一种含裸晶系统级封装led照明驱动电源组件的制作方法

一种含裸晶系统级封装led照明驱动电源组件的制作方法
【专利摘要】一种含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是：在含裸晶系统级封装部分，在导热绝缘材料基板上交流电母线两端各连接两个整流二极管，形成直流电正极连接串联发光二极管LED正极，同时连接一个电阻R1再连接线性驱动IC芯片的VCC焊盘；IC芯片的GATE焊盘连接MOSFET的G焊盘栅极；IC芯片的Sense焊盘连接MOSFET的S焊盘源极，同时连接电阻Rcs再连接地线；IC芯片的GND焊盘连接地线；MOSFET的漏极连接LED负极。在含裸晶系统级封装部分之外，留有焊点能够焊接其它非裸晶封装的器件。其中IC芯片表面要有导热绝缘非透明覆盖层以避免IC芯片功能受影响；在高于一定功率情况下，IC芯片和MOSFET的位置距离要足够大能及时散热。
【专利说明】
-种含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件
技术领域
[0001 ]本实用新型设及L邸照明驱动电源技术和半导体封装技术领域。
【背景技术】
[0002] Lm)照明驱动电源主要有四大类型，阻容降压、恒流二极管、线性电源和开关电源。 驱动电源是将各种情况下电源供应转换为特定电压电流W驱动LED发光的转换器。一般电 源输入有多种情况，对于Lm)照明而言输出一定为可W随L邸正向压降值变化而改变电压的 恒定电流源。
[0003] 最简单的一类驱动电源是阻容降压电路，但其电流随电压波动大，不耐冲击，会严 重影响L邸寿命，功率因素低，只能用于一些要求不高的小功率L邸照明情况，且效果较差。
[0004] 基于恒流二极管的驱动电源是第二类型，恒流二极管原先主要用于仪器仪表，后 来因其恒流特性被用于一些低功率Lm)灯的情形。作为Lm)照明的恒流驱动具有电路结构简 单，成本低廉的优点，但有认为目前恒流二极管的动态范围只有30V，低于电网有时可能高 达上百伏的正常电压波动区间，实际上无法保持恒流，在大动态高电压情况下自身功耗大， 系统效率低，同时溫升会导致Lm)光衰加大，因此并不适合用于通用照明，同时又由于恒流 二极管生产工艺的局限带来性能的一致性不好及合适使用的产品比例较低，容易在大规模 使用时出现产品质量不稳定的严重问题。
[0005] 基于IC忍片的Lm)照明驱动电源目前为大量使用的主流方案，具有较好的恒流精 度和各种功能，主要分为开关电源和线性电源两大类型。
[0006] 开关电源类型又有隔离型和非隔离型两种，隔离型适用于低电压大电流的恒定电 流输出，外围元器件较多，体积较大，主要用于外置电源;非隔离型适用于高电压小电流输 出，体积相对较小，效率高，主要用于内置电源。总体而言，开关电源复杂，设及元器件数量 多，包括电解电容，所W目前不适合进行裸晶系统级封装。
[0007] 线性IC忍片Lm)驱动电源方案具有电路相对简单、外围元器件少、体积小、成本低、 易于集成化的优势，但线性驱动电源方案存在散热问题，散热尤其会高度集中于线性电源 IC忍片和MOSFET功率管。传统的IC忍片和元器件封装使用塑料外壳，导热较差，线性驱动电 源的散热问题会大大降低整个系统的稳定性和可靠性。将驱动电源的IC忍片和各元器件W 裸晶形式直接封装在导热性能良好且绝缘的基板上则可W解决运一问题，同时降低相关成 本。
[0008] IC忍片和元器件的已有封装技术，即半导体封装技术，发展由来已久，因为封装对 于IC忍片和元器件来说是必须的，也是至关重要的，IC忍片和元器件必须与外界隔离，W防 止空气中的杂质对忍片电路或元器件材料的腐蚀而造成电气性能下降，同时封装后的忍片 和元器件也便于安装和运输。现有封装技术是将IC忍片或元器件用绝缘塑料或陶瓷材料单 独打包引线，封装技术的好坏直接影响到忍片自身性能和与之连接的印制电路板PCB的设 计和制造。
