专利名称：荧光体的制作方法
技术领域：
本发明涉及荧光体c
背景技术：
荧光体被用于发光元件。作为发光元件可列举出荧光体激励源为电子线的电子 线激励发光元件(例如电子束管、场致发光显示器、表面电场显示器等)、荧光体的激励源 为紫外线的紫外线激励发光元件(例如液晶显示器用背光灯、三波长型荧光灯、高负荷荧 光灯等)、荧光体的激励源为真空紫外线的真空紫外线激励发光元件(例如等离子体显示 面板、稀有气体灯等)、荧光体的激励源为蓝色LED发出的光或紫外LED发出的光的白色 LED、荧光体的激励源为X射线的发光元件(X射线摄像装置等)等。就荧光体而言，通过照 射上述的激励源而得以发光。 作为现有的荧光体，专利文献1中公开有由Ca(La、 Gd) 4Si3013表示的化合物中含
有付活剂(也称催化剂)而成的荧光体。 专利文献1 :(日本)特开2006-206631号公报 上述荧光体中，在激励源照射后发光亮度难以降低这一点上是充分的，但从得到 示出高的发光亮度的荧光体的观点看还有改良的余地。本发明的目的在于，提供一种示出 更高的发光亮度的荧光体。
发明内容
本发明者为了解决上述课题而重复进行了刻意研究，其结果直至完成本发明。
S卩，本发明提供下述发明。 〈1〉、一种荧光体，由M1、 M2、 M3、 M4、卤素及0构成(在此，M1表示碱土类金属元素， Ms表示三价金属元素，if表示付活(activator)元素，M4表示四价的金属元素)，其中，
m1 : (m2+m3) : m4 :卤素的摩尔比为i :4:3: a(在此，a为o. oi以上3以下范围的值)。 〈2>如上述〈1>所述的荧光体，其中，M1含有Ba。 〈3>如上述〈1>或〈2>所述的荧光体，其中，M2含有Gd。 〈4>如上述〈1> 〈3>中任一项所述的荧光体，其中，M3含有Tb。 〈5>如上述〈1> 〈4>中任一项所述的荧光体，其中，M4含有Si。 〈6>如上述〈1> 〈5>中任一项所述的荧光体，其中，卤素为F。 〈7〉如上述〈l〉 〈6〉中任一项所述的荧光体，其中，a为1以上2以下的范围。 〈8> —种荧光体的制造方法，是上述〈1>所述的荧光体的制造方法，对金属化合物
混合物进行烧结，该金属化合物混合物是含有M^M^M^M4及卤素的金属化合物混合物(在
此，M1表示碱土类金属元素，M2表示三价金属元素，M3表示付活元素，M4表示四价的金属元
素)，且含有选自由M1的卤化物、M2的卤化物及M3的卤化物构成的组中的一种以上的卤化物。
〈9>如上述〈8>所述的荧光体的制造方法，其中，烧结时的保持温度是950°C以上 105(TC以下的温度。 〈10〉 一种荧光体，通过上述〈8>或〈9>记载的制造方法而得到。
〈11〉 一种荧光体桨料，其特征在于，具有上述〈1 〈7>中任一项或权利要求10所 述的荧光体。
〈12〉
而得到。
〈13〉体。 〈14〉 所述的荧光体。 本发明的荧光体示出更高的发光亮度，因此，作为发光元件用，特别是适合作为真 空紫外线激励发光元件用，另外，照射了电子线、紫外线、真空紫外线、蓝色LED、紫色LED、 X 射线等激励源后的发光亮度的降低也减少，工业上极其有用。
-种荧光体层，将上述〈11>所述的荧光体浆料涂敷在基板上后通过热处理 -种发光元件，其具有上述〈1> 〈7>中任一项或权利要求10所述的荧光 -种真空紫外线激励发光元件，其具有上述〈1> 〈7>中任一项或上述〈10>
图1是荧光体1及荧光体2的粉末X射线衍射图形； 图2是荧光体1及荧光体2的激励光谱(横轴表示激励波长，纵轴表示发光强度)。
具体实施例方式
下面，对本发明进行说明。 本发明提供一种荧光体，是由M^M^M^M^卤素及0构成的荧光体(在此，M1表 示碱土类金属元素，Ms表示三价金属元素，Ms表示付活元素，MA表示四价的金属元素)，
