具有可移动的遮蔽件载体的设备的制作方法

本公开内容的实施方式涉及一种设备、一种轨道布置、一种掩模遮蔽件和一种用于移动掩模遮蔽件的方法。特别是，本公开内容的实施方式涉及真空处理设备的掩模遮蔽件的维护。本文所述的方法和设备可使用于制造有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)装置。

背景技术：

用于层沉积在基板上的技术例如包括热蒸发、物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)和化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)。已涂布的基板可使用于数种应用中和数种技术领域中。例如，已涂布的基板可使用于有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)装置的领域中。oled可使用于制造电视屏幕、计算机屏幕、移动电话、其他手持装置和用于显示信息的类似者。oled装置例如是oled显示器，可以包括一个或多个有机材料层，此一个或多个有机材料层位在沉积在基板上的两个电极之间。

在沉积涂布材料于基板上期间，基板可由基板载体支撑，并且掩模可由掩模载体支撑在基板的前方。因此，材料图案可沉积在基板上，材料图案例如对应于掩模的开孔图案的多个像素。

oled装置的功能一般取决于应在预定范围中的有机材料的涂布厚度。为了取得高分辨率的oled装置，有关于已蒸发材料的沉积的技术挑战必须掌握。特别是，准确和平顺输送基板载体和掩模载体通过真空系统具有挑战性。此外，例如用于制造高分辨率oled装置来说，相对于掩模准确的对准基板对于实现高质量沉积结果至关重要。此外，为了减少真空处理系统的所有权的成本，在短时间内有利地提供清洁部件来减少系统的停工时间。此外，在真空处理系统的一部分提供维护，而其他部分可仍进行操作是有利的。

因此，不仅提供用于在真空腔室中相对于彼此准确地和可靠地定位和对准基板和掩模的设备、系统和方法，且提供简易和有成本效益的维护表现的设备会为有利的。此外，有效利用具有短空闲时间的真空沉积系统会为有利的。

技术实现要素：

鉴于上述，提出一种用于处理基板的设备，一种用于处理基板的系统，以及一种在真空腔室中相对于掩模载体对准基板载体的方法。本公开内容的其他方面、优点和特征从权利要求书、说明书和所附附图更为清楚。

根据本公开内容的一方面，公开一种真空处理设备，真空处理设备包括：真空腔室；沉积源，设置在真空腔室中。第一轨道布置包括第一输送轨道，适于输送基板；第二输送轨道，适于输送掩模；和第三输送轨道，适于在沉积源与掩模之间输送掩模遮蔽件，以减少掩模的污染。

根据本申请的另一方面，公开一种在真空处理设备中的轨道布置。轨道布置包括第一输送轨道，用于在真空处理设备的真空腔室中输送基板；第二输送轨道，用于输送真空处理设备的真空腔室中的掩模；和第三输送轨道，用于在真空处理设备的真空腔室中输送掩模遮蔽件。

在本公开内容的其他方面中，公开一种掩模遮蔽件。掩模遮蔽件或遮蔽件布置可布置在真空处理设备的输送轨道上，并且包括遮蔽件框架。遮蔽件框架可以包括至少一片金属遮蔽件和/或侧遮蔽件，所述至少一片金属遮蔽件覆盖掩模载体和/或掩模框架的一侧，所述侧遮蔽件覆盖掩模载体的边缘。

本申请的实施方式包括一种更换用于真空处理设备的掩模遮蔽件的方法。此方法可以包括将提供于真空腔室中的沉积源带动到返回位置和打开真空腔室的阀10。此外，此方法可以包括滑动掩模遮蔽件的第一部分离开真空腔室；从掩模遮蔽件的第一部分拆下第一遮蔽件；滑动掩模遮蔽件的第二部分离开真空腔室；从掩模遮蔽件的第二部分拆下第二遮蔽件。

实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备，且包括用于执行各所述的方法方面的设备部件。这些方法方面可通过硬件部件、由合适软件编程的计算机、两者的任何结合或任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的实施方式还涉及操作所述的设备的方法。用于操作所述的设备的方法包括用于执行设备的各功能的方法方面。

