原子层成长装置的制作方法

本发明涉及一种原子层成长装置。

背景技术：

日本专利特开2006-351655号公报(专利文献1)当中，记载着如下技术：于使用化学气相沉淀法(chemicalvapordeposition，cvd)或是溅镀法的成膜装置中，在使用防附着板的同时，以非晶质覆盖堆积于舱室内壁的堆积物。

日本专利特开2009-62579号公报(专利文献2)当中，记载着如下技术：于成膜室内的多个侧面部上对应地配置多个防附着板，并且将防附着板分割为多个，邻近的防附着板彼此之间设置有空隙。

日本专利特开2012-52221号公报(专利文献3)当中，记载着如下技术：基于溅镀空间的压力值，控制以下两者的流量比：导入溅镀空间内的气体流量；以及导入至真空舱室内壁与防附着板之间的空间的气体流量。

日本专利特开2014-133927号公报(专利文献4)当中，记载着如下技术：将一对形成有多个贯穿通孔的防附着板配置为邻近处理室的内壁。

日本专利特开2001-316797号公报(专利文献5)当中，记载着如下技术：于基板载具的底面安装防附着部件，所述防附着部件可防止膜附着至基板载具的表面。

技术实现要素：

原子层成长法由于基板上交互地供给原料气体及反应气体，以于基板上以原子层单位形成膜的成膜方法。此原子层成长法由于以原子层单位来形成膜，因此具有良好的段差镀覆性及膜厚控制性的优点。另一方面，将原子层成长法具现化的原子层成长装置当中，在具有良好段差镀覆性的好处的同时，也有着在难以清除膜的地方也容易形成膜的状况。因此，于原子层成长装置当中，由于起因为在难以清除处所形成的膜的剥离的异物产生，因而使得形成于基板上的膜的膜质劣化，此点使人担忧。

其他的解决问题以及新颖特征，可由本说明书记载以及附图清楚揭示。

一实施方式中的电浆原子层成长装置为具备：第一电极(下部电极)，用于保持基板；第二电极(上部电极)，具有与第一电极相对的对向面，且用于与第一电极之间产生电浆放电。进一步地，一实施方式中的电浆原子层成长装置具备：第一导体防附着部件，其通过多个第一连接部件固定于所述第二电极的所述对向面上；及第二导体防附着部件，其通过多个第二连接部件固定于所述第一导体防附着部件，此时，于俯视平面中，所述多个第一连接部件与所述多个第二连接部件配置为互相不重叠。

根据一实施方式中的电浆原子层成长装置，可提高于基板上形成的膜的膜质。

附图说明

图1为实施方式1中电浆原子层成长装置的整体构成的概略剖面示意图；

图2为实施方式1中绝缘防附着部件的构成的概略示意图，所述绝缘防附着部件配置为自上部电极分离并将上部电极围绕；

图3为说明设置于上部电极下表面、导体防附着部件的安装构造的相关作法的必要性的图；

图4为说明实施方式1中特征点的图；

图5中的(a)为表示第一导体防附着部件与第二导体防附着部件的剖面图；图5中的(b)为由图5中的(a)所示的第一导体防附着部件的上方观察的俯视平面图；图5中的(c)由图5中的(a)所示的第二导体防附着部件的下方观察的仰视平面图；

图6中的(a)为表示第一导体防附着部件与第二导体防附着部件的剖面图；图6中的(b)为由图6中的(a)所示的第一导体防附着部件的上方观察的俯视平面图；图6中的(c)由图6中的(a)所示的第二导体防附着部件的下方观察的仰视平面图；

图7为说明实施方式1中原子层成长方法的流程图；

图8中的(a)-(e)为于基板上形成膜的制程的概略示意图；

图9为实施方式2中电浆原子层成长装置的概略整体构成的示意图；

图10为将导体防附着部件固定于上部电极的安装构造的概略示意图，所述上部电极电连接至高频电源；

图11为用于说明本案发明人所发现可改善空间的图；

图12为说明实施方式2中特征点的图；

图13为实施方式2中导电部件一范例的概略示意图；

图14为实施方式2中导电部件一范例的概略示意图；

图15中的(a)为以图12中标为实线的箭头方向为视角来看导体防附着部件的仰视平面图；图15中的(b)为以图12中标为虚线的箭头方向为视角来看导体防附着部件的俯视平面图；

图16为导电部件变形例的示意图；

图17为导电部件变形例的示意图；

图18为实施方式3当中，电浆原子层成长装置的主要构成要素的概略示意图。

附图标记：

10、10a、10b导体防附着部件

11、11a、11b贯穿通孔

12沟

13、13a、13b螺丝

14沟

15导电部件

20高频电源

100电浆原子层成长装置

110区域

1000a-1000c经由路径

1s基板

abl吸附层

atl原子层

be下部电极

cb成膜容器

ct顶板

ctm绝缘防附着部件

ctsp顶板支撑部

gvu气体排气部

gsu气体供给部

ig惰性气体

igsu惰性气体供给部

ism绝缘支撑部件

pg1、pg2吹净气体

pt1-pt4(绝缘防附着部件)部位

rag反应气体

s101-s107步骤

sg原料气体

sh固定孔

sp放电空间

ss1-ss4侧面

su凸部

sur(上部电极)表面

ue上部电极

具体实施方式

为说明实施方式，于全图中，原则上对同一个部件标示同一个附图标记，并且省略重复的说明。此外，为使容易理解，即使为俯视/仰视平面图也可能有标上剖面线的情形。

(实施方式1)

＜原子层成长装置的特有情况＞

例如，电浆cvd装置当中，将多个原料气体，供给至保持基板的下部电极、以及与下部电极呈对向配置的上部电极之间，并同时使下部电极与上部电极之间产生电浆放电。借此，电浆cvd装置当中，通过以电浆放电而产生活性物质(自由基)的化学反应，于基板上形成膜。此时，于电浆cvd装置当中，由电浆放电主要形成的区域(放电空间)会形成膜。此乃作为电浆cvd装置中所使用的原料气体，为使局部化为放电空间而使用不易扩散性质的原料气体，且基于由多种原料气体的电浆放电产生活性物质(自由基)，才能形成膜材料。因此，电浆cvd装置当中，呈现出远离放电空间的地方(未产生电浆放电处)不容易形成膜的倾向。

相对于此，例如，于电浆原子层成长装置当中，形成膜的方式为：交互地供给原料气体与反应气体至：保持基板的下部电极、以及与下部电极对向配置的上部电极之间；且供给反应气体时借着电浆放电，于基板上以原子层单位形成膜。此时，于电浆原子层成长装置当中，借着以原子层单位而形成膜，可形成良好段差镀覆性的膜。特别地是，电浆原子层成长装置当中，为得到良好的镀覆性，除了使用容易扩散的材料作为原料气体之外，还同时一边确保各种气体(原料气体、或是吹净气体、或是反应气体)充分地扩散于成膜容器内的所需时间，一边交互地供给各种气体。因此，例如，原料气体或是反应气体，不仅是在基板上，还散布至成膜容器的各个角落。进一步地，电浆原子层成长装置当中，通过使反应气体进行电浆放电而形成活性物质(自由基)，不仅是此活性物质与吸附于基板的原料气体反应而产生膜，即使是因未因电浆放电使活性物质(自由基)产生的状态时，也有着原料气体容易与反应气体进行反应的倾向。因此，电浆原子层成长装置当中，即使是未产生电浆放电的成膜容器的微细空隙中，也可能因原料气体与反应气体进行反应而形成膜。也就是说，原子层成长装置当中，(1)以原子层单位形成膜；(2)原料气体或反应气体散布遍及成膜容器的各个角落(3)即使是未产生电浆放电之处也容易产生原料气体与反应气体的反应。由于具有此等特征的结果，导致即使为微细的空隙也形成膜。