m1 : (m2+m3) : m4 :卤素的摩尔比为i :4:3: a(在此，a为o. oi以上3以下范围的值)。 本发明中，M1可列举Mg、 Ca、 Sr、 Ba，它们可以是一种或两种以上的任一情况。在
mh吏用上述的两种以上的情况下，摩尔比的m1 : (m2+m3) : m4 :卤素的作为m^勺数值使用
将各摩尔数合计并从该合计摩尔数所算出的数值。在作为M2、 M3、 M^卤素使用两种以上的 情况下也同样。从得到示出更高的发光亮度的荧光体的方面考虑，MM尤选含有Ba，更优选 是Ba。 本发明中，M2可列举Sc、Y、La、Gd，它们可以是一种或两种以上的任一情况。从得 到示出更高的发光亮度的荧光体的方面考虑，M2优选含有Gd，更优选是Gd。
本发明中，M3可列举Ce、 Pr、 Nd、 Pm、 Sm、 Eu、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb、 Mn，它们可以是 一种或两种以上的任一情况。从得到示出更高的发光亮度的荧光体的方面考虑，MM尤选含 有Tb，更优选是Tb。 另夕卜，本发明中，M2 : M3的摩尔比通常为3. 96 : 0. 04 3. 0 : l.O，优选为 3. 8 : 0. 2 3. 2 : 0. 8，更优选为3. 6 : 0. 4 3. 2 : 0. 8。 本发明中，M4可列举Si及/或Ge。从得到示出更高的发光亮度的荧光体的方面 考虑，MM尤选是Si。
本发明中，卤素可列举F、Cl、Br、I，它们可以是一种或两种以上的任一情况。从得 到示出更高的发光亮度的荧光体的方面考虑，卤素优选含有F，更优选是F。
另外，本发明中，a为0.01以上3以下的范围的值，从得到示出更高的发光亮度的 荧光体的方面考虑，优选O. 1以上2. 5以下的范围的值，更优选为1以上2以下的范围的值。
另外，本发明中，当然O表示氧原子。 其次，对制造本发明的荧光体的方法进行说明。本发明的荧光体可通过利用烧结 来对成为本发明的荧光体的金属化合物混合物进行烧结而制造。即，可通过对含有M1、 M2、 M3、M4及卤素的金属化合物混合物(在此，M1表示碱土类金属元素，M2表示三价金属元素，M3 表示付活元素，M4表示四价的金属元素)进行烧结来制造。 作为金属化合物混合物的原料的含有M1、 M2、 M3、 M4的金属化合物，例如可使用M1、 M2、 M3、 M4的氧化物，或氢氧化物、碳酸盐、硝酸盐、草酸盐等可通过高温分解成氧化物的物 质。另外，为了使金属化合物混合物中含有卤素，只要将含有M^M2、M3、M4的金属化合物和 卤化铵(例如氟化铵、氯化铵等)混和，或将含有上述的M1、 M2、 M3、 M4的金属化合物的一部 分置换为M1 、 M2 、 M3、 M4的卤化物即可。 从制造示出更高的亮度的荧光体的方面考虑，上述中，金属化合物混合物优选含 有选自由M1的卤化物、M2的卤化物及M3的卤化物构成的组中的一种以上的卤化物，更优选 含有M2的卤化物及/或M3的卤化物。另外，在金属化合物混合物含有M2的卤化物及/或 M3的卤化物的情况下，作为含有M1的金属化合物优选使用M1的碳酸盐，作为含有M4的金属 化合物优选使用MA的氧化物。 例如，本发明中优选的荧光体之一即Ba : (Gd+Tb) : Si : F的摩尔比为 1 : (3.4+0.6) : 3 : a的荧光体，可通过将BaC03、Gd203、TbF3及Si02以Ba : Gd : Tb : Si
的摩尔比为i : 3.4 : 0.6 : 3的方式进行称量、混合而得到的金属化合物混合物加以烧
结来制造。在此，可通过对后述的烧结时间、烧结温度加以控制来对a进行控制。 在上述的混合中，例如使用球磨机、V型混合机、搅拌机等通常工业上使用的装置。