[0009] 目前主要常见的半导体封装有两大类：双列直插封装DIP(Dual In-line F*ackage)和贴片封装SMT(Surface Mounting Technology)。半导体器件有许多具体封装形 式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装=类。从DIP、 SOP、QFP、PGA、BGA至化SP再到SIP，技术指标一代比一代先进。
[0010] 把不同类型和大小的裸晶器件包括IC忍片一体化封装在导热绝缘基板上，属于系 统级封装。我们已经成功地将裸晶发光二极管化抓)和一个线性驱动电源所有裸晶器件封 装在一个导热绝缘基板上，但已有技术方案无法结合任何非裸晶封装的器件，也就是不能 通过结合不适合裸晶封装的器件来改变驱动电源的电气特性。本实用新型设及含裸晶系 统级封装的LED照明驱动电源组件，并能够在裸晶系统级封装部分之外结合非裸晶封装的 器件，解决了各个相关环节上的技术和工艺难题，能满足对驱动电源组件一些特性的要求， 极大地提高系统性能和质量一致性，减少已有产品中间生产环节降低成本，并能实现大规 模自动化生产L邸照明驱动电源组件。

【发明内容】

[0011] 本实用新型所采用的技术方案是：用实验确定适合含裸晶系统级封装并结合非裸 晶封装器件的L邸照明驱动电源优化方案并确定特定电路，根据特定电路设计Lm)照明驱动 电源组件的布线图及选择合适导热绝缘材料基板并将布线图W导电材料印刷至基板上成 为印刷电路，通过实验验证裸晶封装各个工艺流程环节并用运些工艺流程将相应裸晶IC忍 片、裸晶整流二极管、裸晶MOSFET及电阻全部一体化封装到上述基板上的印刷电路中并做 测试验证，在完成裸晶封装部分基板上的指定位置，焊接非裸晶封装器件。
[0012] 本实用新型所述特定电路有多种表现形态，包括根据适合裸晶封装的Lm)照明线 性驱动电源优化方案所得到的电路原理图、根据上述原理图所设计布线图及制成印刷电路 和其后裸晶封装完成后组件的实际电路及结合非裸晶封装器件后形成的实际电路，都为本 实用新型特定电路。
[0013] 本实用新型一种含裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件是：
[0014] -种含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件，其特征是，用特定电路和半导体封 装技术将驱动电源相关功能器件裸晶作为一个整体封装在导热绝缘材料基板上并由导热 绝缘不透明材料完全覆盖;可结合非裸晶封装功能器件实现不同性能。
[0015] 上述特定电路是在导热绝缘材料基板上有两个交流电母线外接输入端，两输入端 各连接两个裸晶整流二极管的负极和正极，经过四个裸晶整流二极管形成一个直流电正极 作为对外输出正极，直流电正极同时连接一个电阻Rl再连接裸晶IC忍片的VCC焊盘;裸晶IC 忍片的GATE焊盘连接裸晶MOSFET的G焊盘(栅极）；裸晶IC忍片的Sense焊盘连接裸晶MOS阳T 的S焊盘（源极），同时连接电阻Rcs再连接地线；裸晶IC忍片的GND焊盘连接地线；裸晶 MOSFET的D焊盘(漏极)连接线作为直流电负极作为对外输出负极;对外输出正极和负极用 于各连接串联发光二极管(LED)的正极和负极；
[0016] 上述特定电路是在导热绝缘材料基板上用导电材料所印刷电路并同时由导电导 线连接裸晶器件和印刷电路之间而组成的完整电路；
[0017] 上述特定电路中导电材料所印刷电路表面除放置裸晶器件位置和焊接点外的其 它部分被公知绝缘层材料覆盖；
[001引在上述特定电路中在达到功率情况下裸晶IC忍片和裸晶MOSFET需具有足够的物 理距离W避免MOS阳T的散热影响裸晶IC忍片的正常工作；
[0019] 上述在导热绝缘材料基板上完成封装后所有裸晶器件由导热绝缘不透明材料完 全覆盖成为上述特定电路的物理支撑结构和保护层，尤其是裸晶IC忍片表面需要有同样导 热绝缘不透明材料完全覆盖W免影响其正常工作；
