本发明属于电子领域，具体涉及高导热铜基复合材料及用于制备电子封装材料的用途。
背景技术：
随着信息技术的高速发展，电子器件中的芯片集成度越来越高，功率越来越大，对封装材料的散热要求也越来越高。同时芯片不断向大尺寸化发展，陶瓷基片也越来越薄，如果封装材料与芯片和陶瓷基片的热膨胀系数相差太大，就很容易引起芯片和陶瓷基片的炸裂或焊点、焊缝的开裂。因此，导热系数(tc)和热膨胀系数(cte)是发展现代电子封装材料所必须考虑的两大基本要素，另外，考虑到航空航天领域应用的要求，材料密度也是要考虑的因素。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种高导热铜基复合材料及用于制备电子封装材料的用途。
本发明通过下面技术方案实现：
一种铜基复合材料，由纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉制成。
优选地，所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为55-65:23-29:7。
优选地，所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为60:26:7。
上述铜基复合材料用于制备电子封装材料的用途。
本发明技术效果：
本发明提供的铜基复合材料具有高导热性能，其他性能也非常优异，可以用于制备电子封装材料。
具体实施方式
下面结合实施例具体介绍本发明的实质性内容。
实施例1
一种铜基复合材料，由纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉制成。
所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为60:26:7。
实施例2
一种铜基复合材料，由纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉制成。
所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为55:23:7。
实施例3
一种铜基复合材料，由纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉制成。
所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为65:29:7。
实施例4
一种铜基复合材料，由纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉制成。
所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为58:24:7。
实施例5
一种铜基复合材料，由纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉制成。
所述纳米铜粉、纳米碳化硅和纳米金刚石粉的重量份之比为62:27:7。
本发明提供的铜基复合材料具有高导热性能，其他性能也非常优异，可以用于制备电子封装材料。