如此的电浆原子层成长装置当中，其具有的性质为：不仅是于基板上，连包含微细空隙在内的、成膜容器的各个角落皆形成膜。

例如，于电浆原子层成长装置当中，上部电极为例如藉绝缘支撑部件而被支撑。于此，如上述般，电浆原子层成长装置当中，由于膜形成于成膜容器的各个角落，因此于绝缘支撑部件上也形成有膜。此外，附着于绝缘支撑部件的膜的膜厚增加时，附着的膜的一部分自绝缘支撑部件上剥离而成为异物。此异物为形成于基板上的膜的膜质劣化的主要原因。因此，为了提升形成于基板上的膜的膜质(品质)，必须将附着于绝缘支撑部件的膜清除。

关于此点，可想到例如如下作法：通过将由三氟化氮(nf3)气体等构成的清洁气体导入至成膜容器内，实施干蚀刻，借此将附着于绝缘支撑部件的膜清除。然而，电浆原子层成长装置当中，除了膜形成于遍及包含微细空隙的成膜容器的各个角落之外，另一方面，基于清洁气体的干蚀刻仅进行除去有产生电浆放电之处的膜，而且清洁气体难以散布至遍及包含微细空隙的成膜容器的各个角落。此外，例如，作为以电浆原子层成长装置而形成的膜，可举例例如氧化铝膜(al2o3膜)，但此氧化铝膜难以通过干蚀刻除去。因此，电浆原子层成长装置当中，于使用清洁气体的干蚀刻处理中，难以将形成遍及成膜容器的各个角落的膜给清除，也因此难以使用干蚀刻来清除附着于绝缘支撑部件上的膜。

因此，可想到的做法为例如：拆下固定上部电极的绝缘支撑部件，将附着于绝缘支撑部件的膜通过湿蚀刻清除。然而，将绝缘支撑部件拆下，实施湿蚀刻之后，再次地安装绝缘支撑部件时，上部电极的安装位置相异于之前的安装位置。于此情形下，上部电极与下部电极之间的电浆放电状态产生变化。即，拆下绝缘支撑部件，以湿蚀刻来清扫的方法中，由于无法重现绝缘支撑部件的安装位置，其结果为由绝缘支撑部件支撑的上部电极的安装位置改变，而代表着电浆放电状态的成膜条件也就产生变化。于此情形下，于基板上形成的膜的品质可能产生变动。进一步地，将附着于绝缘支撑部件的膜通过湿蚀刻来清除的方法中，当将成膜容器内开放至大气压后，必须将绝缘支撑部件取出，导致维护作业性变差。

由上述状况可知，电浆原子层成长装置当中，特别是提高于基板上形成的膜的膜质，且要在不变更成膜条件下，难以将附着在支撑上部电极的绝缘支撑部件上的膜清除。因此，本实施方式1当中，采用了膜难以附着至支撑上部电极的绝缘支撑部件的构成。以下首先针对包含此构成在内的电浆原子层成长装置进行说明。

＜电浆原子层成长装置的整体构成＞

图1为实施方式1中电浆原子层成长装置的整体构成的概略剖面示意图。本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100的构成为：通过交互地供给原料气体与反应气体，以于基板1s上以原子层单位形成膜。此时，为了提高反应活性，可将基板1s加热。

本实施方式1当中，使用三甲基铝(tri-methyl-aluminum，tma)作为原料，为了提高反应活性，进行电浆放电。本实施方式1当中，为了进行电浆放电，使用平行的平板电极。

如图1所示，本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100具有成膜容器cb。此成膜容器cb配置有保持基板1s的载台，此载台作为下部电极be而发挥作用。此外，载台构成为：具备加热器，可调整基板1s的温度。例如，本实施方式1中电浆原子层成长装置100的情形中，保持于载台上的基板1s加热至50℃-200℃。且成膜容器cb维持为真空。

接着，如图1所示，成膜容器cb中，除了设置有供给原料气体、或吹净气体、或反应气体的气体供给部gsu之外，也设置有排出原料气体、或吹净气体、或反应气体的气体排气部gvu。例如，气体供给部gsu与气体排气部gvu设置在互相对向的位置，由气体供给部gsu供给的气体，透过成膜容器cb内的放电空间sp而由气体排气部gvu排气。

此外，于成膜容器cb内，位于安装于下部电极be上的基板1s的上方处(中间夹着放电空间)配置有上部电极ue，上部电极ue中安装有导体防附着部件10a与导体防附着部件10b。也就是说，上部电极ue配置为：隔着导体防附着部件10a与导体防附着部件10b，与安装有基板1s的下部电极be对向。此外，上部电极ue的上方配置有顶板ct，此顶板ct中，设置有用于支撑上部电极ue的顶板支撑部ctsp。此外，绝缘支撑部件ism配置为紧贴着顶板支撑部件ctsp，上部电极ue受此绝缘支撑部件ism支撑。此外，如图1所示，本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100具有于俯视平面图当中分离于上部电极ue并将上部电极ue围绕、由绝缘体构成的绝缘防附着部件ctm。于俯视平面图中，绝缘防附着部件ctm配置为与绝缘支撑部件ism重叠。

于此，本说明书当中的俯视(或仰视)平面定义为：将并行于图1所示下部电极be的上表面的平面，由垂直于此平面的方向来观察时的情形。换一种说法，本说明书中所称俯视(或仰视)平面可定义为：将并行于图1所示上部电极ue的下表面的平面，由垂直于此平面的方向观察时的情形。

接着，如图1所示，顶板ct中设置有惰性气体供给部igsu，该所述惰性气体供给部igsu将氮气等惰性气体供给至成膜容器cb内。如此地，本实施方式1当中电浆原子层成长装置100中，除了供给原料气体、或吹净气体、或反应气体的气体供给部gsu之外，还另外地设置了供给惰性气体的惰性气体供给部。

＜绝缘防附着部件的构成＞

接着，针对本实施方式1当中绝缘防附着部件ctm的构成进行说明。图2为实施方式1中绝缘防附着部件ct的构成的概略示意图，所述绝缘防附着部件ct配置为自上部电极ue分离并将上部电极ue围绕。于图2当中，以两点链线显示的长方体显示上部电极ue的概略构成。图2所示的上部电极ue具有隔着导体防附着部件10a(图2中省略未示出)与导体防附着部件10b(图2中省略未示出)与图1所示下部电极be对向的表面sur、与表面sur相交的侧面ss1、位于侧面ss1反侧的侧面ss2、与表面sur与侧面ss1相交的侧面ss3、以及位于侧面ss3的反侧的侧面ss4。

