本发明涉及一种铜清洗剂，尤其涉及一种可去除高分子复合产物的铜清洗剂。
背景技术：
既有大尺寸tft-lcd显示器普遍应用铜制程工艺，当前在4道光罩技术中，背沟道蚀刻时，易受到一些铜、光阻及干蚀刻气体结合生成的高分子副产物影响，导致金属表面变色或电性偏移。一般清洗制程，使用超纯水或去离子水，对于高分子副产物去除能力有限。目前，有应用光阻剥离剂进行清洗，但无法根本解决金属表面污染问题。
为了解决现有技术所存在的问题，亟需一种铜清洗剂，可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物，以提升产品良率。
技术实现要素：
基于上述，本发明的目的在于提供了一种铜清洗剂，可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物，达到提升产品良率的目的。
为了实现上述目的，本发明提供一种铜清洗剂，以所述铜清洗剂为100重量份为基础，包括：40～65重量份的去离子水；25～35重量份的丙酮缩甘油；0.001～2重量份的表面活性剂；以及0.01～2重量份的缓蚀剂。
依据本发明的一实施例，所述的铜清洗剂，其ph值为8～10。
依据本发明的一实施例，所述表面活性剂包括一酰胺类化合物，所述酰胺类化合物包括但不限于下列至少一者：乙二醇酰胺、单乙醇酰胺、以及聚氧乙烯烷醇酰胺。
依据本发明的一实施例，所述表面活性剂包括一季铵盐类化合物，所述季铵盐类化合物包括但不限于下列至少一者：氯化苄基三乙基铵、硫酸氢丁四基铵、十二烷基三甲基氯化铵、十二烷基二甲基苄基氯化铵、十八烷基二甲基羟乙基硫酸铵、以及十八烷基二甲基羟乙基过氯酸铵。
依据本发明的一实施例，所述缓蚀剂包括一唑类化合物，所述唑类化合物包括但不限于下列至少一者：苯并三氮唑、1h-咪唑、1h-四唑、5-苯基-1h-四唑、5-氨基-1h-四唑、3-氨基-1h-三唑、以及5-羧基苯并三氮唑。
依据本发明的一实施例，以所述铜清洗剂为100重量份为基础，所述铜清洗剂包括：60～65重量份的去离子水；28～32.5重量份的丙酮缩甘油；0.5～1.5重量份表面活性剂；以及0.5～1重量份缓蚀剂。
依据本发明的一实施例，以所述铜清洗剂为100重量份为基础，所述铜清洗剂包括：65重量份的去离子水；32.5重量份的丙酮缩甘油；1.5重量份表面活性剂；以及1重量份缓蚀剂。
本发明所提供的铜清洗剂，可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物，达到提升产品良率的目的。
附图说明
无。
具体实施方式
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明提供了一种铜清洗剂，可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物，达到提升产品良率的目的。
本发明之铜清洗剂，以中性溶剂丙酮缩甘油及去离子水为主要溶剂，添加一定胺类及盐类腐蚀抑制剂，用以去除高分子复合产物。
具体而言，在本发明的实施例中，本发明之铜清洗，以所述铜清洗剂为100重量份为基础，可包括：40～65重量份的去离子水；25～35重量份的丙酮缩甘油；0.001～2重量份的表面活性剂；以及0.01～2重量份的缓蚀剂；优选包括：60～65重量份的去离子水；28～32.5重量份的丙酮缩甘油；0.5～1.5重量份表面活性剂；以及0.5～1重量份缓蚀剂；更优选包括：65重量份的去离子水；32.5重量份的丙酮缩甘油；1.5重量份表面活性剂；以及1重量份缓蚀剂。
依据本发明的一实施例，所述的铜清洗剂的ph值可为8～10。
在本发明中，优良的表面活性剂可以有效提高表面活性。依据本发明的一实施例，所述表面活性剂可包括一酰胺类化合物，所述酰胺类化合物包括但不限于下列至少一者：乙二醇酰胺、单乙醇酰胺、以及聚氧乙烯烷醇酰胺。
依据本发明的一实施例，所述表面活性剂包括一季铵盐类化合物，所述季铵盐类化合物可包括但不限于下列至少一者：氯化苄基三乙基铵、硫酸氢丁四基铵、十二烷基三甲基氯化铵、十二烷基二甲基苄基氯化铵、十八烷基二甲基羟乙基硫酸铵、以及十八烷基二甲基羟乙基过氯酸铵。
在本发明中，所述的缓蚀剂屏蔽了蚀刻后产生的金属离子，减少对铜表面的侵蚀。依据本发明的一实施例，所述缓蚀剂可包括一唑类化合物，所述唑类化合物包括但不限于下列至少一者：苯并三氮唑、1h-咪唑、1h-四唑、5-苯基-1h-四唑、5-氨基-1h-四唑、3-氨基-1h-三唑、以及5-羧基苯并三氮唑。
据此，本发明提供了一种铜清洗剂，可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物，达到提升产品良率的目的。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。