一种纯钴渗硼硅处理方法
【专利摘要】本发明涉及一种纯钴渗硼硅处理方法，可以制得具有硼硅渗层的钴片，抗高温氧化试验结果显示渗硼硅纯钴试样抗高温氧化性优于未渗硼硅后纯钴试样，并且耐磨性能优良。
【专利说明】一种纯钴渗硼硅处理方法
【技术领域】
[0001]本发明专利涉及一种纯钴渗硼硅处理方法。
【背景技术】
[0002]钴是一种重要的战略金属，由于其具有优良的物理、化学和机械性能，是生产耐高温、耐腐蚀和强磁性等材料的重要原料，钴及其合金广泛应用于电机、机械、化工、航空和航天等领域，可用作燃气轮机的叶片、叶轮、导管、喷气发动机、火箭发动机、导弹部件，化工设备中各种高负荷耐热部件和原子能工业的重要金属材料。随着现代工业特别是航空、航天业的发展，热端部件使用温度不断提高，使用环境也愈加苛刻，钴及其合金的高温氧化问题成为制约热端部件应用和使用寿命的重要因素之一。
[0003]渗硼是硼进入铁及一系列非铁金属表面的化学热处理过程，渗硼后的钴及其合金具有较高的硬度、耐磨性和耐腐蚀性。渗硅作为一种化学热处理方法也可以显著提高钴及其合金的耐磨性、耐酸性和耐热性。当采用含有大量SiC的渗剂对钴进行处理时，在其基体上将会形成表层硅化物层，内层硼化物层的双层渗层，我们将其称为渗硼硅处理(Borosiliconizing)。在高温环境下,基体材料与渗层之间的内扩散加剧,通常会导致单层渗层的保护作用减弱甚至丧失，然而多层渗层(Multilayercoatings)能够有效解决上述问题，内、外渗层均具有良好的抗高温氧化性和耐磨性，并且内层渗层能够在高温下有效阻止基体和外层渗层之 间的内扩散。
[0004]因此，本专利通过对纯钴进行渗硼硅处理获得多层渗层，研究了多层渗层的显微组织及高温氧化性能，以期获得具有特殊表面性能的渗层。
【发明内容】
[0005]本发明专利的目的在于提供一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于包括以下步骤:
[0006]步骤一,试样表面处理
[0007]采用99.95wt%纯钴，经线切割加工成IOmmX IOmmX IOmm的试样，将试样表面经600号砂纸打磨并抛光处理。
[0008]步骤二，渗硼硅处理
[0009]渗硼硅处理装置图如图1所示。将步骤一所制的纯钴试样用乙醇除油清洗。将清洗过的试样放置在渗剂中，所述纯钴和渗剂的质量比约为1:10-20，并密封在钢制渗箱中，将渗箱放入加热炉内，处理参数分别为850°C下保温2h、4h、6h、8h，900°C下保温2h、4h、6h、8h，950°C下保温2h、4h、6h、8h，之后随炉冷却到室温取出既得具有硼硅渗层的钴片，所述渗层的内层为硼化物层，外层为硅化物层。
[0010]其特征在于步骤一中所述的渗剂渗剂为粒状，粒度为1mm。
[0011]其特征在于步骤二中所述的渗剂由供硼剂、活化剂和填充剂(供硅剂)组成，所述供硼剂为B4C,活化剂为KBF4,填充剂(供硅剂)为SiC，其中B4C、KBF4, SiC的质量比为1-10:1-5:80-95。
[0012]其特征在于所述比(:、1--4、5^的质量比为8:4:88。
[0013]其特征在于步骤二所述加热炉为SX2-4-10型箱式电阻炉。
[0014]其特征在于步骤二中所制得的具有硼硅渗层的钴片中渗层的厚度大约在40-186 μ m，所述硼化物层和硅化物层的厚度比值为1-4:8-10，硅化物层硬度大约为710HVQ.Q25，硼化物层硬度大约为 1296-1444HVQ.Q25。
[0015]其特征在于硅化物层的厚度约15μπι，过渡层的厚度约15μπι，硼化物层的厚度约104 μ m0
[0016]其特征在于步骤二中所制得的具有硼硅渗层的钴片的磨损率为2.46mg/km。