此外，如图2所示，本实施方式1当中的绝缘防附着部件ctm构成为自上部电极分离并将上部电极围绕。具体来说，本实施方式1当中的绝缘防附着部件ctm具有：与上部电极ue的侧面ss1对向的部位(part)pt1、与上部电极ue的侧面ss2对向的部位pt2、与上部电极ue的侧面ss3对向的部位pt3、与上部电极ue的侧面ss4对向的部位pt4。另一方面，本实施方式1当中的绝缘防附着部件ctm，如图2所示，于绝缘防附着部件ctm的底部形成有开口部，使得安装于上部电极ue的表面sur的导体防附着部件10b(图2中省略未示出)曝露。其结果如图2所示，本实施方式1当中的绝缘防附着部件ctm的部位pt1-pt4，分别呈具有水平部位及垂直部位的l字形状。

于此，绝缘防附着部件ctm的部位pt1-pt4的，分别形成有：用于嵌入固定部件的多个固定孔sh；及支撑固定部件的多个凸部su。借此使得防附着部件ctm受到固定部件(图2中未示出)支撑。以此方式使得本实施方式1中的电浆原子成长装置中，设置有围绕上部电极ue的绝缘防附着部件ctm。

＜基于绝缘防附着部件的优点＞

本实施方式1中的电浆原子成长装置100当中，设置着例如图2所示，于俯视平面图中围绕上部电极ue的绝缘防附着部件ctm。借此可防止膜附着于设置于上部电极ue周围的绝缘支撑部件ism上。即，电浆原子层成长装置100当中：(1)以原子层单位来形成膜；(2)原料气体或是反应气体遍及成膜容器的各个角落(3)即使是未产生电浆放电的地方也容易产生原料气体与反应气体的反应。由于具有上述性质，使得即使是远离(由上部电极ue与下部电极eb所包夹的)放电空间之处所设置的绝缘支撑部件ism上仍附着膜。尤其是，设置于上部电极ue的周围的绝缘支撑部件ism有时也靠近放电空间，因而容易产生膜的附着。因此，于本实施方式1当中，设置着于俯视平面图中围绕着上部电极ue周围的绝缘防附着部件ctm。借此，可具效果地防止膜附着于配置于上部电极ue周围的绝缘支撑部ism上。

此外，本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100当中，可设置如图2所示，自上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)分离并将上部电极ue围绕的绝缘防附着部件ctm。借此可防止上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)以及绝缘防附着部件ctm分别产生变形或是发生破损。例如，上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)由导体构成；另一方面，绝缘防止部件ctm由绝缘体(陶瓷)构成。因此，上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)的热膨胀率与绝缘防附着部件ctm的热膨胀率差异较大。于此情形中，例如，若绝缘防附着部件ctm以紧贴着上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)并将上部电极ue围绕的方式形成，则由于上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)的热膨胀率，以及绝缘防附着部件ctm的热膨胀率的差异，可能导致上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)以及绝缘防附着部件ctm分别地产生扭曲而变形。此外，若扭曲变大，则尤其是由陶瓷构成的绝缘防附着部件ctm就有破损的风险。因此，本实施方式1当中，设置有例如图1所示，自上部电极ue(导体防附着部10a、10b)分离并将上部电极ue围绕的绝缘防附着部件ctm。换言之，上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)与绝缘防附着部件ctm之间设有空隙。借此可得到的益处为：根据本实施方式1中的电浆原子层成长装置100，即使成膜容器内受到加热，上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)以及绝缘防附着部件ctm各自的体积膨胀因空隙而被吸收，因此可抑制上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)以及绝缘防附着部件ctm变形以及破损。

＜基于惰性气体供给部的优点＞

若上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)与绝缘防附着部件ctm之间形成空隙，则由于电浆原子层成长装置的特性,膜会形成于包含微细空隙的成膜容器内的各个角落，会使得上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)与防附着部件ctm之间的空隙也形成膜。也就是说，从大致上完全防止膜附着至支撑上部电极ue的绝缘支撑部件ism，以实现免去维护绝缘支撑部件ism的观点来看，于上部电极(导体防附着部件10a、10b)与绝缘防附着部件ctm之间设置空隙的构成，尚未充分，还需要进一步的处理。是以，本实施方式1当中，除了于上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)与绝缘防附着部件ctm之间设置有空隙之外，还施加了用于大致上完全防止膜附着于支撑上部电极ue的绝缘支撑部件ism的处理。

具体来说，本实施方式1当中电浆原子层成长装置当中，具有例如图1所示的惰性气体供给部igsu，其将惰性气体供给至上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)与绝缘防附着部件ctm之间的空隙中。借此，基于本实施例1中的电浆原子层成长装置100，由惰性气体供给部igsu所供给的惰性气体被填充至：绝缘防附着部件ctm与上部电极ue之间的空隙、绝缘支撑部件ism与上部电极ue之间的空隙、以及导体防附着部件10a、10b与绝缘防附着部件ctm之间的空隙。因此，通过由惰性气体供给部igsu所供给的惰性气体，可阻止原料气体或反应气体侵入至绝缘防附着部件ctm与上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)之间所形成的空隙。其结果为，上部电极ue(导体防附着部件10a、10b)与绝缘防附着部件ctm之间的空隙中形成不需要的膜的状况，得以被抑制。

此外，本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100中，设置有例如图1所示的，供给惰性气体的惰性气体供给部igsu，其独立于供给原料气体或反应气体至成膜容器内的供给气体供给部gsu。借此，特别地是，可设计惰性气体供给部igsu的配置位置，使其能够不受到气体供给部gsu的配置位置而被影响，并且有效率地将惰性气体供给至欲防止不需要的膜附着的地方。此外，由于惰性气体供给部igsu能够以不同于供给原料气体或反应气体的气体供给部gsu的路径来供给惰性气体，因此，相对于供给至放电空间sp的原料气体或是反应气体的流动来说，可抑制惰性气体的流动所带来的不良影响。其结果为，根据本实施方式1当中的电浆原子层成长装置，可抑制供给惰性气体至成膜容器内所致原料气体与反应气体于基板1s上的均匀度降低的状况，并且据此于供给惰性气体的同时，也可防止于基板1s上形成的膜的均匀度降低。

＜进一步改善的空间＞

如上述般，于本实施方式1中的电浆原子层成长装置100当中，设置有于俯视平面图中呈围绕着上部电极周围的绝缘防附着部件ctm。借此，根据本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100，可具效果地防止膜附着至配置于上部电极ue周围的绝缘支撑部件ism。其结果为，将固定上部电极的绝缘支撑部件ism取下，通过湿蚀刻来清除附着于绝缘支撑部件ism的膜的必要性降低。借此，基于本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100，可抑制：受绝缘支撑部件ism支撑的上部电极的安装位置的变化所导致成膜条件的变化。可认知为：据此，于基板1s所形成的膜的品质的变动，能得到抑制。然而，由抑制上部电极的安装位置变化所导致成膜条件的变化的观点来看，本发明人进一步发现到上述对策的不充分之处。关于此点进行以下说明。

