一种具有光限幅性能的VO2复合薄膜的制备方法与流程

文档序号:16210093发布日期:2018-12-08 07:37阅读:339来源:国知局
一种具有光限幅性能的VO2复合薄膜的制备方法与流程

本发明属于功能薄膜技术领域,具体涉及一种应用于激光防护技术的vo2复合薄膜的制备方法。

背景技术

随着激光干扰与致盲武器的迅速发展,寻找一种适用于激光防护的新型材料,保护军事人员和各种光电探测系统不受打击,已成为亟需解决的重要问题。1959年,morin首次发现钒和钛的氧化物具有半导体-金属相变特性,即在半导体态时,材料具有高透射特性;在金属态时,材料则具有高反射特性。这种特性使其具有智能光限幅开关的潜力。同其它激光防护材料相比,vo2具有防护波段宽,制备成本低,性能稳定等优点,是智能激光防护材料的研究热点,在航空航天领域有着广泛的应用潜力。

在材料制备方面,研究者通过各种方法如:溶胶-凝胶,磁控溅射,脉冲激光沉积,化学气相沉积,反应蒸镀等制备了vo2薄膜,并对薄膜的组分、形貌、相变温度、电学及光学性能进行了研究。虽然相关科研单位已经开展了大量研究工作,但由于钒氧体系的复杂性和纯vo2薄膜相变温度较高等关键问题尚没有完全解决,严重阻碍了vo2薄膜的实际应用。

表面等离子体共振(spr)是一种新型的光波操控手段,目前已经在化工、医疗、材料、食品、环境等诸多领域有着广泛的应用。通过在传统薄膜表面复合au、ag等有序纳米结构,会使其表现出许多奇异的光学性质,比如局域电场增强效应、纳米天线效应、强烈的光散射、光吸收以及光热特性等(m.rycenga,c.m.cobley,j.zeng,w.y.li,c.h.moran,q.zhang,d.qin,andy.n.xia,"controllingthesynthesisandassemblyofsilvernanostructuresforplasmonicapplications",chem.rev.,2011,111:3669-3712)。但是,关于复合有贵金属纳米颗粒的vo2光限幅薄膜却一直未见报道。其主要技术瓶颈在于一方面表面等离子体共振技术的有效实施需要au和ag等纳米材料的粒径具有良好的均一性;另一方面,表面等离子体共振技术的有效实施需要对au或ag等贵金属纳米结构实现尺寸可调控,这进一步增加了材料的复合难度。因此,如果能在vo2薄膜表面制备粒径均一的,尺寸可调的au、ag纳米结构,利用材料的表面等离子体共振特性提升vo2薄膜的激光防护能力,无疑是一条制备vo2基光限幅薄膜的有效途径。



技术实现要素:

为了解决已有的光限幅vo2薄膜在制备过程中存在的问题,本发明提供了一种具有光限幅性能的vo2复合薄膜的制备方法。

其工艺过程为:

1)以金属钒靶作为溅射源,在氩气条件下在洁净石英衬底上溅射200nm厚的金属v膜,衬底温度保持在200℃,溅射时间为60min,溅射功率为150w;

2)将溅射有v膜的基片放置在管式炉中,通入氮氧混合气进行退火,其中氮气与氧气的比例是10:1,退火温度为480℃,退火时间60min,冷却至室温后取出;

3)将50ml无水乙醇,7ml去离子水,7ml浓氨水混合,搅拌均匀得到反应溶液;在40℃恒温水浴中,将5~20ml正硅酸乙酯缓慢滴加至上述溶液中,搅拌反应30min,反应24h。反应完毕后用无水乙醇反复离心,洗涤,再经超声分散即得到sio2微球溶液。

4)利用旋涂仪将上述sio2微球溶液均匀涂覆于vo2薄膜表面,具体参数为先进行低速旋涂,速度为300转/分钟,旋涂时间10s,再进行高速旋涂,速度为1000转/分钟,旋涂时间30s。随后在空气下进行150℃热处理1h定型成膜。

5)以au靶或ag靶作为溅射源,在氩气条件下在上述薄膜上溅射au膜或ag膜,衬底温度保持在150℃,溅射时间为2min,溅射功率为50w。即得到所需的vo2复合薄膜。

