开第2005/019376号小册子(专利文献2))、以La3SisNu04为母体结晶并使Ce活化的蓝色荧光体(参照日本特开2005-112922号公报(专利文献3))及以CaAlSiN3为母体结晶并使Eu活化的红色荧光体(参照国际公开第2005/052087号小册子(专利文献4))。作为其它硅铝陶瓷焚光体，已知有向p型硅铝陶乾中添加稀土类元素的荧光体(参照日本特开昭60-206889号公报(专利文献5))，表示活化Tb、Yb、Ag的物质成为发出525nm545nm的绿光的荧光体。但是，专利文献5中记载的焚光体由于合成温度为1500。C这样低的温度，故活化元素不能充分地固溶于晶体内而残留于粒界相(粒界相)，因此不能得到高亮度的荧光体。作为发出高亮度荧光的硅铝陶瓷荧光体，已知有向(3型硅铝陶瓷中添加二价Eu的荧光体(参照日本特开2005-255895号公报(专利文献6)),表示成为绿色的荧光体。另外，作为图像显示装置的液晶显示器等的背光光源所使用的、成为白色光源的发光装置，与一般照明用途不同，要求蓝、绿、红三原色的发光谱线宽度细。白光通过使上述三种颜色光分别单独透过的滤色器，可得到三原色。另外，特别要求位于蓝色发光光谱与红色发光光谱之间的绿色发光光谱的发光镨线宽度窄且与三原色的滤色器良好匹配。在以往的冷阴极管的白色光源的情况下，使用被紫外线激发的绿色荧光体。但是，在作为白色LED用而适用的、可被蓝色发光元件的波长激发的荧光体中，存在如下问题点，即，光谱线宽度足够窄且波长与三原色的滤色器匹配的绿色荧光体少。到目前为止，最适于该白色光源的用途的绿色荧光体为专利文献6中公开的卩型硅铝陶瓷荧光体。但是，该卩型硅铝陶瓷荧光体存在如下问题点，即，发光光谱的宽度比较宽，不能说一定具有足够的锐度。
发明内容本发明人鉴于如上所述的状况，对含有Eu及Si、Al、O、N元素的氮化物进行深入研究，得出如下结果，即，具有特定组成区域范围、特定固溶状态及特定晶相的物质成为在波长520nm550nm范围内具有锐利的发光峰值的荧光体。即，如下的固溶体晶体成为包含在波长520nm550nm范围内具有发光峰值波长、其半值全幅为55nm以下的锐利的发光光谱的荧光体，该固溶体晶体以具有卩型Si3N4晶体结构的氮化物或氮氧化物为母体结晶，作为发光中心添加二价Eu离子，并具有氧含有量为0.8质量％以下的组成。另外，作为如上所述的荧光体的制造方法，提出如下方法，即，作为Si源使用单体硅，通过将该硅进行氮化而合成p型硅铝陶乾。而且，提出如下方法，即，在还原环境中对卩型氮化硅原料或卩型硅铝陶资焚光体进行热处理，从而降低氧含有量。并且，提出如下方法，即，向该卩型氮化硅原料中添加含有碳的固体粉末，在氮环境中进行烧结处理，从而降低该氧含有量。本发明人初次发现在使EU等固溶的、具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中，特定组成的焚光体可作为被紫外线、可见光、电子射线或X射线激发并具有带锐利的光谱的绿色荧光的荧光体使用。本发明人基于上述发现的情况，进一步深入研究的结果，成功地提供一种具有在特定波长区域显示高亮度发光现象的绿色发光的第一荧光体、第一荧光体的制造方法及使用它的发光装置。根据以上所述的情况，本发明的目的在于解决上述问题点而提供一种第一荧光体的制造方法、包含第一荧光体的发光装置及使用该发光装置的图像显示装置，该第一荧光体相比以往的发出绿色荧光的稀土类活化硅铝陶瓷荧光体，绿色荧光的发光光谱的半值全幅窄且发光光谱形状与光的三原色的滤色器良好匹配。本发明涉及一种发光装置，该发光装置包含发出激发光的半导体发光元件和吸收激发光而发出绿光的第一荧光体，第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有p型Si3"N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素M而形成，晶体中的含氧量为0.8质量％以下。另外，在本发明的发光装置中，优选第一荧光体通过照射激发光而发出在波长520nm~550nm范围内具有峰值波长的绿光。在本发明的发光装置中，优选第一荧光体通过照射激发光而发出在波长520nm~535nm范围内具有峰值波长的绿光。在本发明的发光装置中，优选金属元素M为Eu，第一荧光体的发光光谱的半值全幅为55nm以下。在本发明的发光装置中，优选发出激发光的半导体发光元件的发光峰值波长为390nm480nm。在本发明的发光装置中，优选发出激发光的半导体发光元件的发光峰值波长为390nm-420nm。在本发明的发光装置中，优选发出激发光的半导体发光元件的发光峰值波长为400nm~410nm。在本发明的发光装置中，优选发出激发光的半导体发光元件的发光峰值波长为430nm~480nm。在本发明的发光装置中，优选发出激发光的半导体发光元件的发光峰值波长为440nm~450nm。在本发明的发光装置中，优选包含通过照射激发光而发出红光的第二焚光体。在本发明的发光装置中，优选第二荧光体通过照射激发光而发出在波长600nm~670nm范围内具有峰值波长的红光。在本发明的发光装置中，优选第二荧光体的发光光谱的半值全幅为95nm以下。在本发明的发光装置中，优选第二荧光体包含Eu活化CaAlSiN3。在本发明的发光装置中，优选第二荧光体包含Eu活化M2Si5N8(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素)及Eu活化Sr2Si5N8中的至少一种。在本发明的发光装置中，优选包含通过照射激发光而发出蓝光的第三荧光体。本发明涉及一种以上述发光装置作为背光光源的图像显示装置。另外，本发明涉及一种图像显示装置，以上述发光装置作为背光光源，包含分别透过红光、绿光及蓝光的滤色器。在本发明的图像显示装置中，优选透过蓝光的蓝滤色器对波长530nm光的透过率为该透过率最大值的20%以下。另外，本发明涉及一种制造上述第一荧光体的制造方法，第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素M而形成，所述晶体中的含氧量为0.8质量％以下，该第一荧光体的制造方法具有在含氮环境中在1200°C以上、2200。C以下的温度范围内对原料混合物进行烧结处理的工序，该原料混合物包含含有Si的金属或其无机化合物、含有Al的金属或其无机化合物、含有金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素)的金属或其无机化合物、含有碳的固体粉末。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选原料混合物包含氮化硅粉末、氮化铝粉末、氧化铕粉末、碳粉末。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选包含如下操作，即，形成由原料混合物和醇(7》3—少)构成的糊膏，使用喷雾干燥装置对该糊膏进行喷雾干燥处理。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选原料混合物包含氮化硅粉末、氮化铝粉末、氧化铕粉末，将原料混合物放入氮化硼制或石墨制坩埚中，在坩埚周围配置碳粉末。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选原料混合物中的碳粉末量为0.1~10质量％。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选原料混合物中的碳粉末量为0.5~2质量％。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选原料混合物中的碳粉末的平均粒径为0.01~l(im。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选原料混合物中的碳粉末的平均4立径为0.5~5mm。在本发明的第一荧光体的制造方法中，优选在烧结处理工序之后，将荧光体粉末在空气中在500°C-80(TC下加热，从而除去剩余碳。包含第一荧光体的发光装置即便被更强的激发光照射，亮度也不会降低，可作为长寿命的背光光源而使用。通过组合包含本发明第一荧光体的发光装置和透过三原色的光的滤色器，可增大液晶显示装置等的色再现区域。本发明的发光装置所使用的第一荧光体以具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体即硅铝陶瓷晶体为主要成分，将该晶体中的含氧量设为0.8质量%以下，由此，相比以往的硅铝陶瓷荧光体，作为发光峰值波长的宽度窄且发出锐利的绿色荧光的绿色荧光体，具有优势。本发明的上述及其它目的、特征、状况及优点，参照附图和与本发明相关的接下来的详细说明可理解。