一种散热灯罩的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种散热灯罩，具体指一种在曝光机中用于对反光罩起冷却及散热作用的散热灯罩。
【背景技术】
[0002]曝光机是集电子光学、电气、机械、真空、计算机技术等于一体的复杂的半导体加工设备，70年代以后广泛应用于半导体集成电路制造业，是在计算机的控制下，利用聚焦电子束对有机聚合物(通常称为电子抗蚀剂或光刻胶)进行曝光。在曝光机中，反光罩的散热性能对整个设备来说是至关重要的，其直接影响曝光机内反光罩的反光效率及使用寿命，然而现有技术中对于反光罩的散热问题一直没有得到很好的解决。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服上述现有技术的问题，提供一种散热灯罩，其可有效解决反光罩的散热问题，提升反光罩的反光效率及使用寿命。
[0004]本发明的目的是通过以下技术方案来实现:
一种散热灯罩，包括外壳，所述外壳的底部中心设有通孔，所述外壳的顶部开设有敞口，所述外壳的其中两个相对侧壁分别设有通风口，所述外壳的另外两个相对侧壁之间设有多层散热片组，所述散热片组具有相互对称倾斜的两个散热片，每层散热片组的两个散热片之间分别具有与反光罩形状相配合的槽。
[0005]进一步地，所述散热片组相互之间均匀间隔设置。
[0006]进一步地，自所述通孔至所述敞口的方向每层散热片组的两个散热片的槽的尺寸递增。
[0007]进一步地，所述散热片组的两个散热片之间具有间隙。
[0008]进一步地，所述散热片与所述外壳焊接固定。
[0009]进一步地，所述散热片组的数量为三层。
[0010]本发明所述的一种散热灯罩，包括外壳，所述外壳的底部中心设有通孔，所述外壳的顶部开设有敞口，所述外壳的其中两个相对侧壁分别设有通风口，所述外壳的另外两个相对侧壁之间设有多层散热片组，所述散热片组具有相互对称倾斜的两个散热片，每层散热片组的两个散热片之间分别具有与反光罩形状相配合的槽。这种结构的散热灯罩，反光罩设置在外壳内的散热片上，散热片与外壳之间形成良好的散热通道，从而有效解决了反光罩的散热问题，提升了反光罩的反光效率及使用寿命。
【附图说明】
[0011]图1为本发明所述一种散热灯罩的结构示意图；
图2为图1的俯视图；
图3为图1中P处的局部放大图。
【具体实施方式】
[0012]下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
[0013]如图1至图3所不,本发明实施例所述的一种散热灯罩,包括外壳I,外壳I的底部中心设有通孔2，外壳I的顶部开设有敞口 3，外壳I的其中两个相对侧壁分别设有通风口12，外壳I的另外两个相对侧壁之间设有多层散热片组4，散热片组4具有相互对称倾斜的两个散热片41，每层散热片组4的两个散热片41之间分别具有与反光罩5形状相配合的槽42。
[0014]散热片组4相互之间均匀间隔设置。自通孔2至敞口 3的方向每层散热片组4的两个散热片41的槽42的尺寸递增。散热片组4的两个散热片41之间具有间隙6。散热片41与外壳I焊接固定。散热片组4的数量为三层。
[0015]以上所述仅为说明本发明的实施方式，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种散热灯罩，包括外壳，其特征在于，所述外壳的底部中心设有通孔，所述外壳的顶部开设有敞口，所述外壳的其中两个相对侧壁分别设有通风口，所述外壳的另外两个相对侧壁之间设有多层散热片组，所述散热片组具有相互对称倾斜的两个散热片，每层散热片组的两个散热片之间分别具有与反光罩形状相配合的槽。
2.如权利要求1所述的散热灯罩，其特征在于，所述散热片组相互之间均匀间隔设置。
3.如权利要求2所述的散热灯罩，其特征在于，自所述通孔至所述敞口的方向每层散热片组的两个散热片的槽的尺寸递增。
4.如权利要求3所述的散热灯罩，其特征在于，所述散热片组的两个散热片之间具有间隙。
5.如权利要求4所述的散热灯罩，其特征在于，所述散热片与所述外壳焊接固定。
6.如权利要求5所述的散热灯罩，其特征在于，所述散热片组的数量为三层。
【专利摘要】本发明涉及一种散热灯罩，包括外壳，所述外壳的底部中心设有通孔，所外壳的顶部开设有敞口，所述外壳的其中两个相对侧壁分别设有通风口，所述外壳的另外两个相对侧壁内侧分别固定多层散热片组，所述散热片组具有相互对称倾斜的两个散热片，每层散热片组的两个散热片之间分别具有与反光罩形状相配合的槽。这种结构的散热灯罩，反光罩设置在外壳内的散热片上，散热片与外壳之间形成良好的散热通道，从而有效解决了反光罩的散热问题，提升了反光罩的反光效率及使用寿命。
【IPC分类】F21V29-505, F21V29-74
【公开号】CN104633622
【申请号】CN201310561395
【发明人】韩懿琰
【申请人】无锡新奇特钣金机械有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月13日