附图说明

为了使本公开内容的上述特征可详细地了解，简要摘录于上的本公开内容的更特有的说明可参照实施方式。所附的附图涉及本公开内容的实施方式及说明于下文中：

图1绘示根据现有技术的真空腔室；

图2绘示根据本申请实施方式的真空腔室；

图3a-3b绘示根据本申请实施方式的侧视图；

图4绘示根据本申请实施方式的具有许多腔室的真空处理设备的示意性概略图；

图5a-5b绘示根据本申请实施方式的掩模遮蔽件/遮蔽布置；

图6a-6d绘示根据本文所述实施方式的相对于真空腔室的掩模遮蔽件的数个后续阶段。

图7绘示本文所述的方法的实施方式。

具体实施方式

参照现在将详细地以本公开内容的各种实施方式完成，本公开内容的各种实施方式的一个或多个例子绘示于附图中。在附图的下方说明中，相同的附图标记意指相同的部件。一般来说，仅有有关于相应实施方式的相异处进行说明。各例子通过说明本公开内容的方式提供且不意味为本公开内容的限制。

于本申请的实施方式中，公开一种真空处理设备40，参见例如图2。真空处理设备40包括真空腔室12。沉积源33可设置在真空腔室12中。真空腔室12可以包括第一轨道布置13。

第一轨道布置13可以包括第一输送轨道13-1和第二输送轨道13-2，第一输送轨道13-1适于将基板16输送到真空腔室中，第二输送轨道13-2适于将掩模输送到真空腔室中。此外，设置第三输送轨道13-3。第三输送轨道适于在沉积源33与掩模之间输送掩模遮蔽件14，以减少掩模的污染。

在真空腔室12中的沉积源33可以是蒸气源，被配置为导引已蒸发材料朝向本质上垂直布置的基板16。根据本公开内容的实施方式，设置掩模遮蔽件，以保护掩模其也保护掩模载体而避免污染。系统的空闲时间尽可能保持短的。

本公开内容的实施方式尤其涉及真空处理系统，以用于在大面积基板上制造oled显示器，特别是rgb(红绿蓝)oled装置，其中有机和其他层可用阴影掩模(shadowmask)沉积。对于大面积沉积来说，垂直基板定向可以是有利的，以使系统具有小的占地面积。鉴于平行于掩模平面作用的重力，用具有例如用于掩蔽沉积的像素准确性的阴影掩模的垂直基板处理可能非常具挑战性。

本文所使用的“本质上垂直定向”可理解为具有从垂直定向10°或更少的偏差的定向，特别是5°或更少的偏差的定向，从垂直定向也就是从重力向量。例如，基板16(或掩模)的主表面与重力向量之间的角度可以在+10°与-10°之间，特别是在0°及-5°之间。在一些实施方式中，在输送期间及/或在沉积期间，基板16(或掩模)的定向可并非为准确垂直，但相对于垂直轴略微地倾斜例如0°及-5°之间的倾斜角，特别是-1°及-5°之间的倾斜角。负角度意指基板16(或掩模)的定向，其中基板16(或掩模)向下倾斜。在沉积期间，自重力向量的基板定向的偏差可以是有利的，及可产生更稳定的沉积工艺，或面向下定向可适于在沉积期间减少基板16上的粒子。然而，在输送期间和/或在沉积期间，准确垂直定向(+/-1°)也为可行的。于其他实施方式中，基板16和掩模可在非垂直定向中输送，和/或基板16可在非垂直定向中进行涂布，例如在本质上水平定向中进行涂布。

在沉积在大面积基板上期间，特别是利用阴影掩模(像素掩模)的掩模沉积期间，基板和掩模可以是静止的。静止的掩模-基板-布置提供具有显示器的像素尺寸的精准性的遮蔽准确性。沉积源33可沿着源输送轨道为可移动的，源输送轨道可设置在真空腔室12中。沉积源33可设置成线源，在本质上垂直方向中延伸。在垂直方向中的沉积源33的高度可适于垂直定向的基板16的高度，使得基板16可通过移动沉积源33通过基板16来进行涂布。

沉积源33可以包括分布管。分布管具有多个蒸气开孔或喷嘴，用于导引涂布材料朝向沉积区域。此外，沉积源33可以包括坩锅，坩锅被配置为用于加热和蒸发涂布材料。坩锅可连接于分布管，以流体连通于分布管。