[0020] 上述含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件单独或结合其它非裸晶封装器件或 器件组合成为具有不同性能的L邸照明驱动电源组件；
[0021] 实验验证上述含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件及结合其它非裸晶封装器 件均具有可控娃调光的功能。
[0022] 本实用新型中一种含裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件的制造工艺流程是：
[0023] 第一步，基板制造工艺流程：
[0024] 按所需规格制造导热绝缘基板白板，在使用陶瓷基板的情况下，则烧制陶瓷白板；
[0025] 用实验确定适合含裸晶系统级封装的LED照明驱动电源优化方案并确定特定电 路，再根据特定电路确定布线图，其中在一定功率情况下裸晶MOSFET和裸晶IC忍片的设定 位置需要分开足够距离，将布线图W公知技术将导电材料印刷至上述基板白板上，再行烘 烤固化成为印刷电路，目前用于印刷电路的导电材料是含银材料，也可W是其它类;在上述 印刷电路中相关指定位置，用可融导热导电材料将设定阻值的电阻Rl和Rcs固定在指定位 置，现用上述可融导热导电材料为焊锡；
[00%]第二步，固晶工艺流程：
[0027] 在上述基板印刷电路的相关位置，用粘稠导热导电材料将四个裸晶整流二极管、 一个裸晶IC忍片、一个裸晶MOSFET固定在指定位置，并进行烘烤固化，现用上述粘稠导热导 电材料为银胶；
[0028] 第S步，焊线工艺流程：
[0029] 在上述已经完成对裸晶器件固晶的基板上，在各器件的指定位置上，焊接导电导 线，W连接基板上的印刷电路线路，完成基板上裸晶器件的电路连接，上述导电导线可W为 各类导电材料，现使用金线.
[0030] 第四步，测试工艺流程：
[0031] 在已经完成上述工艺流程的基板上，接通对应电压的电源线，确认已完成工艺流 程达到要求，同时，可W通过测试获取相关电学参数，验证产品是否达到所设计的要求；
[0032] 第五步，点胶工艺流程：
[0033] 在完成上述所有工艺流程并测试合格后，在导热绝缘材料基板所设定的位置上用 导热绝缘不透明材料将所有裸晶器件完全覆盖成为上述特定电路的物理支撑结构和保护 层，尤其是裸晶IC忍片表面需要有同样导热绝缘不透明材料完全覆盖W免影响其正常工 作，并进行烘烤固化，现用所述导热绝缘不透明材料为导热不透明黑色硅胶或环氧树脂黑 胶;可选择在点胶工艺流程前对需要覆盖区域外围用粘稠导热不透明材料围成一圈并烘烤 固化，方便点胶工艺流程的实施，上述粘稠导热不透明材料为硅胶，但此可选择工艺流程为 非必要步骤；
[0034] 第六步，分板和测试工艺流程：
[0035] 在由多个基板连接成一体同时完成上述流程的情况下，运时需要将上述多个基板 进行分板，即每个基板不再和其它基板相连接。对上述已经完成全部工艺流程的基板，接通 对应电压的电源线，测试获取相关电学参数，确认已完成工艺流程达到相应要求，并根据相 关参数进行分检分类。
[0036] 第屯步，结合非裸晶封装器件工艺流程：
[0037] 根据不同需要，在上述已完成全部裸晶封装基板所设定的位置上，焊接所选择的 非裸晶封装器件或器件组合，达到所设计的产品性能。
[0038] 上述全部屯步工艺流程中，第一至第=步和第五步共四步工艺流程为基本工艺流 程，是完成含裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件的必要工艺流程，而第四和第六步工艺 流程则为辅助流程，第屯步则为根据需要的可选择工艺流程。
[0039] 本实用新型的有益效果是能有效解决含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件和 非裸晶封装器件结合的问题，极大地提高运类Lm)照明驱动电源组件的电气性能和实现组 件的性能多样性，减少已有生产环节，并能进行大规模自动化生产L邸照明驱动电源组件。
【附图说明】
[0040] 图1为本实用新型实施案例裸晶IC忍片RCOOlB表面结构图
