一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法与流程

文档序号:36624485发布日期:2024-01-06 23:17阅读:21来源:国知局
一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法与流程

本发明涉及气体保护焊,尤其涉及一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法。


背景技术:

1、目前,气体保护焊已广泛应用于钢铁结构制造中,与手工焊条焊相比,具有焊接质量好、效率高等优点,其中的mag焊具有电弧燃烧及熔滴过渡稳定、焊缝的冶金质量更高、焊接缺陷少等优点。

2、授权公告号cn114012219b公布了一种核电站安全壳钢衬里底板安装单面焊双面成形激光跟踪mag自动焊接方法,其特点是采用mag焊方法,并在坡口底部粘贴陶质衬垫及激光跟踪焊缝以保证单面焊双面成形工艺的实施;授权公告号cn112620888b公布了一种高寒地区q500qenh耐候钢单面焊双面成型的工艺方法,其技术特点是采用气保焊方法打底、埋弧焊填充,坡口底部添加衬垫以实现单面焊双面成形;授权公告号cn106825874b公布了一种埋弧焊单面焊双面成型工艺,该发明技术特点是:其技术要点是管子内径加装内衬垫与气囊支撑,在所述内衬垫的上方铺满焊剂,向所述气囊内注入气体使所述内衬垫与所述管材贴合,采用埋弧焊方法实现单面焊双面成形。

3、本发明为一种自动mag焊单面焊双面成形打底工艺方法,与授权公告号cn114012219b、cn112620888b及cn106825874b相比较,无需焊接衬垫及辅助工装,焊接辅助时间短、效率较高,焊接质量良好,且背面成形美观,适合低碳钢、低合金钢及低合金高强钢焊接时的打底层焊接。


技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,有效解决无焊接衬垫条件下单面焊双面成形的问题,工艺相对简单、成本较低,提高焊接质量及工作效率。

2、为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:

3、本发明一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,包括:采用mag焊方法,焊接电流=185-190a,焊接电压=21-23v,焊接速度=23-25cm/min,坡口间隙=2±0.1mm,钝边=2±0.1mm,错边量≦0.1mm,焊丝直径=1.0-1.6mm,焊丝干伸长度=15-20mm,气流量=15-20l/min,焊枪角度:垂直于母板。

4、进一步的,使用otc cpve500型焊机。

5、进一步的,保护气体为二元气体80%ar+20%co2。

6、进一步的,保护气体为三元气体80%ar+15%co2+5%o2。

7、进一步的,适用于5mm以上厚度低碳钢、低合金钢及低合金高强钢焊接时的打底层单面焊双面成形焊接工艺。

8、与现有技术相比,本发明的有益技术效果:

9、本发明免除焊接衬垫及对应辅助工装,焊接辅助时间短、效率高,焊接质量良好,且背面成形美观,适合5mm以上厚度低碳钢、低合金钢及低合金高强钢焊接时的打底层单面焊双面成形焊接工艺。适合水平直缝及环缝自动焊接,提高工作效率,降低劳动强度。可应用于在大型钢结构制造、锅炉及压力容器制造等行业。



技术特征:

1.一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,其特征在于,包括:采用mag焊方法,焊接电流=185-190a,焊接电压=21-23v,焊接速度=23-25cm/min,坡口间隙=2±0.1mm,钝边=2±0.1mm,错边量≦0.1mm,焊丝直径=1.0-1.6mm,焊丝干伸长度=15-20mm,气流量=15-20l/min,焊枪角度:垂直于母板。

2.根据权利要求1所述的气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,其特征在于,使用otc cpve500型焊机。

3.根据权利要求1所述的气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,其特征在于,保护气体为二元气体80%ar+20%co2。

4.根据权利要求1所述的气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,其特征在于,保护气体为三元气体80%ar+15%co2+5%o2。

5.根据权利要求1所述的气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,其特征在于,适用于5mm以上厚度低碳钢、低合金钢及低合金高强钢焊接时的打底层单面焊双面成形焊接工艺。


技术总结
本发明公开了一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,包括:采用MAG焊方法,焊接电流=185‑190A,焊接电压=21‑23V,焊接速度=23‑25cm/min,坡口间隙=2±0.1mm,钝边=2±0.1mm,错边量≦0.1mm,焊丝直径=1.0‑1.6mm,焊丝干伸长度=15‑20mm,气流量=15‑20L/min,焊枪角度:垂直于母板。本发明的目的是提供一种气体保护焊单面焊双面成形打底工艺方法,有效解决无焊接衬垫条件下单面焊双面成形的问题,工艺相对简单、成本较低,提高焊接质量及工作效率。

技术研发人员:付学义
受保护的技术使用者:包头钢铁(集团)有限责任公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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