[0017]磨损性能试验采用M-200磨损实验机(转速为200r/min)，其磨损示意图如图2所示。图中的摩擦副采用GCrl5钢圆环(内径Φ15πιπι、外径Φ50πιπι)，待测试样为IOmmX IOmmX 10mm。所选载荷为30N,磨损时间为900s,每个试样重复3次磨损。米用TG328A型光电天平分别称磨损前后的试样重量(精确到0.1mg)，以试样的失重来评价其耐磨性。为了进一步说明渗硼硅试样的磨损行为及磨损机制，本实验运用扫描电子显微镜(SEM，HITCHIS-3400N)对其磨损后的形貌进行了观察。
[0018]循环氧化试验是在SX2-4-10型箱式电阻炉中进行。试验介质为静止空气，试验温度为950°C。将清洗干燥后的试样置于烘烤至恒重的石英坩埚内。为保证试验数据的准确性，每组氧化试验用3个试样。采用氧化增重法，每5h将坩埚取出，试样连同坩埚称重一次。经10次循环氧化，氧化时间总计50h。在TG328A型电光分析天平上称重(精确到
0.1mg)。以氧化时间和测得的试样的单位面积平均增重为横、纵坐标绘制出试样的氧化动力学曲线。用PhilipsX射线衍射仪分析试样表面形成的氧化产物。
[0019]有益效果:本发明采用的渗硼硅方法不需要专用设备，具有渗层可控、工艺简单、操作方便，渗后易于清理，适应性强和便于推广的优点。所用渗剂价格便宜、配比简单、还可重复使用。渗硼硅后在纯钴表面形成了双层合金化合物层，提高了试样表面的硬度、耐磨性和抗高温氧化性。适用于钴及钴基合金，在石油、化工机械、电力工业和航空航天高温零部件上有良好的应用前景。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明:
[0021]图1为本发明的渗硼硅处理装置图；
[0022]图2为本发明的磨损实验示意图；
[0023]图3为纯钴在900°C渗硼硅8h的渗层显微照片；
[0024]图4为纯钴渗硼硅温度、时间与渗层厚度的关系图；
[0025]图5 (a)为纯钴在温度850°C，时间2h和8h渗硼硅后的XRD衍射图；
[0026]图5 (b)为纯钴在温度900°C，时间2h和8h渗硼硅后的XRD衍射图； [0027]图5 (C)为纯钴在温度950°C，时间2h和8h渗硼硅后的XRD衍射图；
[0028]图6(a)为纯钴在950°C，8h渗硼硅后的硅化物层、过渡层和硼化物层的显微硬度值沿渗层深度分布；
[0029]图6 (b)为纯钴在950°C，8h渗硼硅后的硼化物层和纯钴基体的显微硬度值沿渗层深度分布；
[0030]图7为纯钴与纯钴850°C X8h和950°C X8h渗硼硅后的滑动摩擦磨损试验结果对比；
[0031]图8 (a)是未渗硼硅的纯钴表面磨损形貌；
[0032]图8(b)是高倍显微镜下(X300倍)未渗硼硅的纯钴表面磨损形貌；
[0033]图8 (c)是850°C X8h渗硼硅的纯钴表面磨损形貌；
[0034]图8(d)是高倍显微镜下(X300倍)850°C X8h渗硼硅的纯钴表面磨损形貌；
[0035]图8 (e)是950°C X8h渗硼硅的纯钴表面磨损形貌；
[0036]图8(f)是高倍显微镜下(X300倍)950°C X8h渗硼硅的纯钴表面磨损形貌
[0037]图9为纯钴和纯钴在850°C X8h和950°C X8h渗硼硅后经过950°C循环氧化50h的氧化增重与时间的关系曲线图；
[0038]图10 (a)为纯钴试样经950°C氧化50h的XRD衍射图；
[0039]图10 (b)为850°C X8h渗硼硅处理后的纯钴经950°C氧化50h的XRD衍射图； [0040]图10 (C)为950°C X8h渗硼硅处理后的纯钴经950°C氧化50h的XRD衍射图；
【具体实施方式】
[0041]下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。
[0042]本发明专利的目的在于提供一种纯钴渗硼硅处理方法，
[0043]该方法通过以下步骤实现，
[0044]步骤一，试样表面处理