[0041] 图2、为本实用新型实施案例所需裸晶IC忍片的基本内部结构图
[0042] 图3、为本实用新型实施案例裸晶封装特定电路之电路原理图
[0043] 图4、为本实用新型实施案例裸晶封装特定电路结合非裸晶封装器件之电路原理 图
[0044] 图5、为本实用新型实施案例特定电路布线图和印刷电路图
[0045] 图6、为本实用新型实施案例裸晶封装组件的结构和线路绑定图
[0046] 图7、为本实用新型实施案例裸晶封装组件结合非裸晶封装器件的结构和线路绑 定图
[0047] 图8、为本实用新型实施案例裸晶封装组件及结合非裸晶封装器件的尺寸比例图
[0048] 图9、为本实用新型实施案例含裸晶系统级封装L抓照明驱动电源组件单独的EMI 测试结果
[0049] 图10、为本实用新型实施案例含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件结合非裸 晶封装器件电容的EMI测试结果
【具体实施方式】
[0050] 下面参照附图，对本实用新型所述含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件及制 造工艺的【具体实施方式】进行详细描述。
[0051] 我们选择了驱动IC忍片RC001B(中国国家知识产权局集成电路布图登记号 BS. 14500659X，布图设计申请日2014年6月27日，公告日期:2014年12月17日，公告号9835， 布图设计创作完成日：2013年5月21日），图1所示为RCOOlB的裸晶表面结构图和焊盘标识， 裸晶的相关资料单颗晶元大小厚度、电极大小成分等如下：
[0化2]
[0化3]
[0化4] RCOOlB的电学特性如下：
[0055]除专口标注外，标准测试条件为Vre = IOV，Ta=25 °C
[0化6]
[0化7] 图2显示线性恒流L邸驱动IC忍片RCOOlB中和本实用新型中设及L抓照明线性驱动 优化方案及特定电路相关的必要部分，包括VCC端有内部错位电路(Clamp)和UVLO (Under Voltage Lockout);还包括接地线端(GND);还包括内部控制（Control)和驱动(Driver)部 分及驱动极GATE端和电流采样/设置SENSE端。上述内部控制和驱动部分设及具体机制，对 本实用新型来说线性恒流Lm)驱动IC忍片具有上述相应功能实现上述特定电路是基本和必 须的，而实现相应功能的任何具体机制都是等效的。
[0058] 通过实验确定了基于RCOOlB并适合含裸晶系统级封装的L邸照明线性驱动电源优 化方案，确定了特定电路，上述特定电路的电路原理如图3所示，上述特定电路只有整流桥、 线性IC忍片、MOS阳T和两颗电阻Rl和Rcs，图中串联L邸为上述特定电路的外接部分；
[0059] 在上述特定电路中，当交流电母线开启，交流电通过整流桥成为直流电导向串联 的LED，同时线性驱动IC忍片通过连接直流电的启动电阻(Rl)充电，达到设定V时由内部错 位电路(Clamp)使VCC电压稳定在一定数值，并在降到UVLO化nder Vo；Uage Lockout)阀值 电压时自动关闭线性驱动IC忍片。
[0060] 在上述特定电路中，线性驱动IC忍片通过Rcs电阻对L邸电流取样并和IC内部参考 电压化ef比较产生控制信号，达到L抓恒流输出的目标。通过串联L抓的峰值电流为Ipeak = Vref/Rcs，而线性驱动IC忍片的化ef在IC设计和生产时已经固定，RCOOlB的化ef为400mV， 由此设定Rcs就能通过线性驱动IC忍片控制L邸导通时的峰值电流Ipeak。
[0061] 通过实验确定了基于RCOOlB并适合含裸晶系统级封装的L邸照明驱动电源组件结 合非裸晶封装器件的方案，上述方案的电路原理如图4所示，在上述原有特定电路中增加了 一个电容，能够改变上述含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件的电磁干扰化MI)特性， 图中串联L邸为上述特定电路的外接部分。
