激光加工槽的检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及激光加工槽的检测方法。
【背景技术】
[0002]在对通过Low-k膜(低介电常数膜)形成器件的晶片进行的分割中，已知下述这样的加工方法:为了应对Low-k膜的脆弱性和剥离性，通过基于照射激光光线而实现的烧蚀加工，在分割预定线的两侧形成2条对Low-k膜进行分割的加工槽，然后，利用切削刀具对加工槽之间进行分割(例如，参照专利文献I)。
[0003]专利文献1:日本特开2005-64231号公报
[0004]在前述的专利文献I所示的加工方法中，为了防止沿着加工槽进行切削的切削刀具的偏磨损，多数情况是使在两侧形成有2条的加工槽的外缘之间的间隔形成为超过切削刀具的宽度的间隔。在前述的专利文献I所示的加工方法中，首先，利用能量密度高的小光斑的激光光线在分割预定线的两侧形成2条加工槽，然后，以将加工槽之间填埋的方式通过切削刀具形成粗槽。可是，在该加工方法中，即使从上方观察也无法判別覆盖着细槽的粗槽的边缘，因此，在加工中无法发挥进行粗槽的切口检查(位置偏移修正)的功能，特别是，粗槽的位置偏移可能会对器件产生影响。
【发明内容】
[0005]本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制粗槽的位置偏移对器件的影响的激光加工槽的检测方法。
[0006]为了解决上述技术问题并实现目的，本发明的激光加工槽的检测方法是在晶片的加工方法中为了将第I槽和第2槽定位于规定的位置而检测该第I槽和该第2槽的位置的检测方法，在所述晶片的加工方法中，使用激光加工装置向晶片照射第I激光光线，至少在分割预定线的两侧形成第I槽，然后利用第2激光光线形成槽的边缘部与该第I槽重叠的第2槽，所述晶片具备:器件区域，在该器件区域中，利用层叠在晶片的正面的层叠体在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有器件；和外周剩余区域，该外周剩余区域围绕该器件区域，所述激光加工装置包括:卡盘工作台，其保持晶片；激光光线照射构件，其对保持在该卡盘工作台上的晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线，在晶片的正面形成激光加工槽；和摄像构件，其对晶片的正面进行摄像，该激光光线照射构件具备:激光振荡器；1/2波长板，从该激光振荡器振荡出的激光光线入射至该1/2波长板；分支构件，其将通过该1/2波长板后的激光光线分支为第I激光光线和第2激光光线；光束调整构件，其调整该第2激光光线的光束直径；和聚光透镜，其使该第I激光光线和通过该光束调整构件后的该第2激光光线会聚，该激光光线照射构件通过该1/2波长板选择性地照射该第I激光光线和该第2激光光线，所述激光加工槽的检测方法的特征在于，在检测该第I槽的位置时，通过第I激光光线在该分割预定线处形成该第I槽，在形成该第2槽之前，利用该摄像构件对该第I槽进行摄像，检测出该第I槽的位置，在检测该第2槽的位置时，通过该第2激光光线在晶片的没有形成该第I槽的该外周剩余区域的分割预定线处形成该第2槽，并利用该摄像构件对该第2槽进行摄像，检测出该第2槽的位置，将该第I槽和该第2槽定位于规定的位置。
[0007]另外，在所述激光加工槽的检测方法中，优选的是，所述激光加工装置的所述聚光透镜由使所述第I激光光线会聚的第I聚光透镜和使所述第2激光光线会聚的第2聚光透镜构成。
[0008]因此，在本申请发明的激光加工槽的检测方法中，通过特别地在晶片的没有形成器件的外周剩余区域中形成第2槽，从而能够进行作为粗槽的第2槽的切口检查。由于在外周剩余区域中没有形成器件，因此，即使发生了第2槽的位置偏移，也能够尽可能抑制第2槽的位置偏移对器件产生的影响。另外，由于在外周剩余区域中形成第2槽，因此无需遍及分割预定线的全长形成第2槽，由此能够抑制为了实施切口检查而形成的第2槽的全长。因此，能够减少切口检查所花费的时间。
【附图说明】
[0009]图1是示出实施实施方式的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的结构例的立体图。
[0010]图2是示出图1所示的激光加工装置的摄像构件的图像的图。
[0011]图3是示出图1所示的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。
[0012]图4是示出作为图1所示的激光加工装置的加工对象的晶片等的立体图。
[0013]图5是示出包括实施方式的激光加工槽的检测方法在内的、使用了激光加工装置的晶片的加工方法的流程图。