[0045]采用99.95wt%纯钴，经线切割加工成IOmmX IOmmX IOmm的试样，将试样表面经600号砂纸打磨并抛光处理。
[0046]步骤二，渗硼硅处理
[0047]将步骤一所制的的纯钴试样用乙醇除油清洗。将清洗过的试样放置在渗剂(纯钴和渗剂的质量比约为1:(10-20))中并密封在钢制渗箱中，将渗箱放入加热炉内，处理温度分别为 850°C下保温 2h、4h、6h、8h，900°C下保温 2h、4h、6h、8h，950°C下保温 2h、4h、6h、8h，之后随炉冷却到室温取出既得具有硼硅渗层的钴片，所述渗层的内层为硼化物层，外层为娃化物层。
[0048]步骤一中所述的渗剂为粒状,粒度为1mm。
[0049]步骤二中所述的渗硼硅装置如图1所示。
[0050]步骤二中所述的渗剂由供硼剂、活化剂和填充剂(供硅剂)组成，所述供硼剂为B4C,活化剂为KBF4,填充剂(供硅剂)为SiC,其中B4C、KBF4' SiC的质量比为1-10:1-5:80-95。
[0051]所述B4C、KBF4、SiC 的质量比为 8:4:88。
[0052]步骤二所述加热炉为SX2-4-10型箱式电阻炉。
[0053]所制得的具有硼硅渗层的钴片中渗层的厚度大约在40-186 μ m,所述硼化物层和硅化物层的厚度比值为1-5:8-20，硅化物层硬度大约为710HVa(l25，硼化物层硬度大约为1296-1444HV匪
[0054]硅化物层的厚度约15 μ m,过渡层的厚度约15 μ m,硼化物层的厚度约104 μ m。步骤二中所制得的具有硼硅渗层的钴片的磨损率为2.46mg/km。
[0055]渗层的显微组织
[0056]图3为纯钴在900°C渗硼硅8h后的渗层显微照片。试样从表面到基体很明显的分成四个部分，即硅化物层、过渡层、硼化物层、钴基体。最外层为硅化物层，基本上为等轴的粒状结构，厚度大约15μπι左右。紧邻硅化物层的是过渡层，两者有明显的界面，过渡层厚度大约也是15μπι左右。过渡层与基体之间是硼化物层，两者区分不是很明显，硼化物呈针齿状结构，厚度大约104μπι左右。最内层为纯钴的基体，硼化物以针齿状结构嵌入基体之中，和基体牢固结合。纯钴在900°C X8h渗硼硅条件下渗层总厚度达到134 μ m左右。
[0057]渗层厚度分析
[0058]本实验中纯钴的渗硼硅处理包括渗硅和渗硼两个过程。由图4可以看出渗硼硅时间与渗层厚度的关系呈现一定的抛物线关系，而且温度对渗层厚度的影响要大于时间对渗层厚度的影响。这是因为无论是渗硼还是渗硅都是化学热处理的一种方式，渗硼硅时间与渗层厚度的关系都遵循化学热处理的规律。根据温度与扩散系数之间的关系可知，原子的扩散速度随温度的升高急剧增大，且当温度一定时，扩散的时间越长，扩散层越深，但随着时间延长，渗层增加的速度变慢，即渗层厚度的增加与扩散时间呈抛物线关系。所以随着温度的增加，渗剂的分解加速，[Si]原子和[B]原子扩散速率加快，渗层厚度增加。纯钴渗硼硅的渗层厚度大约在40~186 μ m之间。
[0059]渗层物相分析
[0060]为了进一步明 确渗层的金相组织，分别对渗硼硅温度850°C、90(TC、95(rC，渗硼娃时间2h和8h的试样表层进行了 X-ray衍射分析试验。试验结果见图5,图5 (a)为8500C X 2h 和 850°C X 8h 渗硼硅的 XRD 衍射图；图 5 (b)为 900°C X 2h 和 900°C X 8h 渗硼硅的XRD衍射图；图5 (c)为950°C X 2h和950°C X 8h渗硼硅的XRD衍射图。
