极板间距调节装置及调节设备的制作方法

本揭示涉及制造技术领域，尤其涉及一种极板间距调节装置及调节设备。

背景技术：

等离子体化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)设备被广泛应用于显示基板上的非晶硅薄膜成型、半导体装置中的晶体管元件成型以及集成电路的成型过程中。cvd设备，已经成为现有光电子产业及高新制造业发展中不可或缺的半导体制造设备。

在制造半导体薄膜时，cvd设备内的原料气体和运载气体通过不同的通道扩散进入反应室，然后被激发为等离子体并沉积在基板表面。现有工艺中cvd设备中极板的间距对沉积成膜有重要的影响，间距太大，离子沉积速度过快，出现未沉积颗粒问题；间距太小，强气流直接冲击基板，离子来不及沉积。同时，现有的cvd设备机台中的上下极板为整片式的结构，在生产过程中，由于工况不同，薄膜中的电场强度也会不同，而整片式极板上的电场是一样的，这样就造成了极板不能有效的对局部的电场进行调节，这些未得到调节的区域在薄膜成型时会出现严重不良情况，进而影响整个薄膜的成品率，从而增加生产成本。

综上所述，现有的cvd设备机台中的上下极板结构为整片式结构，这种整片式的结构不能有效调整上下极板之间的间距，进而不能有效的对局部不同的电场强度进行调节，无法解决腔室内电场强度不均的问题，造成薄膜成型一致性差，成品率低等问题，因此，需要提出进一步的完善和改进方案。

技术实现要素：

本揭示提供一种极板间距调节装置及调节设备，以解决现有设备中整片式的极板结构不能有效调节上下极板的间距，无法对局部电场进行调节以及无法保证腔室电场一致性的问题。

为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：

根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种极板间距调节装置，包括：

上极板、与上极板相对的下极板、连接装置以及单元驱动装置，

所述连接装置连接所述下极板与所述单元驱动装置；

其中，所述下极板包括复数个单元极板，所述单元极板在静止时位于同一平面内，每个所述单元极板对应连接所述连接装置，所述单元极板通过所述连接装置上下调节。

根据本揭示一实施例，还包括加热装置，所述加热装置设置在所述单元极板内。

根据本揭示一实施例，所述加热装置为可控式电阻丝。

根据本揭示一实施例，所述连接装置为伸缩杆或弹性装置。

根据本揭示一实施例，所述单元极板的截面为矩形。

根据本揭示一实施例，每个所述单元极板接地。

根据本揭示一实施例，所述下极板的上表面积不小于所述上极板的下表面积。

根据本揭示一实施例，所述单元驱动装置用于控制所述连接装置。

根据本揭示一实施例，每个所述单元极板的表面积相同。

根据本揭示实施例的第二方面，还提供了一种调节设备，所述调节设备内包含本揭示实施例中提供的极板间距调节装置。

综上所述，本揭示实施例的有益效果为：

对现有极板间距调节装置进行改进，将传统的整片式结构的间距调节装置设计为多个单元极板，同时在每个单元极板内还设置加热装置，以辅助调节电场强度的变化，多个单元极板通过连接装置与单元驱动装置连接，并通过连接装置来进行上下调节，达到对局部电场进行调节，从而保证调节装置腔内电场的一致性，进而，保证成膜率，提高产品的质量。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本揭示实施例的下极板的结构示意图；

图2为本揭示实施例的极板间距调节装置结构示意图；

图3为本揭示实施例中调节设备结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。

在本揭示的描述中，需要理解的是，指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本揭示和简化描述。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。本揭示提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本揭示实施例提供一种极板间距调节装置。如图1所示，图1为本揭示实施例中下极板间距调节装置结构示意图。下极板100包括复数个单元极板101。传统的下极板均为一整片式的整体结构，在半导体薄膜制备时，由于复杂的制备工况条件，半导体薄膜各个区域内的电场总存在着差别，而整片式结构的极板上的电场强度是相同的。当薄膜某些区域内的电场强度出现异常时，由于整片式的极板上的电场强度是恒定的，因此就无法对该异常的区域内的电场做出相应的调节，制备的半导体薄膜的成品率就会下降。

而本揭示实施例中，下极板100由多个小块状的单元极板101所组成，多个单元极板101的截面形状可以为矩形或者是其他形状，并且，所述单元极板101的总数量以及总个数可以根据上极板的大小和加工条件做出相应的改变。下极板100的上表面积不小于上极板的下表面积，这样，在成型半导体薄膜时，能实现最大化的成膜面积。当极板间距调节装置未工作即静止时，下极板100处于复位状态，多个单元极板101处于同一平面内，并与间距调节装置的上极板相对应，以便为制备工艺做准备。

如图2所示，图2为本揭示实施例中极板间距调节装置结构示意图。所述极板间距调节装置包括多个单元极板200，设置在单元极板200内的加热装置201，将单元极板200与单元驱动装置203相连接的连接装置202。每个单元极板200都对应连接着一个连接装置202。同时各个单元极板200相互独立，并且均能够在单元驱动装置203的调节下独立的上下运动。这样，在制备半导体薄膜时，当半导体薄膜的某些区域内的电场强度出现异常时，与这些异常区域相对应的单元极板200就会做出相应的调节，上升或者下降与上极板之间的距离，从而保证调节装置腔内电场强度的一致性。

加热装置201可为可控式加热电阻丝，每个单元极板200内的加热装置201都相对独立，并且可以通过调节装置进行单独调节。在镀膜过程中，这些加热装置201保证了制备温度的可控性，避免了因极板与玻璃基板的距离导致温度不均情况的出现。

单元极板200与单元驱动装置203通过连接装置202相连接，连接装置202为可伸缩的伸缩杆或为可伸缩的其他弹性装置。在单元驱动装置203的调节下，连接装置202带动单元极板200上下移动，从而增大或者减小与上极板的距离，如图2中所示状态，某些区域中的电场强度出现变化，与该区域对应的单元极板200就会升高或降低与上极板之间的距离，进而来调整该区域内的电场强度，使整个半导体薄膜上的场强保持一致。在整个装置中，每个单元极板200都接地，这样，保证了上下两极之间的驱动电压的恒定，减小了环境误差。

本揭示实施例中还提供了一种调节设备，如图3所示，图3为该调节设备的结构示意图。极板间距调节装置301设置在调节设备300内，调节设备300在工作时，内部的极板间距调节装置301保证了腔体内上下极板之间电场强度的一致。

以上对本揭示实施例所提供的一种极板间距调节装置及调节设备进行了详细介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。