层叠造型用Ni基耐腐蚀合金粉末、使用该粉末的层叠造型品和半导体制造装置用构件的制造方法与流程

本发明涉及在使用代表性的hcl、cl2、hf、f2、nf3、clf3及hbr等具有强腐蚀性的卤素系气体的半导体制造装置中与这些气体直接接触的构件等相关、层叠造型为该构件所必需的层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末及由层叠造型品构成的半导体制造装置用构件/部件(以下，简称为“半导体制造装置用构件”)、乃至其制造方法。

背景技术：

hcl、cl2、hf、f2、nf3、clf3及hbr等卤素系气体的需求大多是作为半导体制造工艺气体，因此使用经超高纯度化的气体。随着半导体的微细化、3d化等高精细化的发展，因由腐蚀性气体引起的金属构件的腐蚀而导致颗粒的容许尺寸变小，对构成装置构件、配管构件的金属材料的耐腐蚀性的要求变得严格。因此，需要从以往的sus316l向耐腐蚀性更优异的ni基耐腐蚀合金进行材料升级。

例如，如专利文献1所示，作为半导体制造装置中的超高纯度气体控制用耐腐蚀性阀的波纹管构件，提出了使用以质量％(以下，％表示质量％)计为ni50％以上、cr14.5～16.5％、mo15.0～17.0％、w3.0～4.5％、fe4.0～7.0％、低碳、低硅的ni基合金或为ni50％以上、cr20.0～22.5％、mo12.5～14.5％、w2.5～3.5％，fe2.0～6.0％、低碳、低硅的ni基合金。

另外，作为同样在半导体制造工艺用超高纯度气体制造装置及半导体制造装置中使用的超高纯度气体控制用阀的波纹管构件，提出了作为unsn06625(相当于inconel625(注册商标))而已知的ni基合金(为ni：58％以上、cr：20～23％、fe：5.0％以下、mo：8.0～10.0％、nb(+ta)：3.15～4.15％、低碳、低硅的ni基合金)、作为unsn10276(相当于hastelloyc276(注册商标))而已知的ni基合金(为ni：50％以上、cr：14.5～16.5％、mo：15.0～17.0％、w：3.0～4.5％、fe：4.0～7.0％、低碳、低硅的ni基合金)、以及作为unsn06022(相当于hastelloyc22(注册商标))而已知的ni基合金(为ni：50％以上、cr：20～22.5％、mo：12.5～14.5％、w：2.5～3.5％、fe：2.0～6.0％、低碳、低硅的ni基合金)等ni基合金。

需要说明的是，表示前述ni合金的合金种类的“uns”是指asehs-1086和astmds-566中规定的“unifiednumberingsystem”，前述n06625、n10276、n06022、(后述的)n07718等为其中登记的合金的固有编号。

另外，在专利文献2中，作为用于制造安装在用于填充、储存和搬运hcl、hf、hbr等具有强腐蚀性的卤素化合物气体以及氯、氟、溴等卤素气体等的储气罐上的阀的构件，提出了具有如下成分组成且耐腐蚀性/模锻性优异的ni基耐腐蚀合金：含有cr：14.5～24％、mo：12～23％、fe：0.01～6％、mg：0.001～0.05％、n：0.001～0.04％、mn：0.05～0.5％、si：0.01～0.1％、al：0.01～0.5、ti：0.001～0.5％、cu：0.01～1.8％、v：0.01～0.5％、b：5～50ppm，或进一步含有ta：大于1％且为3.4％以下、w：2～5％、co：0.01～5％，余量为ni和不可避免的杂质，作为前述不可避免的杂质而含有的c、s和p调整为c：小于0.05％、s：小于0.01％和p：小于0.01％。并且，记载了通过对该ni基耐腐蚀合金进行模锻，仅进行最小限度的最终机械精加工就能够制作尺寸精度优异的卤素气体和卤素化合物气体填充用储气罐的阀，而不会产生由模锻引起的裂纹。

但是，虽然上述以往技术中的ni基合金通过以锻造品或轧制板为坯料实施机械加工或焊接等来成形为规定形状的构件，但通过机械加工、焊接等对构件高精度地赋予复杂形状是困难的。

然而，近年来，被称为3d打印机的层叠造型(additivemanufacturing)技术取得了进步，在板、棒、管这样的成型材料的机械加工中，形状赋予困难或无法实现的复杂形状的赋予逐渐成为可能。