在一些实施方式中，沉积源33可以是可旋转的。例如，沉积源33可以是从第一定向至第二定向可旋转的，沉积源33的蒸气开孔在第一定向中朝向第一沉积区域，蒸气开孔在第二定向中导引朝向第二沉积区域。第一沉积区域和第二沉积区域可位于沉积源33的相反侧上，并且沉积源33可通过在第一沉积区域与第二沉积区域之间旋转约180°的角度为可旋转的。

真空处理设备40可进一步包括第一轨道布置13。第一轨道布置13可以包括第一输送轨道13-1，可适于将基板16输送到真空腔室12中。第一轨道布置13可以包括第二输送轨道13-2，可适于将掩模输送到真空腔室12中。

基板16可由第一输送轨道13-1上的基板载体36运载，并且掩模17可由第二输送轨道13-2上的掩模载体37运载。第一输送轨道和第二输送轨道13-2可例如从相邻的真空腔室至少部分地形成真空腔室12中的输送路径。如图3a和3b中范例地绘示，对准系统可设置为使得基板载体36运载的基板16可经由对准系统的对准单元相对于掩模载体37运载的掩模对准。

第一输送轨道13-1和第二输送轨道13-2绘示于图1中。基板16设置在第一输送轨道13-1。第一输送轨道13-1可适于运载基板或基板载体。基板或基板载体可由第一输送轨道悬浮，或基板16和第一输送轨道13-1可机械地连结。掩模17设置在第二输送轨道13-2。第二输送轨道13-2可适于运载掩模或掩模载体。掩模或掩模载体可由第二输送轨道悬浮，或掩模17和第二输送轨道13-2可机械地连结。

如图1中所示，第一输送轨道13-1和第二输送轨道13-2可将基板或掩模输送到真空腔室12中及离开真空腔室12到达例如相邻的真空腔室中。相邻于其他真空腔室的真空腔室的侧可以是真空腔室的第一侧。维护腔室5可设置在真空腔室的另一、第二侧。第二侧可相反于第一侧。维护腔室提供例如将作为源33的部件输送到维护腔室中。

本公开内容的实施方式减少真空处理系统中的处理腔室的空闲时间，其中基板可于基板载体上经由系统依循路径输送，及掩模可于例如掩模载体上经由系统依循路径输送。

本文所使用的术语“基板载体”可特别涉及被排位置为在真空系统中沿着基板16输送路径运载基板16的载体装置。在沉积涂布材料于基板16上期间，基板载体36可支撑基板16。于一些实施方式中，在输送和/或沉积期间，基板16可在非水平定向中支撑在基板载体36，特别是在本质上垂直定向中支撑在基板载体36。

例如，在输送通过真空腔室期间、在例如于真空腔室12相对于掩模定位基板16期间、和/或在沉积材料于基板16上期间，基板16可支撑在基板载体36的支撑表面。特别是，基板16可由夹持装置支撑在基板载体36，例如由静电吸盘和/或由磁性夹持件。夹持装置可集成于基板载体36中。

基板载体36可以包括载体主体。载体主体具有支撑表面，支撑表面被配置为支撑基板16，特别是在非水平定向中支撑基板16。于一些实施方式中，载体主体可由例如包括线性马达的基板输送系统沿着基板输送路径移动。于一些实施方式中，在例如由磁性悬浮系统输送期间，基板载体36可非接触地支撑在导引结构。

例如，基板载体36可以包括电极布置，所述电极布置被配置为提供作用于基板16上的吸引力。基板载体36可以包括电极布置，电极布置具有多个电极，所述多个电极被配置为提供吸引力来支撑基板16于基板载体36的支撑表面。基板载体36的控制器可被配置为供应一个或多个电压至电极布置来提供吸引力(也意指为“夹持力”)。

电极布置的所述多个电极可嵌入主体中，或可设置在主体上，例如放置于主体上。主体可以是介电主体，例如是介电板材。介电主体可由介电材料制造，优选地由高热传导性介电材料制造，高热传导性介电材料例如是热解氮化硼(pyrolyticboronnitride)、氮化铝、氮化硅、氧化铝(alumina)或等效材料，但可以例如是聚酰亚胺(polyimide)的材料制造。多个电极例如是细金属条网格，可置放于介电板材上及覆盖有薄介电层。