例如，于图1当中，即使通过设置绝缘防附着部件ctm，能够防止膜附着至绝缘支撑部件ism，当膜附着于与基板1s对向的上部电极ue中的对象面本身时，附着的膜产生剥离而成为异物的可能性会提高。此外，此异物为使于基板1s上所形成的膜的膜质劣化的主要原因。因此，由抑制形成于基板1s上的膜的膜质劣化的观点来看，只有防止膜附着至绝缘支撑部件ism的对策是不够充分的，还必须实施关于膜附着至与基板1s对向的上部电极ue的对向面本身的对策。

关于此点，可想到的做法为：将导体防附着部件配置于与基板1对向的上部电极ue的对向面。然而，此导体防附着部件通过例如螺丝固定于上部电极ue。关于此点，于电浆原子层成长装置100当中，由于其具有膜不仅是形成于基板1s上，还形成于遍及包含微细空隙的成膜容器内的各个角落的性质，导致因螺丝而存在于上部电极ue的固定部位的微细空隙也会形成膜。此情况意味着：即使于与基板1s对向的上部电极ue的对向面配置导体防附着部件，膜还是会透过基于螺丝的固定部位，而于上部电极ue本身形成膜。而若膜形成于上部电极ue本身，则由于膜自上部电极ue剥离而导致产生异物的潜在风险变大，因此必须将附着于上部电极ue的膜清除。

于此，可想到的做法为，例如，将清洁气体导入至成膜容器内以实施干蚀刻，借此清除附着于上部电极ue的膜。然而，于电浆原子层成长装置100当中，膜形成于包含微细空隙的成膜容器的各个角落。相对于此，基于清洁气体的干蚀刻当中，膜的清除只有在产生电浆放电之处进行，且清洁气体难以遍及包含微细空隙的成膜容器的各个角落。特别是，存在于基于螺丝的固定部位的微细空隙，由于清洁气体难以进入其内，因此若要将存在于基于螺丝的固定部位的微细的空隙中所形的膜清除，则必须要花上超过现实可接受程度的长时间清除时间。此外，例如，作为以电浆原子层成长装置100形成的膜，可举氧化铝膜(al2o3)为一例。然而，此氧化铝膜难以通过干蚀刻来除去。因此，电浆原子层装置100当中，使用了清洁气体的干蚀刻中，要使用干蚀刻，来将存在于基于螺丝的上部电极ue质的固定部位的微细空隙中所形成的膜给清除为困难之事。

是以，可想到的做法为例如：拆下上部电极ue本身，再将附着于上部电极ue的膜，通过干蚀刻来清除。然而，将上部电极ue拆下，实施湿蚀刻之后，再次地安装上部电极ue时，则上部电极ue的安装位置会与之前的安装位置相异。于此情形下，上部电极ue与下部电极be之间的电浆放电状态产生变化。即，于拆下上部电极ue，进行湿蚀刻的方法当中，由于无法重现上部电极ue本身的安装位置，使得上部电极ue的安装位置改变，代表电浆放电状态的成膜条件也就跟着改变。于此情形中，于基板1s上所形成的膜的品质会有变动的风险。此外，通过湿蚀刻来清除附着于上部电极ue的膜的方法当中，由于必须将成膜容器内开放于大气压中之后，再取出上部电极ue，因此维护作业性不佳。

由于上述状况，因此为了防止膜附着于上部电极ue本身，不仅要在与基板1s对向的上部电极ue的对向面配置导体防附着部件，还需要进一步地在导体防附着部件的安装构造上做处理。即，即使于与基板1s对向的上部电极ue的对向面安装导体防附着部件，若没有对导体防附着部件的安装构造施加处理的话，就无法充分地抑制膜附着至上部电极ue。是以，本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100中，针对导体防附着部件的安装构造施加处理。以下就针对施加此处理的本实施方式1当中的技术思想进行说明。

＜本实施方式1当中的基本思想＞

图3为说明设置于上部电极ue下面的、导体防附着部件10的安装构造的相关作法的必要性的图。如图3所示，与基板1s对向的上部电极ue的下表面(对向面)中，设置有导体防附着部件10。此导体防附着部件10通过贯穿通孔11及螺丝13固定，贯穿通孔11贯穿导体防附着部件10，螺丝13设置于上部电极ue的下面，且螺丝13插入并穿过贯穿通孔11以及连通的沟12而固定住导体防附着部件10。

于此，在电浆原子层成长法当中，不仅是于基板1s上，由于其连微细空隙也都会形成膜的特性，使得存在于基于螺丝13的上部电极ue的固定部位的微细空隙也形成膜。即，以图3粗箭头标示的经由路径1000a，于形成自放电空间起，至上部电极ue中的沟12也都形成膜。特别是图3粗箭头所示的经由路径1000a的距离越短，就越容易于上部电极ue中形成的沟12的内部(微细空隙)也形成膜。

因此，本实施方式1当中的基本思想，为尽可能地将此经由路径1000a拉长的思想。如图3所示，经由路径1000a为自放电空间起，经由基于螺丝13的固定部位而抵达上部电极中形成的沟12。如此般地，自放电空间起，经由基于螺丝13的固定部位而抵达上部电极中形成的沟12，即经由路径1000a，其越长的话，就越能够抑制膜形成于上部电极ue本身。即，本实施方式1当中的基本思想为：自放电空间起，经由基于螺丝13的固定部位而抵达上部电极ue中形成的沟12的经由路径，其比图3粗箭头标示的经由路径1000a的距离还要充足的长度。此外，为了将本实施方式1当中的基本思想具现化，于本实施方式1当中的电浆原子层成长装置中对于导体防附着部件的安装构造施加处理。以下针对用于将本实施方式1当中基本思想具现化的导体防附着部件的安装构造的特征点进行说明。＜实施方式1中的特征点＞

图4为说明本实施方式1中特征点的图，也就是说，图4为说明关于导体防附着部件的安装构造的特征点的图。本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100的前提为，例如图4所示，具有：下部电极be，其用于保持基板1s；上部电极ue，其用于与下部电极be之间产生电浆放电，且具有下部电极be对向的对向面(下表面)。且，本实施方式1当中的电浆原子层成长装置100当中，导体防附着部件10a以多个螺丝13a固定于上部电极ue的下表面，且，导体防附着部件10b以多个螺丝13b固定于导体防附着部件10a的下表面。此时，本实施方式1中的特征点在于：例如图4中所示，多个螺丝13a与多个螺丝13b配置为互不重叠的特点。换句话说，本实施方式1当中的特征点为，例如，于俯视平面当中，多个螺丝13a与多个螺丝13b配置为互相分离的特点。