另外，也可以使用湿式混合、干式混合的任一种。 上述金属化合物混合物虽然也依赖其组成，但可通过以例如900°C以上1500°C以 下的温度范围在0. 3小时以上100小时以下时间范围保持并烧结而得到本发明的荧光体。 在此，通过控制烧结时间、烧结温度，可控制荧光体中的a。在a的范围内，烧结时间越长，烧 结温度越高，则a越为减小的倾向。上述烧结时的保持温度优选为95(TC以上105(TC以下 的温度范围。 作为烧结时的环境，例如可列举有氮、氩等惰性气体环境；空气、氧含氧氮、含氧氩 等氧化性环境；含0. 1 10体积％氢的氮、含0. 1 10体积％氢的氩等还原性环境。另 外，为了在更强的还原环境进行烧结，添加适量的碳进行烧结也可。另外，准烧结时的环境 可以是大气等氧化性环境、还原性环境的任一种。 另外，在进行上述烧结前，也可以对金属化合物混合物以小于烧结时的保持温度 的温度进行保持并进行准烧结。进行准烧结的环境可以是惰性气体环境、氧化性环境、或还 原性环境的任一种。另外，也可以在准烧结后进行粉碎。 另外，将上述方法所得到的荧光体通过使用例如球磨机、喷沙机等进行粉碎。另 外，可进行清洗、分级。另外，为进一步提高得到的荧光体的亮度，也可以进行两次以上的烧结。 其次，对具有本发明的荧光体的荧光体浆料进行说明。 本发明的荧光体浆料作为其主成分含有本发明的荧光体及有机物，该有机物可列
举溶剂、粘合剂等。本发明的荧光体浆料是下述这样的荧光体浆料，可以按照与现有的发光
元件的制造中使用的荧光体浆料同样的方式使用，通过利用热处理使荧光体浆料中的有机
物挥发、燃烧、分解等而加以除去，可从本发明的荧光体得到实质的荧光体层。 就本发明的荧光体浆料而言，例如可通过特开平10-255671号公报中公开的公知
的方法制造，例如将本发明的荧光体和粘合剂和溶剂通过使用球磨机及三个辊混合而得到。 作为上述粘合剂，可以举出纤维素系树脂(乙基纤维素、甲基纤维素、硝基纤维 素、醋酸纤维素、纤维素丙酸酯、羟丙基纤维素、丁基纤维素、苄基纤维素、改性纤维素等)、 丙烯酸系树脂(丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯 酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、 甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟 乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苄酯、丙烯酸苯氧 酯、甲基丙烯酸苯氧酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、苯 乙烯、a -甲基苯乙烯丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯腈、甲基丙烯腈等单体中的至少一种的 聚合物)、乙烯_醋酸乙烯共聚物树脂、聚乙烯羧丁醛、聚乙烯醇、丙二醇、聚环氧乙烷、聚氨 酯系树脂、三聚氰胺系树脂、酚醛树脂等。 另外，作为上述溶剤，可举出例如一元醇中的高沸点的一元醇；乙二醇及甘油代 表的二醇及三醇等多元醇；将醇醚化及/或酯化而得的化合物(乙二醇单烷基醚、乙二醇二 烷基醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、二乙二醇单烷基醚乙酸酯、二乙二醇二烷基醚、丙二醇单烷 基醚、丙二醇二烷基醚、丙二醇烷基乙酸酯)等。 另外，荧光体浆料中，根据用途也可以将本发明的荧光体和与其不同的荧光体混 合使用。就作为与本发明的荧光体不同的荧光体而言，作为红色发光体例如有三价铕付 活氧化钇荧光体(Y203:Eu)、三价的铕付活氧硫化钇荧光体(Y202S:Eu)等，作为绿色发光 荧光体例如有铈、铽付活磷酸镧(LaP04:CE、 TB)及铽付活铈 铽 镁 铝荧光体((CETB) MgAlu019:TB)等。