技术总结
本发明为一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法，该制备方法包括：玻璃基板预处理：制备TiO2膜：采用溅射功率为120W～140 W的射频磁控溅射法，沉积室抽真空，采用TiO2靶，工作气体为氧气与氩气的混合气体，沉积后退火；制备含有Cr的Ag膜：使用铬切片嵌入的纯Ag靶，通过真流磁控溅射沉积含有Cr的Ag膜，溅射功率为30W～50 W，溅射气为体氩气；再次制备TiO2膜。采用该制备方法制备的复合Ag薄膜的TiO2/Ag（Cr）/TiO2多层结构具有低电阻，高光学透过率。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：广州市思创信息技术有限公司
技术研发日：2018.08.17
技术公布日：2020.02.25