晶圆片激光加工方法
【专利摘要】本发明提供了晶圆片激光加工方法，其包括如下步骤：提供一晶圆片；将晶圆片置于贴膜机上进行晶圆片背面贴膜；将第一环状元件贴于白膜上；将圆片、第一环状元件及白膜倒置；将第二环状元件贴于白膜上，第二环状元件的内缘覆盖晶圆片的正面外缘；贴膜的晶圆片及二环状元件定位于激光切割设备中，激光沿晶圆片的外露于第二环状元件外的切割道进行激光隐形切割；拆卸二环状元件及白膜；在晶圆片的正面镀金属。本发明的晶圆片激光加工方法中，通过第二环状元件将晶圆片的外缘覆盖住而不被切割，使得切割后的晶圆片在后续加工中保证了边缘的强度，整体上保证了所述晶圆片的完整性、可操作强度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
【专利说明】 晶圆片激光加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶圆片激光加工方法。
【背景技术】
[0002]随着市场需求的不断增加，LED制造业对产能、成品率和发光亮度的要求越来越高。激光加工技术已经成为LED制造业首要的工具，成为高亮度LED晶圆加工的行业标准。
[0003]激光划片使得晶圆微裂纹以及微裂纹扩张大大减少，LED单体之间的距离大大减小，这样不但提高产能，而且增加了生产效率。这里所说的激光划片指的是激光切割晶圆片。
[0004]目前，晶圆片的生产工艺开始转向在晶圆片的背面镀上一层金属反射层，可大大增强LED单体的发光效率和发光强度。但随之而来的是对LED单片现用的激光隐形切割工艺提出了新的问题。所谓隐形切割是使激光穿过表面而于晶圆片的某一深度处形成划痕(也可叫炸点层)。而现有的激光隐形切割工艺中是在背镀金属之后再进行划片工艺，就无法在晶圆片上形成划痕，所以目前的生产工艺改为背镀金属之前进行划片，然而，在划片时，激光由所述晶圆片的边缘沿切割道切割所述晶圆片。在后续去除所述晶圆片背面的贴膜的工序中，所述晶圆片边缘极易因撕膜力的作用而破裂，影响后续加工，无法满足生产的要求。
【发明内容】
[0005]本发明实施例的目的在于提供一种晶圆片激光加工方法，旨在解决传统的晶圆片加工工艺中划片后晶圆片边缘因撕膜力作用而破裂的问题。
[0006]本发明实施例是这样实现的，一种晶圆片激光加工方法，其包括如下步骤:
[0007]提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面设置有切割道；
[0008]将所述晶圆片置于一贴膜机上进行晶圆片背面贴膜，所述贴膜机提供的白膜贴于所述晶圆片的背面；
[0009]将一第一环状元件贴于所述白膜上，且所述晶圆片位于所述第一环状元件的中部;
[0010]将所述晶圆片、第一环状元件及白膜倒置；
[0011]将一第二环状元件贴于所述白膜上，所述第二环状元件的内缘覆盖所述晶圆片的正面外缘，所述第二环状元件位于所述第一环状元件的中部；
[0012]将贴膜的晶圆片、第一环状元件及第二环状元件定位于一激光切割设备中，所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片的外露于所述第二环状元件外的切割道进行激光隐形切割；
[0013]拆卸所述第一环状元件、所述第二环状元件及白膜；
[0014]在所述晶圆片的正面镀金属。[0015]本发明的晶圆片激光加工方法中，通过所述第二环状元件将所述晶圆片的外缘覆盖住而不被切割，使得切割后的晶圆片在后续加工中保证了边缘的强度，整体上保证了所述晶圆片的完整性、可操作强度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本发明实施例提供的晶圆片激光加工方法的贴有白膜的第一环状元件、第二环状元件、晶圆片的示意图。
[0017]图2是图1沿线1-1的剖面示意图。
[0018]图3是图2的局部放大图。
[0019]图4是本发明实施例提供的晶圆片激光加工方法的步骤图。
【具体实施方式】
[0020]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0021]请参阅图1至图4，本发明实施例提供的晶圆片激光加工方法包括如下步骤:
[0022]提供一晶圆片10,所述晶圆片10具有正面11及带有电极(图未不)的背面12,所述晶圆片10的正面11设置有切割道(图未示)；