[0062] 根据上述特定电路，可W设计用于印刷到基板的布线图，图5为基于上述特定电路 的典型布线图。
[0063] 实验发现，在达到一定功率的情况下，裸晶IC忍片和裸晶MOSFET在基板上位置必 须保持足够的物理距离，在两者有焊线连接的情况下，裸晶MOSFET产生的热量严重影响到 裸晶IC忍片的正常性能，导致系统异常，当两者在陶瓷基板上位置分开足够距离且没有焊 线相连接，则裸晶IC忍片性能表现正常，由此可见含裸晶系统级封装对各器件物理和电气 性能的影响不同于各器件在单独封装时的情况。
[0064] 实验发现裸晶IC忍片的表面需要有导热绝缘不透明材料覆盖，否则在有些情况下 光线会对裸晶IC忍片产生影响导致性能不正常，实验证明使用导热不透明材料覆盖解决了 上述问题。
[0065] 根据上述布线图，将导电材料印刷到导热绝缘材料基板上，成为对应的印刷电路， 然后在上述印刷电路中，将所有器件的裸晶包括IC忍片全部封装到上述印刷电路的相关位 置，具体位置如图6所显示，四个裸晶整流二极管(标注为MB6S字母的四个实屯、小方块）、一 个裸晶线性驱动IC忍片(标注为RCOOIB字母的一个小方块）、一个裸晶MOSFET (标注为MOS字 母的一个小方块），R1(标注为Rl字母的实屯、长方块)和Rcs(标注为Rcs字母的实屯、长方块）。 在含裸晶系统级封装完成后，由此交流电母线两端各连接两个裸晶整流二极管的负极和正 极，经过四个裸晶整流二极管形成的直流电正极用于连接串联发光二极管化邸)的正极，同 时连接一个电阻R1再连接裸晶线性驱动IC忍片的VCC焊盘;裸晶IC的GATE焊盘连接裸晶 MOSFET的G焊盘(栅极）；裸晶线性驱动IC忍片的Sense焊盘连接裸晶MOSFET的S焊盘(源极）， 同时连接电阻Rcs再连接地线;裸晶线性驱动IC忍片的GND焊盘连接地线;裸晶MOSFET的D焊 盘(漏极)作为输出负极用于连接串联L邸的负极;最终形成完整电路。
[0066] 在上述基于RCOOlB并适合含裸晶系统级封装的L抓照明驱动电源组件中，结合一 个非裸晶封装器件，即在上述原有组件中增加了一个电容Cl,如图7所示，能够改变上述含 裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件的电磁干扰化MI)特性。
[0067] 经过反复实验，确定本实用新型中的含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件及 结合非裸晶封装器件的制造工艺流程是：
[006引第一步，基板制造工艺流程：
[0069] 按所需规格制造导热绝缘基板白板，本实用新型实施案例中使用陶瓷基板，则烧 审贼格为单位面积19mm*19mm厚度为1mm的陶瓷白板片，每块独立陶瓷片含有21片单位陶瓷 片，相互之间留有切割线，W便后续分板，；
[0070] 根据实验确定适合含裸晶系统级封装的LED照明驱动电源组件，所确定特定电路 的电路原理图如图3,再根据上述特定电路电路原理图确定布线图，如图5,将上述布线图W 公知技术将导电材料印刷至上述基板白板上，再行烘烤固化成为印刷电路，也如图5所示， 虽然布线图和印刷电路图形一模一样，但布线图是设计图，而印刷电路已经是印刷在陶瓷 基板上的实际电路，本实用新型案例用于印刷电路的导电材料为含银材料;在图6所示中相 关指定位置，用焊锡将合适电阻值的RU标注为Rl的实屯、长方块)和Rcs(标注为Rcs的实屯、 长方块)固定在指定位置；
[0071] 第二步，固晶工艺流程：
[0072] 在如图6所示相关位置，用导热导电材料将四个裸晶整流二极管(标注为MB6S字母 的四个实屯、小方块）、一个裸晶线性驱动IC忍片(标注为RCOOlB字母的一个实屯、小方块）、一 个裸晶M0SFET(标注为MOS字母的实屯、方块)固定在指定位置，并进行烘烤固化，本实用新型 案例中上述导热导电材料为银胶；
[0073] 第S步，焊线工艺流程：