根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，基板载体36可以包括一个或多个电压源，所述一个或多个电压源被配置为提供一个或多个电压至多个电极。于一些应用中，此一个或多个电压源被配置为使多个电极的至少一些电极接地。例如，此一个或多个电压源可被配置为提供具有第一极性的第一电压、具有第二极性的第二电压、和/或使多个电极接地。设备可被配置为用于非接触悬浮和/或非接触输送基板载体36和/或掩模载体37。例如，设备可以包括导引结构，所述导引结构被配置为用于非接触悬浮基板载体36和/或掩模载体37。同样地，设备可以包括驱动结构，所述驱动结构被配置为用于非接触输送基板载体36和/或掩模载体37。特别是，载体可利用磁力取代机械力来支撑在悬浮或浮动状态。例如，于一些应用中，特别是在悬浮、移动和定位基板载体36和/或掩模载体37期间，载体及输送轨道之间可没有机械接触。

非接触悬浮和/或输送载体是有利的，没有粒子因例如与导引轨道的机械接触而在输送期间产生。可提供沉积在基板16上的改善纯度和均匀性的层，这是因为粒子产生在使用非接触悬浮和/或输送时减少到最少。

类似地，本文所使用的“掩模载体”可涉及被配置为运载掩模的载体装置，用于在真空腔室12中沿着掩模输送路径输送掩模。掩模载体37可在输送期间、相对于基板16对准期间和/或沉积在基板16上期间运载掩模17。

掩模可由夹持装置支撑在掩模载体37，夹持装置例如是夹具的机械夹持件、静电吸盘和/或磁性夹持件。可连接于掩模载体37或集成于掩模载体37中的其他形式的夹持装置可使用。

例如，掩模可以是边缘排除掩模(edgeexclusionmask)或阴影掩模。边缘排除掩模是被配置为用于遮蔽基板16的一个或多个边缘区域的掩模，使得没有材料在涂布基板16期间沉积在此一个或多个边缘区域上。阴影掩模是被配置为用于遮蔽将沉积在基板16上的多个特征的掩模。例如，阴影掩模可以包括多个小开孔，例如小开孔网格。例如，开孔可对应于显示器的像素或显示器的像素的颜色。

真空处理设备40的第一轨道布置13可进一步包括第三输送轨道13-3，第三输送轨道13-3可适于在沉积源33与掩模之间输送掩模遮蔽件14，以减少掩模的污染和/或特别是掩模载体的污染。

第三输送轨道13-3(见图2)可允许从真空腔室12简单地移除掩模遮蔽件14。掩模遮蔽件14可本质上独立于基板16和掩模载体37移动。基板16和掩模载体37可沿着相应的输送路径移动，意指第一输送轨道13-1和第二输送轨道13-2(见图2)。此外，掩模或支撑掩模的掩模载体可在真空腔室的第二侧移动，例如相反于真空处理系统的其他真空腔室的侧。阀10可设置在第二侧。

掩模遮蔽件14可设置在真空腔室12中，特别是在沉积源33与对准系统之间。掩模遮蔽件14可位在沉积源33与掩模载体37之间。因此，掩模遮蔽件14至少部分地遮蔽掩模载体37，以减少涂布材料对掩模载体37或真空腔室的污染。例如，掩模遮蔽件14可塑形，使得掩模载体37的外部受到掩模遮蔽件14的遮蔽板材保护。掩模遮蔽件14至少部分地阻挡导引朝向掩模载体37的外部的涂布材料。导引朝向基板16的涂布材料可以不受阻挡的方式传递通过掩模遮蔽件14。

例如，掩模遮蔽件14可以包括遮蔽件框架(见图6b-6d)，配置为至少部分地覆盖和遮蔽掩模载体37。掩模遮蔽件14可包含开孔30，在图3a和3b中及也在图5a及5b中以虚线标示，开孔30提供于遮蔽件框架中，开孔30被配置为使涂布材料通过掩模遮蔽件14而朝向基板16。掩模遮蔽件的开孔可具有0.5m²或更大的尺寸，特别是1m²或更大的尺寸。开孔的尺寸可大于将涂布的基板16的面积。

本文所使用的“输送”、“移动”、“运送(routing)”、“旋转”、“定位”或“对准”基板16或掩模可意指为基板载体36或掩模载体37的相应移动，基板载体36或掩模载体37支撑基板16或掩模。

输送掩模或基板16可以非接触方式提供，例如包括磁性悬浮系统。非接触输送可由第一轨道布置13提供。

图2绘示具有三个输送轨道的第一轨道布置13。第一输送轨道13-1、第二输送轨道13-2和第三输送轨道13-3。虚线表示第三输送轨道13-3。第三输送轨道可例如通过阀10离开真空腔室12。