作为蓝色发光荧光体例如由铕付活锶磷酸盐荧光体(Sr5(P04)3Cl:Eu)、 铕付活锶 钡 钙磷酸盐荧光体((Sr， Ca， Ba)5(P04)3Cl:Eu)及铕付活钡 镁 铝荧光 体(BaMg2Al化027:Eu、BaMgAl^A7:Eu等)、硅酸盐荧光体((Sr， Ca， Ba)MgSi206:Eu、 (Sr， Ca， Ba)3MgSi208:Eu等)等。 将上述那样得到的荧光体浆料涂敷于基板上后进行热处理得到的荧光体其耐湿 性优异。作为基板，其材质可列举玻璃、树脂等，也可以是挠性的，其形状可以为板状、容器 状。另外，作为涂敷的方法，列举丝网印刷法、喷射法等。另外，作为热处理的温度，通常为 30(TC 60(TC。另外，在涂敷于基板上后进行热处理之前，也可以在室温 30(TC的温度下 进行干燥。 在此，作为具有本发明的荧光体的发光元件的例子，列举紫外线激励发光元件即 三波长形荧光灯并对其制造方法进行说明。三波长形荧光灯的制造方法例如可使用特开 2004-2569号公报中公开的公知的方法。即，将蓝色发光荧光体、绿色发光荧光体及红色发光荧光体按照成为发光色所要求的白色的方式进行适宜混合的三波长发光形荧光体例如 分散于聚氧化乙烯水溶液等中，来调制荧光体浆料。将该荧光体浆料涂敷于玻璃管的内面 后，以例如40(TC 90(TC的温度范围进行烤培，形成荧光膜。之后，经由滑块向玻璃管端部 的密封、管内的排气、水银及稀有气体的封入、排气管的拆封、灯座的安装等通常的工序，可 制造三波长形荧光灯。 其次，作为具有本发明的荧光体的发光元件的例子，例举真空紫外线激励发光元 件即等离子体显示面板并对其制造方法进行说明。作为等离子体面板的制造方法，例如可 使用特开平10-195428号公报(US6， 099， 753)中公开的公知的方法。即，可将由绿色发光 荧光体、红色发光荧光体、蓝色发光荧光体构成的各荧光体例如与由纤维素系树脂、聚乙烯 醇树脂构成的粘合剂及溶剂混合，来调制荧光体浆料。在背面基板的内面的、由隔壁区隔 且具备地址电极的条纹状的基板表面和隔壁面通过丝网印刷等方法涂敷荧光体浆料，并以 300 60(TC的温度范围进行热处理，得到各荧光体层。其上具备与荧光体层正交的方向的 透明电极及总线电极，重叠粘接有在内面设有电介质层和保护层的表面玻璃基板。将内部 排气并封入低压的Xe及Ne等稀有气体，形成放电空间，由此可制造等离子体显示面板。
其次，作为具有本发明的荧光体的发光元件的例子，列举电子线激励发光元件即 场致发光显示器并对其制造方法进行说明。作为场致发光显示器的制造方法，例如可使用 特开2002-138279号公报中公开的公知的方法。即，将由绿色发光荧光体、红色发光荧光 体、蓝色发光荧光体构成的各荧光体分别分散于例如聚乙烯醇水溶液等中，来调制荧光体 浆料。将该荧光体浆料涂敷于玻璃基板上后，进行热处理，由此得到荧光体层，制成面板。将 该面板和具有多个电子放出元件的后板经由支承框进行组装，同时将这些间隙一边真空排 气一边进行气体密封等，经由上述这样的常规的工序，可制造场致发光显示器。
其次，作为具有本发明的荧光体的发光元件的例子，列举白色LED并对其制造方 法进行说明。作为白色LED的制造方法，例如可使用特开平5-152609号公报及特开平 7-99345号公报等中公开的公知的方法。S卩，使至少含有本发明的荧光体的荧光体分散于环 氧树脂、聚碳酸脂树脂、硅橡胶等透光性树脂中，将分散有该荧光体的树脂以包围蓝色LED 或紫外线LED的方式进行成形，由此可制造白色LED。
实施例 其次，通过实施例对本发明进行详细说明，但本发明不限于这些实施例。 发光亮度的测定如下进行，将荧光体设于真空槽内，保持在6.7Pa(5X10—2Torr)
以下的真空中，使用激基激光146nm光源(々*才電機株式会社制H0012型)或激基激光