图1是本发明实施方式的发光装置的示意剖面图2A是表示使用本发明的发光装置的图像显示装置的结构的示意立体图，图2B是图2A中的200的放大示意立体图3是本发明的图像显示装置中的优选滤色器的透过率光谱；图4A是表示使用本发明的发光装置的图像显示装置的其它结构的示意立体图，图4B是图4A中的300的放大示意立体图5A是表示使用本发明的发光装置的图像显示装置的其它结构的示意立体图，图5B是图5A中的400的放大示意立体图6是第一荧光体即荧光体1的激发光光谱和发光光谱；图7是第一荧光体即荧光体2的激发光光谱和发光光谱；图8是第一荧光体即荧光体3的激发光光谱和发光光谱；图9是第一荧光体即荧光体4的激发光光谱和发光光谱；图10是第一荧光体即荧光体5的激发光光谱和发光光谱；图11是第一荧光体即荧光体6的激发光光谱和发光光谱；图12是第一荧光体即荧光体7的激发光光谱和发光光谱；图13是比较荧光体1的激发光光谱和发光光谱；图14是第一荧光体即荧光体2的放大的激发光谱；图15是表示通常作为表示图像显示装置的色再现性的指标而使用的NTSC比的绿光峰值的光谱半值全幅的依存度的图表；图16是绘制表3及表4的数据而形成的、表示第一荧光体的氧含有量和发光峰值波长的半值全幅的关系的图表；图17表示从实施例2的发光装置发出的发光光谱；图18表示从实施例6的发光装置发出的发光光谱；图19是从实施例7中的绿色发光装置发出的发光光谱；图20是从实施例7中的红色发光装置发出的发光光谱；图21是从实施例7中的蓝色发光装置发出的发光光谱。具体实施例方式以下，在本申请的附图中，同一附图标记表示同一部分或相当部分。另外，为了使附图明了化和简单化，附图中的长度、大小、宽度等尺寸关系适当变更，不表示实际的尺寸。(第一实施方式发光装置)图1是本发明实施方式的发光装置的示意剖面图。以下，参照图1进行说明。图1所示的发光装置在作为基体的印刷配线基板101上配置有半导体发光元件102。半导体发光元件102优选如图1所示作为有源层包含InGaN层103。另外，在树脂框104内侧填充由使荧光体分散的透光性树脂构成的模制树脂105并密封半导体发光元件102。在该树脂框104内侧，使用具有导电性的粘接剂111电连接n电极部106和半导体发光元件102的n侧电极107,该n电才及部106^^人印刷配线基^反101的上面配置到背面。另一方面，半导体发光元件102的p侧电极108利用金属导线109与p电极部110电连接，该p电极部110从印刷配线基板101的上面配置到背面。另外，作为填充在模制树脂105中的荧光体，第一荧光体及第二荧光体分散。在本实施方式中，在将本发明的发光装置也作为背光光源使用时，从提高蓝光的色纯度的观点来看，发出激发光的半导体发光元件102的发光峰值波长优选为390nm550nm,进一步优选为430nm480nm，最好为440nm450nm。在本实施方式中，该发光峰值波长进一步优选为430nm~480nm的理由是，若不到430nm,则人的可见度降低，而另一方面，若超过480nm,则发光色成为蓝绿色，蓝色的成分减少。另外，发光峰值波长、发光光谱的半值全幅及激发光语除公知方法之外，在实施例中也可使用后述方法进行测定。本发明中的第一荧光体为包含固溶体的P型硅铝陶瓷荧光体，通过照射激发光，吸收该激发光而发出绿色荧光即绿光，该固溶体在具有P型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的元素)而形成。即，第一荧光体作为主要成分包含具有卩型SisN4晶体结构的|3型硅铝陶瓷的固溶体(以下也称为"|3型SbN4属晶体")。|3型Si3N4属晶体可通过X射线衍射或中子线衍射进行鉴定，除表示与纯卩型Si3N4晶体相同的衍射的物质之外，通过构成元素与其它元素置换而使晶格常数变化的晶体也是(3型Si3N4属晶体。并且，根据固溶形态，可能在晶体中导入点缺陷、面缺陷、层积缺陷，在晶粒内的缺陷部，固溶元素浓缩，但是此时，由X射线衍射生成的图形的形态不变的晶体也是(3型S"N4属晶体。另外，由于缺陷形成的周期性，有时会形成具有较长周期结构的多晶型物，此时，基本结构为卩型Si3N4晶体结构的晶体也是(3型Si3N4属晶体。以具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体为母体结晶，通过将金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的元素)固溶于该母体结晶中，金属元素M的离子作为发光中心起作用，产生焚光特性。尤其是，在将金属元素Eu固溶于母体结晶中的晶体中，二价Eu离子作为发光中心起作用，发出高亮度的绿色荧光。在第一荧光体中，通过将具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中含有的含氧量即该晶体中的氧含有量设为0.8质量％以下，可减小第一荧光体的发光峰值的宽度(以半值全幅为基准)，可使发光峰值波长变得锐利(、>卞一7°)。作为金属元素M的Eu等发光中心离子被氧离子和氮离子包围，与金属元素M结合的原子在氧和氮中改变结合状态，故根据与氧和氮中的某一种的结合，卩型Si3N4属晶体的发光峰值波长不同。因此，可认为若具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中的氧含有量增加，则发光峰值的宽度增大。理想的是，优选该氧含有量极其少而峰值宽度减小，在本发明中，通过设为0.8质量％以下，优选设为0.5质量％以下，可显著地表现其效果。在此，第一荧光体的该氧含有量可利用JISR1603中记载的惰性气体溶解-红外线吸收法进行测定。另外，第一荧光体的氮含有量可利用JISR1603中记载的惰性气体溶解_导热率法进行测定。在此，纯(3型Si3N4晶体结构指的是属于具有P&或P63/m的对称性六方晶系，是作为具有理想原子位置的结构而定义的晶体。在实际的晶体中，各原子的位置因占据各位置的原子种类不同而从理想位置偏移士0.05左右。(3型Si3N4晶体结构的晶格常数为a=0.7595nm、c=0.29023nm,作为其构成成分的Si被Al等元素置换，或N被O等元素置换，或Eu等金属元素固溶，从而导致晶格常数变化。但是，根据晶体结构、原子占据的点和晶格常数的坐标而确定的原子位置不会发生大的变化。因此，如果指定晶格常数和纯卩型Si3N4晶体结构的晶面指数，则由X射线衍射所产生的衍射峰值的位置(20)唯一地确定。另外，使用从对新物质进行测定的X射线衍射结果计算出的晶格常数和纯卩型Si3N4晶体结构的晶面指数而算出的衍射的峰值位置(2e)的数据，与p型Si3N4属晶体结构的数据一致时，可将该晶体结构特定为相同结构。另外，作为上述金属元素M而固溶有二价Eu的第一荧光体通过照射激发光并吸收，在波长为520nm-550nm范围内发出来自Eu的绿色焚光。此时，第一荧光体的发光光谱的半值全幅具有55nm以下的锐利光谱形状。尤其是,使具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中的氧含有量减少到0.5质量％以下的第一荧光体，在发光波长为520nm535nm范围内成为具有峰值的发光光谱，发出色纯度优良的绿色荧光。另外，在CIE色度坐标上的(x、y)值中，该绿色荧光取(^xS0.3、0.5SyS0.83的值，为色純度优良的绿色。从荧光发光的这一点来看，本发明的第一荧光体尽可能多地高纯度含有作为其构成成分的、具有(3型Si3N4晶体结构的氮氧化物的晶相，如果可能则优选由具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物的单相晶体构成。但是，第一焚光体也可在上述发光光谱的半值全幅或色纯度等特性不降低的范围内由其它晶相或非晶形相的混合物构成。此时，为了获得高亮度，具有(3型Si3N4晶体结构的氮氧化物的含有量优选为50质量％以上。本发明的第二荧光体优选为，通过照射激发光，从而吸收该激发光且发出在波长为600nm670nm范围内具有峰值波长的红色荧光即红光。另外，第二荧光体的发光光谱的半值全幅优选为95nm以下。这是因为可提高红色的色纯度。具体地说，可例举Eu活化M2Si5N8(其中，M为从Mn、Ce、Eu中选择的元素)、Eu活化CaAISiN3及Eu活化Sr2Si5N8等高效的红色荧光体。从本实施方式中的半导体发光元件102发出的激发光通过第一荧光体变换为绿色荧光，通过第二荧光体变换为红色荧光。另外，通过混合该绿色荧光、该红色荧光和从半导体发光元件102发出的光(蓝光)，本实施方式中的发光装置可发出白光。本实施方式的发光装置适用于色再现性优良的图像显示装置中含有的背光光源。另外，作为半导体发光元件102发出的、荧光体的激发光，若使用波长为100nm500nm的光(真空紫外线、深紫外线、紫外线、近紫外线、从紫色到蓝色的可见光)及电子射线、X射线等，则发出高亮度的荧光。本发明所使用的荧光体形态并未特别地限定，作为粉末使用时，为了得到高亮度，优选平均粒径为50nm以上20pm以下的单晶体。