而且，在制作需要精度的比较小型的产品时，作为用于层叠造型的原料，也采用金属粉末。

例如，如专利文献3所示的由相当于作为unsn07718(相当于inconel718(注册商标))而已知的耐热系ni基合金(标称组成为ni-19％cr-3％mo-5％(nb+ta)-0.9％ti-0.5％al-19％fe)的组成构成的ni基耐热合金粉末已被用作层叠造型用粉末，主要供于要求耐热性的飞机用复杂形状构件的制作。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公平7-47989号公报

专利文献2：日本特开2010-1558号公报

专利文献3：美国专利第3046108号说明书

技术实现要素：

发明要解决的问题

半导体制造技术中，作为工艺气体使用的卤素系气体使用经超高纯度化的气体，但随着半导体芯片的布线宽度变得微细，污染的管理变得格外严格。

因此，作为半导体制造装置用构件，期望利用前述专利文献2中提出的那样的耐腐蚀性优异的ni基耐腐蚀合金来制作。

而且，随着半导体制造装置的高度化，构成它们的构件、部件的设计复杂度增加，特别是不仅要求外表面侧的形状，还要求直接与气体接触的内表面侧的形状赋予，因此带来了超出通过模锻、机械加工能够制作的范围的要求。

因此，非常需要耐腐蚀性优异且适于能够赋予复杂形状的层叠造型的ni基耐腐蚀合金粉末，并且强烈要求开发使用该ni基耐腐蚀合金粉末的层叠造型品。

特别是，对于用作半导体制造装置用构件的层叠造型品用的ni基耐腐蚀合金粉末，在将其制成层叠造型品时，要求耐腐蚀性优异、缺陷极少。

用于解决问题的方案

因此，本发明人等对能够解决上述课题且能够层叠造型具有规定特性的ni基耐腐蚀合金粉末及使用该粉末的层叠造型品进行了深入研究，结果得到以下见解。

即，发现了以质量％计，含有cr：14.5～24.0％、mo：12.0～23.0％、fe：0.01～7.00％、co：0.001～2.500％、mg：0.0001～0.0050％、n：0.001～0.040％、mn：0.005～0.50％、si：0.001～0.200％、al：0.01～0.50％、ti：0.001～0.500％、cu：0.001～0.25％、v：0.001～0.300、b：0.0001～0.0050％、zr：0.0001～0.0100％、o：0.0010～0.0300％，根据需要进一步含有ta：大于1.0％且为2.5％以下、w：2.0～5.0％中的任一者，余量为ni和不可避免的杂质，作为不可避免的杂质含有的c、s及p降低至c：小于0.05％、s：小于0.01％、p：小于0.01％的ni基耐腐蚀合金粉末，优选其粒径为5～100μm、进一步优选其粒径为20～80μm的ni基耐腐蚀合金粉末在层叠造型时的缺陷产生极少等层叠造型性优异，并且，通过层叠造型制作的层叠造型品(例如，半导体制造装置用构件等)即使在湿润环境下、即使在cl2、hbr、nf3等半导体工艺气体环境下也显示出优异的耐腐蚀性。

发明的效果

使用本发明的层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末，通过层叠造型制作半导体制造装置用构件时，能够制作由没有缺陷且高耐腐蚀性的层叠造型品构成的半导体制造装置用构件，因此半导体制造装置用构件的设计自由度显著增加，能够实现半导体制造装置的高度化，在产业上带来优异的效果。

具体实施方式

以下，对本发明的ni基耐腐蚀合金粉末的成分组成及粉末粒径的限定理由进行详细说明。

cr：

针对hcl、cl2、hf、f2、nf3、clf3及hbr等卤素系气体，cr具有提高耐腐蚀性的效果。特别是，半导体制造装置构件在开放时一旦接触外部气体时，源自大气的水分吸附在金属表面，吸附的水分与卤素系工艺气体水合，发生电化学腐蚀。对于水合的酸，特别是在浓度较稀薄的区域，cr发挥其耐腐蚀性。此时，cr需要含有14.5％以上，但若大于24.0％地含有，则在与mo的组合中，在层叠造型时损害相稳定性，难以维持单一相，会形成粗大的μ相，带来耐腐蚀性的劣化，因此将其含量设为14.5％～24.5％。