具体地，如图4所示，导体防附着部件10a中形成有贯穿通孔11a，且，上部电极ue当中，形成有与此贯穿通孔11a连通的沟12。此外，通过将螺丝13a插入通过贯穿通孔11a与沟12，使得导体防附着部件10a安装于上部电极ue的下表面。另一方面，导体防附着部件10b中形成有贯穿通孔11b，且，导体防附着部件10a中，形成有与此贯穿通孔11b连通的沟14。此外，通过插入螺丝13通过贯穿通孔11b与沟14，使得导体防附着部件10b安装于导体防附着部件10a的下表面。于此，本实施方式1中的特征点在于：如图4所示，将导体防附着部件10a固定于上部电极ue的螺丝13a，以及将导体防附着部件10b固定于导体防附着部件10a的螺丝13b，两者互为不同配置的特点。换句话说，本实施方式1当中的特征点为：如图4所示，将导体防附着部件10a固定于上部电极ue的螺丝13a，以及将导体防附着部件10b固定于导体防附着部件10a的螺丝13b，两者配置为互相交错的特点。换言之，本实施方式1中的特征点为：将导体防附着部件10a固定于上部电极ue的螺丝13a，以及将导体防附着部件10b固定于导体防附着部件10a的螺丝13b，两者配置为互相交错的特点。借此，使得图4中以粗箭头表示的经由路径1000b，与图3以粗箭头表示的经由路径1000a相比之下还要远得长。此状况代表着：根据本实施方式1当中的特征点，使得起自放电空间、至上部电极ue本身所形成的沟12的气体侵入距离变长。因此，即使是有着微细空隙也形成膜性质的电浆原子层成长装置100，也可通过采用本实施方式1当中的特征点以作为针对导体防附着部件的安装构造的处理，具效果地防止膜附着于上部电极ue本身。其结果为，根据本实施方式1中电浆原子层成长装置100，使得拆下上部电极ue，将附着于上部电极ue的膜清除的维护作业的实施频率变少的结果，导致可抑制上部电极ue的安装位置变化所致的成膜条件的变动。其结果为：通过采用本实施方式1当中的特征点，使得可抑制于基板1s上形成的膜的品质的变动。是以，基于本实施方式1当中的电浆原子层装置100，可于基板1s上稳定形成品质良好的膜。

接着，图5中的(a)为表示第一导体防附着部件与第二导体防附着部件的剖面图。于图5中的(a)当中，导体防附着部件10a为以多个螺丝13a固定于图未示出的上部电极。另一方面，导体防附着部件10b通过多个螺丝13b而固定于导体防附着部件10a。

于此，图5中的(b)为由图5中的(a)所示的第一导体防附着部件的上方观察的俯视平面图。图5中的(b)当中，导体防附着部件10a的平面形状为矩形形状，导体防附着部件10a的外缘区域中配置有多个螺丝13a。此外，图5中的(b)当中，以虚线围起的区域110呈现着例如与图1所示基板1s于俯视平面上重叠的区域。因此，配置于导体防附着部件10a的外缘区域中的多个螺丝13a，其与图1所示的基板1s于俯视平面上并不重叠。

接着，图5中的(c)为由图5中的(a)所示的第二导体防附着部件的下方观察的仰视平面图。于图5中的(c)当中，导体防附着部件10b的平面形状为矩形形状。图5中的(c)当中，例如，与图1所示的基板1s俯视平面上重叠的区域110以虚线表示。此时，与图1所示的基板1s重叠的区域110内，配置有多个螺丝13b。

然而，令人担心的状况为：若例如图3所示，于配置于下部电极be上的基板1s的上方，存在着将导体防附着部件10固定于上部电极ue的螺丝13，则存在于基于螺丝13的固定部位的微细空隙中所形成的膜可能剥落，掉落堆积于基板1s上。于此情形下，剥离的膜变成附着于基板1s的异物，其结果可能导致对于形成于基板1s的膜的品质的负面影响。即，当俯视平面上与基板1s的重叠位置中存在着基于螺丝13的固定部位，则附着于基于螺丝13的固定部位的膜的剥离所致产生异物，导致基板1s上形成的膜的品质的负面影响的风险提高。有关于此，如图5中的(c)所示，将固定导体防附着部件10b的多个螺丝13b也配置于与基板1s于俯视平面上的重叠区域110中。因此，其与图3的构成相同，由于附着于基于螺丝13b的固定部位的膜剥离致使异物产生，导致形成于基板1s上的膜的品质的负面影响的风险。是以，于以下所示的变形例当中，关于此点施加了处理。

＜变形例＞

接着，针对本实施方式1中的变形例进行说明。图6中的(a)为表示第一导体防附着部件10a与第二导体防附着部件10b的剖面图；于图6中的(a)当中，导体防附着部件10a通过多个螺丝13a而固定于图未示出的上部电极中。另一方面，导体防附着部件10b通过多个螺丝13b而固定于导体防附着部件10a。

图6中的(b)为由图6中的(a)所示的第一导体防附着部件10a的上方观察的俯视平面图。于图6中的(b)当中，导体防附着部件10a的平面形状为矩形形状，与基板1s(参考图1)俯视平面上重叠的区域110中配置多个螺丝13a。即，于本变形例当中，将导体防附着部件10a固定于上部电极的多个螺丝13a，其设置于与基板13俯视平面上重叠的区域110中。

接着，图6中的(c)为由图6中的(a)所示的第二导体防附着部件的下方观察的仰视平面图。于图6中的(c)当中，导体防附着部件10b的平面形状为矩形形状。此外，图6中的(c)当中，例如与基板(1s)俯视平面上重叠的区域110以虚线显示，此时，本变形例当中，多个螺丝13b配置于与基板1s于俯视平面上不重叠的区域中。因此，根据本变形例，多个螺丝13b设置于与区域110于俯视平面上不重叠的区域中，因此，附着于基于13b的固定部位的膜的剥离致使产生异物，导致形成于基板1s上所形成的膜的品质的负面影响的风险得以降低。换句话说，于俯视平面图当中，由于多个螺丝13b配置于离开基板1s的位置，因此附着于基于螺丝13b的固定部位的膜的剥离导致产生异物，导致形成于基板1s上所形成的膜的品质的负面影响的风险得以降低。也就是说，当多个螺丝13b设置为于区域110于俯视平面上重叠时，剥离下的膜所致的异物，其附着于基板1s的可能性很高。而相对于此，当多个螺丝13b设置为与区域110于俯视平面上不重叠时，起因为剥离下的膜的异物，其附着于基板1s上的可能性降低。此结果为，附着于基于螺丝13b的固定部位的膜的剥离，导致异物产生的潜在风险得以降低。

＜原子层成长方法＞

接着，针对本实施方式1当中的原子层成长方法进行说明。图7为实施方式1中说明原子层成长方法的流程图。图8中的(a)-(e)为于基板上形成膜的制程的概略示意图。

首先，如图8中的(a)所示准备基板1s之后，于图1所示的电浆原子层成长装置100的下部电极be(载台)上安装基板1s(图7中的步骤s101)。接着，由图1所示的电浆原子层成长装置100的气体供给部gsu，将原料气体供给至成膜容器内部，并且由惰性气体供给部igsu将惰性气体供给至成膜容器的内部中(图7的步骤s102)。此时，原料气体于例如0.1秒间，供给至成膜容器的内部。借此，可如图8中的(b)所示，将惰性气体ig及原料气体sg供给至成膜容器内，且于基板1s上吸附原料气体sg而形成吸附层abl。

