遮罩的制作方法
【专利摘要】本发明是关于一种遮罩，其包含有一具有多个镀膜区位孔的遮罩板体，该遮罩板体于其沉积材迎接侧形成粗糙化沉积材附着表面。由此，应用于蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程中，遮罩设置于沉积材料源与基材之间，可使解离的部分沉积材原子或分子通过遮罩的镀膜区位孔而沉积于基材表面形成镀膜，被遮罩阻隔的沉积材原子或分子则能附着于粗糙化沉积材附着表面，并通过粗糙化沉积材附着表面的粗糙化表面提升沉积材料附着的结合力，使附着于粗糙化沉积材附着表面上的沉积材料不易因剥离而污染镀膜，确保基材镀膜沉积制程的良好品质。
【专利说明】遮罩【技术领域】
[0001 ] 本发明是关于一种遮罩，尤指一种应用于如蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程的遮罩。【背景技术】
[0002]在镀膜沉积制程中，为使沉积材料精确地沉积于基材的预定位置形成特定形状的镀膜，如图8及图9所示，在沉积材料源30与基材20之间即会装设遮罩40，以在沉积材料源30通过热蒸发或高能量离子撞击而使沉积材料中原子或分子解离时，利用遮罩40上所设的镀膜区位孔，使解离的沉积材料中原子或分子的一部分通过遮罩40中的镀膜区位孔，而沉积于基材20表面预定位置形成特定形状的镀膜，其余的沉积材料原子或分子则因遮罩40的遮蔽而被阻隔，如此，达到控制基材20沉积的镀膜位置及形状的目的。
[0003]前述应用于蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程时，被遮罩阻隔的沉积材料会附着遮罩表面，由于一般的遮罩是选用具有光滑表面的金属薄板所制成，附着于遮罩表面的沉积材料与遮罩的光滑表面间不具稳固的结合性，以致后续镀膜沉积制程中，易发生原附着于遮罩表面的沉积材料剥离而污染镀膜，以致影响基材镀膜沉积的品质。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种遮罩:解决现有镀膜沉积制程中，附着于遮罩上的沉积材料无法与遮罩的光滑表面间形成稳固的结合，而致沉积材料易剥离而污染镀膜，影响基材镀膜质量的问题。
[0005]本发明所提出的技术解决方案是:提供一种遮罩，其包含一遮罩板体，遮罩板体中形成多个镀膜区位孔，该遮罩板体包含有一沉积材迎接侧，该沉积材迎接侧形成一粗糙化沉积材附着表面。
[0006]如上所述的遮罩中，所述遮罩板体为薄板。
[0007]如上所述的遮罩中，所述遮罩板体为金属薄板。
[0008]如上所述的遮罩中，所述金属薄板的厚度为0.01~1.5mm。
[0009] 本发明可达成的有益效果是:本发明的遮罩应用于蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程中，该遮罩是设置于沉积材料源与基材之间，以在蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程中，沉积材料源通过热蒸发或高能量离子撞击产生的沉积材料中原子或分子解离后，解离的沉积材料原子或分子中的一部分通过遮罩中的镀膜区位孔，而沉积于基材表面特定位置形成镀膜，其余的沉积材原子或分子则因遮罩的遮蔽而被阻隔且附着于粗糙化沉积材附着表面上，其中通过粗糙化沉积材附着表面的粗糙化表面提升沉积材料附着的结合力，使附着于粗糙化沉积材附着表面上的沉积材料不易剥离，如此，于后续的镀膜沉积制程中，不易发生原附着于遮罩表面的沉积材料剥离而污染基材上的镀膜等情事，确保基材镀膜沉积制程的良好品质。
【专利附图】
【附图说明】[0010]图1是本发明遮罩的一较佳实施例的平面示意图。
[0011]图2是本发明遮罩的另一较佳实施例的平面示意图。
[0012]图3是以蚀刻手段于遮罩板体的沉积材迎接侧形成粗糙化沉积材附着表面的剖面示意图。
[0013]图4是遮罩板体全面蚀刻的蚀刻时间与粗糙度关系的折线图。
[0014]图5是遮罩板体部分蚀刻的蚀刻深度与粗糙度的折线图。
[0015]图6是遮罩板体部分蚀刻的蚀刻宽度与粗糙度的折线图。
[0016]图7是本发明遮罩的粗糙化沉积材附着表面附着沉积材的剖面示意图。
[0017]图8是现有技术蒸镀制程的示意图。
[0018]图9是现有技术中溅镀制程的示意图。
[0019]元件符号说明
[0020]10……遮罩板体11……镀膜区位孔
[0021]12……沉积材迎接侧 13……粗糙化沉积材附着表面
[0022]20......基材30......沉积材料源
[0023]31……沉积材料40……遮罩
【具体实施方式】
[0024]以下配合附图及本发明的较佳实施例，进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段。