于本申请的另一实施方式中，第三输送轨道13-3可适于输送掩模遮蔽件14至真空腔室12外。第三输送轨道13-3的第一部分可设置在真空腔室12中。第三输送轨道13-3的第二部分可设置在真空腔室12外。

第三输送轨道13-3轨道的内和外部的每一个可以包括上和下部。掩模遮蔽件14可以因此支撑在第三输送轨道的上和下部上，使得掩模遮蔽件可支撑在机械稳定位置中。

第三输送轨道13-3的至少外侧横置的上部60a可以可移动方式布置。上部可布置为使得上部是例如绕着图6a中所示的枢轴41为可移动的。在此布置中，执行维护的人员可受到保护而避免输送轨道的部件上的尖锐边缘的可能伤害。

本申请的另一实施方式中，公开了第一输送轨道13-1可被配置为从设置在真空腔室的第一侧的其他的真空腔室41输送基板16和/或掩模至真空腔室12中及离开真空腔室12。第三输送轨道13-3可适于输送掩模遮蔽件14至在真空腔室12的第二侧的真空腔室12外。第二侧可相反于第一侧定位。在此方式中，运载/输送掩模和基板16的轨道在真空处理设备40的真空部分中移动(从一个真空腔室12至另一者)，而运载掩模遮蔽件14或遮蔽件布置的轨道可输送掩模遮蔽件14至真空腔室12的外侧。

如图6a中所示，真空密封件(图2中的附图标记10)可设置在例如真空腔室12的第二侧。真空密封件可以包括入口(portal)或门69。门69可密封真空腔室。门可设置在打开或关闭位置中。图6a绘示出在打开位置中的门。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，通过平行于真空腔室的壁的移动，例如平行于真空腔室的第二侧的壁，门可从打开位置移动至关闭位置及反之亦然。

于其他实施方式中，本申请公开真空处理设备40的第三输送轨道13-3可具有下部和上部。于其他实施方式中，第三输送轨道13-3可具有位在真空腔室12内的下部和上部，和位在真空腔室12外的下部和上部。

第三输送轨道13-3的内和外部可以以第三输送轨道13-3的内和外部可形成优选地连续、不间断的上和下轨道的方式布置，而从真空腔室内引领至真空腔室外。在此方式中，掩模遮蔽件14可以平顺及轻松的方式移动离开真空腔室12来实现维护的目的。

于真空处理设备40的其他实施方式中，掩模遮蔽件14可具有至少第一部分，与第二部分为可分离的。

真空处理设备40的非限定例子绘示于图4中。设备可以包括许多所述的真空腔室12。真空腔室12可连接于真空腔室41，而可适于输送例如基板载体上的基板和掩模载体上的掩模。一般来说，如果没有进行检修时，真空处理设备40包含用于基板的涂布工艺的真空。

一旦提供维护时，例如提供清洁时，相应的真空腔室12可加压。在相应的腔室中的真空可由空气取代，使得腔室可具有环境气压。至例如真空腔室41的任何其他腔室的连接可利用密封件或阀10进行密封，使得维持用于真空处理设备40的剩余部分的真空。在真空处理系统的其他部分中的处理是可行的。

如果真空腔室12为根据本公开内容的实施方式时，见图2，执行例如掩模遮蔽件上的检修而不影响工艺进行可以是可行的。因为掩模遮蔽件可输送于用于掩模遮蔽件的轨道(第三输送轨道13-3)上，所以掩模遮蔽件14可独立于掩模和基板处理。由于掩模并非固定地连接于掩模遮蔽件，掩模可仍旧在工艺中。

一般来说，掩模遮蔽件如掩模一般需要另一个清洁周期。清洁被理解为已经污染掩模遮蔽件14或掩模载体37的已蒸发材料被移除。如果掩模遮蔽件被清洁时，掩模并非总是需要进行清洁，反之亦然。通过执行独立于掩模或掩模遮蔽件的任何检修的可能性，真空处理设备40的停机或空闲时间可改善。

真空处理设备40中的轨道布置公开于本申请的另一实施方式中。轨道布置可以包括第一输送轨道13-1，用于输送真空处理设备40的真空腔室12中的基板16。轨道布置可进一步包括第二输送轨道13-2，用于输送真空处理设备40的真空腔室12中的掩模。轨道布置可进一步包括第三输送轨道13-3，用于输送真空处理设备40的真空腔室12中的掩模遮蔽件14。