接着，于停止供给原料气体之后，由气体供给部gsu供给吹净气体，且同时也由惰性气体供给部igsu供给惰性气体至成膜容器的内部(图7的步骤s103)。借此，使得吹净气体被供给至成膜容器内，相对地，原料气体也由排气部被排出至成膜容器的外部。吹净气体于例如0.1秒间供给至成膜容器内。接着，排气部例如于2秒间将成膜容器内的原料气体或是吹净气体进行排气。借此，使得如图8中的(c)所示，惰性气体ig与吹净气体pg1被供给至成膜容器内，且，未被吸附于基板1s上的原料气体sg由成膜容器被吹净。

接着，于自气体供给部gsu供给反应气体的同时，也自惰性气体供给部igsu供给惰性气体至成膜容器的内部(图7的步骤s104)。借此使反应气体被供给至成膜容器的内部。反应气体于例如1秒间供给至成膜容器的内部。于此供给反应气体的制程当中，通过施加放电电压于图1所示上部电极ue与下部电极be之间，以产生电浆放电。其结果为于反应气体产生自由基(活性物质)。借此使得如图8中的(d)所示，惰性气体ig与反应气体rag被供给至成膜容器内，且，通过吸附于基板1s上的吸附层与反应气体rag的化学反应，以形成由原子层atl所构成的薄膜层。

接着，于停止供给反应气体之后，于气体供给部gsu供给吹净气体的同时，也由惰性气体供给部igsu供给惰性气体至成膜容器的内部(图7的步骤s105)。借此，使得吹净气体供给至成膜容器的内部，而相对地，反应气体也由排气部排出至成膜容器的外部。反应气体，于例如0.1秒间供给至成膜容器的内部。然后，排气部于例如2秒间，将成膜容器内的原料气体或吹净气体进行排气。借此，如图8中的(e)所示，惰性气体ig与吹净气体pg2被供给至成膜容器内，且未使用于反应的剩余的反应气体rag由成膜容器被吹净。

如上述般，于基板1s上形成一层由原子层atl所构成的薄膜层。其后，通过反复进行上述步骤(图7的步骤s102-s105)特定次数(图7的步骤s106)，以形成由多个原子层atl所构成的薄膜层。据此结束成膜处理(图7的步骤s107)。

＜实施方式中制法上的优点＞

本实施方式1当中的原子层成长方法为使用电浆而于基板上形成膜。于此，本实施方式1当中的原子层成长方法具备：(a)将原料气体供给至配置有基板的成膜容器内的制程；(b)于(a)制程之后，将第一吹净气体供给至成膜容器内的制程；(c)于(b)制程之后，将反应气体供给至成膜容器内的制程；(d)于(c)制程之后，将第二吹净气体供给至成膜容器内的制程。此时，本实施方式当中，接连着于(a)制程、(b)制程、(c)制程、(d)制程中，还另外地供给惰性气体至成膜容器内。

借此可得到的优点为：可使成膜容器内不容易形成不需要的膜，也就是异物的产生来源。特别是，于将本实施方式1当中原子层方法具现化的图1所示的电浆原子层成长装置当中，原料气体、吹净气体、及反应气体由气体供给部gsu被供给，相对于此，惰性气体由相异于气体供给部gsu的惰性气体供给部igsu所供给。借此可不受到气体供给部gsu的配置位置而影响，效率良好地将惰性气体，供给至想要防止附着不需要的膜的地方(即，高度影响于基板1s上所形成膜的膜质的地方)。因此，根据本实施方式，可提高于基板1s上所形成的膜的膜质。

进一步地，根据本实施方式1当中的原子层成长方法，接连在(a)制程、(b)制程、(c)制程、(d)制程于成膜容器内的压力变动，相较于未提供惰性气体的情形下的成膜容器内的压力变动，本实施方式1的压力变动值可降到较低。其原因为：原料气体的流量、吹净气体的流量、以及反应气体的流量的差异，通过于接连(a)制程、(b)制程、(c)制程、(d)制程供给至惰性气体的流量来得到缓和。也就是说，本实施方式1当中，于接连在(a)制程、(b)制程、(c)制程、(d)制程当中，调整供给至成膜容器内的惰性气体的流量，使得原料气体与惰性气体的合计流量、吹净气体与惰性气体的合计流量、反应气体与惰性气体的合计流量，三者为大致相等。其结果为：根据本实施方式1当中的原子层成长方法，其于接连在(a)制程、(b)制程、(c)制程、(d)制程中于成膜容器内的压力变动，相较于未提供惰性气体情形下的成膜容器内的压力变动，本实施方式1得到的值较小。借此可抑制成膜容器内的压力变动导致的产生异物。其理由为，于原子层成长方法当中，于成膜容器内当中不必要的部分产生膜的附着情形，若此附着的膜的一部分剥离则产生异物，若成膜容器内的压力变动变大，则压力变动导致产生膜的震动，进而容易加速膜的剥离。换言之，于本实施方式1当中，由于可将成膜容器内的压力变动降低，其结果为异物产生的主因，也就是膜的剥离的进行，可得到抑制。因此，由于根据本实施方式1当中的原子层成长方法，可抑制异物的产生，因此可抑制因异物产生而造成于基板上形成的膜的膜质降低的状况。

＜原子层成长方法的适用例＞

本实施方式1当中原子层成长方法当中，可使用例如tma为原料，且使用氧气作为反应气体，并且使用氮气作为吹净气体，借此形成氧化铝膜。特别是于基板上形成的氧化铝膜可做为构成(保护有机el元件中发光层的)保护膜的一部分的膜而形成。

此外，于基板上形成的膜，不仅是氧化铝膜，还可以是以氧化硅膜所代表的各种种类的膜。例如，基于本实施方式中原子层成长方法，于基板上所形成的膜，也可做为构成电场效果电晶体(半导体元件)的闸极绝缘膜的膜而形成。

(实施方式2)

＜改善检讨＞

图9为实施方式2中电浆原子层成长装置100的概略整体构成的示意图。于图9当中，于本实施方式2当中的电浆原子层成长装置100当中，不同于前述实施方式1当中般，于上部电极ue的下表面设置不同元件而成的构成：导体防附着部件10a与导体防附着部材10b，本实施方式2的结构为：基板1s配置于下部电极be上，上部电极ue的下表面与基板1s对向，且上部电极ue的下表面设置有单件的导体防附着部件10。

图10为将导体防附着部件10固定于上部电极ue的安装构造的概略示意图，该所述上部电极ue电连接至高频电源20。如图10所示，导体防附着部件10通过螺丝13而被安装至上部电极ue。此时，本实施方式2当中，螺丝13设置于与基板1s于俯视平面上不重叠的位置。换句话说，于本实施方式2当中，于俯视平面中，多个螺丝13分别地配置于离开基板1s的位置。也就是说，多个螺丝13分别地设置于与基板1s于俯视平面上互不重叠的导体防附着部件10的外缘区域。借此可使得即使形成于(存在于基于螺丝13的固定部位的微细的)空隙的膜剥离，且产生剥离下的膜而成的异物，由于基于螺丝13的固定部位本身存在于离开基板1s上方的位置，因此可降低异物附着至基板1s上的潜在风险。也就是说，于本实施方式2当中，通过针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置于与基板1s于俯视平面上不重叠的位置上，使得剥离下的膜而成的异物所致于基板1s上形成的膜的品质的负面影响得以抑制。

