磁分析器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，所述轭铁包围形成的离子飞行管道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对应一特定质荷比离子的偏转半径。本发明能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注入，提高了离子注入的效率，降低了制造周期，提高了生产效率。
【专利说明】磁分析器
【技术领域】
[0001] 本发明涉及离子注入领域，特别是涉及一种磁分析器。
【背景技术】
[0002] 在一般的互补型金属氧化物半导体（CMOS)制造流程中，第一步往往是定义 M0SFET的有源区。现在的许多亚微米工艺通常采用双阱工艺来定义nMOS和pMOS晶体管的 有源区，阱注入工艺在决定了晶体管阈值电压的同时，还涉及到CMOS电路门锁效应和其它 一些可靠性方面的问题。
[0003] 传统的制造工艺中，每个阱的形成都至少包括三到五步主要步骤，严重影响制造 周期（cycle time)。为满足客户快速抢占市场的需求，在既定产能的条件下，有效改善 cycle time刻不容缓。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要提供一种能提高离子注入的效率的磁分析器。
[0005] -种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，所述轭铁包围形成的离子飞行管 道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对应一特定 质荷比离子的偏转半径。
[0006] 在其中一个实施例中，所述离子通道是通孔。
[0007] 在其中一个实施例中，所述离子通道是狭缝。
[0008] 在其中一个实施例中，所述束板的材质为石墨。
[0009] 在其中一个实施例中，还包括固定设置于所述束板上的固定件和与所述固定件活 动连接的挡片，所述挡片可将所述离子通道遮挡。
[0010] 上述磁分析器能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注 入，提高了离子注入的效率，降低了制造周期（cycle time)，提高了生产效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1是一实施例中磁分析器的结构示意图；
[0012] 图2是一实施例中束板的剖视图。
【具体实施方式】
[0013] 为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具 体实施方式做详细的说明。
[0014] 阱注入使用的离子注入设备包含磁分析器，用于选择出需要注入的离子。传统的 磁分析器一次只能选择出一种质荷比的离子，对于需要注入多种离子的阱注入工艺，制造 周期（cycle time)较长。
[0015] 因此，本发明提供一种可以一次析出多种离子的磁分析器，包括软磁材料的轭铁， 轭铁外壁贴设有磁铁，通过轭铁包围形成供离子束通过的离子飞行管。请参照图1，本发明 在轭铁包围形成的离子飞行管道内增设了一块束板10。图2是一实施例中束板10的剖视 图，束板10上开有多个穿透束板的离子通道，每个离子通道对应一特定质荷比的离子的偏 转半径。我们知道根据带电粒子在磁场中运动的原理，质荷比不同的离子在某一吸极电压 和磁场强度条件下，其偏转半径不同，本发明于磁分析器预设的电场强度和磁场强度条件 下，计算出阱注入工艺所需几种特定离子的偏转半径，再于束板10上开设出与偏转半径对 应的离子通道。
[0016] 图2所示实施例中需要析出3种离子，其偏转半径分别为R1、R2、R3。磁分析器在 工作时，被选择的偏转半径为Rl、R2、R3的离子都能通过磁分析器，其余离子则被束板所阻 挡。通过磁分析器的离子再通过聚焦装置聚焦在一起，从而实现多种离子一次性注入。离 子通道可以是至少一个通孔，也可以是缝隙。
[0017] 上述磁分析器能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注 入，降低了制造周期（cycle time),提高了生产效率。
[0018] 在其中一个实施例中，束板为石墨束板。
[0019] 在优选的实施例中，可以于束板上每个离子通道处增设活动机构，每个活动机构 可以实现对应离子通道的遮挡/打开，以适应不同的阱注入工艺。在其中一个实施例中，磁 分析器包括固定设置于束板上的固定件和与固定件活动连接的挡片，通过移动挡片可以实 现对离子通道的遮挡/打开。
[0020] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，其特征在于，所述轭铁包围形成的离 子飞行管道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对 应一特定质荷比离子的偏转半径。
2. 根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述离子通道是通孔。
3. 根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述离子通道是狭缝。
4. 根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述束板的材质为石墨。
5. 根据权利要求1所述的磁分析器，其特征在于，还包括固定设置于所述束板上的固 定件和与所述固定件活动连接的挡片，所述挡片可将所述离子通道遮挡。
【文档编号】H01J37/05GK104103479SQ201310114301
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年4月2日 优先权日:2013年4月2日
【发明者】郭楠, 曹志伟 申请人:无锡华润上华科技有限公司