[0061]由图5(a)可知，纯钴在850°C X2h和850°C X8h渗硼硅后得到的单相Co2B，图5(b)是纯钴在900°C X2h和900°C X8h渗硼硅后的XRD衍射图，其中在900°C X2h时渗硼硅只有Co2B峰线存在，而在900°C X 8h渗硼硅的试样中最强峰为Co2B,但是有少量Co2Si峰线存在，即在该参数下渗硼硅后，试样中不仅能检测到Co2B相，还能检测到少量的钴的硅化物相(Co2Si)。图5 (c)是纯钴在950°C渗硼硅，渗硼硅时间为2h和8h的XRD衍射结果图，纯钴在950°C X2h渗硼硅后，在XRD衍射图中基本上是Co2Si峰线，并有极少量Co2B峰线，在950°C X8h的XRD中未发现Co2B峰线的存在，这是因为钴的硅化物层覆盖在钴的硼化物层上，随着渗硼硅温度的升高和渗硼硅时间的延长，硅化物层逐渐变厚，XRD射线无法穿透该层，因此950°C X8h渗硼硅后无法检测到钴的硼化物相。
[0062]渗层显微硬度分析
[0063]图6为纯钴950°C X 8h渗硼硅后显微硬度压痕沿渗层深度分布的照片(载荷选用25g)，图6(a)为该渗硼硅试样的硅化物层、过渡层和硼化物层的显微硬度值沿渗层深度分布图，图6(b)为该渗硼硅试样的硼化物层和纯钴基体的显微硬度值沿渗层深度分布图。由图可知，最外层的硅化物相(Co2Si)硬度大约7IOHVaC125。而硅化物和硼化物之间的过渡层的硬度降至556HVa(l25左右，这是由于硅化物和硼化物之间的过渡层存在结构缺陷，以及过渡层不同物相的热膨胀系数不同造成的。而硼化物层(Co2B)硬度大约为1444~1296HVa(l25，高于硅化物层硬度。而硼化物和基体之间的过渡层硬度大约1252HVa(l25，这是由于进行渗硼硅时，硼进入渗硼层下面的过渡层中，增加了过渡层的硬度，而基体硬度约为242HVa(l25。由上述分析可知，钴的硅化物和硼化物的显微硬度都要远远大于其基体的硬度。
[0064]纯钴渗硼硅过程分析
[0065]根据综上分析，纯钴渗硼硅过程如下:首先渗剂中分解出来的活性[B]、[Si]原子吸附在纯钴试样的表面，由于B原子活性大，原子半径小，且首先分解，表面活性[B]原子溶解于钴中并很快达到饱和溶解度，并达到生成Co2B的含量，开始形成硼化物晶核，因硼化物的长大具有择优取向性，形成齿状，这时硼化物的进一步长大将试样表面完全覆盖。Si原子由于活性相对较小，原子半径大，化学反应中随后分解，则尚未形成晶核。随着渗硼硅温度和时间的升高，分解的Si原子越来越多，Si势也越来越大，渗硼过程停止，渗硅过程起主导地位，Si原子向金属基体的纵深扩散，溶于钴中形成单一的固溶体相，这时最高含Si量仍未达到850°C下该固溶体相的饱和固溶度。当其表面最高含Si量达到饱和固溶度后，随着Si原子在被渗金属表面的继续吸收，渗层表面出现了 Co2Si相层，此时，渗层由内到外由硼化物层(Co2B)、Si溶于Co的过渡层和硅化物层(Co2Si)三层组成。
[0066]渗层耐磨性研究
[0067]图7为纯钴、与纯钴850°C X8h和950°C X8h渗硼硅后的滑动摩擦磨损试验结果对比。从图上可以看出，纯钴在载荷30N的条件下滑动磨损900s后，其磨损失重为3.75mg,磨损率为7.97mg/km。纯钴在850°C X 8h渗硼硅后，渗层为Co2B单相，在相同的磨损条件下，其磨损失重仅为0.23mg， 磨损率为0.49mg/km。纯钴在950°C X 8h渗硼硅后，渗层为Co2B和Co2Si双相,从磨损形貌照片可以确定磨痕宽度大约0.85mm,而对磨环直径Φ 50mm,可以计算出磨损深度约4 μ m，表层的硅化物相(Co2Si)厚度约20 μ m,因此亚表层的Co2B相对磨损没有作用，仅为硅化物层的耐磨性研究，在相同的磨损条件下，其磨损失重为0.54mg，磨损率为 2.46mg/km。
[0068]因此，渗硼硅后纯钴表面的耐磨性显著提高。由于纯钴渗硼硅后渗层硬度大大提高(Co2Si层硬度约7IOHVaC125硼化物层约1296~1444HVa(l25)。可见，渗层的硬度对耐磨性有很大的影响，而且硼化物层的耐磨性比硅化物层的耐磨性好。