然而，由于增加取自基板1的制品取得数量以降低至成本的观点，近年来，基板1s的平面尺寸持续往大型化的方向发展。本发明者发现，于对应这样大型化的基板1s的电浆原子层成长装置当中，若采用了针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置于与基板1s于俯视平面上不重叠的位置，将凸显出新的改善的空间。

以下针对此点进行说明。图11为用于说明本案发明人所发现可改善空间的图。于图11当中，于下部电极be上安装着例如平面尺寸为g2尺寸(平面尺寸为370mm*470mm)的基板1s。此外，于安装于下部电极be上的基板1s的上方(夹着放电空间)配置着电连接至高频电源20的上部电极ue，此上部电极ue的下表面安装有导体防附着部件10。此导体防附着部件10的平面尺寸大于370mm*470mm，且导体防附着部件10的厚度尺寸为10mm以下。因此，于俯视平面图当中，基板1s被包在导体防附着部件10内。此时，导体防附着部件10通过设置于与基板1s平面上不重叠的位置的多个螺丝而固定至上部电极ue。

于此，若采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置，此时导体防附着部件10的平面尺寸必然大于基板1s的平面尺寸。另一方面，若采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s平面上不重叠的位置，则由于施加至每个螺丝13的负重变大，因此为了要减轻施加于每个螺丝13的负重，必须降低导体防附着部件10的质量。因此，为了要将导体防附着部件10的平面尺寸增大至大于g2尺寸的基板1s平面尺寸，并减少导体防附着部件10的质量，必须要将导体防附着部件10的厚度尺寸减少。具体来说，导体防附着部件10的厚度尺寸，可为例如10mm以下。因此，于对应大型化基板1s的电浆原子层成长装置当中，若采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置，此时导体防附着部件10构成为：平面形状比起大型化的基板1s还大，且导体防附着部件10的厚度尽可能降低。其结果为，如图11所示，于对应大型化基板1s的电浆原子层成长装置中，若采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s平面上不重叠的位置，则导体防附着部件10容易产生翘曲。也就是说，导体防附着部件10的翘曲，于导体防附着部件10的平面尺寸大于g2尺寸基板1s的平面尺寸时变得显着。而且，导体防附着部件10的翘曲，于导体防附着部件10的平面尺寸大于g4尺寸(680mm*880mm)的基板1s的平面尺寸时，尤其显着。

如此般当导体防附着部件10产生翘曲时，如图11所示，上部电极ue与导体防附着部件10之间的电性接触变得不稳定。即，如图11所示，导体防附着部件10产生翘曲的结果为，上部电极ue与导体防附着部件10之间产生空隙。关于此状况，其代表的意义为例如：与上部电极ue确实地接触着，基于螺丝的固定部位(导体防附着部件10的外缘区域)；以及导体防附着部件10翘曲而导致其与上部电极ue之间产生空隙的导体防附着部件10的中央区域，此两者(固定部位与中央区域)之间，产生导体防附着部件10本身的内电阻所致的电位差。其结果为，当导体防附着部件10产生翘曲时，与(电连接至高频电源20的)上部电极ue；以及与上部电极ue为不同电位的导体防附着部件10的中央区域之间，会产生透过空隙的非意图性的放电。若此非意图性的放电产生，则导体防附着部件10与基板1s之间所夹的放电空间的电浆放电将产生缺陷，导致基板1s上的膜的形成的负面影响。即，于对应大型化基板1s的电浆原子层成长装置当中，若采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s平面上不重叠的位置，则会引发导体防附着部件10的翘曲所导致，上部电极ue与导体防附着部件10之间的非意图性的放电，因而导致基板1s上的膜的形成的负面影响。

本实施方式2当中，于对应大型化的基板1s的电浆原子层成长装置当中，采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置，基于此前提而施加了处理，以抑制导体防附着部件10的翘曲所致非意图性的放电。以下就针对施加了此处理的本实施方式2的技术思想进行说明。

＜实施方式2当中的基本思想＞

本实施方式2当中的基本思想为：采用针对导体防附着部件的安装构造的处理，即将螺丝设置在与基板俯视平面上不重叠的位置，以此作为前提构成，并且于采用此前提构成的同时，还抑制于导体防附着部件内部产生电位差的思想。具体来说，本实施方式2的基本思想为：因采用了上述前提构成而使得产生更为明显的导体防附着部件的翘曲，于认知此情形下，为了要抑制导体防附着部件的翘曲导致导体防附着部件的内部产生电位差的思想。特别地是，本实施方式2中的基本思想为：即使导体防附着部件产生翘曲，也能通过提高翘曲后的导体防附着部件与上部电极间电性接触的均匀度，而抑制产生于防附着部件内部的电位差的思想。以下就针对将本实施方式2当中提高翘曲后导体防附着部件与上部电极间的电性接触的均匀度当中的基本思想具现化，于本实施方式2当中的特征点，参照附图进行说明。

＜实施方式2当中的特征点＞

本实施方式2当中的特征点为：例如，如图12所示，导体防附着部件10通过配置于与基板1s于俯视平面上不重叠位置的螺丝13，而固定至上部电极ue。导体防附着部件10与上部电极ue之间，于上部电极ue的厚度方向(z方向)上配置有具有伸缩性的导电部件15，此即为此处的特点。借此，如图12所示，即使导体防附着部件10产生翘曲，也能够实现提高导体防附着部件10与上部电极ue之间电性接触的均匀度。即，如图12所示，配置为被夹进于导体防附着部件10与上部电极ue之间的导电部件15，具有于上部电极ue厚度方向上的伸缩性。因此，即使因导体防附着部件10翘曲，导致导体防附着部件10从端部往中央部，其z方向尺寸产生连续性变化的空隙时，导电部件15也能够对应此空隙的z方向尺寸而伸缩。因此，根据本实施方式2当中的特征点，即使在导体防附着部件10产生翘曲的情况下，也能够确保于导体防附着部件10从端部往中央部，导体防附着部件10与上部电极ue之间的电性接触的均匀度。借此，根据本实施方式2当中的特征点，可抑制于导体防附着部件10的内部产生电位差。其结果为，根据本实施方式2中的特征点，可防止因导体防附着部件10产生翘曲而透过该所述翘曲所致的空隙而产生的非意图性放电。即，根据本实施方式2当中的特征点，可抑制于放电空间中的电浆放电产生缺陷，借此可抑制导致对于基板1s上膜的形成的负面影响。