[0014]图6是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第I切口检查步骤的概要的图，图6的(a)是在分割预定线的两侧形成有第I槽的状态的晶片的剖视图，图6的(b)是示出拍摄图6的(a)所示的第I槽等所得到的图像的图。
[0015]图7是示出图5所示的晶片的加工方法的第I槽形成步骤的概要的图，图7的(a)是在分割预定线的两侧形成有第I槽的状态的晶片的剖视图，图7的(b)是示出拍摄图7的(a)所示的第I槽等所得到的图像的图。
[0016]图8是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第2切口检查步骤的一部分的概要的图，图8的(a)是在外周剩余区域的分割预定线处形成有第2槽的状态的晶片的剖视图，图8的(b)是示出拍摄图8的(a)所示的第2槽等所得到的图像的图。
[0017]图9是在图8所示的第2切口检查步骤中在外周剩余区域形成有第2槽的晶片的立体图。
[0018]图10是示出图8所示的第2切口检查步骤的剩余部分的概要的图，图10的(a)是在外周剩余区域的分割预定线处形成有第2槽的状态的晶片的剖视图，图10(b)是示出拍摄图10的(a)所示的第2槽等所得到的图像的图。
[0019]图11是示出图5所示的晶片的加工方法的第2槽形成步骤的概要的剖视图，图11的(a)是在分割预定线处形成有第2槽的状态的晶片的剖视图，图11的(b)是示出拍摄图11的(a)所示的第I槽等所得到的图像的图。
[0020]图12是示出实施实施方式的变形例的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。
[0021]标号说明
[0022]1:激光加工装置；
[0023]10:卡盘工作台；
[0024]20:激光光线照射构件；
[0025]22:激光振荡器；
[0026]23:1/2 波长板；
[0027]24:分束镜(分支构件);
[0028]25:光束调整构件；
[0029]26:聚光透镜；
[0030]26-1:第I聚光透镜；
[0031]26-2:第2聚光透镜；
[0032]30:摄像构件；
[0033]W:晶片；
[0034]M:Low-k 膜(层叠体);
[0035]B:分割预定线；
[0036]D:器件；
[0037]DR:器件区域；
[0038]GR:外周剩余区域；
[0039]L:激光光线；
[0040]L1:第I激光光线；
[0041]L2:第2激光光线；
[0042]R:激光加工槽；
[0043]Rl:第 I 槽;
[0044]R2:第 2 槽。
【具体实施方式】
[0045]参照附图详细说明用于实施本发明的方式(实施方式)。本发明并不受以下实施方式所述的内容限定。另外，在以下所述的构成部件中包括本领域人员能够容易地想到的构成部件和实质上相同的构成部件。此外，能够将以下所述的结构适当组合。另外，能够在不脱离本发明的主旨的范围内对其结构进行各种省略、替换和变更。
[0046](实施方式)
[0047]基于附图对本发明的实施方式的激光加工槽的检测方法进行说明。图1是示出实施实施方式的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的结构例的立体图。图2是示出图1所示的激光加工装置的摄像构件的图像的图。图3是示出图1所示的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。图4是示出作为图1所示的激光加工装置的加工对象的晶片等的立体图。
[0048]实施方式的激光加工槽的检测方法(以下，仅记作检测方法)是利用图1所示的激光加工装置I实施的方法(即，使用激光加工装置I的方法)。激光加工装置I通过使保持板状的晶片W的卡盘工作台10和激光光线照射构件20相对移动，由此对晶片W实施烧蚀加工，从而在晶片W上形成激光加工槽。
[0049]在实施方式中，晶片W是被激光加工装置I加工的加工对象，在实施方式中，是以硅、蓝宝石、镓等作为基本材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图4所示，晶片W具备:器件区域DR，在该器件区域DR中，利用层叠在正面的Low-k膜M(在图6等中示出，相当于层叠体)，在由形成为格子状的多个分割预定线B划分出的区域中形成器件D ;和外周剩余区域GR，该外周剩余区域GR围绕器件区域DR。并且，图4中的比点划线靠内侧的区域是器件区域DR，比点划线靠外侧的区域是外周剩余区域GR。在图4中，为了便于说明，以点划线示出了器件区域DR和外周剩余区域GR的边界。
[0050]Lowk膜M是在晶片W的正面上层叠S1F、BSG(S1B)等无机物类的膜或聚先亚胺系、聚对亚苯基二甲基系等聚合物膜即有