类似于或等同于第一轨道布置13，第二轨道布置可以镜像反向方式设置在真空处理设备40的真空腔室12中。第一和/或第二轨道布置可设置在许多真空腔室12，如图4中所示。第一和第二输送轨道可适于仅设置在真空处理设备40的真空区域中。

第三输送轨道可设置在真空腔室12中。此外，第三输送轨道可延伸到真空腔室外，或可以是可延伸到真空腔室外的。第三输送轨道13-3可使用于对掩模遮蔽件14进行维护和清洁操作。

当掩模遮蔽件14被检修/维修或清洁时，第一和第二输送轨道13-2上的基板16和掩模可从真空腔室12通过真空腔室12中的第二开孔11或阀10(图1、2、4)输送至相邻的真空腔室41，真空腔室12之后可利用阀10关闭。例如，当真空腔室12中的处理(涂布等)已经结束时，可执行来自真空腔室12的掩模遮蔽件14的例如清洁或卸除。

基板和掩模可仍旧在执行的工艺中。基板的处理可在其他真空腔室中执行，清洁或检修掩模遮蔽件14不于此些其他真空腔室执行。

工艺可连续地维持，这是因为第三输送轨道允许独立于基板或基板载体36和/或掩模或掩模载体37的掩模遮蔽件14的卸除。

在本申请的另一实施方式中，轨道布置的第三输送轨道13-3可适于从真空腔室12的内侧输送掩模遮蔽件14至真空腔室12外。此可例如因清洁或维护的理由执行。轨道布置可使得第三输送轨道13-3可被配置为在真空腔室12内的沉积源33与掩模之间移动掩模遮蔽件14。

在另一实施方式中，轨道布置可使得第三输送轨道13-3可适于能够以掩模遮蔽件14至少部分地遮蔽掩模的方式来相对于掩模对准掩模遮蔽件14，以减少掩模载体37的污染。

涂布材料进入掩模遮蔽件14与掩模载体37之间的缝隙31(图3a、3b)及污染掩模载体37可以是可能的。例如，相较于第二位置，在绘示于图3a、3b中的第一位置中，缝隙31在第一方向z中具有较大的宽度。因此，来自沉积源33的涂布材料可能冲击于掩模载体37上，使得掩模载体37可能受到进入所述的缝隙31的涂布材料的污染。此外，进入所述的缝隙31的涂布材料可能污染真空腔室12的内壁，和/或真空腔室12中的其他装置或物体。

沉积结果可能受到没有通过掩模所限定的涂布窗冲击于基板16上的涂布材料负面地影响。此外，真空腔室12和掩模载体37的受污染表面可能频繁地清洁，而可能导致额外的成本和沉积系统的频繁停机。

因此，对准系统可例如设置以移动掩模和基板至第三输送轨道13-3布置。此外，第三输送轨道13-3输送的掩模遮蔽件14和运载掩模的掩模载体37可对准。具有掩模的掩模载体37和掩模遮蔽件14可相对于彼此为可移动。掩模载体可根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式朝向掩模遮蔽件移动。于另一实施方式中，第三输送轨道13-3可以使得用于输送掩模遮蔽件14的输送轨道可以包括对准系统，对准系统可适于在x、y和z方向中移动掩模遮蔽件14。

其他实施方式公开掩模遮蔽件14。掩模遮蔽件14可布置在真空处理设备40的输送轨道上。遮蔽件框架14可以包括至少一片金属遮蔽件和/或侧遮蔽件，所述至少一片金属遮蔽件覆盖掩模载体和/或掩模框架的一侧，所述侧遮蔽件覆盖掩模载体的边缘。片金属遮蔽件和侧遮蔽件可形成至少70°的角度。于其他实施方式中，掩模遮蔽件14可以包括单一个遮蔽件。掩模遮蔽件14的拆下和清洁可有帮助。于其他实施方式中，掩模遮蔽件14可以包括一片板材部件，包括开孔30，特别是本质上矩形的开孔30，如图3a和3b中所示。此布置允许掩模遮蔽件14的维护和检修。