并且，该荧光体优选长宽比(粒子的长轴长度除以短轴长度而得到的值)的平均值为1.5以下、且在分散、涂敷工序的处理容易的球形荧光体。(第二实施方式发光装置)参照图1说明本发明其它实施方式的发光装置。在本实施方式中，在填充于模制树脂105的荧光体中，分散有第一荧光体、第二荧光体及第三荧光体。在本实施方式中，在作为背光光源而使用本发明的发光装置时，从提高蓝光的色纯度的观点来看，发出激发光的半导体发光元件102的发光峰值波长优选为390nm550nm,进一步优选为390nm420nm,最好为400nm410nm。在本实施方式中，该发光峰值波长进一步优选为390nm~420nm的理由为，若不到3卯nm，则作为紫外线的能量增大，模制树脂的劣化变大，若超过420nm，则作为蓝紫光的人的可见度增大，蓝光的色纯度降低。关于第一荧光体及第二荧光体，可使用与在第一实施方式中说明的荧光体相同的焚光体。本发明中的第三荧光体指的是，通过照射激发光，从而吸收该激发光而发出蓝色荧光即蓝光的荧光体。作为该第三荧光体的例子，可例举由Ce活化La3Si8N04构成的荧光体、由BaMgAl10Ol7:Eu2+(BAM)构成的荧光体或固溶体等。从本实施方式中的半导体发光元件102发出的激发光通过第一荧光体变换为绿色荧光，通过第二荧光体变换为红色荧光，并且，通过第三荧光体变换为蓝色荧光。另外，通过混合该绿色荧光、该红色荧光和该蓝色荧光，本实施方式中的发光装置可发出白光。本实施方式的发光装置适用于色再现性优良的图像显示装置中含有的背光光源。在本实施方式中，由于光的三原色的几乎全部发光都通过荧光体进行，故具有如下优点，即，几乎不会产生发光峰值波长因周围温度等环境变化而变动。另外，由于第一焚光体吸收的激发光的激发光谱中，与可见光区域相比，近紫外区域的高，故具有如下优点，即，就第一荧光体而言，本实施方式中的半导体发光元件102的激发光为发光效率高的光。(第三实施方式发光装置)参照图1说明本发明其它实施方式的发光装置。在本实施方式中，在填充于模制树脂105的荧光体中仅分散有第一荧光体。因此，在本实施方式的发光装置中，照射半导体发光元件102而使其发出的荧光为绿光，以下也将该发光装置称为绿色发光装置。在本实施方式中，在作为背光光源而使用本发明的发光装置时，从提高蓝光的色纯度的观点来看，发出激发光的半导体发光元件102的发光峰值波长优选为3衡m~420nm，最好为400nm~410nm。另外，同样地，也可制作在图1中的模制树脂105中仅分散有第二荧光体的发光装置即发出红光的红色发光装置、和仅分散有第三焚光体的发光装置即发出蓝光的蓝色发光装置。(第四实施方式图像显示装置)图2A是表示使用本发明的发光装置的图像显示装置结构的示意立体图。图2B是图2A中的200的放大示意立体图。首先，参照图2A进行说明。本发明的图像显示装置通过在透明或半透明的导光板203的侧面配置在第一实施方式中说明的发光装置201a201f而构成。在导光板203的上部邻4妻配置液晶显示部210。从发光装置201a201f发出的射出光202在导光板203内散射，作为散射光204照射液晶显示部210的整个面。接着，参照图2B说明进行说明。在偏光板211的上部配置具有薄膜晶体管212的透明电极层213a、两侧被定向膜214a及214b夹持的液晶层215、上部薄膜电极213b。并且，配置用于显示色像素的滤色器216、上部偏光板217。滤色器216被分割成大小与透明电极层213a的各像素对应的部分，由使红光透过的红滤色器216r、使绿光透过的绿滤色器216g、使蓝光透过的蓝滤色器216b构成。另外，在图像显示装置中，"上部"指的是从发光装置201a201f在厚度方向朝向上部偏光一反217的方向。图3表示本发明的图像显示装置中的优选滤色器的透过率光谱。横轴表示波长(nm)，纵轴表示透过率(任意单位)。通过组合这样的滤色器和发光装置201a201f,从而可实现能显示红、蓝、绿三原色的图像显示装置。即，发光装置201a-201f的发光光谱具有在上述滤色器的红、蓝、绿中具有峰值的锐利光谱，故透过各滤色器时的色纯度高。特别是，由于绿光的发光峰值被蓝光的发光峰值和红光的发光峰值夹持，故发光装置201a201f中的绿色焚光的发光峰值的光镨线宽度强烈依存显示绿色时的页色纯度。(第五实施方式图像显示装置)下面，参照图2A及图2B进行说明。作为发光装置201a201f，除在第二实施方式中配置上述发光装置之外，可与第四实施方式同样地制作图像显示装置。此时，也可提供与第四实施方式相同的图像显示装置。另外，本实施方式的图像显示装置的发光光谱具有在图3所示的滤色器的红、蓝、绿中具有峰值的锐利光谱，故透过各滤色器时的色纯度高。因此，通过组合该滤色器和本实施方式的发光装置，可实现能显示红、蓝、绿三原色的图像显示装置。(第六实施方式图像显示装置)图4A是表示使用本发明的发光装置的图像显示装置的其它结构的示意立体图。图4B是图4A中的300的放大示意立体图。首先，基于图4A进行说明。在透明或半透明的导光板203的侧面，配置有多个在第三实施方式中说明的、发出绿光的绿色发光装置1701g、发出红光的红色发光装置1701r及发出蓝光的蓝色发光装置1701b。在导光板203的上部邻接配置液晶显示部210。从上述半导体发光元件发出的射出光202在导光板203内散射，作为散射光204照射液晶显示部210的整个面。在此，绿色发光装置1701g中的半导体发光元件的发光峰值波长优选为400-410nm，红色发光装置1701r的半导体发光元件的发光峰值波长优选为390-420nm。作为蓝色发光装置1701b，可使用在模制树脂中不包含第三荧光体、且半导体发光元件的发光峰值波长为430~480nm的发光装置。接着，基于图4B进行说明。在偏光板211的上部配置具有薄膜晶体管212的透明电极层213a、两侧被定向膜214a及214b夹持的液晶层215、上部薄膜电极213b。并且，配置用于显示色像素的滤色器216、上部偏光板217。滤色器216被分割成大小与透明电极层213a的各像素对应的部分，由使红光透过的红滤色器216r、使绿光透过的绿滤色器216g、使蓝光透过的蓝滤色器216b构成。本实施方式的图像显示装置是分别发出红、蓝、绿光的发光装置，各自的发光光谱具有在图3所示的滤色器的红、蓝、绿中具有峰值的锐利光谱。因此，通过同时使用上述三种发光装置，透过各滤色器时的色纯度高。另外，通过组合该滤色器和本实施方式的发光装置，可实现能显示红、蓝、绿三原色的图像显示装置。(第七实施方式图像显示装置)下面，参照图4A及图4B进行说明。作为蓝色发光装置1701b,除使用在模制树脂中包含第三荧光体、且半导体发光元件的发光峰值为390~420nm的发光装置之外，可与第六实施方式同样地制作本实施方式的图像显示装置。此时，也可提供与第六实施方式相同的图像显示装置。本实施方式的图像显示装置是分别发出红、蓝、绿光的发光装置，各自的发光光谱具有在图3所示的滤色器的红、蓝、绿中具有峰值的锐利光谱。另外，通过组合该滤色器和本实施方式的发光装置，从而可实现能显示红、蓝、绿三原色的图像显示装置。(第八实施方式图像显示装置)图5A是表示使用本发明的发光装置的图像显示装置的其它结构的示意立体图，图5B是图5A中的400的放大示意立体图。首先，基于图5A进行说明。在透明或半透明的导光板203的侧面配置有多个在第三实施方式中说明的、发出绿光的绿色发光装置1701g、发出红光的红色发光装置1701r及发出蓝光的蓝色发光装置1701b。在导光板203的上部邻接配置液晶显示部散射光204照射液晶显示部210的整个面。在此，绿色发光装置1701g中的半导体发光元件的发光峰值波长优选为400-410nm，红色发光装置1701r的半导体发光元件的发光峰值波长优选为390-420nm。作为蓝色发光装置1701b，可使用在模制树脂中不包含第三荧光体、且半导体发光元件的发光峰值波长为430~480nm的发光装置。接着，基于图5B进行说明。在偏光板211的上部配置具有薄膜晶体管212的透明电极层213a、两侧被定向膜214a及214b夹持的液晶层215、上部薄膜电极213b。在本实施方式中，不使用蓝、绿、红三原色的滤色器。由于图像显示装置将蓝、绿、红三原色的发光装置独立设置，故分时驱动各颜色的发光装置。例如，在频率为180Hz时使各色点亮熄灭，利用液晶进行对比度调整。通过时序地对其进行加色混合，从而进行图像显示。在本实施方式中，作为三原色的发光装置，使用光谱宽度窄的发光装置，故不需要滤色器，可降低透过损失。但是，进行分时驱动时，发光装置的响应速度是必需的。由于以往使用的、将Tb或Mn作为发光离子的绿色焚光体响应速度慢，故这种驱动方法不合适。但是，本发明中的第一荧光体的响应速度为数(IS。因此，可提供适于这种分时驱动的发光装置及图像显示装置。(第九实施方式图像显示装置)以下，参照图5A进行说明。作为蓝色发光装置1701b，除使用在模制树脂中包含第三荧光体且半导体发光元件的发光峰值为390~420nm的发光装置之外，可与第八实施方式同样地制作图像显示装置。