专利名称：一种封接钼箔的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子元器件，特别是一种封接钼箔。
背景技术：
短弧超高强度放电灯是电极间距小于IOmm的HID光源，广泛用于具有较高亮度和 均勻度要求的定向照明装置，通常需要与特定光学系统配合实现特定照明目的。例如用于 电影放映机和探照灯的超高压氙灯、汽车前大灯的超高压氙气金卤灯，舞台影视照明的超 高压金卤灯、氙灯和汞灯，需要和光学系统配合使用的激光泵浦、医疗设备HID光源，以及 通过分光系统利用紫外、红外辐射的非照明HID光源等。这类光源的基本结构特征是采用 石英玻璃材质的泡管，利用焊接金属电极和引线的钼箔与石英玻璃熔封形成气密的放电腔 体。其共同技术特征是电极间距需要精确控制，同时，灯泡高温高压工作状态的稳定性需钼 箔和石英玻璃之间具有良好热应力匹配来保证。微显示投影用短弧超高压汞灯是这类光源的典型代表。这种光源是由管壁负荷高 于lOOW/cm2的石英玻璃泡管，封入的轴向对置钨电极，并填充密度高于0. 2mg/mm3的汞，约 104Pa的惰性气体和微量卤素作为工作物质制成。这种灯的极距可以短至1mm，工作时泡壳 需要承受约1000°C的高温和高于200atm的压强。现有技术中，上述短弧超高强度放电灯的电极组件均由钨电极、基本和电极直径 相同的钼引线和厚度约为20 30 μ m，边缘为刃口状的钼箔点焊形成。另外为了增加点焊 强度和电极组件的载流性，一般采在电极、引线和钼箔间分别用钽箔片过渡。现有技术中，上述短弧超高强度放电灯的封接，是将电极组件根据设定的极距，定 位于真空或惰性气体保护下的石英泡管中，然后控制火焰加热钼箔部位的石英管，使之熔 化收缩，与钼箔紧密贴合而形成封接部，并使电极杆固定于泡壳侧部石英中，则电极头处于 泡壳腔体中。为了尽量保证封接质量和电极在泡壳中的中正度，在封接时使泡壳和火焰相 对转动，以及对融熔态的封接部进行模压成型。在现有技术下，灯封接后极距偏差控制在0. 5mm已属极限。这主要是如下因素造 成1、电极，引线和钼箔的组焊误差。电极和引线与钼箔的同轴度偏差，而且这种偏差 由于钼箔和泡管的材料、结构特征，在焊接和装配中很难被修正，因而将表现在封接后的灯 芯中。即使对封接段模压处理也不会根本改善，特别在是极距精度要求高的情况下，这个问 题为本领域专业技术人员所公知。假设电极长度为10mm，目标极距1. 1mm。如果要保证 L2-L1S 0.1mm，则两电极的轴向偏差角须小于1.4°。实际上，在平钼片结构下，即便采用 工装，这种电极组件焊接精度也很难保证。2、石英管熔缩时的电极偏移。本领域专业技术人员公知，钼箔的宽度通常和石英 泡管的内径尽可能接近是封接工艺的一般要求。在封接时，由于负压和均勻加热，熔融的石 英泡管会沿径向同步收缩。电极组件在石英管中定位后，电极杆和石英泡管并不同轴，熔缩 的石英泡管会首先接触电极杆，对电极杆产生压力，将白炽态的电极杆压向另一侧，最终在另一侧的管壁结着钼箔时，实际上电极头已偏离石英泡管轴线并固定下来，这样，电极头会 向与钼箔焊接面的背面偏斜。另一方面，现有技术下电极杆、和钼箔之间的焊接存在焊点不均，虚焊、假焊问题， 以及由此造成组件载流量不足等质量、安全隐患。这是由于电极杆、引线直径和钼箔厚度相 差约10倍，脉冲电焊时很难保证电极杆和钼箔良好而均勻的浸润。特别在电极杆直径较 小，且高管壁负荷较高的情况下，采用激光焊接或用钽片过渡在电极杆和钼箔之间形成的 浸润面积不到电极杆截面积的1/5，也不能确保具有足够的载流量和强度。
实用新型内容发明目的针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种可以在有效保证短弧超 高强度放电灯封接极距精度和电极同轴度的同时，使电极焊点的浸润面积大大增加，确保 焊点载流量和强度的封接钼箔。技术方案本实用新型公开了一种封接钼箔，所述封接钼箔包括一对电极和一片 钼箔，所述钼箔为一长方形箔片，在钼箔上设有以钼箔长度方向的中心线为轴线的槽型结 构；所述的一对电极分别设置在槽型结构的两端，电极的一部分焊接在槽型结构内。所述槽型结构为和电极的半径相吻合的半圆弧形凹槽。所述槽型结构和钼箔的交接处设有不小于0. 2mm的倒角。本实用新型使用的钼箔采用厚度约为20 30 μ m、边缘为刃口装的钼箔，可以通 过冲压、挤压等冷加工方式成型。本实用新型所述的槽型结构的圆弧和电极的半径相同，无须特殊工装即可实现 精确而快速定位，可以有效控制电极的空间偏斜角度小于1°，从而可以使极距偏差小于 0. 