172nm光源(々-〉才電機社制、H0016型)照射真空紫外线。 荧光体中的卤元素的含量通过如下方法求得。 S卩，将称量好的荧光体粉末试样lg与焦磷酸一同加入蒸馏烧瓶内，将荧光体粉末 加热溶解，之后，将水蒸气导入到烧瓶(烧瓶保持在145°C )，将卤素充分抽出到水蒸气侧， 将水蒸气冷却，得到卤抽出液(得到的卤抽出液需要500ml程度)。 使用所得到卤抽出液对卤素的含量进行定量分析。卤素在是氟的情况下，只要使 用离子电极装置(例如力'J力^社制920A型)定量分析氟即可，在是氯的情况下，只要用 离子色谱装置(例如夕" < 才才、'7夕^社制DX-120型)分析抽出液即可。
荧光体的粉末X射线衍射图形通过使用了 CuKa的特性X射线的粉末X射线衍射
7法进行测定。测定装置使用株式会社'」力'々制的X射线衍射测定装置RINT2500TTR型。
比较例1 使用炭酸钡(関東化学株式会社制纯度99.99% )和氧化钆(信越化学工業 株式会社制纯度99. 99% )和氧化铽(信越化学工業株式会社制纯度99. 99% )和二 氧化硅(和光純薬工業株式会社制纯度99.99% )，以Ba : Gd : TB : Si的摩尔比为
i : 3.4 : 0.6 : 3的方式称量、混合后，在含2体积％ h2的n2环境中以14ocrc保持3小 时进行烧结，之后，徐冷至室温，得到荧光体i。图i表示荧光体i的x射线衍射图形。根据
图1得知，荧光体1为由BaGdwTb。.eSiA3表示的荧光体。另外，调查荧光体1中的氟(F) 含量，其结果为24卯m。 荧光体1在6. 7Pa(5X 10—2Torr)以下的室温(约25°C )的真空槽内通过使用受 激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012型)对其照射真空紫外线后，示出绿色发光， 所得到的亮度为100。 荧光体1在6. 7Pa(5X 10—2Torr)以下的室温(约25°C )的真空槽内通过使用受 激准分子172nm灯(々*才電機社制、H0016型)对其照射真空紫外线后，示出绿色发光， 所得到的亮度为100。 对荧光体l添加粘合剂(例如以1 : 9混合乙基纤维素和异丙醇得到的物 质)并进行混炼后，在空气中以60(TC保持30分钟而使粘合剂去除后的荧光体，在 6. 7Pa(5X10—2Torr)以下的室温(约25°C )的真空槽内使用受激准分子146nm灯("〉才 電機社制、H0012型)而照射真空紫外线后，示出绿色发光，此时的亮度与荧光体1几乎没 有变化(相对于荧光体1的亮度，亮度变化在2%以内)。
实施例1 使用炭酸钡(関東化学株式会社制纯度99. 99% )和氧化钆(信越化学工業株式 会社制纯度99. 99% )和氟化铽(関東化学株式会社制纯度99. 99% )和二氧化硅(和光 純薬工業株式会社制纯度99. 99X)，以Ba : Gd : Tb : Si的摩尔比为l : 3. 4 : 0. 6 : 3 的方式称量并混合后，在含2体积％ H2的N2的环境中以IOO(TC保持3小时并烧结，之后徐 冷至室温，得到荧光体2。图1表示荧光体2的X射线衍射图形。根据图1得知，荧光体2 的X射线衍射图形与荧光体1的图形不同。另外，调查荧光体2中的氟(F)的含量后得知， 其为25000卯m，荧光体的Ba : (Gd+Tb) : Si : F的摩尔比为l : 4 : 3 : 1.4。
荧光体2在6. 7Pa(5X 10—2Torr)以下的室温(约25°C )的真空槽内、通过使用受 激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光， 所得到的亮度为360(荧光体1的情况为100)。 荧光体2在6.7Pa(5X10—2Torr)以下的室温(约25tO的真空槽内通过使用受激 准分子172nm灯(々*才電機社制、H0016型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光， 所得到的亮度为219(荧光体1的情况为100)。 