技术特征：
技术总结
一种X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯转换屏的制备方法，属于X射线成像技术领域。包括将洁净、干燥的基底置于溅射系统真空室的托盘上，将采用掺铊碘化铯粉末制成的靶材固定于阴极靶位上，通入高纯氩气作为溅射工作气体，待真空度和基底温度达到预设值后进行溅射。本发明采用射频磁控工艺制备掺铊碘化铯转换屏，掺铊碘化铯的结晶性优良，制得转换屏致密、连续，且与基底的粘着性良好，有利于提高器件的转换效率和成像质量，为X射线成像探测器转换荧光屏的制备提供了一种有效手段；并且本发明制备工艺简单可控、易于操作，成本低，有利于工业化生产。
技术研发人员：刘爽;田春回;许峻文;孙锦涛;张尚剑;刘永
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.08.14