此时，也可提供与第八实施方式相同的图像显示装置。图15表示通常作为表示图像显示装置的色再现性的指标而使用的NTSC比的绿光峰值的光谱半值全幅的依存度。横轴表示绿光的发光光谱的半值全幅(nm),纵轴作为色再现区域表示NTSC比。这样，通过减小绿色光谱的半值全幅，可提高NTSC比，但到此为止，没有具有与其适应的光谱、且发出绿光的荧光体。本发明的发出绿光的第一荧光体在波长为520nm~550nm、优选波长为520nm~535nm的范围内具有发光峰值波长且发光光谱的半值全幅为55nm以下，故可实现较高的NTSC比。以往使用冷阴极管或白色LED的图像显示装置的NTSC(NationalTelevisionSystemCommittee:全国电视系统委员会)比最多为80%，难以表现自然的颜色。近年来，随着高清影像的普及和大画面影像的实现，而希望具有较高的色再现性。从美术品或文化遗产影像的显示、网络交易等的需求来看，要求至少具有NTSC比为95%以上的色再现性。包含本发明第一荧光体的图像显示装置(第四~第九实施方式)可实现NTSC比为95%以上的色再现性。第一焚光体在波长530nm附近具有锐利且较强的发光光谱。另一方面，将蓝色像素设为ON状态时的绿色荧光体的发光影响少，可表现色纯度高的蓝色，可提高NTSC比。在此，在使用透过上述蓝光的蓝滤色器216b时，优选使用波长530nm时的透过率为透过率最大值的20%以下的蓝滤色器。上述第一焚光体在波长530nm附近具有锐利且较强的发光光语，将蓝色像素设为ON状态时的第一荧光体的发光影响少，可表现色纯度高的蓝色，可进一步提高NTSC比。(第一荧光体的制造方法)本发明第一荧光体的制造方法未特别限定，作为一例，可例举接下来的方法。以下，"出发原料，，表示的是在制造方法中最初准备的原料。另夕卜，"原料粉末"表示的是"将原料制成粉末状"。《制造方法1》将原料混合物在含氮的环境中、在1200。C以上2200。C以下的温度范围内进行烧结处理，从而可得到作为第一荧光体的、在具有卩型Si3N4晶体结构的氮氧化物的晶体中固溶有M的荧光体，该原料混合物至少包含含有Si的金属粉末、含有Al的金属或其无机化合物、含有金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的元素)的金属或其无机化合物。作为原料混合物的Si源，使用至少含有Si的金属粉末。作为含有Si的金属粉末，除单体硅(Si)粉末之外，可例举含有其它金属的Si合金的粉末。作为Si来源，除了添加其金属粉末，还可同时添加氮化硅、硅铝陶瓷粉末等无机物。若添加氮化硅、硅铝陶瓷粉末，尽管氧含有量增加，但生成物的结晶性提高，故制作的第一荧光体的亮度提高。作为原料混合物的A1源，使用含有Al的金属或无机化合物。例如，可例举金属A1、Al合金、氮化铝等。作为原料混合物的金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的元素)的供给来源，可例举金属元素M的金属、包含金属元素M的合金、氮化物、氧化物或碳酸盐等。作为金属元素M的供给来源，为了极力降低制作的第一荧光体的氧含有量，优选使用金属元素M的金属或氮化物。但是，从产业上获取原料的便利性来看，优选使用氧化物。作为合成包含Eu的第一荧光体时的原料混合物，可例举单体硅(Si)粉末、氮化铝粉末、氧化铕粉末的混合物。若使用它们的原料混合物，则可合成氧含有量特别少的荧光体。在含氮的环境中，在1200。C以上2200。C以下的温度范围内对原料混合物进行烧结处理，从而合成第一荧光体。含氮的环境指的是氮气或分子中含有氮原子的气体，根据需要可与其它气体进行混合。例如，N2气体、N2和H2的混合气体、NH3气体、丽3和CH4的混合气体等。若在这些气体的环境中进行烧结处理，则原料中的单体硅(Si)被氮化而形成Si3N4，其与Al含有原料、金属元素M含有原料进行反应，从而生成在具有|3型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶有金属元素M的荧光体。此时，由于单体硅(Si)中含有的氧含有量(通常为0.5质量％以下)比原料混合物中含有的氧含有量(通常为1质量％以上)少，故可合成氧含有量低的第一荧光体。另外，含氮的环境优选实质上不含有氧的环境、即非氧化性环境。由于原料混合物中的Si的氮化反应在1200。C以上1550。C以下的温度范围内进行，故通过在该温度范围内进行烧结处理，使原料混合物中的氮含有量增加，在将Si转换为Si3N4后，通过在2200。C以下的温度进行烧结处理，从而可得到合成第一焚光体的方法。《制造方法2》作为其它合成方法，可采用如下方法，即，对含有氮化硅的原料粉末或至少含有Eu、Si、Al、O及N元素的前体原料混合粉末，在氮化还原环境中进行加热处理，使被处理的含有氮化硅的原料粉末或前体原料混合粉末的氧含有量减少，并且使氮含有量增加，从而在降低出发原料中含有的氧含有量之后，根据需要添加含有Eu或Al的原料，通过在2200。C以下的温度进行烧结处理，从而合成第一荧光体。氮化还原环境是还原力和氮化性高的气体，可例举氨气、氢和氮的混合气、氨-烃混合气、氢-氮-烃混合气。另外，作为烃气体，从还原力的强度来看优选甲烷或丙烷。另外，作为碳源，也可将碳粉末等含有碳的固体或酚醛树脂等含有碳的液体预先添加到含有氮化硅的原料粉末或前体原料混合粉末中，利用氮化性高的气体对添加后的混合物进行处理。《制造方法3》另外，作为其它方法，存在如下方法，即，对具有卩型SbN4晶体结构的氮氧化物荧光体粉末，在氮化还原环境中进行加热(烧结)处理，使被处理的氮氧化物荧光体粉末的氧含有量减少并且使氮含有量增加。在该方法中，具有如下效果，即，通过氮化还原处理，降低在利用通常的方法合成的硅铝陶瓷焚光体表面存在的氧。氮化还原环境是还原力和氮化性高的气体，可例举氨气、氢和氮的混合气、氨-烃混合气、氢_氮-烃混合气。另外，作为烃气体，从还原力的强度来看优选甲烷或丙烷气体。《制造方法4:使用含有碳的固体粉末的方法》另外，可采用具有如下工序的第一荧光体的制造方法，即，将原料混合物在含氮的环境中、在1200。C以上2200。C以下的温度范围内进行烧结处理，该原料混合物包含含有Si的金属或其无机化合物、含有A1的金属或其无机化合物、含有金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素)的金属或其无机化合物、含有碳的固体粉末。此时，作为含有Si的金属或其无机化合物，可选择含有氮化硅粉末的原料粉末等。作为含有Al的金属或其无机化合物，可选择含有氮化铝粉末的原料粉末等。作为含有金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素)的金属或其无机化合物，可选择含有氧化铕的原料粉末等。另外，通过向原料混合物中添加含有碳的固体粉末，利用含有碳的该固体粉末的还原作用，降低该原料混合物中的氧含有量，可合成氧含有量特别少的荧光体。另外，在使用含有碳的固体粉末时，具有以下优点。由于含有碳的固体粉末的还原力强，故不需要如制造方法2及制造方法3那样使用氨气、氢和氮的混合气、氨-烃混合气、氢-氮-烃混合气等，在氮气环境中可降低氧含有量。制造方法1及2在经过使原料混合物中的氧含有量减少并使氮含有量增加的加热处理后，通过烧结处理来合成第一荧光体。制造方法3对合成的具有P型Si3N4晶体结构的氮氧化物焚光体粉末在氮化还原环境中进行加热处理，使被处理的氮氧化物焚光体粉末的氧含有量减少，并且使氮含有量增加，从而合成第一焚光体。该制造方法4在进行完用于减少原料混合物中的氧含有量并增加氮含有量的加热处理后，也可进行烧结处理，由于含有碳的固体粉末的还原力强，在氮环境中可减少原料混合物中的氧含有量并增大氮含有量，故在氮环境中，在1200。C以上2200。C以下的温度范围内进行一次烧结处理，从而可合成第一荧光体。在本发明中，作为含有碳的固体粉末，可例举该碳粉末。本发明的碳粉末为含碳率为95%以上的粉末。另外，该碳粉末优选平均粒径为0.01~l|im。这是因为，当粒径不到O.Oljxm时，该碳粉末彼此凝结，恐怕不能均匀地分散到原料混合物中，当粒径超过l(im时，由于表面积小，有可能不能得到所希望的还原力。作为该碳粉末所使用的优选材料为"炭黑"。另外，原料混合物特别优选为氮化硅粉末、氮化铝粉末、氧化铕粉末、碳粉末的组合。这是因为它们不仅反应性高、可得到高纯度的合成物，而且作为工业原料被生产而易于使用。作为向原料混合物中添加碳粉末并混合的方法，通常可采用如下方法，即，使用氮化硅烧结体制的研砵和研棒对添加了碳粉末的原料混合物进行IO分钟以上的混合。此后，通过25(^m的过滤网而得到流动性优良的粉体凝聚体，但除上述方法之外，也可采用下述方法。向添加了碳粉末的原料混合物中添加乙醇而形成糊膏。使用喷雾干燥装置对该糊膏进行喷雾干燥处理。根据该方法，不用通过250pm的过滤网即可得到流动性优良的粉体凝聚体。