对荧光体2添加粘合剂(例如以1 : 9混合乙基纤维素和异丙醇而成的物质)并 混炼后，在空气中以60(TC保持30分钟而使粘合剂去除后的荧光体，在6. 7Pa (5 X 10—2Torr) 以下的室温(约25°C )的真空槽内通过使用受激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012 型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，此时的亮度与荧光体2几乎无变化(相对于 荧光体2的亮度，亮度变化在2 %以内)。
8
实施例2 使用炭酸钡(関東化学株式会社制纯度99.99% )和氧化钆(信越化学工業株式会社制纯度99. 99% )和氟化钆(関東化学株式会社制纯度99. 99% )和氧化铽(信越化学工業株式会社制纯度99. 99% )和二氧化硅(和光純薬工業株式会社制纯度99. 99% )，以炭酸钡(BaC03):氧化钆(Gd203):氟化钆(GdF3):氧化铽(Tb407) : 二氧化
硅(sio2)的摩尔比为i : 1.4 : 0.6 : o.i5 : 3的方式称量并混合后，在含2体积％ h2
的K环境中以100(TC保持3小时并烧结，之后徐冷至室温，得到荧光体3。另外，调查荧光体3中的氟(F)的含量后得知，为25000ppm，荧光体3中的Ba : (Gd+TB) : Si : F的摩尔
比为i : 4 : 3 : i. 4。 荧光体3在6.7Pa(5X10—2Torr)以下的室温(约25tO的真空槽内通过使用受激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，所得到的亮度为305(荧光体1的情况为100)。 荧光体3在6.7Pa(5X10—2Torr)以下的室温(约25tO的真空槽内通过使用受激准分子172nm灯(々*才電機社制、H0016型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，所得到的亮度为199(荧光体1的情况为100)。 对荧光体3添加粘合剂(例如以1 : 9混合乙基纤维素和异丙醇而成的物质)并混炼后，在空气中以60(TC保持30分钟而使粘合剂去除后的荧光体，在6. 7Pa (5 X 10—2Torr)以下的室温(约25°C )的真空槽内通过使用受激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，此时的亮度与荧光体3几乎无变化(相对于荧光体3的亮度，亮度变化为2%以内)。
实施例3 使用炭酸钡(関東化学株式会社制纯度99. 99% )和氧化钆(信越化学工業株式会社制纯度99. 99% )和氟化钆(関東化学株式会社制纯度99. 99% )和氧化铽(信越化学工業株式会社制纯度99. 99% )和氟化铽(関東化学株式会社制纯度99. 99% )和二氧化硅(和光純薬工業株式会社制纯度99.99%)，以炭酸钡(BaC03):氧化钆
(Gd2o3):氟化钆(GdF3):氧化铽(tba):氟化铽(TbF3) : 二氧化硅(s叫)的摩尔比为i : 1.55 : 0.3 : 0.075 : 0.3 : 3的方式称量并混合后，在含2体积％ h2的n2的环境
中以100(TC保持3小时并进行烧结，之后，徐冷至室温，得到荧光体4。另外，调查荧光体4中的氟素(F)的含量后得知，为25000ppm，荧光体4中的Ba : (Gd+Tb) : Si : F的摩尔比
