1.一种处理方法，包括：
将衬底表面暴露于硅前驱物和掺杂剂以形成具有一厚度的掺杂的非晶硅层；以及
在所述掺杂的非晶硅层上形成金属层。
2.如权利要求1所述的方法，其中将所述衬底表面同时地暴露于所述硅前驱物和所述掺杂剂。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述硅前驱物包括硅烷或卤代硅烷。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述硅烷包括甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷、异丁硅烷、新戊硅烷、环戊硅烷、己硅烷或环己硅烷中的一种或多种。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述卤代硅烷包括二卤代硅烷、三卤代硅烷、四卤代硅烷或六卤代二硅烷中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂的非晶硅层包括硼、磷、砷或锗中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述掺杂剂包括甲硼烷、乙硼烷、膦、锗烷或双锗烷中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的方法，其中在小于或等于约100℃的温度下暴露所述衬底表面。
9.如权利要求1所述的方法，其中通过原子层沉积来沉积所述金属层。
10.如权利要求1所述的方法，其中通过将所述掺杂的非晶硅层暴露于金属前驱物和反应物来形成所述金属层，所述金属前驱物包括wf6和mof6中的一种或多种，并且所述反应物包括氢。
11.如权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述掺杂的非晶硅层之前在所述衬底表面上沉积胶层，所述胶层包括tin。
12.一种处理方法，包括：
提供具有氧化硅表面的硅衬底；
在所述硅衬底上形成胶层，所述胶层包括厚度在约
通过将所述胶层暴露于包括乙硅烷的硅前驱物和包括乙硼烷的掺杂剂，来在所述胶层上形成掺杂的非晶硅层，所述衬底维持处于小于或等于约100℃的温度；以及
在所述掺杂的非晶硅层上形成金属层。
13.如权利要求12所述的方法，其中通过原子层沉积来形成所述金属层。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述金属层包括钨和钼中的一种或多种。
15.如权利要求14所述的方法，其中通过将所述掺杂的非晶硅层暴露于金属前驱物和反应物来沉积所述金属层，所述金属前驱物包括wf6和mof6中的一种或多种，并且所述反应物包括氢。