另外，原料混合物中的碳粉末量优选为0.1-10质量％,特别优选为0.5~2质量％。当碳粉末量不到0.1质量％时，不能发挥所希望的还原力，有可能不能降低由该原料混合物制作的第一荧光体的氧含有量。另外，当碳粉末量超过10质量％时，恐怕会导致由该原料混合物制作的第一荧光体中的碳粉末的残留增多。若碳粉末的残留增多，则优选在上述烧结工序中，在空气中，在500°C-800。C的范围内进行两小时左右的加热处理，从而除去剩余碳。如果不除去剩余碳，则因碳导致可见光的吸收增加，发光效率降低。另外，在使用含有该碳粉末的原料混合物的制造方法中，烧结温度优选为12002200。C的温度范围，特别优选为18002000。C的温度范围。当烧结温度不到1200。C时，成为发光中心的元素M不会固溶在具有卩型Si3N4晶体结构的氮化物、氮氧化物的晶体中，而残留在氧含有量高的粒界相中，故成为以氧化物玻璃为基质(尔7卜)的发光，且成为蓝色等短波长的发光，有可能得不到绿色的发光，当烧结温度超过2200。C时，需要特殊的装置，在工业上不优选。另外，作为碳粉末所使用的材料，除"炭黑，，之外，也可使用"活性碳"。并且，在使用"活性碳"时，即便粒径较大，也可使用。由于碳内部的、构成网状的微细孔而具有大的内部表面积，故活性碳可获得足够的还原力。因此，通过将活性碳添加到原料混合物中，该原料混合物中的氧含有量降低，可合成氧含有量少的第一荧光体。使用的活性碳的平均粒径从处理的便利性来看，优选为0.5mm~5mm。该平均粒径如果比0.5mm小，则难以进行烧结后的回收，如果比5mm大，则难以装入烧结用坩埚中，有可能难以进行均匀地混合。并且，即便不将含有碳的固体粉末直接添加到原料混合物中，通过将烧结中的环境形成为具有碳产生的强还原环境，从而也可制造第一荧光体。该方法如下所示。将不包含含有碳的固体粉末的原料混合物填充到氮化硼制的坩埚(小)或石墨制的坩埚(小)中，进而将该坩埚(小)放入容量大的坩埚(大)中。另外，在填充了原料混合物的坩埚(小)周围，填充含有碳的固定粉末。此时，作为含有碳的固定粉末，优选使用粒径为0.5mm5mm左右的"活性碳"。活性碳由于碳内部的、构成网状的微细孔而具有大的内部表面积，故可获得足够的还原力。《制造方法1~4共通的处理》在此，以粒径为数jim的微粉末为出发原料时，混合该微粉末的工序中的原料混合物、含有氮化硅的原料粉末、前体原料混合粉末或氮氧化物荧光体粉末形成粒径数^im的微粉末凝聚为从数百!im到数mm大小的形态(以下称为"粉体凝聚体")。在合成第一荧光体的工序中，将该粉体凝聚体和该微粉末未凝聚的该原料混合物等，在保持体积密度(嵩密度)40%以下填充率的状态下填充到容器中后，根据烧结方法可获得特别高的亮度。即，在通常的硅铝陶资荧光体的制造中，在利用热压法或模具成型后进行烧结，且在粉体填充率高的状态下被烧结处理，但在本发明中，不对粉体施加机械作用力，另外也不使用模具等进行成型，而将该粉体凝聚体的粒度一致的粉体凝聚体在保持原样的状态下，以体积密度40%以下的填充率填充到容器等中。根据需要，可使用过滤网或风力分级等，对该粉体凝聚体进行粒度控制而造粒成平均粒径500jmi以下。另外，也可使用喷雾干燥器等，将该粉体凝聚体直接造粒成500pm以下的形状。若容器使用氮化硼制，则具有如下优点，即，与制作的第一荧光体的不必要的化学反应少。在将体积密度保持为40%以下的状态下，对该粉体凝聚体进行烧结处理，这是为了在该粉末凝聚体周围存在自由空间的状态下进行烧结处理。最佳体积密度因颗粒粒子的形态或表面状态的不同而不同，优选为20%以下。这样，可认为由于反应生成物在自由空间结晶成长，故晶体彼此的接触变少，可合成表面缺陷少的晶体。由此，可得到亮度高的焚光体。若体积密度超过40%，则在烧结中部分地引起致密化，导致形成致密的烧结体而妨碍结晶成长，第一荧光体的亮度可能会降低。另外，难以得到由微细粉末形成的第一荧光体。由于粉体凝聚体的大小为500jim以下，则烧结后的粉碎性好，故特别优选。如上所述，以上述条件对填充率为40%以下的粉体凝聚体进行烧结处理。由于烧结处理中使用的炉中烧结温度为高温且烧结环境为氮，故为金属电阻加热方式或石墨电阻加热方式，优选作为炉的高温部材料而使用碳的电炉。烧结的方法优选常压烧结法或气压烧结法等不从外部进行机械加压的烧结方法，这是为了在将体积密度保持为规定范围的状态下进行烧结处理。在上述混合该微粉末的工序之后的、合成荧光体的工序中，氮环境可以是O.lMPa以上lOOMPa以下的压力范围的气体环境。进一步优选为O.lMPa以上lMPa以下。在以氮化硅为原料而使用时，若加热到1820。C以上的温度，氮环境的压力低于O.lMPa，则由于原料热分解，故不优选。若高于0.5MPa，则几乎不分解。若为lMPa，则已足够，若成为100MPa以上，则需要特殊装置，不适于工业生产。在烧结而得到粉体凝聚体牢固地粘合时，例如利用球磨机、喷射式粉碎机等通常在工厂使用的粉碎机进行粉碎。尤其是，球磨粉碎可容易地控制粒径。此时，使用的球(求一少)及钵(求:y卜)优选为氮化硅烧结体或硅铝陶f:烧结体制。特别优选为与成为产品的第一荧光体组成相同的陶瓷烧结体制。另外，该粉体凝聚体粉碎到平均粒径20fxm以下。特别优选为，该平均粒径为20nm以上5pm以下的范围。若平均粒径超过5pm,则第一荧光体的流动性和向树脂的分散性变差，在与发光元件组合而形成发光装置时，根据不同部位，发光强度变得不均匀。若该平均粒径不到20nm,则对第一焚光体进行处理的操作性变差。在仅通过粉碎不能得到目标粒径时，可进行分级的组合。作为分级的方法，可使用过滤网分离、风力分级、液体中的沉淀法等。作为粉碎分级的一种方法，也可进行酸处理。烧结而得到的粉体凝聚体大多数情况下都形成如下状态，即，具有卩型Si3N4晶体结构的氮化物或氮氧化物的单晶体在以微量的玻璃相为主体的粒界相牢固粘合。此时，若浸入特定组成的酸中，则以玻璃相为主体的粒界相可选择地溶解，单晶体分离。由此，各粒子不是单晶体的粉体凝聚体，作为由具有(3型Si3N4晶体结构的氮化物或氮氧化物的一个单晶体形成的粉末(粒子)而得到。由于这样的粉末由表面缺陷少的单晶体构成，故荧光体的亮度变得特别高。通过以上工序可得到微细的第一荧光体，但为了进一步提高亮度，再次对该第一焚光体进行加热处理是有效的。此时，可在1000。C以上烧结温度以下的温度范围内，进一步对烧结后的粉体凝聚体、或通过粉碎或分级被粒度调整后的第一荧光体进行加热处理。在比1000。C低的温度下，表面的缺陷去除的效果小。由于在超过烧结温度的温度下进行热处理会使粉碎的粉末(粒子)彼此再次粘合，故不优选。适于热处理的气体环境因荧光体的组成不同而不同，可使用从氮气、空气、氨气、氢气中选择的一种或两种以上的混合气体环境。因氮气环境具有良好的缺陷去除效果，故优选。如上所述得到的氮氧化物即第一荧光体与通常的氧化物荧光体或已有的硅铝陶资焚光体相比，可具有从紫外线开始到可见光的宽度宽的激发范围。另外，可见光、特别是添加有Eu的物质可发出绿光。其特征为发光光谱的宽度窄，适用于图像显示装置的背光光源。不仅如此，即便暴露在高温下也不会劣化，故具有良好的耐热性，也具有在氧化环境及潮湿环境(水分環境)下长时间的稳定性。接着，根据如下所示的实施例进一步详细说明本发明，这些实施例有助于容易地理解本发明，但本发明并不限于这些实施例。(实施例)在以下的实施例中，使用下述测定方法。发光峰值波长、发光光谱的半值全幅及激发光谱的测定考文献照明学会誌第83巻第2号平成11年p87—93、NBS標準萤光体O量子効率(D測定、大久保和明他著)。另外，关于荧光体及发光装置的发光峰值波长、发光光谱的半值全幅及激发光谱的测定，使用分光光度计F4500(日立製作所製日立制作所制)。<第一荧光体的制作作为出发原料使用Si粉末时〉首先，将本发明的发光装置中包含的、作为出发原料使用Si粉末的第一荧光体作为荧光体1~4，如下制作。作为原料混合物的原料粉末使用通过45|am过滤网后的纯度99.99%的Si粉末(高纯度化学制试剂级)、比面积3.3m々g、氧含有量0.79%的氮化铝粉末(卜夕卞^製F夕、'P—K:德山制F级)、纯度99.9。/。的氧化铕粉末(信越化学製信越化学制)。另外，使用氮化硅粉末代替Si粉末，并且将添加了碳粉末的第一焚光体作为荧光体5-7来制作。关于荧光体5的制造方法，在后面详述。关于使用氮化硅粉末代替Si粉末的比较萸光体1的制造工序，也在后面详述。表1中，汇总荧光体14及比较荧光体1的、基于原子比的设计组成。表2中，汇总尽可能称重表1的设计组成的、荧光体14及比较荧光体1的混合组成(质量％)。为了得到表1所示的设计组成的化合物，对原料粉末进行规定量称重以构成表2的组成，使用氮化硅烧结体制的研钵和研棒混合10分钟以上后，通过250pm的过滤网，从而得到流动性良好的粉体凝聚体。使该粉体凝聚体自然落入直径为20mm、高度为20mm大小的氮化硼制坩埚中。接着，将该坩埚放入石墨电阻加热方式的电炉中进行烧结处理而得到试样。烧结操作如下进行，首先利用扩散泵使烧结环境形成真空，以每小时500。