[0025]如图1或图2所示，是揭示本发明遮罩的多种较佳实施例，所述遮罩包含一遮罩板体10,所述遮罩板体10可为薄板,所述薄板可为金属薄板或其它材质的板材,所述遮罩板体10中形成多个镀膜区位孔11，所述多个镀膜区位孔11是用以提供沉积材通过，所述镀膜区位孔11的形状、大小以及分布于遮罩板体10的位置，是依镀膜沉积制程所使用的基材而作相应的设定，所述遮罩板体10包含有一沉积材迎接侧12，所述遮罩板体10于该沉积材迎接侧12形成一粗糙化沉积材附着表面13。
[0026]所述遮罩板体10可为厚度0.01~1.5mm的金属薄板,所述遮罩板体10的沉积材迎接侧12可依镀膜沉积制程的需要，而使遮罩板体10的沉积材迎接侧12全面或局部形成粗糙化沉积材附着表面13。
[0027]所述粗糙化沉积材附着表面13可使用蚀刻、电铸、雷射加工、喷砂或其它机械加工手段(如研磨、压花)等表面加工手段施加于该遮罩板体10的表面而形成规则状或不规则状的粗糙化表面，其中以蚀刻手段形成粗糙化沉积材附着表面13为佳，因为蚀刻手段形成的粗糙化沉积材附着表面13几乎不会造成遮罩板体10的表面应力。
[0028]如图3所示，是揭示本发明遮罩利用蚀刻手段形成的规则状粗糙化沉积材附着表面13的一较佳实施例，且当所述粗糙化沉积材附着表面13是选用蚀刻手段成形时，其中可通过蚀刻时间或蚀刻深度的控制，改变粗糙化沉积材附着表面13的粗糙度，且蚀刻手段能够精确控制粗糙化沉积材附着表面13的凹凸形状与凹凸形状分布的密度，使该粗糙化沉积材附着表面13的粗糙度可依不同的沉积材料而设定。其中通过粗糙化沉积材附着表面13的凹凸形状与凹凸形状分布的密度等蚀刻图案的变更，如图3所示，可显著提高粗糙化沉积材附着表面13的粗糙度。[0029]本发明的发明人曾对所述粗糙化沉积材附着表面13的粗糙度进一步实物测试，其结果如下:
[0030]当遮罩板体10的沉积材迎接侧12全面蚀刻时，由图4所示的图表当可看出，以蚀刻手段施加于遮罩板体10的沉积材迎接侧12时，随着蚀刻的时间增加，可使小幅度提高表面粗糙度。
[0031]当控制遮罩板体10的粗糙化沉积材附着表面13的蚀刻深度时，随着蚀刻深度的增加，能使粗糙度相对增加，其中参看图3及图5，其中定义蚀刻的凹部宽度为Cl，凹部与凹部间的凸部宽度为C2, Cl与C2相等，蚀刻深度为D，D=D1、D2及D3，D1〈D2〈D3，Cl不等于C2，当其蚀刻深度D=Dl时，其表面粗糙度介于2~8μπι之间；当其蚀刻深度D=D2时，其表面粗糙度介于8~12 μ m之间，当其蚀刻深度D=D3时，其表面粗糙度介于14~16 μ m之间，由此可见，随着蚀刻深度的增加，能使粗糙度相对增加。
[0032]当控制遮罩板体10粗糙化沉积材附着表面13利用蚀刻图案以及蚀刻深度等因素，更能显著提高粗糙化沉积材附着表面13的粗糙度。以图3及图6为例，其中定义蚀刻的凹部宽度为Cl，凹部与凹部间的凸部宽度为C2，Cl可与C2相等，蚀刻的凹部深度为D，D=DU D2 及 D3，D1〈D2〈D3，C1=C2=C，当 C=0.05mm、0.10mm、0.15mm、0.20mm 及 0.25mm 时，其粗糙度由图6所示的图表中当可清楚看出利用蚀刻图案以及蚀刻深度蚀度的改变，能显著提闻粗糖化沉积材附着表面13的粗糖度。
[0033]本发明的遮罩应用于蒸镀或溅镀等镀膜沉积设备中，是将该遮罩设置于沉积材料源与基材之间，并使遮罩的沉积材迎接侧朝向沉积材料源，当进行蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程时，沉积材料源通过热蒸发或高能量离子撞击产生的沉积材料中原子或分子解离后，解离的沉积材料原子或分子中的一部分能通过遮罩中的镀膜区位孔，而沉积于基材表面特定位置形成镀膜，其余的沉积材原子或分子则因遮罩的遮蔽而被阻隔，且附着于粗糙化沉积材附着表面上，此时，如图7所示，因遮罩的粗糙化沉积材附着表面13增加沉积材料31附着的表面积，且利用粗糙化沉积材附着表面13的多数凹凸形状使沉积材料31能稳固地固着其上而不易剥离，如此，于后续的镀膜沉积制程中，即不易发生原附着于遮罩表面的沉积材料剥离而掉落于基材表面的情事，确保基材镀膜沉积制程的良好品质。
[0034] 以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种遮罩，其特征在于，其包含一遮罩板体，该遮罩板体中形成多个镀膜区位孔，该遮罩板体包含有一沉积材迎接侧，该沉积材迎接侧形成一粗糙化沉积材附着表面。
2.根据权利要求1所述的遮罩，其特征在于，所述遮罩板体为薄板。
3.根据权利要求2所述的遮罩，其特征在于，所述遮罩板体为金属薄板。
4.根据权利要求3 所述的遮罩，其特征在于，所述金属薄板的厚度为0.01~1.5mm。
【文档编号】C23C14/04GK103911585SQ201310005827
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年1月8日 优先权日:2013年1月8日
【发明者】李仲仁, 赵勤孝, 郦唯诚 申请人:旭晖应用材料股份有限公司