本发明具有的优点和有益效果

本发明开发了一种具有光限幅性能的vo2复合薄膜的制备方法。基于表面等离激元共振技术在vo2薄膜表面制备一层粒径均一的,尺寸可调的au/sio2或ag/sio2纳米结构层,有效地提升了薄膜的激光防护性能。同传统的纯vo2激光防护薄膜相比,这种薄膜具有更低的激光可透过率以及更高的耐激光损伤阈值。该工艺可以有效提高薄膜对激光的响应度以及耐激光辐射能力,其制备过程简单可控,不需要昂贵的设备,同时对vo2薄膜的尺寸、形貌无特殊要求,为vo2基激光防护薄膜提供了一种高效率、短周期、可工业化实施的新技术。利用本发明方法制备的vo2复合薄膜具有如下优点:

1.au/sio2或ag/sio2纳米结构层的粒径均一性高,且颗粒尺寸可实现连续调节。

2.au/sio2或ag/sio2纳米结构层具有表面等离子体共振特性,在激光辐射下,au或ag纳米结构层的光热效应会产生大量热能,从而使vo2薄膜的表面温度更快升至相变温度,缩短薄膜的相变响应时间,弥补薄膜自身的热滞效应缺陷。

3.在au/sio2或ag/sio2纳米结构层的强散射作用下,激光束在vo2薄膜内的传播长度被大大增加,使激光辐照下的薄膜表面温度场更加均匀,利于vo2薄膜快速向金属态转变。

4.au/sio2或ag/sio2纳米结构层与基层vo2薄膜具有良好的结合性和兼容性,在不影响vo2薄膜固有性能的前提下,可以大幅降低该vo2复合薄膜的激光可透过率,同时大幅提升薄膜的耐激光损伤阈值。

5.制备工艺简单,无需昂贵的设备,可方便实现大面积制备及批量化生产。

附图说明

图1为实施例1中制备的au/sio2/vo2复合薄膜的sem图;

图2为实施例1中制备的ag/sio2/vo2复合薄膜的sem图;

图3为实施例2中制备的au/sio2/vo2复合薄膜的sem图;

图4为实施例2中制备的ag/sio2/vo2复合薄膜的sem图。

具体实施方式

下面结合具体实施例进一步阐述本发明,应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。

实施例1

1)以金属钒靶作为溅射源,在氩气条件下在洁净石英衬底上溅射200nm厚的金属v膜,衬底温度保持在200℃,溅射时间为60min,溅射功率为150w;

2)将溅射有v膜的基片放置在管式炉中,通入氮氧混合气进行退火,其中氮气与氧气的比例是10:1,退火温度为480℃,退火时间60min,冷却至室温后取出;

3)将50ml无水乙醇,7ml去离子水,7ml浓氨水混合,搅拌均匀得到反应溶液;在40℃恒温水浴中,将5ml正硅酸乙酯缓慢滴加至上述溶液中,搅拌反应30min,反应24h。反应完毕后用无水乙醇反复离心,洗涤,再经超声分散即得到sio2微球溶液。

4)利用旋涂仪将上述sio2微球溶液均匀涂覆于vo2薄膜表面,具体参数为先进行低速旋涂,速度为300转/分钟,旋涂时间10s,再进行高速旋涂,速度为1000转/分钟,旋涂时间30s。随后在空气下进行150℃热处理1h定型成膜。

5)以au靶或ag靶作为溅射源,在氩气条件下在上述薄膜上溅射au膜或ag膜,衬底温度保持在150℃,溅射时间为2min,溅射功率为50w。即得到所需的vo2复合薄膜。

图1给出了实施例1制备的au/sio2/vo2复合薄膜的sem照片,可以看到在vo2多晶薄膜表面覆盖着一层较薄的au/sio2纳米结构层,au/sio2纳米颗粒的粒径在300nm左右,具有较高的球形度和均匀性。紫外-可见吸收光谱的测试结果表明该au/sio2纳米结构层具有良好的表面等离激元共振吸收特性。在脉冲激光辐射下,进一步对薄膜的透过率进行比较可以发现,au/sio2/vo2复合薄膜在不同脉冲能量下的透过率均低于单一的vo2薄膜。这说明经过au/sio2纳米结构层复合的vo2薄膜可以有效降低vo2薄膜的激光可透过率。进一步的相关测试还发现薄膜的耐激光损伤阈值也有了明显的提升,这种激光限幅性能的增强可能是由于au的表面等离激元共振效应导致的。