C的速度从室温加热到800。C，在800"时导入纯度99.999体积％的氮气并使压力为0.5MPa，以每小时500。C的速度升温到1300°C，此后，以每分钟rc的速度升温到1600°C,在该温度下保持8小时。使用玛瑙制的研钵将合成的该试样粉碎成粉末，进行使用Cu的Ka线的粉末X射线衍射测定(XRD)。其结果是，得到的图形(千^一卜)都具有卩型Si3N4属晶体结构。接着，对该粉末再次进行加热处理。使用氮化硅制的研钵和研棒将在160(TC烧结的该粉末粉碎后，使其自然落入直径为20mm、高度为20mm大小的氮化硼制坩埚中。接着，将该坩埚放入石墨电阻加热方式的电炉中进行烧结处理而得到试样。烧结操作如下进行，首先利用扩散泵使烧结环境形成真空，以每小时500。C的速度从室温加热到800°C，在800。C时导入纯度99.999体积％的氮并使压力为lMPa，以每小时500。C的速度升温到1900°C，在该温度下保持8小时。使用玛瑙制的研钵将合成的试样粉碎成粉末，进行使用Cu的Ka线的粉末X射线衍射测定(XRD)。其结果是，得到的图形(fY—卜)都具有p型Si3N4属晶体结构。使用LECO公司制TC436型氧氮分析仪，测定这些合成粉末中含有的氧及氮含有量。氧测定时使用惰性气体溶解红外线吸收法，氮测定时使用惰性气体溶解热传导法。表3中，汇总作为测定结果的荧光体14及比较荧光体1的氧氮含有量。如表3所示，焚光体1~4的氧含有量为0.5质量％以下。在此，表3所示的氧含有量比根据表1中的设计组成(原子比)的组成量多。例如，如果为表1的比较荧光体1的设计组成所示的氧含有量，则表3中的氧含有量(质量％)应该为0.14质量°/。左右。其理由如下所述。作为出发原料而使用的Si粉末及氮化铝粉末的表面被氧化，形成氧化硅膜及氧化铝膜。并且，一旦原料通过粉碎工序、干燥工序被粉碎，则Si粉末及氮化铝粉末表面被氧化，氧含有量增大。另外，在高温下进行的烧结处理中的氮环境中也含有lppm左右的氧或水分，其与试样发生反应，使氧含有量增大。根据如上所述的理由，相比表1所示的设计组成，表3所示的氧含有量成为较高的值。对再次加热处理后的粉末使用发出波长365nm的光的灯泡进行照射，其结果是，确认发出绿光。使用荧光分光光度计测定该粉末的发光光谱及激发光谱。表4中，表示激发光的峰值波长(表中为"激发波长")、荧光体的荧光的峰值波长(表中为"发光波长，，)及发光光谱的半值全幅(表中为"半幅值")。如表4所示，可知第一荧光体即荧光体1~4的激发光谱的峰值波长位于300303nm范围内，对发光光谱而言，发光光谱的峰值波长位于524~527nm范围内的为绿色焚光体。相比以往报道的以卩型硅铝陶瓷为基质的绿色荧光体这些波长为短波长，且为色纯度高的绿光。图6~图9表示各荧光体1~4的激发光光谱和发光光谱。另外，由于发光强度因测定装置或条件而变化，故单位为任意单位。各横轴表示波长(nm),纵轴表示发光强度(任意单位)。如图6~图9所示，表示第一荧光体即荧光体1~4分别发出发光光谱中的半值全幅为55nm以下这样小且锐利的绿光。图16是绘制表3及表4的数据而形成的、表示第一荧光体的氧含有量和发光峰值波长的半值全幅的关系的图表。图16的横轴表示氧含有量(质量％)，纵轴表示半值全幅(nm)。由图15和图16的关系也可知道，本发明的第一荧光体的氧含有量为0.5质量°/。以下、半值全幅为55nm以下，故实现了NTSC比为95%以上。这是因为，如图16所示，本实施例的第一荧光体的氧浓度为0.8°/。以下。<比较荧光体1的制作>原料粉末使用比面积3.3m2/g、氧含有量0.79%的氮化铝粉末(卜夕亇^製F夕、'^一K:德山制F级)、纯度99.9%的氧化铕粉末(信越化学製信越化学制)及氧含有量0.93质量％、a型Si3N4晶体含有量92%的氮化硅粉末(宇部興産製SN—E10夕、》一K:宇部与产制SN-E10级)。首先，为了得到Eu。.Q27Sim5Al。.490,N,5.32所示的设计组成的化合物，进行规定量称重以构成氮化硅粉末95.82质量％、氮化铝粉末3.37质量％、氧化铕粉末0.81质量％的组成，使用氮化硅烧结体制的研钵和研棒混合10分钟以上后，通过250|iim的过滤网，从而得到流动性良好的粉体凝聚体。使该粉体凝聚体自然落入直径为20mm、高度为20mm大小的氮化硼制坩埚中。接着，将该坩埚放入石墨电阻加热方式的电炉之后，利用扩散泵使烧结环境形成真空，以每小时500。C的速度从室温加热到800°C，在800。C时导入纯度99.999体积°/。的氮并使压力为lMPa,以每小时500°C的速度升温到1900°C,在该温度下保持8小时而得到试样。使用玛瑙制的研钵将合成的试样粉碎成粉末，进行使用Cu的Ka线的粉末X射线衍射测定(XRD)。其结果是，由该粉末得到的图形(f^一卜)都具有卩型Si3N4属晶体结构。使用LECO公司制TC436型氧氮分析仪，测定这些合成粉末中含有的氧及氮含有量，结果如表3所示，该粉末的氧含有量为1.12质量％，相比使用金属硅(Si)作为出发原料的荧光体1~4，可知其氧含有量高。氮化硅粉末中含有的氧含有量比金属硅(原料中氧含有量为0.5质量％以下)高。由此可知，若以氮化硅为出发原料，则相比以金属硅(Si)粉末为出发原料的情况，氧含有量增大。图13表示比较荧光体1的激发光光谱和发光光谱。该材料的荧光光谱如图13所示，发光光谱的峰值波长为537nm，相比以金属硅(Si)粉末为出发原料的情况，其为长波长，半值全幅为58nm的宽幅度。<第一荧光体的制作作为出发原料使用氮化硅粉末时〉代替Si粉末，使用氮化硅粉末作为出发原料，并且，将添加了碳粉末的第一荧光体作为荧光体5~7，如下所述制作。作为原料混合物的原料粉末使用氧含有量0.93质量％、a型Si3N4晶体含有量92%的氮化硅粉末(宇部興産製SN—EIO夕、、^一K:宇部与产制SN-E10级)、比面积3.3m2/g、氧含有量0.79%的氮化铝粉末(卜夕亇7製F夕、'k一K:德山制F级)、纯度99.9%的氧化铕粉末(信越化学製信越化学制)及碳粉末(三菱化成製力一求y7'、，y夕三菱化成制炭黑MA-600B)。首先，为了得到表1所示的设计组成的化合物，进行规定量称重以构成氮化硅粉末95.82质量％、氮化铝粉末3.37质量％、氧化铕粉末0.81质量%的组成，相对原料混合物的总质量，以1质量％的比例添加碳粉末，使用氮化硅烧结体制的研钵和研棒混合10分钟以上后，通过250|am的过滤网，从而得到流动性良好的粉体凝聚体。将其作为荧光体5的原料混合物。接着，进行规定量称重以构成氮化硅粉末95.82质量°/。、氮化铝粉末3.37质量％、氧化铕粉末0.81质量％的组成，相对原料混合物的总质量，以1质量％的比例添加碳粉末。向其中添加乙醇而形成糊膏，使用喷雾干燥装置对该糊膏进行喷雾干燥处理，得到粉体凝聚体。将其作为荧光体6的原料混合物。另外，作为喷雾干燥装置使用必弛制B-290(匕、二、乂匕(BUchi)製B-290)。接着，进行规定量称重以构成氮化硅粉末95.82质量％、氮化铝粉末3.37质量％、氧化铕粉末0.81质量°/。的组成，使用氮化硅烧结体制的研钵和研棒混合10分钟以上后，通过250jim的过滤网，从而得到流动性良好的粉体凝聚体。将其作为荧光体7的原料混合物。使该粉体凝聚体(荧光体5~7的原料混合物)自然落入直径为20mm、高度为20mm大小的氮化硼制坩埚中。关于荧光体7，将放入粉体凝聚体的氮化硼制坩埚进而放入容量大的氮化硼制坩埚中，在放入粉体凝聚体的氮化硼制坩埚周围填充活性碳。接着，将该坩埚放入石墨电阻加热方式的电炉中进行烧结处理而得到试样。烧结操作如下进行，首先利用扩散泵使烧结环境形成真空，以每小时500。C的速度从室温加热到800°C,在800。C时导入纯度99.999体积％的氮并使压力为lMPa,以每小时500。C的速度升温到1900°C，在该温度下保持8小时。使用玛瑙制的研钵将合成的试样粉碎成粉末，进行使用Cu的Ka线的粉末X射线衍射测定(XRD)。其结果是，得到的图形(^"^一卜)都具有卩型Si3N4属晶体结构。使用LECO公司制TC436型氧氮分析仪，测定这些合成粉末中含有的氧及氮含有量。氧测定时使用惰性气体溶解红外线29吸收法，氮测定时使用惰性气体溶解热传导法。表3中，汇总作为测定结果的荧光体57及比较荧光体1的氧氮含有量。如表3所示，焚光体5~7的氧含有量为0.5质量％以下。对制作的粉末使用发出波长365nm的光的灯泡进行照射，其结果是，确认发出绿光。使用荧光分光光度计测定该粉末的发光光语及激发光谱。表4中，表示激发光的峰值波长(表中为"激发波长")、荧光体的荧光的峰值波长(表中为"发光波长，，)及发光光谱的半值全幅(表中为"半幅值，，)。如表4所示，可知第一荧光体即荧光体5~7的激发光谱的峰值波长位于301~302nm范围内，对发光光谱而言，发光光谱的峰值波长位于525~526nm范围内的为绿色荧光体。相比以往报道的以卩型硅铝陶瓷为基质的绿色荧光体，这些波长为短波长，且为色纯度高的绿光。