一种慢波电路中的切断负载结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种慢波电路中的切断负载结构，它包括：负载腔片(1)，安装在负载腔片(1)两侧的负载腔环(2)，嵌入在负载腔环(2)内的由氮化铝和碳化硅制成的负载瓷(3)。本实用新型提供的慢波电路中的切断负载结构，结构设计合理，能够有效吸收慢波电路中的反射波，切断反馈通道，提高行波管稳定性能，可广泛应用于大工作比的行波管慢波电路的装配中。
【专利说明】一种慢波电路中的切断负载结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种行波管中的慢波电路，具体涉及一种耦合腔行波管用的慢波电路中的切断负载结构。
【背景技术】
[0002]慢波电路的作用是传输高频电磁行波并使电磁波相速降到与电子注同步速度。现有行波管中慢波电路存在内部反馈的通道，输入端和输出端又不能达到完全匹配，因而输出端处因失配产生的反射功率将沿慢波线反向传输至输入端，这个反射功率在输入端又反射一部份，变成正向传输的功率，这一部份功率属于反馈信号。如果反馈信号强度等于或大于原输入信号的强度，而且两者的相位相差
2 π的整数倍时，行波管就会产生自激振荡，破坏行波管的稳定工作。
[0003]因此，很有必要在现有技术的基础之上，研究设计一种结构设计合理，能够有效对反射波完全吸收，切断反馈通道，提高行波管稳定性能的慢波电路中的切断负载结构。
【发明内容】
[0004]发明目的:本实用新型的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种结构设计更加合理，能够有效吸收反射波，切断反馈通道，提高行波管稳定性能，能满足大工作比行波管慢波电路装配要求的切断负载结构。
[0005]技术方案:为了实现以上目的，本实用新型所采取的技术方案为:
[0006]一种慢波电路中的切断负载结构，它包括:负载腔片，安装在负载腔片两侧的负载腔环，嵌入在负载腔环内的由氮化铝和碳化硅制成的负载瓷。
[0007]作为优选方案，以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的负载瓷中心开设有倒锥形凹槽。
[0008]作为优选方案，以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的负载腔片和负载腔环上均开有定位圆孔。本实用新型将负载腔片和负载腔环以内部圆孔定位代替原现有技术的外部R定位，可提高整个慢波电路装配的同心度和其他精确度。
[0009]作为优选方案，以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的嵌入在负载腔环内的负载瓷的端面比负载腔环的端面低。
[0010]作为优选方案，以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的高频切断负载结构为2个，所述的高频切断负载结构包括负载腔片，安装在负载腔片两侧的负载腔环，嵌入在负载腔环内的由氮化铝和碳化硅制成的负载瓷。
[0011]本实用新型采用氧化铝、碳化硅混合材料替换原来的多孔氧化铍瓷材料，该种负载瓷在除气之后在大工作比条件下放气量减少，导热好，行波管能稳定工作。该负载瓷能完全满足行波管的稳定工作要求。
[0012]作为优选方案，以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的嵌入在负载腔环内的负载瓷的端面比负载腔环的端面低。由于负载瓷的膨胀系数比负载腔环大，如果负载瓷在负载腔环中没有一定的自由空间，在氢炉钎焊时负载瓷会因为膨胀而顶起负载腔环，使得焊缝过大造成焊接不牢、气密性差。本实用新型通过大量实验研究，对负载瓷的高度有进行对比实验，将负载瓷放入负载腔环的台阶后，瓷的端面比腔环端面低，可保证焊接牢固，增加气密性。
[0013]本实用新型提供的高频切断负载结构装配到慢波电路后，来自输出端的反射信号将被切断负载结构吸收，消除了产生自激不稳定的根源，慢波电路内部的高频反馈通道被切断，从而可提高行波管的增益，可提高行波管的稳定性能。
[0014]本实用新型提供的慢波电路中的切断负载结构，负载瓷与负载腔环的过盈配合。一般情况下在常温的时候将负载瓷嵌入负载腔环，因为公差的关系两零件之间会有一定的缝隙，影响负载瓷与负载腔环之间的热传导，大工作比时负载瓷可能过热，因此本结构采用了过盈配合。即令负载瓷的外径比负载腔环内径略大，将负载瓷与负载腔环放入不锈钢模具中，经硬焊炉加温，升温时腔环内径会因膨胀变大，而负载瓷被模具限制膨胀，达到一定程度后，负载腔环内径大于负载瓷外径，由于压模的存在将负载瓷压入负载腔环，这样冷却之后腔环收缩使得两者配合更加紧密，负载在吸收大量功率之后能及时顺畅地将热量传导出去，保证行波管稳定。
[0015]有益效果:本实用新型提供的慢波电路中的切断负载结构与现有技术相比具有以下优点:
[0016]本实用新型提供的慢波电路中的切断负载结构，结构设计合理，能够有效吸收慢波电路中的反射波，切断反馈通道，提高行波管稳定性能，可广泛应用于大工作比的行波管慢波电路的装配中。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型提供的慢波电路中的切断负载结构的结构示意图。
[0018]图2为本实用新型提供的慢波电路中的切断负载结构中负载瓷的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0020]实施例1
[0021]如图1和图2所示，一种慢波电路中的切断负载结构，它包括:负载腔片(1)，安装在负载腔片(1)两侧的负载腔环(2)，嵌入在负载腔环(2)内的由氮化铝和碳化硅制成的负载瓷⑶。
[0022]以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的负载瓷(3)中心开设有倒锥形凹槽。
[0023]以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的负载腔片⑴和负载腔环(2)上均开有定位圆孔(4)。
[0024]以上所述的慢波电路中的切断负载结构，所述的嵌入在负载腔环(2)内的负载瓷
(3)的端面比负载腔环(2)的端面低。[0025]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种慢波电路中的切断负载结构，其特征在于，它包括:负载腔片(1)，安装在负载腔片(1)两侧的负载腔环(2)，嵌入在负载腔环(2)内的负载瓷(3)。
2.根据权利要求1所述的慢波电路中的切断负载结构，其特征在于，所述的负载瓷(3)中心开设有倒锥形凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的慢波电路中的切断负载结构，其特征在于，所述的负载腔片(1)和负载腔环(2)上均开有定位圆孔(4)。
4.根据权利要求3所述的慢波电路中的切断负载结构，其特征在于，所述的嵌入在负载腔环⑵内的负载瓷⑶的端面比负载腔环⑵的端面低。
【文档编号】H01J23/24GK203553094SQ201320591751
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】王爱美, 曾雨竹, 王百全, 梁田 申请人:南京三乐电子信息产业集团有限公司