去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法
【专利摘要】本发明为去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，步骤S1：利用第j-1次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj-1、PSDj，构建出平滑谱函数H模型即去除函数归一化后的傅里叶变换；步骤S2：将平滑谱函数H两端同时乘以得到关系式(2)：步骤S3：对关系式(2)进行m项求和相加运算，构建出第m次抛光工艺的误差抑制能力计算模型HModified；步骤S4：对n次抛光中的误差抑制能力计算模型进行取平均值计算，构建计算机控制表面成形抛光中去除函数在确定抛光条件下对不同频段误差抑制能力HTIF模型。
【专利说明】去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法
【技术领域】
[0001]本发明属于先进光学制造领域，具体涉及的是去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法。
【背景技术】[0002]在强激光和高精度光学系统中不同频段的制造误差对光学元件性能的影响越来越受到关注，低频误差使成像系统的像扭曲变形，引入各种像差；中频误差使光线发生小角度散射，从而使成像产生耀斑，影响像的对比度；高频误差使光线发生大角度散射，降低镜面的反射率；因此分频段控制这些表面制造误差显得相当重要。对于低频误差，通过控制局部区域的驻留时间比较容易消除，然而对于小尺度中高频误差却难以通过上述方法消除。研究评价和消除CCOS技术带来的中高频误差的相关方法成为光学加工的难点和热点。
[0003]平滑谱函数是中国专利号“201310315171.9” “CC0S抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法”提出的一种评价CCOS抛光工艺对不同频段误差抑制能力的方法。
【发明内容】
[0004]为解决现有的技术问题，本发明基于平滑谱函数H构建计算CCOS抛光工艺误差抑制能力的改进的数学模型，并提供去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法。
[0005]本发明去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，该误差抑制能力的评价步骤如下:
[0006]步骤S1:利用第j_l次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSD」+ PSDj,构建出平滑谱函数模型表示为:
[0007]
【权利要求】
1.一种去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，其特征在于，该误差抑制能力的评价步骤如下: 步骤S1:利用第j-Ι次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj+PSDp构建出平滑谱函数模型表示为:
2.如权利要求1所述的去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，其特征在于，还包括计算所述误差抑制能力Htif曲线的步骤如下: 步骤S41:使用干涉仪对光学元件抛光前的面形误差进行检测，获得面形误差的数据，并计算抛光前的功率谱密度函数PSDtl曲线； 步骤S42:对光学元件进行η次抛光加工，保持去除函数的稳定及工艺条件不变，利用干涉仪检测第η次抛光后光学元件的面形误差，并计算第η次抛光后光学元件的功率谱密度函数PSDn曲线，直到第η次抛光后光学元件的功率谱密度函数PSDn曲线收敛，获得η条功率谱密度曲线，分别记为PSD1…PSDj…PSDn ；η为自然数； 步骤S43:将光学元件经过η次抛光计算得到的η条功率谱密度函数曲线代入所述误差抑制能力Htif的模型中求解出所述误差抑制能力Htif曲线； 步骤S44:根据所述误差抑制能力Htif曲线值的大小来评价去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的大小，值越大表示误差抑制能力越强，其中正值表示对该频段的误差有抑制作用，负值表示会导致该频段的面形误差。
【文档编号】B24B49/00GK103567866SQ201310581418
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年11月19日 优先权日:2013年11月19日
【发明者】王佳, 范斌, 万勇建, 施春燕, 卓彬, 孟凯 申请人:中国科学院光电技术研究所