图10~图12分别表示荧光体5~7的激发光光谱和发光光语。另外，由于发光强度因测定装置或条件而变化，故单位为任意单位。各横轴表示波长(nm)，纵轴表示发光强度(任意单位)。如图10~图12所示，表示第一荧光体即荧光体5~7分别发出发光光谱中的半值全幅为55nm以下这样小且锐利的绿光。图16是绘制表3及表4的数据而形成的、表示第一荧光体的氧含有量和发光峰值波长的半值全幅的关系的图表。图16的横轴表示氧含有量(质量％)，纵轴表示半值全幅(nm)。由图15和图16的关系也可知道，本发明的第一荧光体的氧含有量为0.5质量％以下、半值全幅为55nm以下，故实现了NTSC比为95%以上。可认为这是因为，如图16所示，本实施例的第一荧光体的氧浓度为0.8%以下。在此，为了研究本发明制造方法中的碳粉末的添加量，向原料混合物中添加碳添加量为0.1质量％、0.5质量％、1.0质量％及2.0质量％，利用与上述"作为出发原料使用氮化硅粉末的制造方法"相同的方法制作第一荧光体。结果如表5所示。表5表示碳粉末的添加量、氧含有量、荧光体的荧光的峰值波长(表中为"发光波长")及发光光谱的半值全幅(表中为"半幅值")。如表5所示，可确认随着原料混合物中碳粉末的添加量的增加，第一荧光体中的氧含有量减少。由表5可知，为了使荧光体的氧含有量为0.8%以下，至少需要添加O.l质量％以上的碳粉末。另外，碳粉末的添加量为1.0质量％和2.0质量％时氧含有量几乎不变，由此可知，即便添加1.0质量％以上，氧含有量也不减少。另外，向原料混合物中添加超过10质量％的碳粉末，制作第一焚光体。此时的结果未在表5中记载，但若添加超过10质量％的碳粉末，则制作的第一荧光体中的碳粉末的残留增多。可确认该第一荧光体的发光效率显著降低。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><实施例1:发光装置〉以下，参照图1说明使用上述第一荧光体即荧光体1的本发明的发光装置的实施例。图1所示的发光装置在作为基体的印刷配线基板101上配置有半导体发光元件102。半导体发光元件102作为有源层具有InGaN层103。另外，在树脂框104内侧填充由使荧光体分散的透光性树脂构成的模制树脂105并密封半导体发光元件102。在该树脂框104内侧，使用具有导电性的粘接剂111电连接电极部106和半导体发光元件102的n侧电极107，该电极部106从印刷配线基板101的上面配置到背面。另一方面，半导体发光元件102的p侧电极108利用金属导线109与电极部110电连接，该电极部IIO从印刷配线基板101的上面配置到背面。分散到模制树脂105中的荧光体使用氧浓度为0.8质量％以下的作为第一荧光体的荧光体1和作为第二荧光体的Eu活化CaAlSiN3荧光体。此时，模制树脂第一荧光体Eu活化CaAlSiN3荧光体的混合质量比设为50:6:1。图14表示放大焚光体2的激发光谱的情况。在此，半导体发光元件102的发光峰值波长设定为445nm。荧光体1~5的激发光谱与比较荧光体1相比，激发光谱的形状呈微细结构。如图14所示，当着眼于440nm450nm之间的激发光谱时，可知激发光谱的极大值位于445nm的位置。由此可知，优选将激发光的峰值波长设置在该位置附近。<实施例2~5:发光装置>实施例2~5除作为第一荧光体分别使用荧光体2~5之外，全部与实施例1同样地制作发光装置。图17表示从实施例2的发光装置发出的发光光谱。在此，半导体发光元件102的发光峰值波长设为445nm。如图17所示，不仅从半导体发光元件102发出蓝光、从第一荧光体发出绿光，还从第二荧光体即Eu活化CaAlSiN3荧光体发出红光，由本发明的发光装置得到锐利的三原色发光。其与图3所示的上述液晶背光用滤色器的透过光谱非常匹配，适用于色再现性优良的图像处理装置。在本实施例的情况下，具有氮氧化物荧光体即第一荧光体的结晶稳定性和发光效率的温度依赖性少的优点，在各种环境下可提供稳定的发光光谱。另外，与使用氧化物焚光体等其它荧光体的情况相比，发光装置的长期可靠性也格外优良。<实施例6:发光装置>以下参照图1进行说明。作为分散到模制树脂105中的荧光体，除了使用氧浓度为0.8质量％以下的作为第一荧光体的荧光体2和作为第二荧光体的Eu活化CaA1SiN3,还使用作为第三荧光体的蓝色荧光体(BaMgAl，oOn:Eu2+(BAM))。图18表示从实施例6的发光装置发出的发光光谱。在此，半导体发光元件102的发光峰值波长设为405nm。这样，从半导体发光元件102发出的近紫外光即405nm的激发光通过第一荧光体变换为绿色荧光，通过作为第二荧光体的Eu活化CaAlSiN3荧光体变换为红色荧光，并且通过第三荧光体变换为蓝色荧光，得到图18所示的锐利的三原色发光。可知，其与图3所示的上述滤色器的透过光谱非常匹配，适用于色再现性优良的图像处理装置。在本实施例的情况下，由于三原色的发光都是通过荧光体而得到，故具有如下优点，即，几乎不会产生发光峰值波长因周围温度等环境变化而变动。在本实施例的情况下，如图7所示，由于作为第一荧光体的荧光体2的激发光谱，与可见光区域相比，近紫外区域的高，故具有发光效率高的优点。本实施例这样的发光装置即便代替焚光体2而具有荧光体1、荧光体3-5中的任一个荧光体，如图6、图8图10所示，由于第一荧光体的激发光谱，与可见光区域相比，近紫外区域的高，故也具有发光效率高的优点。图14表示放大荧光体2的激发光谱的情况。在此，半导体发光元件102的发光峰值波长设定为405nm。若详细地研究焚光体1~5的第一焚光体的激发光谱，则与比较荧光体l相比，激发光谱的形状呈微细结构。如图14所示，当着眼于400nm-410nm之间的激发光谱时，可知激发光谱的极大值位于405nm的位置。由此可知，优选将激发光的峰值波长设置在该位置附近。本实施例的半导体装置可直接应用于本发明的图像显示装置中，得到较高的色再现区域。<实施例7:发光装置>以下，参照图1进行说明。作为发光装置，制作绿色发光装置，该绿色发光装置仅将由实施例1说明的氧浓度为0.8质量％以下的第一荧光体分散到模制树脂105中，并将半导体发光元件102的发光峰值波长设为405nm。另外，制作红色发光装置，该红色发光装置仅将作为第二荧光体的Eu活化CaAlSiN3荧光体分散到模制树脂105中，并将半导体发光元件102的发光峰值波长设为405nm。作为蓝色发光装置，制作不将任何荧光体分散到模制树脂105中而将半导体发光元件102的发光峰值波长设为445nm的蓝色发光装置。图19表示从绿色发光装置发出的发光光谱。图20表示从红色发光装置发出的发光光谱。图21表示从蓝色发光装置发出的发光光谱。这样，从半导体发光元件102发出的近紫外光通过第一荧光体变换为绿色。从半导体发光元件102发出的近紫外光通过Eu活化CaAlSiN3荧光体变换为红色。另外，与蓝色发光装置的发光合成而得到蓝、绿、红的锐利的三原色发光。该发光装置与图3所示的上述液晶背光用滤色器的透过光谱非常匹配，适用于色再现性优良的图像处理装置。在本实施例的情况下，如图6所示，由于在实施例1中使用的、作为第一荧光体的荧光体1的激发光谱，与可见光区域相比，近紫外区域的高，故具有发光效率高的优点。本实施例这样的发光装置即便代替荧光体1而具有焚光体25中的任一个荧光体，如图7~10所示，由于第一荧光体的激发光语，与可见光区域相比，近紫外区域的高，故也具有发光效率高的优点。在此，将半导体发光元件102的发光峰值波长设为405nm的目的如下所述。图14表示放大荧光体2的激发光谱的情况。在此，半导体发光元件102的发光峰值波长设定为405nm。若详细地研究荧光体1~5的激发光语，则与比较荧光体l相比，激发光谱的形状呈微细结构。如图14所示，当着眼于400nm~410nm之间的激发光谱时，可知激发光谱的极大值位于405nm的位置。由此可知，优选将激发光的峰值波长设置在该位置附近。<实施例8:图像显示装置>以下，参照图2A及图2B进行说明。在透明的导光板203侧面配置有多个实施例1所示的发光装置201a~201f。在导光板203上部邻接配置有液晶显示部210。从发光装置201a~201f发出的发射光202在导光板203内散射，作为散射光204照射液晶显示部210的整个面。在偏光板211的上部配置具有薄膜晶体管212的透明电极层213a、两侧被定向膜214a及214b夹持的液晶层215、上部薄膜电极213b。并且，配置用于显示色像素的滤色器216、上部偏光板217。滤色器216被分割成大小与透明电极层213a的各像素对应的部分，由使红光透过的红滤色器216r、使绿光透过的绿滤色器216g、使蓝光透过的蓝滤色器216b构成。图3表示本发明的优选滤色器的透过率光谱。通过组合这样的滤色器和实施例1的发光装置，从而可实现能显示红、蓝、绿三原色的图像显示装置。在此，使用使蓝光透过的滤色器中的对波长530nm的透过率为透过率最大值的20%以下的滤色器。<实施例9:图像显示装置>以下，参照图4A及图4B进行说明。