本发明属于硅片加工技术领域，涉及到一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构及其使用方法。
背景技术：
近年来5吋晶片在电子束蒸发台里蒸发，所出来的镀膜的金属层均匀性差，且镀锅上硅片的金属层厚度相差几百埃，存在镀膜厚度不均匀，造成表面粗糙，增加硅片的返工次数，同时大大增加了硅片制造成本。
目前关于蒸发镀膜的设备没有突破性对蒸发镀膜的均匀性进行改变，为了在硅片表面镀膜时，提高金属层均匀性，现设计一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构及其使用方法。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构及其使用方法，解决了现有硅片表面镀膜时存在硅片表面镀膜均匀性差、返工次数多以及制造成本高的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构，包括机构，机构内设有腔体，腔体内设有两l型连接轴和修正板，l型连接轴一端贯穿机构底部与气缸连接，另一端与修正板连接，修正板的下方设有坩埚；
机构通过转轴安装有行星架，行星架与镀锅连接；所述镀锅在镀锅旋转轨道内进行滑动；
镀锅旋转轨道上连接有四个升降轴；
镀锅旋转轨道的下方设有烘烤灯；
机构的侧壁安装用于固定镀锅旋转轨道的固定架。
进一步地，所述修正板位于坩埚与镀锅间。
进一步地，所述腔体上设有腔门，腔门一侧安装有两门扣体，腔门通过门扣体与机构连接；腔门另一侧设有门把手，门把手与机构上的门把手固定卡相配合。
进一步地，所述腔门上自上而下分别设有上观察窗和下观察窗。
进一步地，所述镀锅可绕行星架进行旋转。
一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构的使用方法，包括以下步骤：
s1、在腔体内部的l型连接轴上安装两片叶形的修正板；
s2、在腔体顶部加装四根带有螺纹的升降轴改变镀锅旋转轨道的高度，进而改变镀锅在轨道上的高度；
s3、打开腔门将镀锅安装在行星架上；
s4、在坩埚内加金属源；
s5、关闭腔门；
s6、高真空抽到6.0e-4pa时，开启烘烤灯，行星架旋转，带动镀锅在镀锅旋转轨道内运动；
s7、至高真空抽到4.0e-4pa时，开启10kv高压，对坩埚内的金属源蒸发；
s8、20min的镀膜时间结束后，关闭蒸发电源；
s9、待腔体内温度降到100℃开启充气阀，待真空室内压力与大气压力平衡后，打开真空室取出硅片；
s10、用膜厚仪测试硅片表面的金属层厚度。
进一步地，所述烘烤灯的烘烤温度为150℃，烘烤时间为10min。
本发明的有益效果：
本发明通过修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，并利用升降轴调整镀锅轨道高度，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得硅片表面的镀膜均匀性好、致密性强，减少表面的粗糙度，减少硅片返工次数，同时提高了硅片的性能，节约成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构示意图；
图2为本发明一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构示意图；
图3为本发明中机构腔体大门的主视图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1-机构，2-l型连接轴，3-修正板，4-坩埚，5-气缸，6-行星架，7-镀锅，8-升降轴，9-镀锅旋转轨道，10-固定架，11-烘烤灯，12-门扣体，13-腔门，14-上观察窗，15-下观察窗，16-门把手固定卡，17-门把手。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-2所示，本发明为一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构，包括机构1，机构1内设有腔体，腔体内设有两l型连接轴2和修正板3，l型连接轴2一端贯穿机构1底部与气缸5连接，另一端与修正板3连接，修正板3的下方设有坩埚4，其中，修正板3为叶片形，可阻挡气态金属源过度的蒸发。
机构1的顶部通过转轴安装有行星架6，行星架6与镀锅7连接，且镀锅7可绕行星架6进行旋转；所述镀锅7在镀锅旋转轨道9内进行滑动；
镀锅旋转轨道9上连接有四个升降轴8，升降轴8用于调节镀锅旋转轨道9的高度，使镀锅的角度减小以至平行；在机构1的侧壁竖直安装有固定架10，固定架10用于进一步固定镀锅旋转轨道9，保证镀锅旋转轨道9的稳定性。
镀锅旋转轨道9的下方设有烘烤灯11。
如图3所示，腔体上设有腔门13，腔门13一侧安装有两门扣体12，腔门13通过门扣体12与机构1连接，保证腔门13关闭的稳定性；腔门13的另一侧设有门把手17，门把手17与机构1上的门把手固定卡16相配合；腔门13上自上而下分别设有上观察窗14和下观察窗15，便于工作人员进行观察。
该镀膜机构在高真空腔体环境下，利用电子枪发出的电子束打到金属源上且在蒸发金属源的时候，散发出气态金属原子，通过修正板和四根升降轴机构，调整沉积到镀锅上的气态金属原子多少的量，来控制整个镀锅上的膜厚度。
该机构的使用方法，包括以下步骤：
s1、在腔体内部的l型连接轴上安装两片叶形的修正板；
s2、在腔体顶部加装四根带有螺纹的升降轴改变镀锅旋转轨道的高度，进而改变镀锅在轨道上的高度；
s3、打开腔门将镀锅安装在行星架上；
s4、在坩埚内加金属源；
s5、关闭腔门；
s6、高真空抽到6.0e-4pa时，开启烘烤灯，行星架旋转，保证烘烤温度为150℃、恒温时间为10min；
s7、至高真空抽到4.0e-4pa时，开启10kv高压，对坩埚内的金属源蒸发；
s8、20min的镀膜时间结束后，关闭蒸发电源；
s9、待腔体内温度降到100℃开启充气阀，待真空室内压力与大气压力平衡后，打开真空室取出硅片；
s10、用膜厚仪测试硅片表面的金属层厚度。
修正板和镀锅的角度可以随时根据金属层的厚度均匀性偏差调整减少硅片的返工和对硅片返工带来的质量隐患。
利用叶片形修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，利用四根升降轴调整镀锅轨道高度，使镀锅的倾斜角度减小以至平行，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得每一片硅片上的金属层厚度一样。
其中金属层厚度的测量，可通过常规的膜厚仪进行监控，并根据膜厚仪的测量参数，来调节修正板和升降轴。
本发明通过修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，并利用升降轴调整镀锅旋转轨道的高度，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得硅片表面的镀膜均匀性好、致密性强，减少表面的粗糙度，减少硅片返工次数，同时提高了硅片的性能，节约成本。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。