优选的cr上限为22.5％，进一步优选为20.5％。另外，优选的cr下限为15.0％，进一步优选为18.0％。

mo：

针对hcl、cl2、hf、f2、nf3、clf3及hbr等卤素系气体，mo具有提高耐腐蚀性的效果。特别是，半导体制造装置构件在开放时一旦接触外部气体时，源自大气的水分吸附在金属表面，吸附的水分与卤素系工艺气体水合，发生电化学腐蚀。对于水合的酸，特别是在中～高浓度区域，mo发挥其耐腐蚀性。此时，mo需要含有12.0％以上，但若大于23.0％地含有，由于mo在高温下的氧化性差，因此在利用气体雾化法制造粉末时，形成于各个粉末表面的氧化膜变厚，使用该粉末制造的层叠造型品中由氧化物引起的缺陷变得明显，故不优选。因此，将其含量设为12.0％～23.0％。

优选的mo上限为20.5％，进一步优选为19.5％。另外，优选的mo下限为14.0％，进一步优选为16.0％。

fe和co：

fe和co的熔点比ni高，具有提高熔液粘度的效果。关于粉末的制造，例如，可以通过在气氛气体中，将熔液以喷雾状喷射使之骤冷来得到。通过添加fe和co，在制造粉末时，粒径控制变得容易，并且能够抑制容易难以进行层叠造型的微粉(粒径小于5μm)的生成。此时，fe需要含有0.01％以上，但若大于7.00％地含有，则会带来对于水合的酸的耐腐蚀性的劣化，因此将其含量设为0.01％～7.00％。

优选的fe上限为5.50％，进一步优选为1.00％。另外，优选的fe下限为0.05％，进一步优选为0.10％。

同样地，co需要含有0.001％以上，但若大于2.500％地含有，则在层叠造型时因粉末凝固时的微观水平的缩孔而引起的缺陷变得明显，故不优选。因此，将co的含量设为0.001～2.500％。

优选的co上限为1.000％，进一步优选为0.500％。另外，优选的co下限为0.005％，进一步优选为0.010％。

n、mn及mg：

通过使n、mn和mg共存，具有抑制显微偏析的效果。在层叠造型时，各个粉末通过激光瞬间成为熔液，另一方面，通过相对快速的冷却而凝固，由此进行造型。此时，有可能会产生显微偏析。由于产生显微偏析，形成cr、mo等发挥耐腐蚀性的元素的稀薄区域，在该稀薄区域，耐腐蚀性会受到左右，因此必须尽可能地抑制显微偏析。n、mn和mg具有使作为母相的ni-fcc相稳定化、促进cr和mo的固溶化的效果，因此，结果可以抑制骤冷凝固时的显微偏析的产生。

但是，若n的含量小于0.001％，则没有在层叠造型时抑制显微偏析的效果，另一方面，若大于0.040％地含有，则会形成氮化物，成为层叠造型品中缺陷增大的原因，因此将其含量设为0.001％～0.040％。

优选的n上限为0.030％，进一步优选为0.020％。另外，优选的n下限为0.003％，进一步优选为0.005％。

同样地，若mn的含量小于0.005％，则没有在层叠造型时抑制显微偏析的效果，另一方面，若大于0.50％地含有，反而会促进显微偏析，存在使层叠造型品的耐腐蚀性劣化的倾向，因此将其含量设为0.005％～0.50％。

优选的mn上限为0.40％，进一步优选为0.35％。另外，优选的mn下限为0.006％，进一步优选为0.007％。

同样地，若mg的含量小于0.0001％，则没有在层叠造型时抑制显微偏析的效果，因此出现使层叠造型品的耐腐蚀性劣化的倾向，另一方面，若大于0.0050％地含有，反而会促进显微偏析，存在使层叠造型品的耐腐蚀性劣化的倾向，因此将其含量设为0.0001％～0.0050％。

优选的mg上限为0.0030％，进一步优选为0.0020％。另外，优选的mg下限为0.0003％，进一步优选为0.0005％。

需要说明的是，已确认前述的这3种元素的效果并不是等效的，未以规定的范围同时含有3种元素的情况下，没有抑制显微偏析的效果。

si、al及ti：

si、al及ti通过分别作为脱氧剂添加，具有提高合金内的洁净度的效果。由此，在层叠造型时粉末与粉末的接合变得平滑，结果，层叠造型品的缺陷得到抑制。

通过含有0.001％以上的si来显示出其效果，但若大于0.200％地含有，则出现在晶界中发生偏析，耐腐蚀性劣化的倾向，因此将si的含量设为0.001％～0.200％。