[0023]将所述晶圆片10置于一贴膜机(图未示)上进行晶圆片背面贴膜，所述贴膜机提供的白膜20贴于所述晶圆片10的背面12 ；
[0024]将一第一环状元件30贴于所述白膜20上，且所述晶圆片10位于所述第一环状元件30的中部；
[0025]将所述晶圆片10、第一环状元件30及白膜20倒置；
[0026]将一第二环状元件40贴于所述白膜20上，所述第二环状元件40的内缘覆盖所述晶圆片10的正面11外缘，所述第二环状元件40位于所述第一环状元件30的中部；
[0027]将贴膜的晶圆片10、第一环状元件30及第二环状元件40定位于一激光切割设备(图未示)中，所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片10的外露于所述第二环状元件40外的切割道进行激光隐形切割；
[0028]拆卸所述第一环状元件30、第二环状元件40及白膜20 ；
[0029]在所述晶圆片10的正面11镀金属。
[0030]本发明的晶圆片激光加工方法中，通过所述第二环状元件40将所述晶圆片10的外缘覆盖住而不被切割，避免了在取下所述第一环状元件30后所述晶圆片10裂开而无法进行镀金属工艺，同时，切割后的晶圆片10在后续加工中保证了边缘的强度，整体上保证了所述晶圆片10的完整性、可操作强度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
[0031]在晶圆片10的正面镀金属之后还包括将所述晶圆片10置于所述贴膜机上进行晶圆片10背面贴膜的步骤A，所述贴膜机提供的白膜20贴于所述晶圆片10的背面12。
[0032]在步骤A之后还包括将所述第一环状元件30贴于所述白膜20上的步骤B，所述晶圆片10位于所述第一环状元件30的中部。[0033]在步骤B之后还包括将所述晶圆片10、第一环状元件30及白膜20倒置的步骤C。
[0034]在步骤C之后还包括将所述第二环状元件40贴于所述白膜20上的步骤D，所述第二环状元件40的内缘覆盖所述晶圆片10的正面11外缘，所述第二环状元件40位于所述第一环状元件30的中部。
[0035]在步骤D之后还包括将贴膜的晶圆片10、第一环状元件30及第二环状元件40定位于所述激光切割设备中并使所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片10的外露于所述第二环状元件40外的切割道进行激光表面切割的步骤E。
[0036]在步骤E之后还包括拆卸所述第一环状元件30及第二环状元件40、裂片、倒膜及扩膜的步骤。所述裂片是将切割后的晶圆片10在裂片机上进行裂片，此时，除了晶圆片10被切割的部分和未被切割的部分均进行了裂片。所述倒膜是去除所述晶圆片10背面12的贴膜之后，在所述晶圆片10的正面贴膜。所述扩膜是将所述晶圆片10切割后所形成的晶粒的距离拉大，以便于对各个晶粒进行测试，并且于测试过程中，不会伤及周边的晶粒。
[0037]于所述晶圆片10背面贴膜时，要求所述白膜20与所述晶圆片10之间无气泡。
[0038]所述第一环状元件30由金属材料制成。所述第一环状元件30贴于所述白膜20上，当倒置所述晶圆片10、所述第一环状元件30及白膜20时，所述第一环状元件30使所述白膜20平整，不会影响晶圆片10的后续加工。
[0039]所述第二环状元件40由金属材料制成。所述第二环状元件40的内缘底面开设有容置所述晶圆片10的外缘的台阶形凹槽41。所述台阶形凹槽41围绕所述第二环状元件40的内缘。这里所说的第二环状元件40的底面是指第二环状元件40朝向所述白膜20的表面。所述第二环状元件40的外缘底面开设有方便与所述白膜20分开的凹槽42。所述凹槽42围绕所述第二环状元件40的外缘。所述第二环状元件40的底面中部开设有环槽43，以减少所述白膜20与所述第二环状元件40间的接触面积，方便白膜20与第二环状元件40分离。所述第二环状元件40与所述白膜20贴合的表面是光滑的，便于将第二环状元件40从白膜20上取下。
[0040]进一步地，所述第二环状元件40的内缘所覆盖的晶圆片10的外缘宽度范围为0.2mnTL 5mm。