根据先前所公开的实施方式的任一者，其他实施方式公开掩模遮蔽件14可被配置为相对于真空处理设备40中的真空腔室12中的掩模对准。针对此目的，对准系统可设置在第三输送轨道13-3的掩模遮蔽件14，第三输送轨道13-3运载掩模遮蔽件14。

在再另一实施方式中，根据先前所公开的实施方式的任一者，公开了掩模遮蔽件14可以以使得掩模遮蔽件14和输送轨道以掩模遮蔽件14可至少部分地移动到真空腔室12外的方式配置(见图2和图6)。

第三输送轨道13-3可设置而具有于真空腔室12中的第一部分(见图6a-6b)和具有可设置在真空腔室12外的第二部分(60a、13-3、60b)。两个部可接合以形成输送轨道，掩模遮蔽件14可利用此输送轨道通过真空腔室中的开孔移动离开真空腔室12至真空腔室12外。

第三输送轨道13-3的内和外部的各者可由上和下部所组成或包括上和下部。掩模遮蔽件14可因而支撑在掩模遮蔽件14的上和下部上，使得掩模遮蔽件可支撑在稳定位置中。第三输送轨道的上部60a可以可移动的方式布置。外侧上部可例如以使外侧上部可绕着图6a中所示的枢轴61为可移动的方式布置。在此布置中，可优选地保护执行维护之人员而避免受到输送轨道的部件上的可能尖锐边缘伤害。

第三输送轨道的内和外部可以以轨道的内和外部形成优选地连续和不间断的上和下轨道的方式布置。在此方式中，掩模遮蔽件14可以平顺方式移动离开真空腔室12。

根据一些方面，用于沉积源33的移动的轨道(参见例如图2中的沉积源33)可具有在真空腔室外的第二源轨道部件。例如，在真空腔室外的第二源轨道部件可设置在真空腔室的第二侧，真空腔室的第二侧相反于真空腔室的第一侧，真空腔室在第一侧连接于其他真空腔室。因此，沉积源可移动离开真空腔室来进行沉积源的维护。这具有人员不需进入真空腔室来维护沉积源和/或掩模遮蔽件的优点。鉴于上述，甚至在真空腔室中的真空不可在维护期间维持的情况下，污染的程度减少。

根据本公开内容的实施方式或方面，设置检修口。检修口包括至少一个轨道延伸部，以移动真空处理系统的部件至真空腔室外，此真空腔室例如真空处理腔室。例如，真空腔室可以是有关于图4说明的真空腔室12。根据典型的实施，轨道延伸部可被配置为在相反于第一侧的第二侧移动组件至真空腔室12外，其中第一侧连接于其他真空腔室。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，此部件可以是沉积源和/或固定的掩模遮蔽件。此至少一个轨道延伸部允许在真空腔室外的维护。这使维护次数减少和/或减少真空腔室的污染。根据可与本文所述其他实施方式结合的再其他调整，轨道延伸部可设置在真空腔室外。轨道延伸部可延伸真空腔室中的轨道，此轨道例如是用于掩模遮蔽件的轨道或用于沉积源的轨道。

本文所述的实施方式可利用于能够蒸发于大面积基板上的设备，例如用于oled显示器制造。特别是，提供而用于根据本文所述的实施方式的结构和方法的基板为大面积基板，例如0.5m²或更大的表面积，特别是1m²或更大的表面积。例如，大面积基板可以是第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代，第4.5代对应于约0.67m²的表面积(0.73mx0.92m)、第5代对应于约1.4m²的表面积(1.1m×1.3m)、第7.5代对应于约4.29m²的表面积(1.95m×2.2m)、第8.5代对应于约5.7m²的表面积(2.2m×2.5m)、第10代对应于约8.7m²的表面积(2.85m×3.05m)。甚至例如是第11代和第12代的更高代和对应的表面积可以类似的方式应用。这些代的一半的尺寸可还提供于oled显示器制造中。

根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，基板厚度可以是从0.1至1.8mm。基板厚度可以是约0.9mm或以下，例如是0.5mm。如本文所使用的术语“基板”可特别是包含实质上非柔性基板，例如晶片、例如是蓝宝石或类似者的透明晶体片、或玻璃板材。然而，本公开内容不以此为限，且术语“基板”可还包含柔性基板，例如是网格(web)或箔。术语“实质上非柔性”理解为与“柔性”有所区别。特别是，实质上非柔性基板可具有某种程度的柔性，例如具有0.9mm或以下的厚度的玻璃板材，例如是具有0.5mm或以下的厚度的玻璃板材，其中实质上非柔性基板的柔性相较于柔性基板是小的。