[0069]图8是磨损试样的磨痕形貌，其中图8 (a)是未渗硼硅的纯钴表面磨损形貌，磨痕较多。高倍下(如图8(b))观察划痕主要是沟槽，沟槽较多但不深，没有塑性翻边出现，可见对磨件上的一些微凸起与纯钴表面接触时，对纯钴表面发生如刨削一样的微观切削过程，这样直接造成材料的去除，形成一次切屑，所以纯钴的磨损失重较大。图8(c)是850°C X8h渗硼硅的试样表面磨损形貌，磨痕不明显，说明硼化物层(Co2B)的磨损失重非常小。高倍下(如图8(d))观察磨损形貌主要是极少量非常浅的沟槽、显微孔洞和微观裂纹等渗层结构缺陷。材料经过渗硼后，渗层表层一般都不同程度地存在着一些疏松孔洞。这些孔洞对渗硼件的机械性能的影响说法不一，多数文献认为，疏松孔洞使渗层的脆性增加，耐磨性下降，也是裂纹萌生和扩展导致龟裂、剥落失效的一种潜在威胁。也有文献认为疏松的孔洞可以存储润滑油提高耐磨性。图8(e)是950°C X8h渗硼硅的试样表面磨损形貌，磨痕也不明显，说明硅化物层(Co2Si)的磨损失重也较小，高倍下(如图8(f))观察磨损形貌主要是少量沟槽、硅化物层孔洞缺陷。硅化物磨损形貌中的沟槽较硼化物磨损后的沟槽深，可见耐磨性比硼化物层差。
[0070]渗层高温氧化性能研究[0071]由图9可见，纯钴试样、纯钴850°C X8h渗硼硅试样和纯钴950°C X8h渗硼硅试样的高温氧化动力曲线均呈抛物线规律，纯钴试样的重量增加远远高于渗硼硅试样的重量增加，说明纯钴的抗高温氧化性能不及渗硼硅处理后的纯钴。根据渗硼硅后的XRD结果分析可知，850°C X8h渗硼硅时渗层为Co2B相，950°C X8h渗硼硅时其表层为Co2Si相，内层为Co2B相。纯钴在渗硼硅后其抗高温氧化性能得到很大的提高，并且950°C X8h渗硼硅时的氧化增量和氧化增重速率都比850°C X8h渗硼硅时的更低。这表明纯钴950°C X8h渗硼硅时其抗高温氧化性能更好。
[0072]为了进一步研究钴渗硼硅后的抗高温氧化性能，我们对它们的高温氧化后的试样做了 XRD分析，如图10(a)所示。纯钴在高温氧化后得到了 CoO和Co3O4，钴的氧化会形成两种氧化物，一种是NaCl结构的CoO，另一种是尖晶石结构的Co304。根据温度和氧分压的不同，钴的氧化可生产CoO的单层氧化膜或CoO与Co3O4的双层氧化膜，当高温生成CoO与Co3O4这两种氧化膜时，氧化膜主要为CoO，仅在CoO层之上形成很薄的一层Co3O4,可以认为整个氧化过程由CoO层中的扩散控制。
[0073]纯钴850°C X 8h渗硼硅试样的高温氧化产物同样为CoO和Co3O4,其表层的Co2B仍然存在，如图10(b)所示，说明Co2B的抗高温氧化性能较好，这是由于硼化物可以提高基体的抗高温氧化性能，所以纯钴在850°C渗硼硅后其抗高温氧化性能得到了很大提高。
[0074]纯钴950°C X8h渗硼硅试样高温氧化后XRD分析结果显示为SiO2和Co2Si (图10(c))，其中Si元素被氧化成SiO2氧化膜，SiO2属于六方晶体结构，S1-O间以强大的共价键结合，使其具有高硬度、高熔点的特性，所以SiO2具有非常高的稳定组织，是一种理想的氧化物保护膜，氧在SiO2氧化膜中扩散系数非常低，并且热稳定性很高，它能增加表层和氧化物的致密性，提高氧化膜与渗层的附着能力，可以减少剥落倾向。纯钴950°c X8h渗硼硅试样抗高温氧化性能优 于850°C X 8h渗硼硅试样，估计是氧在SiO2氧化膜中的扩散率低于在CoO和Co3O4氧化膜中的扩散率。因此，Co2Si层比Co2B的抗高温氧化性能更好。
[0075]综上所述得出:
[0076]I)纯钴在850°C X (2-8)h,900°C X2h条件下渗硼硅后，渗层组织为单相Co2B，在9000C X8h、950°C X (2_8)h条件下渗硼硅后，渗层组织为Co2B和Co2Si双相。硼化物层呈齿状形貌，硅化物层呈等轴粒状形貌。纯钴渗硼硅后的渗层厚度为40~186 μ m，且随着处理温度的升高和处理时间的延长而增厚。