[0041]贴膜的晶圆片10、第一环状元件30及第二环状元件40整体定位于所述激光切割设备中以进行激光隐形切割，减少切割时影响产品质量的因素，易于控制，产品良品率高。本发明首次在LED激光隐形切割中引入第二环状元件40作为辅助工具，具有可操作性强且无须改动原设备的特点。
[0042]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种晶圆片激光加工方法，其包括如下步骤: 提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面设置有切割道; 将所述晶圆片置于一贴膜机上进行晶圆片背面贴膜，所述贴膜机提供的白膜贴于所述晶圆片的背面； 将一第一环状元件贴于所述白膜上，且所述晶圆片位于所述第一环状元件的中部； 将所述晶圆片、第一环状元件及白膜倒置； 将一第二环状元件贴于所述白膜上，所述第二环状元件的内缘覆盖所述晶圆片的正面外缘，所述第二环状元件位于所述第一环状元件的中部； 将贴膜的晶圆片、第一环状元件及第二环状元件定位于一激光切割设备中，所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片的外露于所述第二环状元件外的切割道进行激光隐形切割； 拆卸所述第一环状元件、第二环状元件及白膜； 在所述晶圆片的正面镀金属。
2.如权利要求1所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在晶圆片的正面镀金属之后还包括将所述晶圆片置于所述贴膜机上进行晶圆片背面贴膜的步骤A，所述贴膜机提供的白膜贴于所述晶圆片的背面。
3.如权利要求2所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤A之后还包括将所述第一环状元件贴于所述白膜上的步骤B，所述晶圆片位于所述第一环状元件的中部。
4.如权利要求3所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤B之后还包括将所述晶圆片、第一环状元件及白膜倒置的步骤C。
5.如权利要求4所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤C之后还包括将所述第二环状元件贴于所述白膜上的步骤D，所述第二环状元件的内缘覆盖所述晶圆片的正面外缘，所述第二环状元件位于所述第一环状元件的中部。
6.如权利要求5所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤D之后还包括将贴膜的晶圆片、第一环状元件及第二环状元件定位于所述激光切割设备中并使所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片的外露于所述第二环状元件外的切割道进行激光表面切割的步骤E。
7.如权利要求6所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤E之后还包括拆卸所述第一环状元件及第二环状元件、裂片、倒膜及扩膜的步骤。
8.如权利要求1-7任一项所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:所述第二环状元件的内缘底面开设有容置所述晶圆片的外缘的台阶形凹槽。
9.如权利要求1-7任一项所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:所述第二环状元件的外缘底面开设有方便与所述白膜分开的凹槽，所述第二环状元件的底面中部开设有环槽，以减少所述白膜与所述第二环状元件间的接触面积。
10.如权利要求1-7任一项所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:所述第二环状元件的内缘所覆盖的晶圆片的外缘宽度范围为0.2mnTl.5mm。
【文档编号】B23K26/70GK103537806SQ201210246685
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年7月17日 优先权日:2012年7月17日
【发明者】丛晓晗, 尹建刚, 唐建刚, 蒋晓华, 曾威, 李海涛, 杨名宇, 高云峰 申请人:深圳市大族激光科技股份有限公司