[0074] 在上述已经完成对裸晶线性驱动IC忍片及其它裸晶器件固晶的基板上，如图6所 示，在各器件的指定位置上，焊接导电导线，W连接基板上的印刷电路线路，完成基板上的 全部电路接通，本实用新型案例中上述导电导线使用金线；
[00巧]第四步，测试工艺流程：
[0076] 在已经完成上述工艺流程的基板上，串联一个指定设计功率的L邸光源，接通220V 电压的电源线，确认已完成工艺流程达到要求，同时，通过测试获取相关电学参数，验证产 品是否达到所设计的要求；
[0077] 第五步，点胶工艺流程：
[0078] 在完成上述所有工艺流程并测试合格后，在上述基板上使用导热绝缘不透明材 料注在的设定区域，如图8所示，制成高度大约为1mm，胶层，覆盖全部裸晶器件， 然后进行烘烤固化;本实用新型案例中所述导热绝缘不透明材料为导热黑色环氧树脂胶或 导热黑色硅胶；
[0079] 第六步，分板和测试工艺流程：
[0080] 本实用新型案例中由21个单位基板连接成一片同时完成上述流程，再将上述21个 单位基板进行分板，即每个单位基板不再和其它单位基板相连接。对上述已经完成全部工 艺流程的基板，接通对应220V电压的电源线，测试获取相关电学参数，确认已完成全部工艺 流程达到相应要求，并根据相关参数进行分检分类；
[0081] 第屯步，结合非裸晶封装器件工艺流程：
[0082] 在上述完成了六步工艺流程的含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件中，将一 个非裸晶封装器件电容Cl的两只管脚焊接在指定位置，如图7所示，能够改变上述含裸晶系 统级封装Lm)照明驱动电源组件的电磁干扰化MI)特性;上述结合非裸晶封装器件电容Cl的 含裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件如图8所示。
[0083] 本实用新型案例中由上述第一至第=步和第五步共四步工艺流程为基本工艺流 程，是完成含裸晶系统级封装的必要工艺流程，第四和第六步工艺流程则为辅助流程，主要 是保证产品质量和最终产品使用，不是必须需要具有的工艺流程;而第屯步工艺流程则根 据是否需要改变含裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件的电气性能时选择使用。
[0084] 在本实用新型实施案例中，有功率为W的含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件 及结合非裸晶封装器件电容作为典型实施案例，具体器件来源和参数设定如下：
[00化]Rl阻值为820千欧姆，Rcs阻值为9.1欧姆，均来自台湾ROYALO丽厚生厂家；
[0086] 裸晶整流二极管产品型号为MB6S，购自深圳市斯达特来电子科技有限公司；
[0087] 裸晶MOSFET产品型号为2N60，购自华润华晶微电子有限公司；
[0088] 裸晶线性驱动IC忍片为自有产品，其详细参数已在本实用新型实施案例中披露。
[0089] Cl安规电容容量为0.1UF，额定电压275V，购自佛山市同杨电子有限公司；
[0090] 上述典型实施案例中含裸晶系统级封装Lm)照明驱动电源组件及结合非裸晶封装 器件电容的产品测试结果为：电压为220.01￥，电流为0.030294，功率为6.017胖，功率因素为 0?9029 O
[0091] 含裸晶系统级封装L邸照明驱动电源组件单独的EMI测试结果如图9所示。
[0092] 含裸晶系统级封装L抓照明驱动电源组件结合非裸晶封装器件电容的EMI测试结 果如图10所不。
[0093] 本实用新型实施案例已完成对在多种功率情况下的试验和测试，具体参数和测试 结果不再一一列举。
[0094] 上文参照附图描述了本实用新型的【具体实施方式】和典型实施案例，但本领域中的 普通技术人员能够理解，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，还可W对具体实施 方式作各种变更和替换，运些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围。
