激光回流方法与流程

本发明涉及激光回流方法。

背景技术：

1、在半导体器件的制造工艺中，作为将芯片与外部端子电连接的方法之一，有使芯片的电极与封装基板上的电极相对并经由凸块进行连接的倒装芯片(flip chip)安装方式。

2、通常在倒装芯片安装中，采用将基板整体加热而进行接合的批量回流(massreflow)工艺、通过将各芯片加热、加压而进行接合的tcb(thermo-compression bonding：热压接接合)工艺等。但是，批量回流工艺中，将基板整体加热而导致的热应力成为课题，tcb工艺中，接合头的冷却花费时间等导致的生产率差成为课题。

3、作为相对于上述那样的工艺具有优越性的工艺，提出了通过激光照射将芯片与基板上的电极连接的激光回流工艺(参照专利文献1、2)。在激光回流工艺中，具有如下的优点：由于没有对基板整体施加热，因此能够降低热应力，并且通过对多个芯片照射激光束，能够得到比tcb工艺高的生产率。

4、专利文献1：日本特开2008-177240号公报

5、专利文献2：日本特开2021-102217号公报

6、但是，逐渐认识到在激光回流工艺中，与其他工艺相比略多地发现芯片的外周部处的接合不良。关于其原因，本申请人进行了验证，推测是由于芯片的中央部与外周部的热的传递方式不同，芯片的中央部先进行接合而产生芯片翘曲，由此引起外周部的接合不良。

技术实现思路

1、由此，本发明的目的在于提供能够抑制半导体芯片的外周部的连接不良的激光回流方法。

2、根据本发明，提供激光回流方法，其中，该激光回流方法具有如下的步骤：准备步骤，准备被加工物，该被加工物包含基板以及半导体芯片，该半导体芯片在一个面上具有凸块并经由该凸块而载置于该基板上；以及激光束照射步骤，从位于该一个面的相反侧的另一个面向该半导体芯片照射激光束而对该被加工物的被照射区域所包含的凸块进行回流，在该激光束照射步骤中，从该被照射区域中的包含外周部的区域朝向该被照射区域中的包含中央部的区域，一边阶段性地变更照射范围一边照射激光束。

3、优选在该激光束照射步骤中，伴随该照射范围的变更而变更激光束的功率密度。

4、优选在该激光束照射步骤中，设定成照射至阶段性地变更的该照射范围中的规定的照射范围的激光束的功率密度小于等于照射至比该规定的照射范围靠该外周部侧的照射范围的激光束的功率密度。

5、根据本发明，能够抑制半导体芯片的外周部的连接不良。

技术特征：

1.一种激光回流方法，其中，

2.根据权利要求1所述的激光回流方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的激光回流方法，其中，

技术总结
本发明提供激光回流方法，能够抑制半导体芯片的外周部的连接不良。激光回流方法包含如下的步骤：准备步骤，准备被加工物，该被加工物包含基板以及半导体芯片，该半导体芯片在一个面上具有凸块并经由该凸块而载置于该基板上；以及激光束照射步骤，从位于该一个面的相反侧的另一个面向该半导体芯片照射激光束而对该被加工物的被照射区域所包含的凸块进行回流。在该激光束照射步骤中，从该被照射区域中的包含外周部的区域朝向该被照射区域中的包含中央部的区域，一边阶段性地变更照射范围一边照射激光束。

技术研发人员：野村哲平,一宫佑希,陈之文
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14