05mmo由于中央纵贯的槽型结构，可以使厚度仅有20 30 μ m的钼箔被强直，使封接钼 箔整体具有了刚性，从而防止了钼箔弯曲产生的定位误差。本实用新型进行制造时由于槽型结构和电极同轴，石英管熔缩时在钼箔两侧同时 接触电极，且压力始终大小相等，方向相反。另外，由于槽型钼箔的弧面与电极杆或引线的 接触面较钼箔时大大增加，可以使它们之间的浸润面积达到电极杆截面积的2/5，从而使载 流量和强度得到保证。由于圆弧形凹槽和钼箔平展部之间由圆弧过渡，在封接时熔融石英玻璃可以和该 部位完全贴合，从而可以避免产生气线或连续气泡的可能，保证灯的气密性。有益效果本实用新型公开的一种封接钼箔，由于槽型结构的圆弧和电极的半 径相同，无须特殊工装即可实现精确而快速定位，可以有效控制电极的空间偏斜角度小于 1°，从而可以使极距偏差小于0.05mm;由于槽型钼箔的弧面与电极杆或引线的接触面较 钼箔时大大增加，从而进一步提高了灯的安全性和稳定性。
附图为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步的解释。本实用新型公开了一种封接钼箔，所述封接钼箔包括一对电极1和一片钼箔2，所述 钼箔2为一长方形箔片，在钼箔2上设有以钼箔2长度方向的中心线为轴线的槽型结构3 ；所 述的一对电极1的分别设置在槽型结构3的两端，电极1的一部分焊接在槽型结构3内。所述槽型结构3为和电极1的半径相吻合的半圆弧形凹槽。所述槽型结构3和钼箔2的交接处设有不小于0. 2mm的倒角。本实用新型使用的钼箔2采用厚度约为20 30 μ m、边缘为刃口装的钼箔2，可以 通过冲压、挤压等冷加工方式成型。本实用新型所述的槽型结构3的凹槽圆弧和电极1的半径相同，无须特殊工装即 可实现精确而快速定位，可以有效控制电极1的空间偏斜角度小于1°，从而可以使极距偏 差小于0. 05mm。由于中央纵贯的槽型结构3，可以使厚度仅有20 30 μ m的钼箔2被强直，使封接 钼箔整体具有了刚性，从而防止了钼箔2弯曲产生的定位误差。本实用新型进行制造时由于槽型结构3和电极1同轴，石英管熔缩时在钼箔2两 侧同时接触电极1，且压力始终大小相等，方向相反。另外，由于槽型钼箔3的弧面与电极 1的接触面较平钼箔时大大增加，可以使它们之间的浸润面积达到电极1截面积的2/5，从 而使载流量和强度得到保证。由于槽型结构3和钼箔2平展部之间由圆弧过渡，在封接时熔融石英玻璃可以和 该部位完全贴合，从而可以避免产生气线或连续气泡的可能，保证灯的气密性。本实用新型提供了一种封接钼箔的思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途 径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术 人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润 饰也应视为本实用新型的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以 实现。
权利要求一种封接钼箔，其特征是，所述封接钼箔包括一对电极(1)和一片钼箔(2)，所述钼箔(2)为一长方形箔片，在钼箔(2)上设有以钼箔(2)长度方向的中心线为轴线的槽型结构(3)；所述的一对电极(1)分别设置在槽型结构(3)的两端，电极(1)的一部分焊接在槽型结构(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种封接钼箔，其特征是，所述槽型结构(3)为和电极(1)的 半径相吻合的半圆弧形凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的一种封接钼箔，其特征是，所述槽型结构(3)和钼箔(2) 的交接处设有不小于0. 2mm的倒角。
专利摘要本实用新型公开了一种封接钼箔，封接钼箔包括，一对电极和一片钼箔，所述钼箔为一长方形箔片，在钼箔上设有以钼箔长度方向的中心线为轴线的槽型结构；所述的一对电极的分别设置在槽型结构的两端，电极的一部分焊接在槽型结构内。本实用新型公开的一种封接钼箔，由于槽型结构的圆弧和电极的半径相同，无须特殊工装即可实现精确而快速定位，由于槽型钼箔的弧面与电极杆或引线的接触面较钼箔时大大增加，从而进一步提高了灯的安全性和稳定性。
文档编号H01J61/36GK201751978SQ20102023262
公开日2011年2月23日 申请日期2010年6月22日 优先权日2010年6月22日
发明者任东华, 张亦弛, 张蔚东, 沈立 申请人:华夏立新(北京)投影科技有限公司