优选的si上限为0.100％，进一步优选为小于0.010％。另外，优选的si下限为0.002％，进一步优选为0.005％。

同样地，通过含有0.01％以上的al来显示出合金内的洁净效果，但若大于0.5％地含有，则层叠造型时的氧化物形成变得明显，层叠造型品的缺陷增大。因此，将al的含量设为0.01％～0.50％。

优选的al上限为0.40％，进一步优选为0.30％。另外，优选的al下限为0.03％，进一步优选为0.05％。

同样地，通过含有0.001％以上的ti来显示出合金内的洁净效果，但若大于0.500％地含有，则层叠造型时的氧化物形成变得明显，层叠造型品的缺陷增大。因此，将ti的含量设为0.001％～0.500％。

优选的ti上限为0.200％，进一步优选为0.100％。另外，优选的ti下限为0.003％，进一步优选为0.005％。

cu：

cu具有在盐酸或氢氟酸等还原性湿润腐蚀环境下提高耐腐蚀性的效果。因此，对于由工艺气体和吸附在金属表面的水分形成的电化学腐蚀是有效的。通过含有0.001％以上的cu来显示效果，但若大于0.25％地含有，则制造的粉末表面的氧化物会使层叠造型品的缺陷变得明显，因此将cu的含量设为0.001％～0.250％。

优选的cu上限为0.100％，进一步优选为0.010％。另外，优选的cu下限为0.002％，进一步优选为0.005％。

v：

v具有在由熔液以喷雾状制造粉末时抑制粗大直径的粉末生成的效果。对于直径过大的粉末，在层叠造型时颗粒间的间隙变大，从而缺陷变得明显，故不优选。因此，虽然在对粉末进行分级时可以去除，但其收率(粉末成品率)会降低，因此成为工业生产上的课题。如果不添加0.001％以上的v，则不能得到粗大粉末的抑制效果，但若大于0.300％地含有，则微粉化反而会进行，这也会使必要粒径的收率(粉末成品率)降低，故不优选。因此，将v的含量设为0.001％～0.300％。

优选的v上限为0.200％，进一步优选为0.100％。另外，优选的v下限为0.003％，进一步优选为0.005％。

b和zr：

b和zr分别在凝固过程中成核，具有防止缩孔产生的效果。在成型层叠造型物时，各个粉末溶解凝固的过程反复进行，而若在凝固过程中产生缩孔，则这些缺陷会成为微粒的产生源，因此不适合作为用作半导体制造装置用构件、部件的层叠造型物。

通过含有0.0001％以上的b来显示出防止缩孔产生的效果，但若大于0.0050％地含有，则出现在晶界中发生偏析，耐腐蚀性劣化的倾向，因此将b的含量设为0.0001％～0.0050％。

优选的b上限为0.0040％，进一步优选小于0.0030％。另外，优选的b下限为0.0002％，进一步优选为0.0005％。

同样地，通过含有0.0001％以上的zr，显示出防止缩孔产生的效果，但若大于0.0100％地含有，则与b同样地会在晶界中发生偏析，耐腐蚀性劣化的倾向，因此将zr的含量设为0.0001％～0.0100％。

优选的zr上限为0.0080％，进一步优选为0.0060％。另外，优选的zr下限为0.0005％，进一步优选为0.0008％。

需要说明的是，已确认前述的这2种元素各自的效果并不是等效的，未以规定的范围同时含有2种元素的情况下，没有防止缩孔产生的效果。

o：

o具有如下效果：在粉末制造时的熔液喷雾工序中，在刚凝固后的高温状态下，主要与cr瞬间结合，在粉末表面形成极薄且牢固的氧化皮膜，从而抑制氧化的进一步进行。由此，可以将源自作为异物混入到层叠造型品中的粉末的氧化物的量抑制得极低。通过含有0.0010％以上的o来显示其效果，但若大于0.0300％地含有，则粉末表面的氧化物会使层叠造型品的缺陷变得明显，因此将o的含量设为0.0010％～0.0300％。