根据本文所述的实施方式，基板可以适合用于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可以选自以下组的材料制成，所述组由玻璃(例如钠钙玻璃(soda-limeglass)、硼硅玻璃(borosilicateglass)、及类似者)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料或任何其他材料或可由沉积工艺进行涂布的材料的组合所组成。

术语“遮蔽”可以包括减少和/或阻碍材料沉积在基板的一个或多个区域上。遮蔽可以是有用的，以例如限定将涂布的区域。于一些应用中，基板的部分被涂布及所述部分不由掩模所覆盖。

用于在真空处理设备40中更换或维护掩模遮蔽件14的方法提供于本申请的其他实施方式中。意图掩模遮蔽件14的清洁可以轻松的方式执行。特别是，真空处理设备40的停机时间或空闲时间可减少。

掩模遮蔽件14可例如从真空腔室12短暂地移除掩模遮蔽件14来进行清洁。掩模遮蔽件14可有利地布置在第一轨道布置13的第三输送轨道上。

在真空处理设备40的真空腔室12中，类似于或等同于第一轨道布置13，第二轨道布置可以镜像反转或反向配置布置。

第二轨道布置可适于以类似于如下文中所述的第一轨道布置13的功能的方式执行。也就是说，真空腔室12可优选地设置有两个基板/掩模/掩模遮蔽件于真空腔室12的相反位置上。沉积源33可以此方式处理真空腔室12中的两个基板16。

长时段清洁掩模遮蔽件14可以是足够的。例如，在数天的沉积时间之后，掩模遮蔽件14可从真空腔室12卸除来进行清洁。沉积系统的停机可减少及有助于清洁。

为了更换掩模来例如用于维护或清洁程序，真空腔室12(见图1、2、4和6)必须打开。在打开真空腔室12之前，可仍旧位在真空腔室12中的基板16和掩模可输送至相邻之真空腔室41(见图2、4)。此输送可在真空条件下执行。

输送可利用第一轨道布置13执行，优选地利用第一轨道布置13的第一输送轨道13-1和第二输送轨道13-2，第一输送轨道13-1和第二输送轨道13-2适于输送真空腔室12中的基板16或掩模。当输送至相邻的真空腔室41已经完成时，此两个相邻的腔室之间的连接可利用布置在从两个相邻的真空腔室(图4、12、41)之间的阀10气密密封，使得维持真空处理设备40中的真空条件。

沉积源33可维持在真空腔室12中，并且可输送702至安全位置(返回位置)。沉积源33可沿着可设置在真空腔室12中的源输送轨道为可移动的。

真空腔室12可打开704，特别是在真空腔室12内的真空等同于环境气压。布置在真空腔室12的外侧上的第三输送轨道13-3的上部60a可移动及带动到本质上水平位置，使得真空腔室12内的第三输送轨道13-3的上第一部分和真空腔室12外的上第二部分齐平。

掩模遮蔽件14的第一部分现在可滑出706真空腔室12。来自掩模遮蔽件14的第一部分的第一遮蔽件可拆下708，而用于清洁。掩模遮蔽件14的第二部分可以滑出真空腔室12，并且剩余的掩模遮蔽件14的第二遮蔽件可拆下708而用于检修或清洁的目的。

于其他实施方式中，掩模遮蔽件14可设置成单一件及可因而整个拆下。

通过此方法，停机或空闲时间可保持成低的。掩模和掩模遮蔽件14的清洁周期为相异的。掩模比掩模遮蔽件14更必须常清洁。在掩模和掩模遮蔽件14更多或更少固定地连接的先前的系统中，当掩模必须清洁时，也牵涉到掩模遮蔽件14。

本申请可使掩模和掩模遮蔽件14可分开地及彼此独立地清洁。因此，甚至如果在真空腔室12中的掩模遮蔽件14需要进行清洁时，掩模和相应的基板可在真空处理设备中处理为可行的。

此外，所说明或叙述而作为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以取得又一实施方式。此意指本说明包括此样的调整及变化。

虽然上述内容涉及本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围内，可设计本公开内容的其它或进一步的实施方式，并且本公开内容的保护范围由随附权利要求书所确定。