图2给出了实施例1制备的ag/sio2/vo2复合薄膜的sem照片,可以看到在vo2多晶薄膜表面覆盖着一层较薄的ag/sio2纳米结构层,ag/sio2纳米颗粒的粒径在300nm左右,具有较高的球形度和均匀性。紫外-可见吸收光谱的测试结果表明该ag/sio2纳米结构层具有良好的表面等离激元共振吸收特性。在脉冲激光辐射下,进一步对薄膜的透过率进行比较可以发现,ag/sio2/vo2复合薄膜在不同脉冲能量下的透过率均低于单一的vo2薄膜。这说明经过ag/sio2纳米结构层复合的vo2薄膜可以有效降低vo2薄膜的激光可透过率。进一步的相关测试还发现薄膜的耐激光损伤阈值也有了明显的提升,这种激光限幅性能的增强可能是由于ag的表面等离激元共振效应导致的。

实施例2

1)以金属钒靶作为溅射源,在氩气条件下在洁净石英衬底上溅射200nm厚的金属v膜,衬底温度保持在200℃,溅射时间为60min,溅射功率为150w;

2)将溅射有v膜的基片放置在管式炉中,通入氮氧混合气进行退火,其中氮气与氧气的比例是10:1,退火温度为480℃,退火时间60min,冷却至室温后取出;

3)将50ml无水乙醇,7ml去离子水,7ml浓氨水混合,搅拌均匀得到反应溶液;在40℃恒温水浴中,将20ml正硅酸乙酯缓慢滴加至上述溶液中,搅拌反应30min,反应24h。反应完毕后用无水乙醇反复离心,洗涤,再经超声分散即得到sio2微球溶液。

4)利用旋涂仪将上述sio2微球溶液均匀涂覆于vo2薄膜表面,具体参数为先进行低速旋涂,速度为300转/分钟,旋涂时间10s,再进行高速旋涂,速度为1000转/分钟,旋涂时间30s。随后在空气下进行150℃热处理1h定型成膜。

5)以au靶或ag靶作为溅射源,在氩气条件下在上述薄膜上溅射au膜或ag膜,衬底温度保持在150℃,溅射时间为2min,溅射功率为50w。即得到所需的vo2复合薄膜。

图3给出了实施例2制备的au/sio2/vo2复合薄膜的sem照片,可以看到在vo2多晶薄膜表面覆盖着一层较薄的au/sio2纳米结构层,au/sio2纳米颗粒的粒径在1μm左右,具有较高的球形度和均匀性。紫外-可见吸收光谱的测试结果表明该au/sio2纳米结构层具有良好的表面等离激元共振吸收特性。同图1的结果进行对比可以看到,au/sio2的粒径有了明显增大。在脉冲激光辐射下,进一步对薄膜的透过率进行比较可以发现,au/sio2/vo2复合薄膜在不同脉冲能量下的透过率均低于单一的vo2薄膜。这说明经过au/sio2纳米结构层复合的vo2薄膜可以有效降低vo2薄膜的激光可透过率。进一步的相关测试还发现薄膜的耐激光损伤阈值也有了明显的提升,这种激光限幅性能的增强可能是由于au的表面等离激元共振效应导致的。

图4给出了实施例2制备的ag/sio2/vo2复合薄膜的sem照片,可以看到在vo2多晶薄膜表面覆盖着一层较薄的ag/sio2纳米结构层,ag/sio2纳米颗粒的粒径在1μm左右,具有较高的球形度和均匀性。紫外-可见吸收光谱的测试结果表明该ag/sio2纳米结构层具有良好的表面等离激元共振吸收特性。同图2的结果进行对比可以看到,ag/sio2的粒径有了明显增大。在脉冲激光辐射下,进一步对薄膜的透过率进行比较可以发现,ag/sio2/vo2复合薄膜在不同脉冲能量下的透过率均低于单一的vo2薄膜。这说明经过ag/sio2纳米结构层复合的vo2薄膜可以有效降低vo2薄膜的激光可透过率。进一步的相关测试还发现薄膜的耐激光损伤阈值也有了明显的提升,这种激光限幅性能的增强可能是由于ag的表面等离激元共振效应导致的。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1