优选的o上限为0.0200％，进一步优选为0.0100％。另外，优选的o下限为0.0020％，进一步优选为0.0050％。

ta：

ta具有改善在还原性/氧化性酸中的耐腐蚀性、对点蚀、缝隙腐蚀的耐腐蚀性的效果，因此可根据需要添加，虽然含有大于1.0％，可发挥显著改善耐腐蚀性的效果，但若大于2.5％地含有，则在粉末制造时形成于粉末表面的氧化量增大，由此层叠品的缺陷变得明显，因此将其含量设为大于1.0％且为2.5％以下。

优选的ta上限为2.3％，进一步优选为2.2％。另外，优选的ta下限为1.1％，进一步优选为1.2％。

w：

w与mo同样具有提高对还原性酸的耐腐蚀性的效果，同时通过提高熔点来提高熔液的粘度制造粉末时，粒径控制变得容易，并且能够抑制容易难以进行层叠造型的微粉(粒径小于5μm)的生成，因此可根据需要添加，但为了得到其效果，需要添加2.0％以上。但是，若大于5.0％地含有，则由于熔点过度升高，因此有粉末粗大化的倾向，分级恰当粉末直径的收率(粉末成品率)下降，故不优选。因此将其含量设定为2％～5％。

优选的w上限为4.9％，进一步优选为4.5％。另外，优选的w下限为2.2％，进一步优选为2.5％。

不可避免的杂质：

作为不可避免的杂质，c会在晶界附近与cr形成碳化物，增大耐腐蚀性的劣化。因此，设为c：小于0.05％。另外，s、p会在晶界偏析，成为高温裂纹的原因，因此必须抑制在小于0.01％。

另外，这些不可避免的杂质的含量较少为佳，也可以为0％。

粉末粒径

层叠造型为通过对各个粉末反复进行熔融/凝固来进行形状赋予的造型法，但若ni基耐腐蚀合金粉末的粒径小于5μm，则难以得到1次熔融凝固所需的容积，因此难以得到健全的层叠造型品。另一方面，若ni基耐腐蚀合金粉末的粒径超过100μm，则1次熔融凝固所需的容积过大，难以得到健全的层叠造型品。

因此，ni基耐腐蚀合金粉末的粒径优选设为5～100μm。进一步优选为20～80μm。

需要说明的是，优选通过可得到球形形状的气体雾化法得到的粉末。另外，对于粉末的粒径，使用激光衍射式粒度分布测定装置来测定粒度分布。

本发明的层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末的成分组成可通过以下测定方法来求出。

如后述实施例所述，将分级后的层叠造型用粉末溶解在合适的水溶液中，通过对该水溶液进行高频电感耦合等离子体(icp)分析，测定规定成分的含量。

需要说明的是，对于c、s、n、o，进行基于燃烧法的气体分析，求出其含量。

本发明中，向层叠造型装置、例如图1所示的粉末床熔融结合方式(powderbedfusion法)的层叠造型装置中供给本发明的层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末，对铺设了粉末的区域照射激光、电子束等高能量，使合金粉末选择性地熔融结合，从而能够层叠造型期望形状的造型品。

通过使用本发明的层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末的层叠造型，可得到缺陷极少且在湿润环境下或半导体工艺气体环境下显示优异的耐腐蚀性的卤素气体及卤素化合物气体填充用储气罐的阀构件、质量流量计内的气体接触构件，气体阻隔构件、气体接头等半导体制造装置用构件。

需要说明的是，作为层叠造型装置，不仅是图1所示的装置，也可以根据层叠造型品的形状等，使用图2所示的指向性能量沉积方式(directedenergydeposiion法)的层叠造型装置等，层叠造型装置的型号等没有特别限制。

附图说明

图1表示作为粉末床熔融结合方式(powderbedfusion法。)而已知的层叠造型装置的示意图。

图2表示作为指向性能量沉积方式(directedenergydeposiion法。)而已知的层叠造型装置的示意图。

下面，对本发明的实施例进行说明。

实施例

准备高纯度熔解原料，使用一般的高频真空熔化炉进行熔解，分别制作约10kg基础合金，在氩气气氛中，使用气体雾化法，制作用于获得具有表1、表2所示成分组成的本发明层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末的基础粉末。

利用同样的方法制造用于获得具有表3、表4所示成分组成的比较层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末的基础粉末。

使用多个筛子将上述得到的气体雾化状态下的各基础粉末分级为层叠造型用的粒径20～80μm的粉末和除此以外的粉末。

需要说明的是，不存在作为层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末的以往产品。

[表1]