为1 : 4 : 3 : i. 4)。 荧光体4在6.7Pa(5X10—2Torr)以下的室温(约25tO的真空槽内通过使用受激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，所得到的亮度为303(荧光体1的情况为100)。 荧光体4在6.7Pa(5X10—2Torr)以下的室温(约25tO的真空槽内通过使用受激准分子172nm灯(々*才電機社制、H0016型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，所得到的亮度为198(荧光体1的情况为100)。 对荧光体4添加粘合剂(例如以1 : 9混合乙基纤维素和异丙醇而成的物质)并混炼后，在空气中以60(TC保持30分钟而使粘合剂去除后的荧光体，在6. 7Pa (5 X 10—2Torr)以下的室温(约25°C )的真空槽内通过使用受激准分子146nm灯(々*才電機社制、H0012型)对其照射真空紫外线后，示出绿色的发光，此时的亮度与荧光体4几乎无变化(相对于荧光体4的亮度，亮度变化在2%以内)。 本发明的荧光体示出更高的发光亮度，因此，作为发光元件用，特别是作为真空紫外线激励发光元件用适合，另外，照射了电子线、紫外线、真空紫外线、蓝色LED、紫色LED、 X射线等激励源后的发光亮度的降低也减少，在工业上极其有用。
权利要求
一种荧光体，由M1、M2、M3、M4、卤素及O构成(在此，M1表示碱土类金属元素，M2表示三价金属元素，M3表示付活元素，M4表示四价的金属元素)，其中，M1∶(M2+M3)∶M4∶卤素的摩尔比为1∶4∶3∶a(在此，a为0.01以上3以下范围的值)。
2. 如权利要求l所述的荧光体，其中^含有Ba。
3. 如权利要求1或2所述的荧光体，其中，M2含有Gd。
4. 如权利要求1 3中任一项所述的荧光体，其中，M3含有Tb。
5. 如权利要求1 4中任一项所述的荧光体，其中，M4含有Si。
6. 如权利要求1 5中任一项所述的荧光体，其中，卤素为F。
7. 如权利要求l 6中任一项所述的荧光体，其中，a为1以上2以下的范围。
8. —种荧光体的制造方法，是权利要求1所述荧光体的制造方法，对金属化合物混合 物进行烧结，该金属化合物混合物是含有M1、 M2、 M3、 M4及卤素的金属化合物混合物(在此， M1表示碱土类金属元素，M2表示三价金属元素，M3表示付活元素，M4表示四价的金属元素)， 且含有选自由M1的卤化物、M2的卤化物及M3的卤化物构成的组中的一种以上的卤化物。
9. 如权利要求8所述的荧光体的制造方法，其中，烧结时的保持温度是950°C以上 105(TC以下的温度。
10. —种荧光体，是通过权利要求8或9记载的制造方法所得到的荧光体。
11. 一种荧光体浆料，其特征在于，具有权利要求1 7中任一项或权利要求10所述的 荧光体。
12. —种荧光体层，将权利要求11所述的荧光体浆料涂敷在基板上后通过热处理而得到。
13. —种发光元件，其具有权利要求1 7中任一项或权利要求10所述的荧光体。
14. 一种真空紫外线激励发光元件，其具有权利要求1 7中任一项或权利要求10所 述的荧光体。
全文摘要
本发明提供一种具有高的发光效率的荧光体，由M1、M2、M3、M4、卤素及O构成(在此，M1表示碱土类金属元素，M2表示三价金属元素，M3表示付活元素，M4表示四价的金属元素)，其中，M1∶(M2+M3)∶M4∶卤素的摩尔比为1∶4∶3∶a(在此，a为0.01以上3以下范围的值)。这样的荧光体可通过烧结金属化合物混合物而得到，该金属化合物混合物是含有M1、M2、M3、M4及卤素的金属化合物混合物(在此，M1、M2、M3、M4具有与上述相同的意思)，含有选自由M1的卤化物、M2的卤化物及M3的卤化物构成的组中的一种以上的卤化物。
文档编号H01J11/12GK101784637SQ20088010430
公开日2010年7月21日 申请日期2008年8月25日 优先权日2007年8月31日
发明者伊藤丰, 国本崇, 大观光德, 小林笃史, 山根明 申请人:住友化学株式会社;国立大学法人鸟取大学