在透明的导光板203侧面配置有多个实施例7说明的绿色发光装置1701g、红色发光装置1701r及蓝色发光装置1701b。在导光板203的上部邻接配置液晶显示部210。从发光装置发出的发射光202在导光板203内散射，作为散射光204照射液晶显示部210的整个面。以下，基于图4B进行说明。在偏光板211的上部配置具有薄膜晶体管212的透明电极层213a、两侧被定向膜214a及214b夹持的液晶层215、上部薄膜电极213b。并且，配置用于显示色像素的滤色器216、上部偏光板217。滤色器216被分割成大小与透明电极层213a的各像素对应的部分，由使红光透过的红滤色器216r、使绿光透过的绿滤色器216g、使蓝光透过的蓝滤色器216b构成。图3表示本发明的优选滤色器的透过率光语。通过将这样的滤色器与实施例7中的发光装置进行组合，从而可实现能显示红、蓝、绿三原色的图像显示装置。在此，使用使蓝光透过的滤色器中的对波长530nm的透过率为透过率最大值的20%以下的滤色器。<实施例10:图像显示装置>以下，参照图5A进行说明。在透明的导光板203侧面配置有多个实施例7说明的绿色发光装置1701g、红色发光装置1701r及蓝色发光装置1701b。在导光板203的上部邻接配置液晶显示部210。^^发光装置发出的发射光202在导光板203内散射，作为散射光204照射液晶显示部210的整个面。以下，参照图5B。在偏光板211的上部配置具有薄膜晶体管的透明电极层213a、两侧被定向膜214a及214b夹持的液晶层215、上部薄膜电极213b。在本实施例中，不使用三原色用的滤色器。由于图像显示装置与三原色的发光装置独立设置，故分时驱动各颜色的发光装置。例如，在频率为180Hz时使各颜色点亮熄灭，利用液晶进行对比度调整。通过时序地对其进行加色混合，从而确认进行图像显示。以上实施例中的图像处理装置为了便于说明，构成为使发光装置的发光从侧面入射到导光板，但不言而喻也可构成为从液晶显示部的背面照射，可得到同样的效果。以上详细地说明了本发明，但其仅仅用于例示，并不限定本发明。本发明可由要求保护的范围而清楚地明了。权利要求1.一种发光装置，包括发出激发光的半导体发光元件和吸收所述激发光而发出绿光的第一荧光体，其特征在于，所述第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有β型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素M而形成，所述晶体中的含氧量为0.8质量％以下。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一荧光体通过照射所述激发光而发出在波长520nm~550nm范围内具有峰值波长的绿光。3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一荧光体通过照射所述激发光而发出在波长520nm~535nm范围内具有峰值波长的绿光。4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属元素M为Eu，所述第一荧光体的发光光谱的半值全幅为55nm以下。5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发出所述激发光的所述半导体发光元件的发光峰值波长为390nm~480nm。6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发出所述激发光的所述半导体发光元件的发光峰值波长为390nm~420nm。7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发出所述激发光的所述半导体发光元件的发光峰值波长为400nm~410nm。8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发出所述激发光的所述半导体发光元件的发光峰值波长为430nm480nm。9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发出所述激发光的所述半导体发光元件的发光峰值波长为440nm450nm。10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包含第二荧光体，该第二荧光体通过照射所述激发光而发出红光。11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述第二荧光体通过照射所述激发光而发出在波长600nm670nm范围内具有峰值波长的红光。12.如权利要求IO所述的发光装置，其特征在于，所述第二荧光体的发光光谱的半值全幅为95nm以下。13.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述第二荧光体包含Eu活化CaAlSiN3。14.如权利要求IO所述的发光装置，其特征在于，所述第二焚光体包含Eu活化M2Si5N8(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素)及Eu活化Sr2Si5N8中的至少一种。15.如权利要求IO所述的发光装置，其特征在于，包含第三荧光体，该第三焚光体通过照射所述激发光而发出蓝光。16.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包含第三荧光体，该第三荧光体通过照射所述激发光而发出蓝光。17.—种图像显示装置，以权利要求1所述的发光装置作为背光光源。18.—种图像显示装置，以权利要求1所述的发光装置作为背光光源，包含分别透过红光、绿光及蓝光的滤色器。19.如权利要求18所述的图像显示装置，其特征在于，透过蓝光的蓝滤色器对波长530nm光的透过率为透过率最大值的20%以下。20.—种第一焚光体的制造方法，第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有(3型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素M而形成，所述晶体中的含氧量为0.8质量％以下，其特征在于，具有在含氮环境中在1200。C以上、2200。C以下的温度范围内对原料混合物进行烧结处理的工序，该原料混合物包含含有Si的金属或其无机化合物、含有Al的金属或其无机化合物、含有金属元素M(其中，M为从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素)的金属或其无机化合物、含有碳的固体粉末。21.如权利要求20所述的第一荧光体的制造方法，其特征在于，所述原料混合物包含氮化硅粉末、氮化铝粉末、氧化铕粉末、碳粉末。22.如权利要求20所述的第一荧光体的制造方法，其特征在于，包含如下操作，即，形成由所迷原料混合物和醇构成的糊膏，使用喷雾干燥装置对该糊膏进行喷雾干燥处理。23.如权利要求20所述的第一荧光体的制造方法，其特征在于，所述原料混合物包含氮化硅粉末、氮化铝粉末、氧化铕粉末，将所述原料混合物放入氮化硼制或石墨制坩埚中，在所述坩埚周围配置碳粉末。24.如权利要求20所述的第一焚光体的制造方法，其特征在于，所述原料混合物中的碳粉末量为0.1~10质量％。25.如权利要求20所述的第一荧光体的制造方法，其特征在于，所述原料混合物中的碳粉末量为0.5~2质量％。26.如权利要求20所述的第一焚光体的制造方法，其特征在于，所述原料混合物中的碳粉末的平均粒径为0.01~ljim。27.如权利要求20所述的第一荧光体的制造方法，其特征在于，所述原料混合物中的碳粉末的平均粒径为0.5~5mm。28.如权利要求20所述的第一荧光体的制造方法，其特征在于，在所述烧结处理工序之后，将荧光体粉末在空气中在500°C~800。C的温度加热，从而除去剩余碳。全文摘要本发明提供一种发光光谱形状与光的三原色的滤色器(216)良好匹配的第一荧光体的制造方法、包含该第一荧光体的发光装置(201a)及使用该发光装置的图像显示装置。发光装置(201a)包括发出激发光的半导体发光元件(102)和吸收激发光而发出绿光的第一荧光体，第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有β型Si₃N₄晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素(M)而形成，所述晶体中的含氧量为0.8质量％以下。文档编号H01J1/63GK101315853SQ200810098708公开日2008年12月3日申请日期2008年5月30日优先权日2007年5月30日发明者原田昌道,广崎尚登,高桥向星申请人:夏普株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构