【主权项】
1. 一种含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是，用特定电路和半导体封装 技术将驱动电源相关功能器件裸晶作为一个整体封装在导热绝缘材料基板上并由导热绝 缘不透明材料完全覆盖;可结合非裸晶封装功能器件实现不同性能； 上述特定电路是在导热绝缘材料基板上有两个交流电母线外接输入端，两输入端各连 接两个裸晶整流二极管的负极和正极，经过四个裸晶整流二极管形成一个直流电正极作为 对外输出正极，直流电正极同时连接一个电阻R1再连接裸晶1C芯片的VCC焊盘;裸晶1C芯片 的GATE焊盘连接裸晶MOSFET的G焊盘栅极;裸晶1C芯片的Sense焊盘连接裸晶MOSFET的S焊 盘源极，同时连接电阻Res再连接地线;裸晶1C芯片的GND焊盘连接地线；裸晶MOSFET的D焊 盘漏极连接线作为直流电负极作为对外输出负极;对外输出正极和负极用于各连接串联发 光二极管(LED)的正极和负极； 上述特定电路是在导热绝缘材料基板上用导电材料所印刷电路并同时由导电导线连 接裸晶器件和印刷电路之间而组成的完整电路； 上述特定电路中导电材料所印刷电路表面除放置裸晶器件位置和焊接点外的其它部 分被公知绝缘层材料覆盖； 在上述特定电路中在达到功率情况下裸晶1C芯片和裸晶MOSFET需具有足够的物理距 离以避免MOSFET的散热影响裸晶IC芯片的正常工作； 上述在导热绝缘材料基板上完成封装后所有裸晶器件由导热绝缘不透明材料完全覆 盖成为上述特定电路的物理支撑结构和保护层，裸晶1C芯片表面需要有同样导热绝缘不透 明材料完全覆盖以免影响其正常工作； 上述含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件单独或结合其它非裸晶封装器件或器 件组合成为具有不同性能的LED照明驱动电源组件。2. 根据权利要求1所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是导热绝缘 材料基板为陶瓷基板。3. 根据权利要求1所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是裸晶1C芯 片为线性驱动1C芯片，基本必要部分包括VCC端有内部钳位电路（Clamp)和UVLO(Under Voltage Lockout);还包括接地线端(GND);还包括内部控制（Control)和驱动(Driver)部 分及驱动极GATE端和电流采样/设置SENSE端。4. 根据权利要求1所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是特定电路 所用印刷电路的导电材料为含银材料。5. 根据权利要求1所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是连接裸晶 器件和印刷电路之间而组成的完整电路的导电导线为金线、铜线、铝线或合金线等金属导 线。6. 根据权利要求1所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是成为特定 电路的物理支撑结构和保护层并覆盖所有裸晶器件的导热绝缘不透明材料为导热不透明 黑色硅胶或环氧树脂黑色胶。7. 根据权利要求1所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件，其特征是上述含裸 晶系统级封装LED照明驱动电源组件结合其它非裸晶封装器件或器件组合是公知器件或公 知器件组合。8. 根据权利要求7所述的含裸晶系统级封装LED照明驱动电源组件结合其它非裸晶封
【文档编号】H05B33/08GK205640795SQ201620094929
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年1月29日
【发明人】桑钧晟, 李克坚
【申请人】中山昂欣科技有限责任公司