技术总结
本发明公开了一种变磁性相变临界场降低的MnCoSi基合金，其成分为Mn1‑xCo1+xSi，其中0.01≤ x ≤0.015。本发明利用Co原子掺杂Mn原子，所得到的Mn1‑xCo1+xSi合金与正分的MnCoSi合金相比，变磁性相变即磁场诱发的螺旋反铁磁到高磁态转变临界场显著降低，其中优选的Mn0.985Co1.015Si合金，能使室温相变临界场降低至0.8 T，室温附近的磁致伸缩效应可逆且无磁滞。
技术研发人员：张晓静;王佳辰;徐追梦;徐锋
受保护的技术使用者：南京理工大学
文档号码：201611159706
技术研发日：2016.12.15
技术公布日：2017.05.10