如此般，于本实施方式2当中，首先，采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置，以此作为前提。借此，可抑制：由基于螺丝13的固定部位剥离下的膜(异物)所致于基板1s上形成的膜的品质的负面影响。此外，于本实施方式2当中，例如，如图12所示，于与基板1s于俯视平面上重叠的位置，以被夹在上部电极ue与导体防附着部件10之间的方式，配置具有于z方向的伸缩性的导电部材15。借此，使得采用针对导体防附着部件10的安装构造的处理，即将(把导体防附着部件10固定于上部电极ue的)螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置所导致的副作用可得到抑制。即，将(把导体防附着部件10固定于上部电极ue的)螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置时，伴随着基板1s的大型化，使得于导体防附着部件10产生翘曲，且此翘曲所致导体防附着部件10与上部电极ue之间的空隙产生非意图性的放电，于此作为副作用而产生。

关于此点，本实施方式2当中，将(把导体防附着部件10固定于上部电极ue的)螺丝13设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置，相对于此，于与基板1s于俯视平面上重叠的位置上，以被夹在上部电极ue与导体防附着部件10之间的方式，配置具有于z方向的伸缩性的导电部材15。借此，使得根据本实施方式2，可降低以基于螺丝13的固定部位作为产生来源的异物，其附着至基板上1s上的潜在风险。而同时亦可防止：导体防附着部件10的翘曲所致导体防附着部件10与上部电极ue之间的电性接触的不均匀度所引起的非意图性的放电产生。

图13为实施方式2中导电部件15一范例的概略示意图。如图13所示，本实施方式2当中的导电部件15例如可为线圈形状。如此构成的本实施方式2当中的导电部件15，例如，如图13及图14所示般，构成为可于z方向上变形。即，如图13及图14所示，本实施方式2当中的导电部件15具有于z方向上的伸缩性。此导电部件15可由例如：于以线圈形状构成的橡胶上，镀覆以金属为代表的导电材料而形成。

图15中的(a)为由图12中标为实线的箭头方向为视角来看导体防附着部件10的仰式平面图。图15中的(a)当中，导体防附着部件10的平面形状为矩形形状，导体防附着部件10的外缘区域上配置多个螺丝13。此外，图15中的(a)当中，以虚线围起的区域110表示例如与图12所示基板1s于俯视平面上重叠的区域。因此，配置于导体防附着部件10的外缘区域的多个螺丝13，与图12所示基板1s于俯视平面上不重叠。

接着，图15中的(b)为由图12中标为虚线的箭头方向为视角来看导体防附着部件的俯视平面图。于图15中的(b)当中，与基板1s于俯视平面上重叠的区域110为虚线表示，且蛇行形状的导电部件15配置为与此区域110于俯视平面上重叠。此外，配置为与区域110于平面上重叠的导电部件15的形状，并不限定于如图15中的(b)所示的蛇行形状。例如，本实施方式2当中的导电部材15，如图16所示，亦可构成为直线形状。于此情形下，各个由直线形状所构成的多个导电部件以特定间隔排列。此外，本实施方式2当中，亦可依在区域110俯视平面上重叠的方式，组合配置梯子形状的导电部件15，以及直线形状的导电部件15。

(实施方式3)

本实施方式3当中的电浆原子层成长装置，具备前述实施方式1当中的特征点，以及前述实施方式2当中的特征点。

具体来说，图18为实施方式3当中，电浆原子层成长装置的主要构成要素的概略示意图。于图18当中，导体防附着部件10a以多个螺丝13固定于上部电极ue的下表面，且，导体防附着部件10b以多个螺丝13b固定于导体防附着部件10a的下表面。此时，于本实施方式3当中，例如图18所示，多个螺丝13a及多个螺丝13b互不重叠。

借此，使得图18中以粗箭头表示的经由路径1000c，相较于图3以粗箭头表示的经由路径1000a，经由路径1000c远比经由路径1000a来得长。此状况代表着：于本实施方式3当中也同样地，起自放电空间至上部电极ue本身为止的气体侵入距离变长。因此，即使是连微细的空隙也都会形成膜的电浆原子层成长装置，通过与前述实施方式1相同的特征点，可具效果地防止膜附着于上部电极ue本身当中。其结果为，于本实施方式3当中的电浆原子层成长装置当中也相同地，减少了拆下上部电极ue，实施(清除附着于上部电极ue的)维护作业的频率，其结果为可抑制：上部电极ue的安装位置变化导致成膜条件的变动。其结果为，于本实施方式3当中，也采用了与前述实施方式1相同的特征点，借此，使得基板1s上所形成的膜的品质的变动得以抑制。因此，于本实施方式3当中的电浆原子层成长装置中，亦可于基板1s上形成品质良好的膜。

此外，本实施方式3当中，采用的处理为：将(把导体防附着部件10b固定于导体防附着部件10a的)螺丝13b设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置。以采用此处理作为前提，借此可抑制：由基于螺丝13b的固定部位剥离下的膜(异物)所致对于基板1s上所形成膜的品质的负面影响。

此外，于本实施方式3当中亦然，例如于图18所示，于与基板1s于俯视平面上重叠的位置，以被夹在导体防附着部件10a与导体防附着部件10b中间的方式，于z方向上配置具有伸缩性的导电部件15。据此，本实施方式3中除了也能降低以基于螺丝13的固定部位作为产生来源的异物，其附着至基板上1s上的潜在风险之外，还能防止：导体防附着部件10b的翘曲所致导体防附着部件10a与上部电极ue之间的电性接触的不均匀度所引起的非意图性的放电产生。

此外，如图18所示，本实施方式3当中的电浆原子层成长装置中，于与基板1s于俯视平面上重叠的位置，以被夹在导体防附着部件10a与导体防附着部件10b中间的方式，于z方向上配置具有伸缩性的导电部件15。因此，即使是在将(把导体防附着部件10b固定于导体防附着部件10a的)螺丝13b只设置在与基板1s俯视平面上不重叠的位置的情形下，也能够抑制：导体防附着部件10b的翘曲所致导体防附着部件10a与导体防附着部件10b之间的电性接触的不均匀度。也就是说，图18所示的构成，就抑制由基于螺丝13b的固定部位剥离下的膜(异物)所致于基板1s上形成的膜的品质的负面影响的观点看来为理想情况。

即使是将(把导体防附着部件10b固定于导体防附着部件10a的)螺丝13b设置在与基板1s俯视平面上重叠的位置的情形下，通过以被夹在导体防附着部件10a与导体防附着部件10b中间的方式，来配置于z方向上具有伸缩性的导电部件15，通过采用此构成，可使设置于与基板1s于俯视平面上重叠位置的螺丝13b的个数，少于多个螺丝13a的个数。于此情形当中，可防止：导体防附着部件10b的翘曲所致导体防附着部件10a与导体防附着部件10b之间的电性接触的不均匀度所引起的非意图性的放电产生。此外，此构成虽然程度不及图18所示的构成，但由于可以减少配置于与基板1s于俯视平面上重叠区域的螺丝13b的个数，因此可减少附着于基于螺丝13b的固定部位上的膜，其剥离所致的产生异物的潜在风险。

以上将本发明者所完成发明，基于其实施方式进行具体地说明，然而本发明并非受上述实施方式限制，理所当然在不脱离本发明主旨范围内可进行各种变更。