晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法
【专利摘要】本发明提供了一种晶圆片激光切割方法，其包括如下步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；于所述晶圆片背面贴膜；将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。通过在晶圆片的同一个切割道内，不同的深度进行两次激光加工，大大改善了激光切割厚的晶圆片造成斜裂不良的问题，有效地避免了激光切割斜裂过大而造成的电极破坏。对传统的单次激光切割具有相当大的优势和良率。本发明还提供一种晶圆片的加工方法。
【专利说明】 晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法。
【背景技术】
[0002]随着市场需求的不断增加，LED制造业对产能、成品率和发光亮度的要求越来越高。激光加工技术已经成为LED制造业首要的工具，成为高亮度LED晶圆加工的行业标准。
[0003]激光划片使得晶圆微裂纹以及微裂纹扩张大大减少，LED单体之间的距离大大减小，这样不但提高产能，而且增加了出产效率。这里所说的激光划片是指激光切割晶圆片20的意思。
[0004]请参阅图1，晶圆片20经过单次划片完成后，需要放入自动裂片机或半自动裂片机进行裂片，由于晶圆片20自身晶格结构的影响，导致在裂片后，裂纹21以激光刻痕线22为裂纹起点随晶格间隙生长，从而出现斜裂现象。在晶圆片20比较薄时，同样的切割道宽，几乎不会斜裂到电极。而目前的技术壁垒下，只要是晶圆片20的加工，不可避免的都会有斜裂产生。
[0005]请参阅图2，当采用原有切割工艺(单次切割)以相同切割道宽和相同切割深度切割较厚的晶圆片30时，裂纹31随晶格间隙生长，很容易斜裂至晶圆片30的电极32处，导致裂片后的LED单体失效。现今，由于晶圆片30的厚度有增加的趋势，在进行裂片时，裂纹31大多会斜裂至电极32处，导致同一晶圆片30上裂片下来的LED单体的合格率降低。
【发明内容】
[0006]本发明实施例的目的在于提供一种晶圆片激光切割方法，旨在解决现有技术中存在的裂纹斜裂至电极处而导致LED单体的合格率低的问题。
[0007]本发明实施例是这样实现的，一种晶圆片激光切割方法，其包括如下步骤:
[0008]提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；
[0009]于所述晶圆片背面贴膜；
[0010]将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。
[0011]进一步地，所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。
[0012]本发明实施例的另一目的在于提供一种晶圆片加工方法，其包括如下步骤:
[0013]提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；
[0014]于所述晶圆片背面贴膜；
[0015]将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割;
[0016]将切割后的晶圆片于一裂片机中进行裂片。
[0017]进一步地，所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。
[0018]本发明的晶圆片在激光切割时，由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割，也就是说，形成至少二处刻痕。在裂片过程中，裂纹会随着刻痕的方向生长，从而避免出现斜裂过大波及电极而导致不良的概率，提升了产品良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1示出了现有技术中在激光切割后裂片所产生的斜裂现象。
[0020]图2示出了现有技术中在激光切割较厚的晶圆片后裂片所产生的斜裂至电极处。
[0021]图3示出了晶圆片的切割道。
[0022]图4示出了采用本发明实施例提供的晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法所产生的斜裂现象。
【具体实施方式】
[0023]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0024]请参阅图3和图4，本发明实施例提供的晶圆片激光切割方法包括如下步骤:
[0025]提供一晶圆片10，所述晶圆片10具有正面11及带有电极13的背面12，所述晶圆片10的背面12具有切割道14 ；
[0026]于所述晶圆片10背面12贴膜；
[0027]将贴膜的晶圆片10定位于一激光切割加工设备(图未示)中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片10的正面11沿着所述晶圆片10的同一切割道14以不同切割深度进行至少二次切割。
[0028]本发明实施例还提供一种晶圆片加工方法，其包括如下步骤:
[0029]提供一晶圆片10，所述晶圆片10具有正面11及带有电极13的背面12，所述晶圆片10的背面12具有切割道14 ；
[0030]于所述晶圆片10背面12贴膜；
[0031]将贴膜的晶圆片10定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片10的正面11沿着所述晶圆片10的同一切割道14以不同切割深度进行至少二次切割；
[0032]将切割后的晶圆片10于一裂片机(图未示)中进行裂片。
[0033]本发明的晶圆片10在激光切割时，由所述晶圆片10的正面11沿着所述晶圆片10的同一切割道14以不同切割深度进行至少二次切割，也就是说，形成至少二处刻痕。在裂片过程中，二条激光刻痕线15之间的裂纹16在二条激光刻痕线15所形成的平面内生长，从而避免出现斜裂过大波及电极13而导致不良的概率，提升了产品良率。图3中所示出的切割道14以一条实线示意，并不代表切割道14仅为一条线的宽度。
[0034]进一步地，所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。
[0035]上述切割深度可以根据实际晶圆片10的斜裂状况、晶圆片10的厚度等因素来调
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[0036]本发明的晶圆片10经过至少二次切割加工，使斜裂纹在垂直方向上互通导向，大大地降低了激光切割加工晶圆斜裂到电极13的风险。
[0037]本发明所提供的晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法是以目前最先进的晶圆片内部隐形激光切割加工的不断发展为基础，以进行各种晶圆片激光工艺研究为重要前提，是在高科技激光加工领域不断开发新工艺的大环境下，诞生的一种先进激光加工方法，对将来提升晶片亮度发展方向、晶圆片10厚度越做越大的大趋势背景下，该激光加工方法对改善晶圆激光加工的斜裂问题具有很好的应用空间。
[0038]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种晶圆片激光切割方法，其包括如下步骤: 提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道； 于所述晶圆片背面贴膜； 将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。
2.如权利要求1所述的晶圆片激光切割方法，其特征在于:所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。
3.一种晶圆片加工方法，其包括如下步骤: 提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道； 于所述晶圆片背面贴膜； 将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割； 将切割后的晶圆片于一裂片机中进行裂片。
4.如权利要求3所述的晶圆片加工方法，其特征在于:所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。
【文档编号】B23K26/38GK103537805SQ201210246671
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年7月17日 优先权日:2012年7月17日
【发明者】高昆, 叶树铃, 庄昌辉, 邴虹, 李瑜, 张红江, 李福海, 迟彦龙, 欧明辉, 高云峰 申请人:深圳市大族激光科技股份有限公司