晶片的加工方法与流程

文档序号:34105668发布日期:2023-05-10 19:54阅读:35来源:国知局
晶片的加工方法与流程

本发明涉及将晶片分割成各个器件芯片的晶片的加工方法。


背景技术:

1、由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有ic、lsi等多个器件的晶片通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片,分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

2、激光加工装置大致包含:卡盘工作台,其对晶片进行保持;拍摄单元,其对该卡盘工作台所保持的晶片进行拍摄而检测要加工的区域;激光光线照射单元,其对该卡盘工作台所保持的晶片照射激光光线;以及加工进给机构,其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地进行加工进给,该激光加工装置能够高精度地加工晶片(例如参照专利文献1)。

3、激光光线照射单元有如下的类型:照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而实施烧蚀加工的类型(例如参照专利文献2);照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线而实施在内部形成改质层的内部加工的类型(例如参照专利文献3);以及照射对于晶片具有透过性的波长并且聚光器的数值孔径(na)除以晶片的折射率(n)而得的值为0.05~0.2的范围的激光光线而在内部形成由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道的类型(例如参照专利文献4)。

4、专利文献1:日本特开2015-085347号公报

5、专利文献2:日本特开2004-188475号公报

6、专利文献3:日本特许第3408805公报

7、专利文献4:日本特开2014-221483号公报

8、但是,当通过上述激光加工装置沿着分割预定线照射激光光线而分割成各个器件芯片时,由于构成晶片的原材料的结晶构造,存在如下的问题:由于激光光线的照射,使裂纹进展至从分割预定线探出的区域而给器件带来损伤。


技术实现思路

1、由此,本发明的目的在于提供晶片的加工方法,在照射激光光线而对晶片进行加工时,能够消除裂纹进展至从分割预定线探出的区域而给器件带来损伤的问题。

2、根据本发明,提供晶片的加工方法,将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:盾构隧道形成工序,照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线而形成由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道;以及分割工序,在实施了该盾构隧道形成工序之后,对该晶片赋予外力而将该晶片分割成各个器件芯片,该盾构隧道形成工序包含如下的工序:第一盾构隧道形成工序,至少空出与一个该盾构隧道相当的间隔而在该分割预定线上连续地形成该盾构隧道;以及第二盾构隧道形成工序,在空出该间隔的该分割预定线的区域中连续地形成该盾构隧道。

3、优选使通过该第一盾构隧道形成工序形成的盾构隧道和通过该第二盾构隧道形成工序形成的盾构隧道在厚度方向上交替地设置阶差而形成。优选该盾构隧道形成工序在晶片的厚度方向上使该盾构隧道层叠。优选该盾构隧道形成工序在层叠盾构隧道时包含:第三盾构隧道形成工序,在利用该第一盾构隧道形成工序形成的盾构隧道的上方形成盾构隧道;以及第四盾构隧道形成工序,在利用该第二盾构隧道形成工序形成的盾构隧道的上方形成盾构隧道。

4、优选在该盾构隧道形成工序中,当在晶片的厚度方向上层叠盾构隧道时,按照不与下方的盾构隧道接触的方式层叠上方的盾构隧道。优选该激光光线的波长为532nm,每1脉冲的功率为2.0·10-5j~4.0·10-5j,光斑的间隔为10μm~15μm。

5、根据本发明,能够抑制裂纹进展至从分割预定线探出的区域,并且能够避免按照连续地相邻的方式照射激光光线时产生的热积存的影响,能够消除裂纹进展至形成有器件的区域而使器件损伤的问题。



技术特征:

1.一种晶片的加工方法,将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法,其中,

4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法,其中,

5.根据权利要求3或4所述的晶片的加工方法,其中,

6.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,


技术总结
本发明提供晶片的加工方法,在照射激光光线而对晶片进行加工时,能够消除裂纹进展至从分割预定线探出的区域而给器件带来损伤的问题。晶片的加工方法包含如下的工序:盾构隧道形成工序,照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线而形成由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道;以及分割工序,对晶片赋予外力而将晶片分割成各个器件芯片。该盾构隧道形成工序包含如下的工序:第一盾构隧道形成工序,至少空出与一个盾构隧道相当的间隔而在分割预定线上连续地形成盾构隧道;以及第二盾构隧道形成工序,在空出该间隔的分割预定线的区域中连续地形成盾构隧道。

技术研发人员:广濑翼
受保护的技术使用者:株式会社迪思科
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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