一种ARC后部磁场调整机构的制作方法

本实用新型涉及真空设备技术领域，尤其涉及真空镀膜设备。

背景技术：

现有技术中，真空设备由于在镀膜过程中，其弧源靶材是消耗品，在使用中会逐渐消耗，致使靶材变薄，后面的固定磁铁强度渐渐不能提供给溅射离子以足够的能量，而对镀膜效率及结合力、附着力等因素产生不可逆的影响。

并且靶材温度升高会导致溅射的离子大颗粒的产生，难以保证膜层细腻和结合力，弧源运行性能不稳定。

技术实现要素：

为了解决现有真空镀膜设备存在的上述问题，本实用新型提供了一种ARC后部磁场调整机构。

本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是：一种ARC后部磁场调整机构，靶材座上部安装靶材，靶材座下方设有冷却法兰，冷却法兰外部对称焊接有冷却法兰焊接件，冷却法兰焊接件与靶材座固定连接，冷却法兰焊接件为中空结构，冷却法兰焊接件端部连接水嘴，冷却法兰焊接件、冷却法兰上部和靶座之间的中空结构构称冷却水路；冷却法兰下部安装螺母盖，贯穿螺母盖螺纹安装手柄，位于冷却法兰内部的手柄上端安装磁铁座，磁铁座上安装磁铁。

所述磁铁座通过椎端顶丝固定于手柄上。

所述磁铁座外部安装绝缘的定位套。

本实用新型的ARC后部磁场调整机构，将后部磁铁安装在可调整的手柄机构上，以有效调整磁铁与靶材的距离来实现后部磁场始终给溅射离子提供足够的能量；在靶材后面加上冷却装置对靶材冷却，同时也能保证溅射的离子更加细小，杜绝大颗粒的产生，使膜层更加细腻、增强结合力，使弧源运行性能更加稳定、可靠。

附图说明

图1是本实用新型ARC后部磁场调整机构结构图。

图中：1、靶材，2、靶材座，3、水嘴，4、冷却法兰，5、螺母盖，6、手柄，7、椎端顶丝，8、磁铁座，9、定位套，10、磁铁，11、O型密封圈，12、冷却法兰焊接件。

具体实施方式

本实用新型的ARC后部磁场调整机构结构如图1所示，靶材座2上部安装靶材1，靶材座2下方设有冷却法兰4，冷却法兰4外部对称焊接有冷却法兰焊接件12，冷却法兰焊接件12与靶材座2固定连接，冷却法兰焊接件12为中空结构，冷却法兰焊接件12端部连接水嘴3，冷却法兰焊接件12、冷却法兰4上部和靶座2之间的中空结构构成冷却水路；冷却法兰4下部安装螺母盖5，贯穿螺母盖5螺纹安装手柄6，位于冷却法兰4内部的手柄6上端安装磁铁座8，磁铁座8上安装磁铁10，磁铁座8通过椎端顶丝7固定于手柄6上，磁铁座8外部安装绝缘的定位套9用于支撑磁铁座8。

使用时，通过旋转手柄6，调整上部磁铁10与靶材1之间的距离，实现结构简单、安全、通用性好。冷却法兰焊接件12的一个水嘴3为进水水嘴，另一侧的水嘴3为出水水嘴，通过冷却法兰连接件12中空结构、冷却法兰4和靶材座2之间的空隙形成水路，实现靶材1的冷却。

该系统中靶材是消耗品，在使用过程中会逐渐消耗，致使靶材变薄，将后部磁铁安装在可调整的手柄机构上，以有效调整磁铁10与靶1材的距离来实现后部磁场始终给溅射离子提供足够的能量。该系统中靶材在溅射过程中会产生热量，由此在靶材后面加上冷却装置对靶材冷却，同时也能保证溅射的离子更加细小，杜绝大颗粒的产生，使膜层更加细腻、增强结合力，使弧源运行性能更加稳定、可靠。

本实用新型是通过实施例进行描述的，本领域技术人员知悉，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本实用新型的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此，本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本实用新型的保护范围。