模组化大功率led隧道灯的制作方法

文档序号:2973548阅读:112来源:国知局
专利名称:模组化大功率led隧道灯的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种照明灯具,具体是一种以大功率发光二极管作为照明光源的 模组化大功率LED隧道灯。
背景技术
半导体照明是当前最具发展的高新科技领域之一。90年代以来,随着氮化镓为代 表的第三代半导体材料的出现,蓝色和白色发光二极管(LED)的研究成功,作为新型固态 光源,半导体照明光源成为人类照明史上续白炽灯,荧光灯之后又一代新的光源。我国是仅 次于美国的第二发电大国,2002年度我国的发电总量为1. 65万亿千瓦时,其中1. 34万亿千 瓦时为火力发电,照明用电约占总发电量的12%,相当于三峡水电站总发电量800亿千瓦 时的2-4倍,并且正以每年5%以上的速度增长,而半导体照明耗电量的白炽灯的1/8,是荧 光灯的1/2,其寿命约为白炽灯的30-50倍,是荧光灯的10-20倍,是节能与环保的“富矿”, 尽快发展。半导体照明,目前使用的是小功率LED,必须集中许多个才能达到设计要求,散热 不畅。为了平衡各个LED之间的电流,电压关系必须设计异常复杂的供电电路,而且小功率 LED只能组成面发光,不能形成聚光,没有光束,根本无法在建筑物外景,广告外景及文物照 明中使用,相比之下,大功率LED单体的,大的发热量就无法用简单的常用小功率LED器件 解决。目前采用的大功率芯片做照明光源在整装时由于芯片电极线的遮挡,使发光效果受 到很大影响,产生高发热量而无法正常使用。

实用新型内容为了解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供一种模组化大功率LED隧 道灯,来达到控制方便、光束射程远、有效散热的目的。为此,本实用新型采用以下技术方案模组化大功率LED隧道灯,包括灯体和设于灯体内的散热模组,其特征在于所述 的散热模组上连接有若干LED光源,所述的LED光源上覆盖有透镜,LED光源周围设有将光 源光线反射聚拢的反光罩,反光罩角度可调节地连于灯体上。采用多个大功率LED光源,合理控制这两个光源的出光角度,便能得到合适照射 区域和亮度,两个光源的控制也比较方便。散热模组能有效散热。作为对上述技术方案的完善和补充,本实用新型进一步采取如下技术措施或是这 些措施的任意组合所述散热模组一侧的灯体内设有电路控制器,该电路控制器通过设于散热模组中 的引线孔与LED光源相连,引线不影响灯具工作。所述的反光罩通过一角度调节机构与灯体相连,该角度调节机构为一曲臂机构。所述的反光罩为椭圆形或方形。所述的灯体背部连有可调节角度的U型固定支架。本实用新型的有益效果能准确控制光源的照射区域和亮度,低能耗,高光效,无眩光,光束射程远,能有效散热。
图1-图2为本实用新型的结构示意图;具体实施方式
如图1、2所示的模组化大功率LED隧道灯,散热模组5占据灯体的大部分空间,两 个LED光源4直接连接在散热模组上。LED光源上安装有透镜,其周围各设置一个反光罩 2。反光罩通过一个曲臂机构6可调节度地连接在灯体上,用以控制出射光角度和范围。灯体的一侧设置电路控制器3,它与LED光源通过从散热模组内穿过的引线电连 接,电路控制器控制光源的状态。灯体背部安装可调节角度的U型固定支架1。本实用新型透镜、反光罩及灯体的形状均可根据实际需要来选择。应当指出,本实施例仅列示性说明本实用新型的原理及功效,而非用于限制本实 用新型。任何熟悉此项技术的人员均可在不违背本实用新型的精神及范围下,对上述实施 例进行修改。因此,本实用新型的权利保护范围,应如权利要求书所列。
权利要求模组化大功率LED隧道灯,包括灯体和设于灯体内的散热模组,其特征在于所述的散热模组上连接有若干LED光源,所述的LED光源上覆盖有透镜,LED光源周围设有将光源光线反射聚拢的反光罩,反光罩角度可调节地连于灯体上。
2.根据权利要求1所述的模组化大功率LED隧道灯,其特征在于所述散热模组一侧 的灯体内设有电路控制器,该电路控制器通过设于散热模组中的引线孔与LED光源相连。
3.根据权利要求1所述的模组化大功率LED隧道灯,其特征在于所述的反光罩通过 一角度调节机构与灯体相连,该角度调节机构为一曲臂机构。
4.根据权利要求1所述的模组化大功率LED隧道灯,其特征在于所述的反光罩为椭 圆形或方形。
5.根据权利要求1所述的模组化大功率LED隧道灯,其特征在于所述的灯体背部连 有可调节角度的U型固定支架。
专利摘要模组化大功率LED隧道灯,涉及一种照明灯具。本实用新型的散热模组上连接有两个LED光源,所述的LED光源上覆盖有透镜,LED光源周围设有将光源光线反射聚拢的反光罩,反光罩角度可调节地连于灯体上。能准确控制光源的照射区域和亮度,低能耗,高光效,无眩光,光束射程远,能有效散热。
文档编号F21V14/04GK201757340SQ20102050679
公开日2011年3月9日 申请日期2010年8月24日 优先权日2010年8月24日
发明者苏光耀, 范达周, 金王建 申请人:浙江名芯半导体科技有限公司
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