[0077]2)纯钴渗硼硅后，其次表层硼化物层(Co2B)硬度高于表层硅化物层(Co2Si)硬度，且两者都大大高于基体硬度，硅化物层和硼化物层之间的过渡层硬度也高于基体硬度。渗硼硅处理后的纯钴的耐磨性有显著提高，且硼化物层耐磨性高于硅化物层耐磨性。
[0078]3)纯钴950°C氧化50h后氧化产物为CoO和Co3O4,纯钴850°C X8h渗硼硅后经950°C氧化50h后氧化产物同样为CoO和Co3O4,纯钴950°C X 8h渗硼硅后经950°C氧化50h后氧化产物为Si02。纯钴渗硼硅后，无论其表层是硅化物相还是硼化物相，其抗高温氧化性能都得到极大提高，并且硅化物的抗高温氧化性能更好。
[0079]应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
【权利要求】
1.一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于包括以下步骤: 步骤一，试样表面处理 采用99.95wt%纯钴,经线切割加工成IOmmX IOmmX IOmm的试样,将该试样表面经600号砂纸打磨并抛光处理； 步骤二，渗硼硅处理 将步骤一所制的纯钴试样用乙醇除油清洗；将清洗过的纯钴放置在渗剂中，所述纯钴和渗剂的质量比约为1:10-20，并密封在钢制渗箱中，将渗箱放入加热炉内，处理参数分别为 850°C下保温 211、411、611、811，9001:下保温211、411、611、811，9501:下保温211、411、611、811，之后随炉冷却到室温取出既得具有硼硅渗层的钴片，所述渗层的内层为硼化物层，外层为硅化物层。
2.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤一中所述的渗剂为粒状，粒度为1mm。
3.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二中所述的渗剂由供硼剂、活化剂和填充剂(供硅剂)组成，所述供硼剂SB4C,活化剂为KBF4，填充剂(供硅剂)为 SiC，其中 B4C、KBF4、SiC 的质量比为 1-10:1-5:80-95。
4.如权利要求2所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于所述B4C、KBF4、SiC的质量比为8:4:88o
5.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二所述加热炉为SX2-4-10型箱式电阻炉。
6.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二中所制得的具有硼硅渗层的钴片中渗层的厚度大约在40-186 μ m，所述硼化物层和硅化物层的厚度比值为1-4:8-10，硅化物层硬度大约为710HVa(l25，硼化物层硬度大约为1296-1444HVa(l25。
7.如权利要求6所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于硅化物层的厚度约15 μ m,过渡层的厚度约15 μ m,硼化物层的厚度约104 μ m。
8.如权利要求1所述的一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于步骤二中所制得的具有硼娃渗层的钴片的磨损率为2.46mg/km。
【文档编号】C23C12/02GK103952662SQ201410167986
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年4月24日 优先权日:2014年4月24日
【发明者】慕东, 何茗, 刘源, 沈保罗 申请人:成都工业学院