(接表2)

[表2]

{表1续)

[表3]

(接表4)

(备注)标记*表示在本发明的范围外。

[表4]

{表3续)

(备注)标记*表示在本发明的范围外。

粉末成品率(％)：

对于分级得到的层叠造型用的粒径20～80μm的粉末，求出(粒径20～80μm的粉末的质量)×100/(气体雾化状态下的粉末的质量)的值作为其粉末成品率(％)。

于表5和表6中示出粉末成品率(％)的值。需要说明的是，在分级前测定了粒度分布，对于成品率优异的粉末，小于5μm的粉末的比例为10％以下，通过组成的调整使5μm以上的粉末的比例高。

另外，将这些经分级的粒径20～80μm的粉末分别作为本发明层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末(以下称为“本发明合金粉末”)1～40和比较层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末(以下称为“比较合金粉末”)1～30。

接着，通过图1所示的粉末床熔融结合方式(powderbedfusion法。)的层叠造型装置，使用本发明合金粉末1～40和比较合金粉末1～30，制作作为评价用层叠造型品的板材(30×30×5mm)，每种粉末各制作10片。

对这些作为评价用层叠造型品的板材(30×30×5mm)进行以下评价。

缺陷率(面积％)的测定：

切割作为评价用层叠造型品的板材(30×30×5mm)的截面，埋入树脂，用耐水砂纸研磨至#1500后，进一步使用粒径1μm的金刚石研磨膏进行研磨，制成镜面精加工面。

用光学显微镜观察上述镜面精加工面，通过图像分析确定在1mm×1mm的范围内的缺陷(孔隙、穴)，求出其面积比率作为缺陷率(面积％)。

需要说明的是，分辨率为1024×1280像素，通过图像分析软件，进行二值化处理，将8像素以上的黑色部分作为缺陷。

于表5和表6中示出缺陷率(面积％)的值。

湿润环境中的耐腐蚀性评价：

对作为评价用层叠造型品的板材(30×30×5mm)的表面进行研磨，最终进行耐水砂纸#400精加工。然后，进行电解研磨，将研磨后的试样在丙酮中于超声波振动状态下保持5分钟进行脱脂，由此制作腐蚀试验片。

使用这些腐蚀试验片，于沸腾的1％hcl、35％hcl中实施24小时的腐蚀试验。

通过测定其试验前后的失重量，根据试验前表面积和试验时间算出腐蚀速度(mm/年)。

于表5和表6中示出其结果。

对半导体工艺气体的耐腐蚀性的评价：

对作为评价用层叠造型品的板材(30×30×5mm)的表面进行研磨，最终进行耐水砂纸#400精加工。然后，进行电解研磨，将研磨后的试样在丙酮中于超声波振动状态下保持5分钟进行脱脂，由此制作腐蚀试验片。

将这些腐蚀试验片设置在ni基合金(unsn06022)制试验用小型腔室内，抽真空后，分别填充腐蚀气体(cl2、hbr、nf3)，根据腐蚀气体的种类在规定的温度(cl2：250℃、hbr：250℃、nf3：350℃)下保持24小时，然后冷却至室温，置换为氩气后，迅速地保管于真空干燥器中。

将腐蚀试验片依次供于sem观察，通过图像分析测定在拍摄的照片中观察到的岛状的腐蚀部分的面积率。

需要说明的是，分辨率为1024×1280，倍率为500倍，将8像素以上作为腐蚀区域。

于表5和表6中示出其结果。

需要说明的是，对于粉末成品率低的情况或缺陷率高的比较合金粉末，没有制作腐蚀试验片，也没有进行耐腐蚀性评价。

[表5]

[表6]

由表5、表6所示结果可知，可以确认本发明层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末在制造成品率、使用该粉末制作的层叠造型品的缺陷率、耐腐蚀性(湿润环境/半导体工艺气体)方面均优于比较层叠造型用ni基耐腐蚀合金粉末及使用该粉末制作的层叠造型品。

产业上的可利用性

通过将本发明的ni基耐腐蚀合金粉末用作层叠造型用的原料粉末，能够提供由耐腐蚀性优异且缺陷极少的层叠造型品构成的半导体制造装置用构件，但不仅是半导体制造装置用构件，也有望在化工设备、药品制造设备或油、气体领域等广泛领域中用作复杂形状构件的层叠造型用耐腐蚀性金属粉末。